JP2020064909A - 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 200
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 45
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32368—Quality control
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/35—Nc in input of data, input till input file format
- G05B2219/35012—Cad cam
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37216—Inpect component placement
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
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- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Telephone Function (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
Description
[処理システム1の構成]
図1は、本開示の第1の実施形態における処理システム1の一例を示す図である。処理システム1は、プラズマ処理装置10および提示装置70を備える。
図10は、提示装置70の一例を示すブロック図である。提示装置70は、データベース(DB)71、取得部72、特定部73、比較部74、出力部75、および入力部76を有する。特定部73は、第1の特定部の一例である。
図17は、提示装置70の処理の一例を示すフローチャートである。図17のフローチャートに示された処理は、例えば装置本体11のメンテナンスにおいて、装置本体11が分解される前に行われる。
第1の実施形態における処理システム1では、提示装置70のDB71内に格納されている許容範囲の値は処理システム1の管理者等によって予め設定される。これに対し、本実施形態の処理システム1では、複数のプラズマ処理装置10の部品の組付け位置および向きのデータと処理結果とが収集され、収集された情報から、良好な処理結果が得られる場合の部品の組付け位置および向きの許容範囲が特定される。なお、第1の実施形態では、メンテナンス後のプラズマ処理装置10の各部品の組付け位置および向きが、メンテナンス前等の所定のタイミングにおけるプラズマ処理装置10の各部品の組付け位置および向きを基準とする許容範囲に含まれるか否かが評価された。これに対し、本実施形態では、メンテナンス後のプラズマ処理装置10の各部品の組付け位置および向きが、複数のプラズマ処理装置10の各部品の組付け位置および向きの分布に基づいて特定された許容範囲に含まれるか否かで評価される。
図18は、本開示の第2の実施形態における処理システム1の一例を示す図である。本実施形態における処理システム1は、複数のプラズマ処理装置10、複数の端末80、およびサーバ90を備える。複数のプラズマ処理装置10は、同種の処理装置である。同種の処理装置とは、例えば、製造メーカ、シリーズ、および型番等が同一の処理装置である。なお、図18において、図1と同じ符号を付した構成は、図1における構成と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。
図19は、端末80の一例を示すブロック図である。端末80は、送信部81、取得部82、受信部83、出力部84、および入力部85を有する。
図20は、サーバ90の一例を示すブロック図である。サーバ90は、許容範囲特定部91、DB92、比較部93、特定部94、受信部95、および送信部96を有する。受信部95は、取得部の一例であり、特定部94は、第1の特定部の一例であり、許容範囲特定部91は、第2の特定部の一例である。
図23は、端末80の処理の一例を示すフローチャートである。
図24は、サーバ90によって行われる許容範囲更新処理の一例を示すフローチャートである。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
W 被処理体
1 処理システム
2 処理容器
10 プラズマ処理装置
11 装置本体
16 誘電体窓
20 スロット板
200 スロット対
25 誘電体板
37 モード変換器
373 マーカ
374 マーカ
70 提示装置
71 DB
72 取得部
73 特定部
74 比較部
75 出力部
76 入力部
700 3Dスキャナ
701 ケーブル
80 端末
90 サーバ
91 許容範囲特定部
92 DB
93 比較部
94 特定部
95 受信部
96 送信部
Claims (13)
- 処理装置に含まれる複数の部品のそれぞれについて、当該部品の組付け位置および向きの情報を格納するデータベースと、
3Dスキャナによって取り込まれた前記処理装置の外観の状態を示す第1の外観データを取得する取得部と、
前記第1の外観データに基づいて、前記処理装置に含まれる複数の部品を識別し、識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きを特定する第1の特定部と、
前記識別された部品毎に、前記特定された組付け位置および向きと、前記データベースに格納された組付け位置および向きの情報とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果を出力する出力部と
を備える組付け状態提示装置。 - 前記データベースには、
それぞれの部品の組付け位置および向きの許容範囲に関する情報が格納されており、
前記比較部は、
前記識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きと、前記データベースに格納された組付け位置および向きの許容範囲とを比較し、
前記出力部は、
前記識別された部品全ての組付け位置および向きが、前記データベースに格納された前記許容範囲に含まれるか否かを示す情報を、前記比較結果として出力する請求項1に記載の組付け状態提示装置。 - 前記取得部は、
前記処理装置を含む同種の複数の処理装置のそれぞれについて、前記処理装置による処理結果と共に、3Dスキャナによって取り込まれた前記第1の外観データを収集し、
前記第1の特定部は、
前記取得部によって収集された前記複数の処理装置の第1の外観データに基づいて、前記処理装置に含まれる複数の部品を識別し、識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きを特定し、
前記組付け状態提示装置は、
前記部品毎に、前記処理結果が所定の条件を満たすための前記部品の位置および向きの許容範囲を特定し、前記部品毎に特定された前記許容範囲を前記データベースに格納する第2の特定部をさらに備える請求項2に記載の組付け状態提示装置。 - 前記出力部は、
前記識別された部品の中に、前記組付け位置および向きが前記データベースに格納された前記許容範囲に含まれない部品が存在する場合、当該部品について、前記許容範囲に対する前記組付け位置および向きのずれの大きさをさらに出力する請求項2または3に記載の組付け状態提示装置。 - 前記出力部は、
前記許容範囲に対する前記組付け位置および向きのずれの大きさの割合が大きい順に所定数の部品について、前記許容範囲に対する前記組付け位置および向きのずれの大きさを出力する請求項2から4のいずれか一項に記載の組付け状態提示装置。 - 前記データベースに格納されている前記組付け位置および向きの情報は、前記処理装置のCADデータである請求項1から5のいずれか一項に記載の組付け状態提示装置。
- 前記取得部は、
3Dスキャナによって取り込まれた所定の状態における前記処理装置の外観の状態を示す第2の外観データを取得し、
前記第1の特定部は、
前記第2の外観データに基づいて、前記処理装置に含まれる複数の部品を識別し、識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きを特定し、特定されたそれぞれの部品の組付け位置および向きの情報を前記データベースに格納する請求項1から5のいずれか一項に記載の組付け状態提示装置。 - 前記部品の外面には凹部が形成されており、
前記第1の特定部は、
前記識別された部品毎に、前記凹部の位置および向きを用いて前記部品の組付け位置および向きを特定する請求項1から7のいずれか一項に記載の組付け状態提示装置。 - 前記凹部は、設計上の軸を中心とする円筒の外周面に含まれる底面を有する請求項8に記載の組付け状態提示装置。
- 前記凹部は、設計上の軸を含む平面に含まれる面を有する側壁、および、設計上の軸と直角に交わる平面に含まれる面を有する側壁の少なくともいずれかを有する請求項8または9に記載の組付け状態提示装置。
- 前記凹部は、設計上の軸に直角に交わる直線を軸とする円筒の外周面に含まれる側壁を有する請求項8または9に記載の組付け状態提示装置。
- 前記取得部は、
稼働中の前記処理装置について、3Dスキャナによって取り込まれた前記第1の外観データを取得する請求項1から11のいずれか一項に記載の組付け状態提示装置。 - 処理装置の組付けられる複数の部品の組付け状態を提示する組付け状態提示方法において、
3Dスキャナによって取り込まれた前記処理装置の外観の状態を示す外観データを取得する工程と、
前記外観データに基づいて、前記処理装置に含まれる複数の部品を識別する工程と、
識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きを特定する工程と、
前記処理装置に含まれる複数の部品のそれぞれについて、当該部品の組付け位置および向きの情報を格納するデータベースを参照して、前記識別された部品毎に、当該部品の組付け位置および向きと、前記データベースに格納された組付け位置および向きの情報とを比較する工程と、
比較結果を出力する工程と
を含む組付け状態提示方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194382A JP7103910B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法 |
TW108136134A TWI820228B (zh) | 2018-10-15 | 2019-10-05 | 裝配狀態提示裝置及裝配狀態提示方法 |
KR1020190125422A KR20200042417A (ko) | 2018-10-15 | 2019-10-10 | 장착 상태 제시 장치 및 장착 상태 제시 방법 |
US16/599,350 US11543807B2 (en) | 2018-10-15 | 2019-10-11 | Mounting state informing apparatus and mounting state informing method |
CN201910966976.7A CN111048390B (zh) | 2018-10-15 | 2019-10-12 | 安装状态提示装置和安装状态提示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194382A JP7103910B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020064909A true JP2020064909A (ja) | 2020-04-23 |
JP7103910B2 JP7103910B2 (ja) | 2022-07-20 |
Family
ID=70161200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018194382A Active JP7103910B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11543807B2 (ja) |
JP (1) | JP7103910B2 (ja) |
KR (1) | KR20200042417A (ja) |
CN (1) | CN111048390B (ja) |
TW (1) | TWI820228B (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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