JP7330373B2 - 統合プロセスガス分配を備えたモノリシックモジュラーマイクロ波源 - Google Patents
統合プロセスガス分配を備えたモノリシックモジュラーマイクロ波源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7330373B2 JP7330373B2 JP2022518724A JP2022518724A JP7330373B2 JP 7330373 B2 JP7330373 B2 JP 7330373B2 JP 2022518724 A JP2022518724 A JP 2022518724A JP 2022518724 A JP2022518724 A JP 2022518724A JP 7330373 B2 JP7330373 B2 JP 7330373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive body
- housing
- channel
- hole
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
Description
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれている、2019年9月27日に出願された、米国非仮出願第16/859,482号の優先権を主張する。
Claims (19)
- 導電性本体であって、前記導電性本体が、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを含む、導電性本体と、
前記導電性本体を通る複数の開口と、
前記導電性本体の前記第2の表面の中に配設された、ガスを分配するように構成されたチャネルと、
前記チャネルの上のカバーであって、前記カバーが、前記カバーの厚さを貫通する、前記ガスを排出するように構成された第1の孔を含む、カバーと、
前記導電性本体の厚さを通る第2の孔であって、前記第2の孔が、前記チャネルと交差する、前記ガスが供給されるように構成された第2の孔とを備え、
前記チャネルの一部は前記導電性本体の軸心に向かって延び、
前記チャネルの一部の領域内に設けられた前記第2の孔が前記チャネルの一部の領域内に設けられた前記第1の孔よりも前記導電性本体の軸心から遠くにある、ハウジング。 - 前記カバーが、前記導電性本体に溶接された、請求項1に記載のハウジング。
- 前記チャネルが、前記複数の開口のうちの少なくとも1つを囲む、請求項1に記載のハウジング。
- 前記第1の孔が、複数のグループに配列され、第1のグループが、第1の数の第1の孔を有し、第2のグループが、前記第1の数よりも大きい第2の数の第1の孔を有する、請求項1に記載のハウジング。
- 前記第1のグループが、前記第2のグループよりも前記導電性本体の軸心から遠くにある、請求項4に記載のハウジング。
- 各開口の直径が、約15mm以上である、請求項1に記載のハウジング。
- 前記導電性本体の前記第2の表面の中への複数のチャネルと、
複数の第2の孔であって、各第2の孔が、前記複数のチャネルのうちの異なる1つと交差する、複数の第2の孔と
をさらに備える、請求項1に記載のハウジング。 - 前記導電性本体の前記第1の表面の上の蓋板
をさらに備える、請求項7に記載のハウジング。 - 導電性本体であって、前記導電性本体が、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを含む、導電性本体と、
前記導電性本体を通る複数の開口と、
前記導電性本体の前記第2の表面の中に配設されたチャネルと、
前記チャネルの上のカバーであって、前記カバーが、前記カバーの厚さを貫通する第1の孔を含む、カバーと、
前記導電性本体の厚さを通る第2の孔であって、前記第2の孔が、前記チャネルと交差する、第2の孔と、
前記導電性本体の前記第1の表面の上の蓋板と、
前記蓋板を通る複数の第3の孔であって、前記第3の孔の各々が、前記第2の孔のうちの異なる1つに流体的に結合された、複数の第3の孔と
を備えるハウジング。 - 前記複数の第3の孔が、複数のガスラインによってガス入口に流体的に結合された、請求項9に記載のハウジング。
- 前記ガス入口と前記第3の孔の各々との間の前記ガスラインに沿った距離が、実質的に均一である、請求項10に記載のハウジング。
- モノリシックソースアレイであって、
誘電体板であって、前記誘電体板が、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを含む、誘電体板と、
前記誘電体板の前記第1の表面から外に延びる複数の突出部と、
前記誘電体板の、前記第1の表面から前記第2の表面までの複数のガス分配孔と
を含む、モノリシックソースアレイと、
前記モノリシックソースアレイに取り付けられたハウジングであって、
導電性本体であって、前記導電性本体が、第3の表面と、前記第3の表面とは反対側の第4の表面とを含む、導電性本体と、
前記導電性本体を通る複数の開口であって、前記開口の各々が、前記複数の突出部のうちの異なる1つを取り囲む、複数の開口と、
前記導電性本体の前記第4の表面の中へのチャネルと、
前記チャネルの上のカバーであって、前記カバーが、複数の第1の孔を含み、前記第1の孔の各々が、ガス分配孔に流体的に結合された、カバーと、
前記導電性本体を通る第2の孔であって、前記第2の孔が、前記チャネルと交差する、第2の孔と
を含む、ハウジングと
を備える、アセンブリ。 - 前記導電性本体の前記第3の表面の上の蓋板
をさらに備える、請求項12に記載のアセンブリ。 - 前記蓋板を通る第3の孔であって、前記第3の孔が、前記第2の孔に流体的に結合された、第3の孔
をさらに備える、請求項13に記載のアセンブリ。 - 前記蓋板が、前記導電性本体にボルトで止められた、請求項13に記載のアセンブリ。
- 前記チャネルが、前記開口のうちの少なくとも1つを囲む、請求項12に記載のアセンブリ。
- チャンバと、
前記チャンバとインターフェースするアセンブリであって、
モノリシックソースアレイであって、前記モノリシックソースアレイが、複数の突出部と、前記モノリシックソースアレイの厚さを通る複数のガス分配孔とを含む、モノリシックソースアレイと、
ハウジングであって、
導電性本体と、
前記複数の突出部を受け入れるための前記導電性本体を通る開口と、
前記導電性本体中のチャネルであって、前記チャネルが、前記ガス分配孔に流体的に結合された、チャネルと
を含む、ハウジングと
を含む、アセンブリと
を備える、処理ツール。 - 前記ハウジングの上の蓋板であって、前記蓋板が、前記蓋板を貫通し、前記チャネルに流体的に結合された孔を備える、蓋板
をさらに備える、請求項17に記載の処理ツール。 - 前記チャネルが、前記導電性本体を通る前記開口のうちの少なくとも1つを囲む、請求項17に記載の処理ツール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/586,482 | 2019-09-27 | ||
US16/586,482 US11881384B2 (en) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | Monolithic modular microwave source with integrated process gas distribution |
PCT/US2020/051262 WO2021061487A1 (en) | 2019-09-27 | 2020-09-17 | Monolithic modular microwave source with integrated process gas distribution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022549830A JP2022549830A (ja) | 2022-11-29 |
JP7330373B2 true JP7330373B2 (ja) | 2023-08-21 |
Family
ID=75162106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022518724A Active JP7330373B2 (ja) | 2019-09-27 | 2020-09-17 | 統合プロセスガス分配を備えたモノリシックモジュラーマイクロ波源 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11881384B2 (ja) |
EP (1) | EP4035197A4 (ja) |
JP (1) | JP7330373B2 (ja) |
KR (1) | KR20220065069A (ja) |
CN (1) | CN114514595A (ja) |
TW (1) | TWI817043B (ja) |
WO (1) | WO2021061487A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11564292B2 (en) * | 2019-09-27 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Monolithic modular microwave source with integrated temperature control |
