TWI817043B - 用於具有整合式處理氣體分配的整體式模組化微波源的外殼、組件以及處理工具 - Google Patents

用於具有整合式處理氣體分配的整體式模組化微波源的外殼、組件以及處理工具 Download PDF

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理查Ｃ 佛菲爾
拉瑞Ｄ 伊利薩格
錫爾弗斯特 羅德里格斯
弗拉德米爾 肯納席克
菲利浦亞倫 克勞司
泰正 蔡
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

本文揭示的實施例包括用於源陣列的外殼。在一個實施例中，外殼包括導電主體，其中導電主體包括第一表面和與第一表面相對的第二表面。在一個實施例中，穿過導電主體形成複數個開口，並且在導電主體的第二表面中設置通道。在一個實施例中，蓋在通道上方，並且蓋包括穿過蓋的厚度的第一孔。在一個實施例中，外殼還包括穿過導電主體的厚度的第二孔。在一個實施例中，第二孔與通道相交。

Description

用於具有整合式處理氣體分配的整體式模組化微波源的外殼、 組件以及處理工具
實施例涉及半導體製造領域，並且特定而言涉及具有用於高頻源的整合式處理氣體分配的整體式源陣列。
一些高頻電漿源包括穿過介電板中的開口的施用器。穿過介電板的開口允許施用器(例如介電空腔共振器)暴露於電漿環境。然而，已經表明，在圍繞施用器的空間中的介電板的開口中也產生了電漿。這有可能在處理腔室內產生電漿不均勻性。此外，將施用器暴露於電漿環境下可導致施用器的更快劣化。
在一些實施例中，施用器被定位在介電板上或在空腔內而進入(但不穿過)介電板。這種配置減少了與腔室內部的耦接，因此不能提供最佳的電漿產生。高頻電磁輻射與腔室內部的耦接部分地由於介電板和施用器之間的附加界面而減少，高頻電磁輻射需要穿過該界面傳播。另外，在每個施用器處及跨越不同的處理工具的界面的變化(例如，施用器的位置、施用器和/或介電板的表面粗糙度、施用器相對於介電板的角度等)可能導致電漿不均勻性。
特別地，當施用器是與介電板分離式部件時，更容易發生電漿不均勻性(在單個處理腔室內和/或跨不同處理腔室(例如，腔室匹配))。例如，在具有分離式部件的情況下，小的變化(例如，組裝變化、加工公差等)會導致電漿的不均勻性，從而對腔室內的處理條件產生負面影響。
本文揭示的實施例包括用於源陣列的外殼。在一個實施例中，外殼包括導電主體，其中導電主體包括第一表面和與第一表面相對的第二表面。在一個實施例中，穿過導電主體形成複數個開口，並且在導電主體的第二表面中設置通道。在一個實施例中，蓋在通道上方，並且蓋包括穿過蓋的厚度的第一孔。在一個實施例中，外殼還包括穿過導電主體的厚度的第二孔。在一個實施例中，第二孔與通道相交。
實施例還可包括用於處理工具的組件，該組件包括整體式源陣列和外殼。在一個實施例中，整體式源陣列包括具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的介電板，以及從介電板的第一表面延伸出的複數個突起。在一個實施例中，複數個氣體分配孔從介電板的第一表面通向第二表面。在一個實施例中，外殼附接到整體式源陣列，並且包括具有第三表面和與第三表面相對的第四表面的導電主體。在一個實施例中，穿過導電主體的複數個開口，並且每個開口圍繞複數個突起中的不同的一個。在一個實施例 中，通道設置在導電主體的第四表面中，並且蓋在通道上方。在一個實施例中，蓋包括流體耦接到氣體分配孔的複數個第一孔。在一個實施例中，外殼還包括穿過導電主體的第二孔，該第二孔與通道相交。
實施例還可以包括處理工具。在一個實施例中，處理工具包括腔室和與腔室對接的組件。在一個實施例中，該組件包括具有複數個突起和貫穿該整體式源陣列的厚度的複數個氣體分配孔的整體式源陣列。在一個實施例中，整體式源陣列還包括具有導電主體和穿過導電主體的開口的外殼，其用於容納複數個突起。在一個實施例中，導電主體中的通道流體地耦接到氣體分配孔。
100:電漿處理工具
104:模組化高頻發射源
105:高頻發射模組
106:振盪器模組
130:放大模組
142:施用器
150:整體式源陣列
170:氣體管線
172:排氣管線
174:基板
176:卡盤
178:腔室
210:電壓控制電路
220:壓控振盪器
221:控制電路模組
234:前置放大器
236:主功率放大器
238:循環器
239:電源供應器
249:熱中斷
281:檢測器模組
282:反射功率
283:正向功率
285:控制信號
286:控制信號
350:整體式源陣列
360:介電板
366:突起
370:組件
372:外殼
373:導電主體
374:開口
376:蓋板
379:導電主體
411:第二表面
412:第一表面
413:分離器
414:孔
415:輸入
417A-C:第一氣體管線
418A-F:第二氣體管線
419:耦接器
476:蓋板
479:導電主體
530:通道
530A:通道
530B:通道
531:蓋
532:群組
532A:群組
532B:群組
532C:群組
533:第二表面
534:第一表面
535:第二孔
537:孔
572:外殼
573:導電主體
574:開口
611:第二表面
612:第一表面
614:孔
618:氣體管線
619:耦接器
630:通道
631:蓋
632:群組
633:第二表面
634:第一表面
635:孔
637:孔
650:整體式源陣列
660:介電板
661:第一表面
662:第二表面
663:孔
665:孔
666:突起
668:單極天線
670:組件
672:外殼
673:導電主體
676:蓋板
700:處理工具
714:孔
718:氣體管線
730:氣體分配通道
732:群組
735:孔
737:孔
750:整體式源陣列
760:介電板
763:氣體分配孔
766:突起
768:單極天線
770:組件
772:外殼
774:工件
776:蓋板
778:腔室
779:卡盤
781:O形環
782:電漿
783:內部容積
802:系統處理器
804:主記憶體
806:靜態記憶體
808:系統網路接口元件
810:影像顯示單元
812:字母數字輸入元件
814:游標控制元件
816:信號產生元件
818:輔助記憶體
820:網路
822:軟體
826:處理邏輯
830:匯流排
832:儲存媒體
860:電腦系統
B-B’:線
圖1是根據一個實施例的處理工具的示意圖，該處理工具包括模組化的高頻發射源，該模組化的高頻發射源具有包括複數個施用器的整體式源陣列。
圖2是根據一個實施例的模組化高頻發射模組的方塊圖。
圖3是根據一個實施例的組件的分解透視圖。
圖4A是根據一個實施例的蓋板和氣體分配管線的平面視圖圖示。
圖4B是根據一個實施例的圖4A中的蓋板沿線B-B'的截面圖示。
圖5A是根據一個實施例的導電外殼的底表面的透視圖圖示。
圖5B是根據一個實施例的沿線B-B'的圖5A中的導電外殼的截面圖示。
圖6是根據一個實施例的組件的一部分的截面圖示，其更清楚地示出了氣體分配網路。
圖7是根據一個實施例的處理工具的截面圖示，該處理工具包括具有整合式氣體分配網路的組件。
圖8示出了根據一個實施例的可以與高頻電漿工具結合使用的示例性電腦系統的方塊圖。
本文描述的系統包括具有用於高頻源的整合式氣體分配的整體式源陣列。在下面的描述中，闡述了許多具體細節以便提供對實施例的透徹理解。對於本領域技術人員顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐實施例。在其他實例中，未詳細描述眾所周知的態樣，以免不必要地混淆實施例。此外，應當理解，附圖中示出的各種實施例是說明性表示，並且不一定按比例繪製。
如上所述，具有分離式施用器的高頻電漿源可能導致腔室內的電漿不均勻，以及導致高頻電磁輻射到腔室內的非最佳注入。電漿中的不均勻性可能由於不同的原因而發生，例如組裝問題、製造公差、劣化等。高頻電磁輻射向腔室的非最佳注入可能(部分)由施用器和介電板之間的界面所引起。
因此，本文揭示的實施例包括整體式源陣列。在一個實施例中，整體式源陣列包括介電板和從介電板的表面 向上延伸的複數個突起。特別地，突起和介電板形成整體部分。即，突起和介電板由單塊材料製成。突起的尺寸適合用作施用器。例如，可以製造進入突起的孔以容納單極天線。因此，突起可以用作介電空腔共振器。
將源陣列實現為整體部件具有多個優點。一個好處是可以保持嚴格的加工公差，以便在零件之間提供高度的均勻性。分離式的施用器需要組裝，而整體式源陣列避免了可能的組裝變化。另外，由於在施用器和介電板之間不再存在實體界面，因此使用整體式源陣列可改善高頻電磁輻射注入腔室的能力。
整體式源陣列還在腔室中提供了改善的電漿均勻性。特別地，介電板的暴露於電漿的表面不包括任何間隙以容納施用器。此外，突起和介電板之間缺乏實體界面，改善了在介電板中的橫向電場擴散。
整體式源陣列還需要與先前解決方案不同的氣體分配方案。以前，氣體是透過容納施用器的介電板中的開口流入腔室的。由於這些開口已被移除，因此需要不同的解決方案。因此，本文揭示的實施例包括由組件的不同部件實施的氣體分配方案。例如，可以在圍繞整體式源陣列的外殼中實現氣體的水平分佈。因此，僅需要在整體式源陣列中鑽出垂直的氣體分配孔。也就是說，在一些實施例中，整體式源陣列不需要水平的氣體路由通道。這簡化了整體式源陣列的製造並降低了成本。
現在參考圖1，其示出了根據一個實施例的電漿處理工具100的截面圖示。在一些實施例中，處理工具100可以是適合於利用電漿的任何類型的處理操作的處理工具。例如，處理工具100可以是用於電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、電漿增強原子層沉積(PEALD)、蝕刻和選擇性去除處理以及電漿清潔的處理工具。附加實施例可以包括處理工具100，其利用高頻電磁輻射而不產生電漿(例如，微波加熱等)。如本文中所使用的，「高頻」電磁輻射包括射頻輻射、極高頻輻射、超高頻輻射和微波輻射。「高頻」可以指0.1MHz與300GHz之間的頻率。
通常，實施例包括具有腔室178的處理工具100。在處理工具100中，腔室178可以是真空腔室。真空腔室可以包括用於從腔室去除氣體以提供期望的真空的泵(未示出)。附加實施例可包括腔室178，腔室178包括用於向腔室178內提供處理氣體的一或多個氣體管線170，和用於從腔室178中去除副產物的排氣管線172。儘管未示出，但是應當理解，也可以透過整體式源陣列150(例如，作為噴頭)將氣體注入腔室178中，以將處理氣體均勻地分佈在基板174上。
在一個實施例中，基板174可以被支撐在卡盤176上。例如，卡盤176可以是任何合適的卡盤，例如靜電卡盤。卡盤176還可包括冷卻線和/或加熱器，以在處理期間向基板174提供溫度控制。由於本文所述的高頻發射模組的模組化配置，實施例允許處理工具100容納任何尺寸的 基板174。例如，基板174可以是半導體晶圓(例如200mm、300mm、450mm或更大)。替代實施例還包括除半導體晶圓之外的基板174。例如，實施例可以包括配置成用於處理玻璃基板(例如，用於顯示技術)的處理工具100。
根據一個實施例，處理工具100包括模組化高頻發射源104。模組化高頻發射源104可以包括高頻發射模組105的陣列。在一個實施例中，每個高頻發射模組105可以包括振盪器模組106、放大模組130和施用器142。如圖所示，施用器142被示意性地示出為整合到整體式源陣列150中。然而，應理解，整體式源陣列150可以是整體式結構，其包括施用器142的一或多個部分(例如，介電共振體)和面對腔室178內部的介電板。
在一個實施例中，振盪器模組106和放大模組130可以包括作為固態電氣部件的電氣部件。在一個實施例中，複數個振盪器模組106中的每一者可以通訊地耦接到不同的放大模組130。在一些實施例中，振盪器模組106和放大模組130之間可以存在1：1的比率。例如，每個振盪器模組106可以電耦接到單個放大模組130。在一個實施例中，複數個振盪器模組106可以產生不相干的電磁輻射。因此，在腔室178中感應的電磁輻射將不會以導致不希望的干涉圖案的方式相互作用。
在一個實施例中，每個振盪器模組106產生高頻電磁輻射，該高頻電磁輻射被傳送到放大模組130。在放大 模組130進行處理之後，電磁輻射被傳送至施用器142。在一個實施例中，每個施用器142將電磁輻射發射到腔室178中。在一些實施例中，施用器142將電磁輻射耦接到腔室178中的處理氣體以產生電漿。
現在參考圖2，其示出了根據一個實施例的固態高頻發射模組105的示意圖。在一個實施例中，高頻發射模組105包括振盪器模組106。振盪器模組106可以包括電壓控制電路210，該電壓控制電路210用於向壓控振盪器220提供輸入電壓，以便產生期望頻率的高頻電磁輻射。實施例可以包括在大約1V和10V DC之間的輸入電壓。壓控振盪器220是電子振盪器，其振盪頻率由輸入電壓控制。根據一個實施例，來自電壓控制電路210的輸入電壓導致壓控振盪器220以期望的頻率振盪。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有大約0.1MHz和30MHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有在大約30MHz和300MHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有在大約300MHz和1GHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有大約1GHz和300GHz之間的頻率。
根據一個實施例，電磁輻射從壓控振盪器220傳送到放大模組130。放大模組130可以包括各自耦接到電源供應器239的驅動器/前置放大器234和主功率放大器236。根據一個實施例，放大模組130可以以脈衝模式操作。例如，放大模組130可以具有在1%和99%之間的工作週期。 在更特定的實施例中，放大模組130可以具有在大約15%和50%之間的工作週期。
在一個實施例中，電磁輻射可以在被放大模組130處理之後被傳送到熱中斷249和施用器142。然而，由於輸出阻抗的不匹配，傳送到熱中斷249的功率的一部分可能被反射回去。因此，一些實施例包括檢測器模組281，該檢測器模組281允許感測正向功率283和反射功率282的位準並將其反饋給控制電路模組221。應當理解，檢測器模組281可以位於系統中的一或多個不同位置(例如，在循環器238和熱中斷249之間)。在一個實施例中，控制電路模組221會解釋正向功率283和反射功率282，並確定通訊地耦接到振盪器模組106的控制信號285的位準以及通訊地耦接到放大模組130的控制信號286的位準。在一個實施例中，控制信號285調整振盪器模組106以優化耦接到放大模組130的高頻輻射。在一個實施例中，控制信號286調整放大模組130以優化透過熱中斷249耦接到施用器142的輸出功率。在一個實施例中，除了對熱中斷249中的阻抗匹配進行定制之外，振盪器模組106和放大模組130的反饋控制可以允許反射功率的位準小於正向功率的大約5%。在一些實施例中，振盪器模組106和放大模組130的反饋控制可以允許反射功率的位準小於正向功率的大約2%。
因此，實施例允許正向功率的一增加的百分比耦接到處理腔室178中，並增加耦接到電漿的可用功率。此外， 使用反饋控制的阻抗調諧優於典型的縫隙平板天線中的阻抗調諧。在縫隙平板天線中，阻抗調諧涉及移動在施用器中形成的兩個介電塊。這涉及施用器中兩個獨立部件的機械運動，這增加了施用器的複雜性。此外，機械運動的精度可能不如壓控振盪器220所提供的頻率變化那麼精確。
現在參考圖3，其示出了根據一個實施例的組件370的分解透視圖。在一個實施例中，組件370包括整體式源陣列350、外殼372和蓋板376。如箭頭所示，外殼372裝配在整體式源陣列350上方和周圍，並且蓋板376覆蓋外殼372。在所示的實施例中，組件370被示為具有基本圓形的形狀。然而，應當理解，組件370可以具有任何期望的形狀(例如，多邊形、橢圓形、楔形等)。
在一個實施例中，整體式源陣列350可以包括介電板360和從介電板360向上延伸的複數個突起366。在一個實施例中，介電板360和複數個突起366是整體結構。即，在突起366的底部和介電板360之間沒有實體界面。如本文所使用的，「實體界面」是指第一分離式本體的第一表面與第二分離式本體的第二表面接觸。
每個突起366是施用器142的一部分，其用於將高頻電磁輻射注入處理腔室178中。特別地，突起366用作施用器142的介電空腔共振器。在一個實施例中，整體式源陣列350包括介電材料。例如，整體式源陣列350可以是陶瓷材料。在一個實施例中，可以用於整體式源陣列350的一種合適的陶瓷材料是Al2O3。整體結構可以由單塊材料 製成。在其他實施例中，可以利用模製處理來形成整體式源陣列350的粗糙形狀，然後對其進行加工以提供具有期望尺寸的最終結構。例如，綠色狀態加工和燒成可用於提供整體式源陣列350的期望形狀。在所示的實施例中，突起366被示出為具有圓形橫截面(當沿著平行於介電板360的平面觀察時)。然而，應當理解，突起366可包括許多不同的橫截面。例如，突起366的橫截面可以具有中心對稱的任何形狀。
在一個實施例中，外殼372包括導電主體373。例如，導電主體373可以是鋁等。外殼包括複數個開口374。開口374可以完全穿過導電主體373的厚度。開口374的尺寸可以設置成容納突起366。例如，隨著外殼372朝著整體式源陣列350移動(如箭頭所示)，突起366將被插入開口374中。在一個實施例中，開口374可具有大約15mm或更大的直徑。
在所示的實施例中，外殼372被示為單個導電主體373。然而，應當理解，外殼372可以包括一或多個分離式導電部件。分離式部件可以單獨接地，或者分離式部件可以機械地接合或透過任何形式的金屬結合，以形成單個導電主體373。
在一個實施例中，蓋板376可以包括導電主體379。在一個實施例中，導電主體379由與外殼372的導電主體373相同的材料形成。例如，蓋板376可以包括鋁。在一個實施例中，可以使用任何合適的緊固機構將蓋板376 固定到外殼372。例如，蓋板376可以用螺栓等固定到外殼372。在一些實施例中，蓋板376和外殼372也可以被實現為單個整體結構。在一個實施例中，蓋板376和外殼在處理工具的操作期間均被電接地。
現在參考圖4A和圖4B，根據一個實施例，分別示出了蓋板476的更詳細的平面視圖和截面視圖圖示。如圖所示，氣體管線耦接至蓋板476的第一表面412。例如，單個輸入415可以分開成複數個第一氣體管線417A-C。每個第一氣體管線417可以在分離器413處進一步分配到第二氣體管線418A-F。第二氣體管線418耦接至蓋板476(例如，透過螺栓連接至蓋板476的耦接器419)。在一個實施例中，耦接器419可以固定O形環(未示出)，該O形環將第二氣體管線418的端部與穿過蓋板476的孔414之間的接合部加以密封。如圖4B所示，孔414從第一表面412穿過導電主體479到蓋板476的第二表面411。
在一個實施例中，每個第一氣體管線417的長度基本相同，並且每個第二氣體管線418的長度基本相同。這樣，每個路徑的長度(從輸入415到蓋板476中的孔414之一者)的長度是基本均勻的。儘管提供了氣體管線路由方案的一個實例，但是應當理解，可以使用任何數量的孔414和任何數量的氣體管線417/418來將處理氣體引導至蓋板476。
現在參考圖5A，其示出了根據一個實施例的外殼572的透視圖圖示。所示的實施例描繪了外殼572的第二表 面533。第二表面533是面向整體式源陣列的表面，而第一表面534則面向蓋板。如圖所示，外殼572包括具有複數個開口574的導電主體573。
在一個實施例中，複數個氣體分配通道設置在第二表面533中。氣體分配通道被蓋531覆蓋。在一個實施例中，將蓋531焊接到導電主體573以提供氣密密封。氣體分配通道和蓋531從外殼572的外周向外殼572的軸向中心分配氣體。在所示的實施例中，每個氣體分配通道和蓋531環繞一或多個開口574。然而，應當理解，其他實施例可以包括採用任何路徑的氣體分配通道。在所示的實施例中，示出了單個連續的氣體分配通道和蓋531。然而，應當理解，實施例可以包括任何數量的氣體分配通道(例如，一或多個可以或可以不流體耦接在一起的氣體分配通道)，並且每個氣體分配通道可以具有不同的蓋。此外，應當理解的是，開口574和氣體分配通道沒有彼此流體耦接。即，在操作期間，流過氣體分配通道的處理氣體，並且處理氣體可能不穿過開口574。
在一個實施例中，第一孔537的群組532可以穿過蓋531。第一孔537的群組532為氣體分配通道內的氣體提供出口位置。在一個實施例中，每個群組532中的第一孔537的數量可以是不均勻的。例如，群組532A可以具有一個或兩個孔537，群組532B可以具有三個或四個孔537，並且群組532C可以具有四個以上的孔537。也就是說，與更接近外殼572的周邊的位置相比，更接近外殼572的軸向 中心的位置可具有含更多數量的孔537的群組。在一個實施例中，每個群組532可以被O形環或其他密封構件圍繞。O形環壓在整體式源陣列上以提供密封。
現在參考圖5B，其示出了根據一個實施例的沿線B-B'的圖5A中的外殼572的截面圖示。截面圖示更清楚地示出了氣體分配通道530。通道530凹進導電主體573的第二表面533中。在截面圖示中，通道530被示出為不連續的，但是應當理解，通道530的部分可以纏繞在圖5B的平面之外的開口574周圍，以便一起流體地耦接通道530的部分。例如，通道530A的所示部分流體地耦接在一起，而通道530B的所示部分流體地耦接在一起。
在一個實施例中，從垂直穿過導電主體573的第二孔535向通道530供給處理氣體。即，第二孔535與通道530相交。第二孔535可以透過蓋板476流體地耦接到孔414。在一個實施例中，第二孔535位於靠近外殼572的邊緣的位置，並且通道530水平地分配處理氣體。蓋531在通道530上方並且提供密封，除了在第一孔537的群組532的位置以外。群組532B和532C在所示的橫截面中是可見的，並且群組532A在圖5B所示的平面之外。沿通道530的第一孔537的群組532的分佈在整個處理工具中的工件表面上提供了均勻的氣體分配。
現在參考圖6，其示出了根據一個實施例的組件670的一部分的截面圖示。組件670包括整體式源陣列650、外殼672和蓋板676。
在一個實施例中，導電主體673的第二表面633由介電板660的第一表面661支撐。在所示的實施例中，導電主體673直接由第一表面661支撐，但是應當理解，熱界面材料等可以使導電主體673與第一表面661分離。在一個實施例中，介電板660的第二表面662背向外殼672。整體式源陣列650的突起666裝配到外殼672中的開口中。在一實施例中，蓋板676覆蓋外殼672和突起666。例如，蓋板676的第二表面611覆蓋外殼672的第一表面634。單極天線668可以穿過蓋板676並延伸到突起666的軸向中心的孔665中。孔665的寬度可以大於單極天線668的寬度。因此，在一些實施例中，提供了用於熱膨脹的公差，以防止損壞整體式源陣列650。單極天線668電耦接至電源(例如，高頻發射模組105)。
在一個實施例中，氣體分配網路穿過組件670的部件。最初，氣體透過氣體管線618被送入組件670。氣體管線618透過耦接器619耦接到蓋板676的第一表面612。O形環(未示出)可以位於耦接器619和第一表面612之間。然後，處理氣體行進通過孔614，該孔穿過蓋板676。氣體分配會透過孔635繼續，該孔635穿過外殼672的導電主體673。在一個實施例中，O形環等(未示出)可以圍繞孔614和孔635之間的界面以提供密封。
如圖所示，孔635與通道630相交。通道630橫向分配處理氣體。通道630由蓋631密封，並且氣體透過穿過蓋631中的孔637的群組632而被分配到外殼672之外。在 一個實施例中，氣體然後流過穿過介電板660的孔663。孔663可以與群組632中的孔637對準。在一個實施例中，穿過介電板660的孔663的直徑大於穿過蓋631的孔637的直徑。在一個實施例中，O形環等(未示出)圍繞在蓋631中的孔637和穿過介電板660的孔663之間的界面。
現在參考圖7，其示出了根據一個實施例的包括組件770的處理工具700的截面圖示。在一個實施例中，處理工具包括由組件770密封的腔室778。例如，組件770可以靠在一或多個O形環781上，以提供對腔室778的內部容積783的真空密封。在其他實施例中，組件770可以與腔室778對接。也就是說，組件770可以是密封腔室778的蓋子的一部分。在一個實施例中，處理工具700可以包括複數個處理容積(可以流體地耦接在一起)，其中每個處理容積具有不同的組件770。在一個實施例中，卡盤779等可以支撐工件774(例如，晶圓、基板等)。
在一個實施例中，組件770可以與上述組件670基本相似。例如，組件770包括整體式源陣列750、外殼772和蓋板776。整體式源陣列750可以包括介電板760和從介電板760向上延伸的複數個突起766。外殼772可具有尺寸適於容納突起766的開口。在一個實施例中，單極天線768可以延伸到突起766中的孔中。單極天線768可以穿過在外殼772和突起766上方的蓋板776。
在一個實施例中，腔室容積783可以適合於撞擊電漿782。即，腔室容積783可以是真空腔室。為了撞擊電漿 782，可將處理氣體流入腔室容積783。處理氣體可以經由氣體管線718進入組件770。然後，處理氣體流通過穿過蓋板776的孔714，並進入外殼772中的孔735。孔735與氣體分配通道730相交，氣體分配通道730橫向地分配處理氣體。處理氣體透過通道730上方的蓋中的孔737的群組732離開通道730。然後，處理氣體穿過氣體分配孔763，該氣體分配孔穿過整體式源陣列750的介電板760，並進入腔室容積783。
現在參考圖8，示出了根據一個實施例的處理工具的示例性電腦系統860的方塊圖。在一個實施例中，電腦系統860耦接到處理工具並控制處理工具中的處理。電腦系統860可以連接(例如，經網路連接)到區域網路(LAN)、內部網路、外部網路或網際網路中的其他機器。電腦系統860可以在客戶端-伺服器網路環境中以伺服器或客戶端機器的身份操作，或者在同級間(或分佈式)網路環境中作為同級機器操作。電腦系統860可以是個人電腦(PC)、平板電腦PC、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、行動電話、網路設備、伺服器、網路路由器、交換機或橋或能夠執行指令集(順序的或其他方式)的任何機器，這些指令指定該機器要執行的動作。此外，儘管對於電腦系統860僅示出了單個機器，但是術語「機器」也應被認為包括單獨地或共同地執行指令集(或多個指令集)以執行本文所述的任何一或多種方法的機器(例如，電腦)的任何集合。
電腦系統860可以包括電腦程式產品或軟體822，其具有在其上儲存有指令的非暫時性機器可讀媒體，該等指令可以用於對電腦系統860(或其他電子元件)進行編程以根據實施例執行處理。機器可讀媒體包括用於以機器(例如，電腦)可讀的形式儲存或傳送資訊的任何機制。例如，機器可讀(例如，電腦可讀)媒體包括機器(例如，電腦)可讀儲存媒體(例如，唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體元件等)、機器(例如電腦)可讀傳送媒體(電、光、聲學或其他形式的傳播信號(例如紅外信號、數位信號等))等。
在一個實施例中，電腦系統860包括系統處理器802、主記憶體804(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)，諸如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、靜態記憶體806(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)和輔助記憶體818(例如，資料儲存元件)，它們透過匯流排830彼此通信。
系統處理器802代表一或多個通用處理元件，例如微系統處理器、中央處理單元等。更特定而言，系統處理器可以是複雜指令集計算(CISC)微系統處理器、精簡指令集計算(RISC)微系統處理器、超長指令字(VLIW)微系統處理器、實現其他指令集的系統處理器，或實現指令集組合的系統處理器。系統處理器802也可以是一或多 個專用處理元件，例如特殊應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、數位信號系統處理器(DSP)、網路系統處理器等。系統處理器802被配置為執行用於執行本文描述的操作的處理邏輯826。
電腦系統860可以進一步包括用於與其他元件或機器進行通信的系統網路接口元件808。電腦系統860還可包括影像顯示單元810(例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)或陰極射線管(CRT))、字母數字輸入元件812(例如，鍵盤)、游標控制元件814(例如滑鼠)和信號產生元件816(例如揚聲器)。
輔助記憶體818可以包括機器可存取的儲存媒體832(或更具體地說，是電腦可讀的儲存媒體)，在其上儲存了體現本文所述的方法或功能的任何一或多個的一或多個指令集(例如，軟體822)。在由電腦系統860執行軟體822期間，軟體822也可以全部或至少部分地駐留在主記憶體804內和/或系統處理器802內，主記憶體804和系統處理器802也構成機器可讀儲存媒體。可以經由系統網路接口元件808而透過網路820進一步發送或接收軟體822。在一個實施例中，網路接口元件808可以使用RF耦接、光耦接、聲耦接或電感耦接來操作。
儘管在示例性實施例中將機器可存取儲存媒體832顯示為單個媒體，但是術語「機器可讀儲存媒體」應被認為包括單個媒體或多個媒體(例如，集中式或分佈式數據庫和/或關聯的快取記憶體和伺服器)，其用於儲存一 或多個指令集。術語「機器可讀儲存媒體」也應被認為包括能夠儲存或編碼指令集以由機器執行並且使機器執行任何一或多種方法的任何媒體。因此，術語「機器可讀儲存媒體」應被認為包括但不限於固態記憶體以及光和磁媒體。
在前述說明書中，已經描述了特定的示例性實施例。顯而易見的是，在不脫離所附申請專利範圍的範圍的情況下，可以對其進行各種修改。因此，說明書和附圖應被認為是說明性意義而不是限制性意義。
100:電漿處理工具
104:模組化高頻發射源
105:高頻發射模組
106:振盪器模組
130:放大模組
142:施用器
150:整體式源陣列
170:氣體管線
172:排氣管線
174:基板
176:卡盤
178:腔室

Claims (18)

  1. 一種外殼，包括：一導電主體，其中該導電主體包括一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面，其中該導電主體是電性導電的；複數個開口，該複數個開口穿過該導電主體，其中該複數個開口具有若干垂直側壁，該等垂直側壁具有通過該導電主體的一厚度上呈均勻的一寬度；一通道，設置在該導電主體的該第二表面中，其中該通道連續地橫向環繞該複數個開口中的至少一個的一整體；一蓋，在該通道上方，且其中該蓋包括穿過該蓋的一厚度的第一孔；以及一第二孔，穿過該導電主體的一厚度，其中該第二孔與該通道相交，並且其中該第二孔與該通道流體耦合。
  2. 如請求項1所述的外殼，其中該蓋被焊接到該導電主體。
  3. 如請求項1所述的外殼，其中該第二孔比該等第一孔距該導電主體的一軸向中心更遠。
  4. 如請求項1所述的外殼，其中該等第一孔被佈置成複數個群組，其中第一群組具有一第一數量的第一孔，並且其中第二群組具有一第二數量的第一孔，該第二數量大於該第一數量。
  5. 如請求項4所述的外殼，其中該等第一群組 比該等第二群組距該導電主體的一軸向中心更遠。
  6. 如請求項1所述的外殼，其中每個開口的一直徑為大約15mm或更大。
  7. 如請求項1所述的外殼，還包括：複數個通道，該複數個通道進入該導電主體的該第二表面；以及複數個第二孔，其中每個第二孔與該複數個通道中的不同的一者相交。
  8. 如請求項7所述的外殼，還包括：在該導電主體的該第一表面上方的一蓋板。
  9. 如請求項8所述的外殼，還包括：穿過該蓋板的複數個第三孔，其中該等第三孔的每一者流體地耦接至該等第二孔中的不同的一者。
  10. 如請求項9所述的外殼，其中該複數個第三孔透過複數個氣體管線流體地耦接至一氣體入口。
  11. 如請求項10所述的外殼，其中沿著該氣體入口與該等第三孔中的每一者之間的該等氣體管線的一距離是基本均勻的。
  12. 一種具有整合式處理氣體分配的組件，包括：一整體式源陣列，其中該整體式源陣列包括：一介電板，其中該介電板包括一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面；複數個突起，從該介電板的該第一表面延伸出；以 及複數個氣體分配孔，從該介電板的該第一表面到該第二表面；以及一外殼，附接到該整體式源陣列，其中該外殼包括：一導電主體，其中該導電主體包括一第三表面和與該第三表面相對的一第四表面；複數個開口，穿過該導電主體，其中該等開口之每一者圍繞該複數個突起中的不同的一者；一通道，進入該導電主體的該第四表面，其中該通道連續地橫向環繞該複數個開口中的至少一個的一整體；一蓋，在該通道上方，其中該蓋包括複數個第一孔，其中該等第一孔之每一者流體地耦接到該等氣體分配孔中之每一者；以及一第二孔，穿過該導電主體，其中該第二孔與該通道相交。
  13. 如請求項12所述的組件，還包括：在該導電主體的該第三表面上方的一蓋板。
  14. 如請求項13所述的組件，還包括：穿過該蓋板的一第三孔，其中該第三孔流體地耦接至該第二孔。
  15. 如請求項13所述的組件，其中該蓋板被螺栓連接至該導電主體。
  16. 如請求項13所述的組件，其中該通道環繞 該等開口中的至少一者。
  17. 一種處理工具，包括：一腔室；以及一組件，與該腔室對接，其中該組件包括：一整體式源陣列，其中該整體式源陣列包括複數個突起和穿過該整體式源陣列的一厚度的複數個氣體分配孔；以及一外殼，其中該外殼包括：一導電主體；若干開口，該等開口穿過該導電主體用於容納該複數個突起；以及一通道，在該導電主體中，其中該通道流體地耦接到該等氣體分配孔，其中該通道連續地橫向環繞該等開口中的至少一個的一整體。
  18. 如請求項17所述的處理工具，還包括：一蓋板，在該外殼上方，其中該蓋板包括一孔，該孔穿過該蓋板並且流體地耦接至該通道。
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