US20230109912A1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | Applied Materials, Inc. | Low temperature selective etching of silicon nitride using microwave plasma |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191593A (ja) | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2014160819A (ja) | 2013-02-13 | 2014-09-04 | Lam Research Corporation | プラズマ処理室用のガス分配部材を製造する方法 |
JP2017534174A (ja) | 2014-10-17 | 2017-11-16 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | モノリシックガス分配マニホールドならびにその様々な構成技術および利用例 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6364954B2 (en) * | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US7175713B2 (en) * | 2002-01-25 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
KR100530765B1 (ko) | 2002-10-04 | 2005-11-23 | 이규왕 | 나노 다공성 유전체를 이용한 플라즈마 발생장치 |
KR100862658B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2008-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 |
TW200415726A (en) | 2002-12-05 | 2004-08-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US7645341B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
US8074599B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
JP2008047869A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-28 | Hokuriku Seikei Kogyo Kk | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
US20110180233A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-07-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead |
KR101246191B1 (ko) | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
JP5848140B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2014172112A1 (en) | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Tokyo Electron Limited | Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density |
US10748745B2 (en) | 2016-08-16 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave plasma source |
US10707058B2 (en) * | 2017-04-11 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Symmetric and irregular shaped plasmas using modular microwave sources |
WO2018218160A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Applied Materials, Inc. | Monopole antenna array source for semiconductor process equipment |
TWI788390B (zh) | 2017-08-10 | 2023-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的分佈式電極陣列 |
CN112334599B (zh) * | 2018-06-25 | 2023-09-29 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 活性气体生成装置及成膜处理装置 |
US20210098230A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Applied Materials, Inc. | Monolithic modular high-frequency plasma source |
US11049694B2 (en) * | 2019-09-27 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave source with embedded ground surface |
-
2019
- 2019-09-27 US US16/586,482 patent/US11881384B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-17 WO PCT/US2020/051262 patent/WO2021061487A1/en active Application Filing
- 2020-09-17 CN CN202080066972.4A patent/CN114514595A/zh active Pending
- 2020-09-17 JP JP2022518724A patent/JP7330373B2/ja active Active
- 2020-09-17 EP EP20868530.5A patent/EP4035197A4/en active Pending
- 2020-09-17 KR KR1020227013888A patent/KR20220065069A/ko unknown
- 2020-09-25 TW TW109133276A patent/TWI817043B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191593A (ja) | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2014160819A (ja) | 2013-02-13 | 2014-09-04 | Lam Research Corporation | プラズマ処理室用のガス分配部材を製造する方法 |
JP2017534174A (ja) | 2014-10-17 | 2017-11-16 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | モノリシックガス分配マニホールドならびにその様々な構成技術および利用例 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220065069A (ko) | 2022-05-19 |
JP2022549830A (ja) | 2022-11-29 |
WO2021061487A1 (en) | 2021-04-01 |
TW202127500A (zh) | 2021-07-16 |
US11881384B2 (en) | 2024-01-23 |
EP4035197A1 (en) | 2022-08-03 |
EP4035197A4 (en) | 2023-10-25 |
US20210098231A1 (en) | 2021-04-01 |
CN114514595A (zh) | 2022-05-17 |
TWI817043B (zh) | 2023-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11670489B2 (en) | Modular microwave source with embedded ground surface | |
JP7330373B2 (ja) | 統合プロセスガス分配を備えたモノリシックモジュラーマイクロ波源 | |
TW202147922A (zh) | 具有多個金屬外殼的模組微波源 | |
JP2023166392A (ja) | 統合温度制御を有するモノリシックモジュラーマイクロ波源 | |
JP2023166424A (ja) | モノリシックモジュラー高周波プラズマ源 | |
CN114514794B (zh) | 具有集成温度控制的单片式模块化微波源 | |
JP2020013777A (ja) | モジュール型の高周波源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7330373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |