TWI820228B - 裝配狀態提示裝置及裝配狀態提示方法 - Google Patents
裝配狀態提示裝置及裝配狀態提示方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI820228B TWI820228B TW108136134A TW108136134A TWI820228B TW I820228 B TWI820228 B TW I820228B TW 108136134 A TW108136134 A TW 108136134A TW 108136134 A TW108136134 A TW 108136134A TW I820228 B TWI820228 B TW I820228B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- orientation
- assembly
- unit
- allowable range
- processing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 192
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32368—Quality control
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/35—Nc in input of data, input till input file format
- G05B2219/35012—Cad cam
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37216—Inpect component placement
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Telephone Function (AREA)
Abstract
本發明之目的在於令處理的產能提高。為了達成上述目的,本發明之裝配狀態提示裝置,具備:資料庫、取得部、第1特定部、比較部,以及輸出部。資料庫,分別針對處理裝置所包含的複數個零件,儲存該零件的裝配位置以及朝向的資訊。取得部,取得表示3D掃描器所攝入的處理裝置的外觀狀態的第1外觀資料。第1特定部,根據第1外觀資料,識別出處理裝置所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向。比較部,針對所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於資料庫的裝配位置以及朝向的資訊。輸出部,輸出比較部的比較結果。
Description
本發明之各種面向以及實施態樣,係關於一種裝配狀態提示裝置以及裝配狀態提示方法。
在半導體裝置的製造步驟中,會對被處理體實施各種處理。關於對被處理體所實行的處理,例如,使用電漿的處理(以下記載為電漿處理)已為人所習知。藉由使用電漿,便可促進相對於被處理體的物理反應以及化學反應,進而有效率地實行成膜或蝕刻等的處理。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-016443號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明提供一種可令處理的產能提高的裝配狀態的提示技術。
[解決問題的手段]
本發明其中一個態樣係一種裝配狀態提示裝置,其具備:資料庫、取得部、第1特定部、比較部,以及輸出部。資料庫,分別針對處理裝置所包含的複數個零件,儲存該零件的裝配位置以及朝向的資訊。取得部,取得表示3D掃描器所攝入的處理裝置的外觀狀態的第1外觀資料。第1特定部,根據第1外觀資料,識別出處理裝置所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向。比較部,針對所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於資料庫的裝配位置以及朝向的資訊。輸出部,輸出比較部的比較結果。
[發明的功效]
若根據本發明之各種面向以及實施態樣,便會提供出一種可令處理的產能提高的裝配狀態的提示技術。
以下,針對所揭示的裝配狀態提示裝置以及裝配狀態提示方法的實施態樣,根據圖式詳細進行說明。另外,所揭示的裝配狀態提示裝置以及裝配狀態提示方法並不因為以下的實施態樣而受到限定。
另外,當用處理裝置對複數個被處理體依序進行處理時,有時會在處理裝置的內部附著反應副產物(所謂的沉積物)。另外,當用處理裝置對複數個被處理體依序進行處理時,有時處理裝置內部的零件會有所消耗。因此,吾人會定期地實行將處理裝置分解以清除附著於內部的沉積物或更換消耗零件的維護保養步驟。然後,在清潔或零件更換結束後,會再度組裝處理裝置,並繼續實行對被處理體的處理。
然而,構成處理裝置的零件,各個存在尺寸誤差,在裝配過程中也存在裝配誤差。因此,即使在維護保養結束後再度將處理裝置組裝起來,相較於維護保養前的處理裝置,各個零件的位置以及朝向仍可能會存在些微的偏移。在此情況下,若對被處理體實行處理,則維護保養後的處理結果與維護保養前的處理結果的差異可能會變大。
當維護保養後的處理結果與維護保養前的處理結果的差異超過容許範圍時,吾人會將處理裝置重新組裝。處理結果,有時係若不試著對被處理體實行處理便無法得知者。因此,若非在維護保養後對被處理體實際地實行處理,則難以判定維護保養後的處理結果與維護保養前的處理結果的差異是否在容許範圍內。處理裝置的分解以及組裝,還有,對被處理體實行處理,均會花費時間。因此,重複地實行處理與重新組裝,會導致欲在維護保養後恢復運作需要花費較多時間。藉此,處理會停滯,處理的產能會降低。
因此,本發明提供一種可令處理的產能提高的裝配狀態的提示技術。
(第1實施態樣)
[處理系統1的構造]
圖1,係表示本案之第1實施態樣的處理系統1的一例的圖式。處理系統1,具備電漿處理裝置10以及提示裝置70。
提示裝置70,透過纜線701與3D掃描器700連接。提示裝置70,根據3D掃描器700所取得的電漿處理裝置10的3維影像,特定出裝配於電漿處理裝置10的各零件的位置以及朝向。然後,提示裝置70,比較所特定出的各零件的位置以及朝向與作為參照的電漿處理裝置10的各零件的位置以及朝向,並將比較結果輸出到監視器等。藉此,電漿處理裝置10的使用者,便可掌握裝配於電漿處理裝置10的各零件的位置以及朝向的偏移。
電漿處理裝置10,具有裝置本體11以及控制裝置CNT。裝置本體11,例如具備由鋁等形成大略圓筒狀的處理容器2。處理容器2,電性接地。處理容器2的頂板部用由介電體所構成的介電體窗16塞住。處理容器2的內壁面,被氧化鋁等的絕緣性的保護膜2f所覆蓋。
在處理容器2的底部的中央,設置了平台3。在平台3的頂面,設置了用來載置被處理體W的靜電夾頭CK。靜電夾頭CK,利用靜電吸附、保持被處理體W。靜電夾頭CK,透過匹配器MG與施加偏壓用的高頻電力的高頻電源BV連接。
平台3,例如係由氧化鋁或氮化鋁等所形成。在平台3的內部,埋入了加熱器5,加熱器5,透過配線與加熱器電源4電連接。加熱器5,因應加熱器電源4所供給的電力而發熱,然後透過靜電夾頭CK將被處理體W加熱到既定溫度。
在處理容器2的底部,設置了複數個排氣口12a,各排氣口12a,透過排氣管12以及壓力控制閥PCV與排氣裝置13連接。利用壓力控制閥PCV以及排氣裝置13,將處理容器2內的壓力調節至既定的壓力。
於處理容器2的頂板部,透過用以確保氣密性的O型環等的密封構件15,配置了介電體窗16。介電體窗16,例如係由石英、氧化鋁或氮化鋁等的介電體所構成,對微波具備穿透性。
在介電體窗16的頂面,設置了圓板形狀的槽孔板20。槽孔板20,例如係由利用金或銀等具有導電性的材料實施了電鍍或塗布的銅等所構成。於槽孔板20,例如,複數個槽孔21形成同心圓狀。
在槽孔板20的頂面,配置了用來壓縮微波的波長的介電體板25。介電體板25,例如,係由石英、氧化鋁或氮化鋁等的介電體所構成。介電體板25,被具有導電性的蓋部26所覆蓋。在蓋部26內部,形成了熱媒體所循環供給的流通管路27。藉由控制在流通管路27內所流通的熱媒體的溫度,將蓋部26以及介電體板25調節至既定的溫度。
蓋部26的中央,與傳導微波的同軸導波管30連接。同軸導波管30,具有內側導體31以及外側導體32。內側導體31,貫通介電體板25的中央而與槽孔板20的中央連接。
同軸導波管30,透過模式轉換器37以及矩形導波管36與微波產生器35連接。微波產生器35,例如產生2.45GHz的微波。
微波產生器35所產生的微波,透過矩形導波管36、模式轉換器37以及同軸導波管30,傳播到介電體板25。傳播到介電體板25的微波,傳導至槽孔板20,從設置於槽孔板20的複數個槽孔透過介電體窗16放射到處理容器2內。利用微波在介電體窗16的下方形成電場,以在介電體窗16與靜電夾頭CK上的被處理體W之間的處理空間S內,生成處理氣體的電漿。在本實施態樣中,介電體板25、槽孔板20以及介電體窗16,構成RLSA(Radial Line Slot Antenna,輻射線槽孔天線)。
在介電體窗16的中央,設置了將處理氣體導入被處理體W的中心部位的中央導入部55。於同軸導波管30的內側導體31,形成了供給處理氣體的供給管路52。介電體窗16的中央導入部55,與內側導體31的供給管路52連接。從供給管路52供給到中央導入部55的處理氣體,向下方的被處理體W的中心部位往處理空間S內噴射。
在處理容器2內,以包圍被處理體W的上方的處理空間S的方式,設置了對處理空間S供給處理氣體的環狀的周邊導入部61。周邊導入部61,在處理空間S內,配置在被處理體W與介電體窗16之間。周邊導入部61係由中空管形成環狀的構件,在其內周圍側,在周圍方向上,等間隔地形成了複數個周邊導入口62。周邊導入口62,向周邊導入部61的中心噴射處理氣體。周邊導入部61,例如,係由石英等所構成。
在處理容器2的側面,由不銹鋼等所構成的供給管53以貫通處理容器2的側壁的方式設置。供給管53,與周邊導入部61連接。從供給管53供給到周邊導入部61的內部的處理氣體,在周邊導入部61的內部空間擴散之後,從複數個周邊導入口62向周邊導入部61的內側噴射。從複數個周邊導入口62所噴射的處理氣體供給到被處理體W的周邊上部。另外,亦可取代設置環狀的周邊導入部61,而在處理容器2的內側面形成複數個周邊導入口62。
氣體供給源40,透過配管41,將處理氣體供給到同軸導波管30的內側導體31內。另外,氣體供給源40,透過配管42,將處理氣體供給到供給管53內。氣體供給源40,可控制透過同軸導波管30的內側導體31供給到處理容器2內的處理氣體的流量Gc,與透過供給管53以及周邊導入部61供給到處理容器2內的處理氣體的流量Gp的比。
圖2,係表示槽孔板20的附近的一例的分解立體圖。另外,於槽孔板20形成了複數個槽孔,惟在圖2中槽孔的圖式被省略。介電體窗16的底面,以載置在構成處理容器2的側壁的一部分的環狀構件19的表面上的方式裝配於處理容器2。在介電體窗16的上側的表面上,設置了槽孔板20,在槽孔板20上設置了介電體板25。介電體窗16、槽孔板20以及25的平面形狀為圓形。介電體窗16、槽孔板20以及介電體板25,裝配成中心軸對齊一致。在本實施態樣中,在裝配了介電體窗16、槽孔板20、介電體板25以及處理容器2的情況下,介電體窗16、槽孔板20以及介電體板25各自的中心軸,會與圓筒狀的處理容器2的中心軸X對齊一致。
圖3,係表示槽孔板20的一例的俯視圖。槽孔板20,具有圓板狀的外形。在槽孔板20的中央,形成了用來令處理氣體流通的開口209。槽孔板20的板厚方向的兩面各自為平坦面。於槽孔板20,形成了從板厚方向貫通的複數個槽孔對200。各槽孔對200,係由在某一個方向上較長的槽孔201a以及在與槽孔201a直交的方向上較長的槽孔201b相鄰而形成一對。具體而言,相鄰的2個槽孔201a以及201b形成一對,且配置成中心部位缺斷的大略L字狀。在圖3的例子中,槽孔對200,被虛線包圍。
複數個槽孔對200,在槽孔板20的表面上,在以槽孔板20的中心軸210為中心的圓上等間隔地配置。在本實施態樣的槽孔板20中,複數個槽孔對200,分別配置在半徑相異的2個同心圓上。以下,將配置在半徑較短的圓上的複數個槽孔對200記載為內周側槽孔群202,並將配置在半徑較長的圓上的複數個槽孔對200記載為外周側槽孔群203。在圖3的例子中,內周側槽孔群202,設置在以一點鏈線表示的假想圓的內側區域,外周側槽孔群203,設置在以一點鏈線表示的假想圓的外側區域。
在外周側槽孔群203的外側區域,為了令槽孔板20的周圍方向的定位更容易,設置了從板厚方向貫通的基準孔204。藉此,便可實行槽孔板20相對於處理容器2或介電體窗16的周圍方向的定位。槽孔板20,除了基準孔204之外,相對於中心軸210具有旋轉對稱性。
圖4,係表示從處理空間S側觀察的介電體窗16的一例的俯視圖。圖5,係表示圖4所示的介電體窗16的I-I剖面的一例的圖式。
介電體窗16的外形,大略為圓板狀。在處理空間S側的面的相反側的介電體窗16的面的中央,形成了凹部160,在凹部的中央,形成了從板厚方向貫通的中央導入部55。於介電體窗16面向處理空間S的面,設置了外側區域162、中間區域163以及內側區域164。中間區域163的介電體窗16,比外側區域162以及內側區域164的介電體窗16更薄。在外側區域162與中間區域163之間,形成了推拔部165,在中間區域163與內側區域164之間,形成了推拔部166。
在內側區域164,形成了複數個凹部167。各凹部167,具有圓筒狀的內部形狀。複數個凹部167,沿著以介電體窗16的中心軸161為中心的圓等間隔地配置。
在此,傳播至介電體板25的微波,從設置於槽孔板20的複數個槽孔傳導至介電體窗16。例如,傳導至內周側槽孔群202所包含的各槽孔對200的微波,從各槽孔對200傳導至形成於介電體窗16的內側區域164的凹部167。藉此,便可令微波的電場集中於凹部167的處理空間S側的面,進而在介電體窗16的內側區域164,強而穩固地固定模式。藉此,即使變更程序條件,仍可防止內側區域164的模式發生變化,故可穩定地產生均一的電漿,進而能夠提高處理的均一性。
圖6,係表示槽孔201a以及凹部167附近的一例的立體圖。圖7,係表示槽孔201a以及凹部167附近的一例的剖面圖。例如,如圖6所示的,當槽孔201a位於凹部167的正上方時,若供給微波,便可藉由在槽孔201a的寬度方向上所產生的電場,例如,如圖7所示的,在凹部167內產生電漿PS。
圖8以及圖9,係表示槽孔201a、201b與凹部167的位置關係的一例的圖式。藉由傳導至槽孔板20的微波,在槽孔201a的寬度方向以及槽孔201b的寬度方向上分別產生了電場E。於圖8,顯示出槽孔201a的重心位置G1與凹部167的重心位置G2對齊一致的例子。此時,由於電漿確實地被固定於凹部167,電漿的變動程度較小,面對各種條件變化均可防止電漿的面內變動。
於圖9,顯示出凹部167的重心位置G2的位置,與槽孔201a以及槽孔201b其中任一個重心位置均分開的例子。此時,微波難以進入到凹部167內。因此,難以提高在凹部167的下方所放射的微波的強度,凹部167的下方的電漿的密度會降低。因此,有時電漿的產生情況會發生變動。
另外,介電體窗16,由於面對生成電漿的處理空間S,故會因為電漿而消耗,或附著反應副產物。因此,會實行定期取下洗淨或更換的維護保養。然後,實行過維護保養後的介電體窗16與槽孔板20再度被裝配,再度開始實行處理。
構成電漿處理裝置10的介電體窗16等零件,各自存在尺寸誤差,在裝配中亦存在裝配誤差。因此,即使在維護保養結束後再度將電漿處理裝置10組裝起來,相較於維護保養前的電漿處理裝置10,各個零件的位置以及朝向仍可能會存在些微的偏移。如前所述的,根據槽孔板20的槽孔對200的位置與介電體窗16的凹部167的位置的關係,電漿的狀態會發生變化,故令維護保養後的零件的位置關係接近維護保養前的電漿的狀態相當重要。
然而,維護保養後的零件的位置關係,是否接近維護保養前的零件的位置關係,從外觀不易辨別。因此,藉由實際實行對被處理體W的處理,並判定維護保養前後的處理結果的差異是否在容許範圍內,以判定維護保養後的零件的位置關係是否接近維護保養前的零件的位置關係。然而,人工作業所實行的電漿處理裝置10的分解以及組裝需要花費時間。另外,對被處理體W的處理,亦需要真空吸引或溫度控制等相當耗費時間的前處理,故等到處理結果出爐需要花費時間。如是,因為重複實行處理與重新組裝的關係,欲在維護保養後恢復運作會變得相當耗費時間。因此,處理會停滯,處理的產能會降低。
為了避免該等問題,在本實施態樣中,係取得維護保養後的電漿處理裝置10的各零件的位置關係的資訊,並將所取得的各零件的位置關係,與作為參照的電漿處理裝置10的各零件的位置關係進行比較,然後輸出比較結果。例如,取得維護保養前的電漿處理裝置10的各零件的位置關係的資訊,並取得維護保養後的電漿處理裝置10的各零件的位置關係的資訊。然後,以維護保養前的電漿處理裝置10的各零件的位置以及朝向作為參照,判定維護保養後的電漿處理裝置10的各零件的位置以及朝向的偏移是否在容許範圍內,並輸出判定結果。
當一部分零件的位置以及朝向的偏移在容許範圍外時,電漿處理裝置10的使用者,便將電漿處理裝置10重新組裝。藉此,即使並未實際實行對被處理體W的處理,仍可檢測出電漿處理裝置10的裝配不良情況,故可加快維護保養後的恢復運作速度。
[提示裝置70的構造]
圖10,係表示提示裝置70的一例的方塊圖。提示裝置70,具有:資料庫(DB)71、取得部72、特定部73、比較部74、輸出部75,以及輸入部76。特定部73,係第1特定部的一例。
提示裝置70,例如,係由具有記憶體、處理器以及輸入輸出介面的電腦實現之。在記憶體內,儲存了用來實現DB71、取得部72、特定部73、比較部74、輸出部75以及輸入部76的程式或資料等。處理器,從記憶體讀取該等程式並執行,以實現取得部72、特定部73、比較部74、輸出部75以及輸入部76的功能。另外,處理器,透過輸入輸出介面,從3D掃描器700以及輸入裝置703取得資料,並將資料輸出到輸出裝置702。
DB71,例如儲存了如圖11所示的表格710。圖11,係表示儲存於DB71的表格710的一例的圖式。於表格710,針對每個識別裝配於裝置本體11的各零件的零件ID711,儲存了個別表格712。於各個別表格712,儲存了零件的位置以及朝向的測定值以及容許範圍的資訊。容許範圍,係從測定值算起的相對值。在各個別表格712中,零件的位置以及朝向的測定值,由後述的特定部73儲存,容許範圍,則由提示裝置70的管理者等預先設定之。
另外,在DB71內,表示裝配於裝置本體11的各個零件的形狀資料,由提示裝置70的管理者等預先儲存之。表示各個零件的形狀資料,例如為各個零件的CAD(Computer Aided Design,電腦輔助設計)資料。在本實施態樣中,各零件的位置,為零件的重心、零件的特徴部位,或形成於零件外表面的標記等的位置。各零件的朝向,係根據零件的特徴部位,或形成於零件外表面的標記等的朝向而特定之。
輸入部76,透過觸控面板或鍵盤等的輸入裝置703接收來自使用者的輸入操作,並將輸入操作所輸入的資訊輸出到取得部72。輸入操作,例如係用來輸入第1取得指示以及第2取得指示等的操作。
當從輸入部76輸出第1取得指示時,取得部72便透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料,並將所取得的掃描資料與表示第1取得指示的資訊一併輸出到特定部73。從輸入部76輸出第1取得指示時所取得的3維掃描資料,為第2外觀資料的一例。另外,當從輸入部76輸出第2取得指示時,取得部72便透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料,並將所取得的掃描資料與表示第2取得指示的資訊一併輸出到特定部73。從輸入部76輸出第2取得指示時所取得的3維掃描資料,為第1外觀資料的一例。
當從取得部72與掃描資料一起輸出第1取得指示時,特定部73,根據預先儲存在DB71內的各個零件的形狀資料,從掃描資料識別出各個零件。然後,特定部73,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向。然後,特定部73,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊儲存在DB71的表格710內。
另外,當從取得部72與掃描資料一起輸出第2取得指示時,特定部73根據預先儲存在DB71內的各個零件的形狀資料,從掃描資料識別出各個零件。然後,特定部73,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向。作為裝配位置以及朝向的基準的零件,例如為處理容器2。然後,特定部73,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊,輸出到比較部74。
在本實施態樣中,於構成裝置本體11的各零件的外表面,形成了標記。圖12,係表示形成了標記373的零件的外觀的一例的立體圖。在圖12中,係例示出模式轉換器37,作為形成了標記的零件的一例。模式轉換器37的開口371,與矩形導波管36連接,模式轉換器37的開口372,與同軸導波管30連接。將開口372的中心軸定義為中心軸370。於模式轉換器37的外表面,形成了標記373。
圖13以及圖14,係表示標記373的形狀的一例的剖面圖。標記373,係形成於模式轉換器37的外表面的凹部。標記373的底面3730,被以開口372的中心軸370為軸心的圓筒面所包含。標記373的側面3731,被包含開口372的中心軸370在內的平面所包含,標記373的側面3732,被包含開口372的中心軸370在內的另一平面所包含。標記373的側面3733,被與開口372的中心軸370直交的平面所包含。標記373的側面3734,被與開口372的中心軸370直交的另一平面所包含。
在此,若同軸導波管30所連接的開口372的中心軸370與同軸導波管30的中心軸錯開,則同軸導波管30所傳導的微波會發生偏移,在處理空間S內所生成的電漿的分布也會發生偏移。因此,令同軸導波管30所連接的開口372的中心軸370與同軸導波管30的中心軸精度良好地對齊相當重要。然而,在模式轉換器37裝配後,開口372的中心軸370的位置以及朝向從外部並不容易確認。
因此,在本實施態樣中,於模式轉換器37形成如圖12~圖14所示的標記373。藉由特定出如是構成的標記373的位置以及朝向,便可特定出模式轉換器37裝配後無法從外部看見的開口372的中心軸370的位置以及朝向。藉此,便可精度良好地檢測出開口372的中心軸370與同軸導波管30的中心軸的偏差。
像這樣,在本實施態樣中,於構成裝置本體11的各零件的外表面,形成以設計上的位置以及朝向為基準的標記,藉此,針對零件的內部的位置以及朝向的偏移,亦可從各零件的外觀檢測出。
另外,標記373,例如亦可為如圖15以及圖16所示的形狀的標記374。圖15,係表示形成了標記374的零件的外觀的另一例的立體圖。圖16,係表示標記374的形狀的另一例的剖面圖。圖15以及圖16所示的標記374,具有圓筒形的側面3741。
標記374的底面3740,被以開口372的中心軸370為軸心的圓筒面所包含。標記374的側面3741,被以與開口372的中心軸370直交的直線3742為中心軸的圓筒面所包含。利用該等形狀的標記374,亦可從外部檢測出零件的內部的位置以及朝向的偏移。
回到圖10繼續說明。當從特定部73輸出各零件的裝配位置以及朝向的資訊時,比較部74便針對每個零件參照DB71內的表格710,判定從特定部73所輸出的各零件的裝配位置以及朝向是否在容許範圍內。然後,比較部74,將判定結果輸出到輸出部75。輸出部75,將比較部74所輸出的判定結果,輸出到顯示器等的輸出裝置702。
在本實施態樣中,當從特定部73所輸出的各零件的位置以及朝向全部在容許範圍內時,比較部74,便將表示裝配狀態良好的主旨的判定結果輸出到輸出部75。另一方面,當從特定部73所輸出的各零件的位置以及朝向的至少其中一個在容許範圍外時,比較部74,便將表示裝配狀態並非良好的主旨的判定結果輸出到輸出部75。
另外,作為另一例,比較部74,亦可與判定結果一起,針對各零件的位置以及大小,輸出表示其從容許範圍偏移了多少的大小的資訊。此時,輸出部75,亦可與判定結果一起,將表示其從容許範圍偏移了多少的大小的資訊,針對每個零件,以數值的方式,輸出到輸出裝置702,或是以具有對應偏移的大小的顏色或濃度的影像的方式,顯示於輸出裝置702。藉此,使用者,便可在視覺上輕易地識別出哪個零件往哪個方向偏移了多少。
另外,作為另一例,比較部74,亦可與判定結果一起,依照相對於容許範圍的位置以及朝向的偏移的大小的比例較大的順序,針對既定數目的零件,輸出表示相對於容許範圍的位置以及朝向的偏移的大小的資訊。例如,考慮「在2個零件A以及零件B之中,零件A的裝配位置的容許範圍例如為±0.5mm,零件B的裝配位置的容許範圍例如為±0.3mm,且2個零件的裝配位置的偏移均為0.6mm」的情況。此時,零件B,相對於容許範圍的位置的偏移的大小的比例,比零件A更大。因此,將零件B視為偏移較大的零件而優先輸出。藉此,使用者,便可輕易地識別出將裝置本體11重新組裝時應優先修正其位置的零件。
[裝配狀態提示方法]
圖17,係表示提示裝置70的處理的一例的流程圖。圖17的流程圖所示的處理,例如在裝置本體11的維護保養中,係在裝置本體11分解前實行。
首先,輸入部76,判定使用者是否透過輸入裝置703輸入第1取得指示(S100)。使用者,例如在裝置本體11的維護保養中,在裝置本體11分解前,透過輸入裝置703,對提示裝置70輸入第1取得指示。
當並未輸入第1取得指示時(S100:No),輸入部76,便再度實行步驟S100所示的處理。另一方面,當輸入了第1取得指示時(S100:Yes),輸入部76,便將第1取得指示輸出到取得部72。
使用者,令3D掃描器700在維護保養前的裝置本體11的表面上移動,以於3D掃描器700掃描裝置本體11的表面。取得部72,透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料(S101)。然後,取得部72,將所取得的掃描資料,與表示第1取得指示的資訊一起,輸出到特定部73。
接著,特定部73,根據預先儲存在DB71內的各個零件的形狀資料,從取得部72所輸出的掃描資料識別出各個零件(S102)。然後,特定部73,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向(S103)。然後,特定部73,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向儲存在DB71的表格710內(S104)。
接著,輸入部76,判定使用者是否透過輸入裝置703輸入第2取得指示(S105)。使用者,將裝置本體11分解,並實行裝置本體11的零件的洗淨或更換等。然後,在將裝置本體11再度組裝後,使用者,便透過輸入裝置703對提示裝置70輸入第2取得指示。
當並未輸入第2取得指示時(S105:No),輸入部76,便再度實行步驟S105所示的處理。另一方面,當輸入了第2取得指示時(S105:Yes),輸入部76,便將第2取得指示輸出到取得部72。
使用者,令3D掃描器700在維護保養後的裝置本體11的表面上移動,以於3D掃描器700掃描裝置本體11的表面。取得部72,透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料(S106)。然後,取得部72,將所取得的掃描資料,與表示第2取得指示的資訊一起,輸出到特定部73。
接著,特定部73,根據預先儲存在DB71內的各個零件的形狀資料,從取得部72所輸出的掃描資料識別出各個零件(S107)。然後,特定部73,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向(S108)。然後,特定部73,將所特定出的各零件的位置以及朝向輸出到比較部74。
接著,比較部74,針對每個零件,參照DB71內的表格710,判定特定部73所特定出的全部零件的裝配位置以及朝向是否在容許範圍內(S110)。當全部零件的裝配位置以及朝向均在容許範圍內時(S110:Yes),比較部74,便將表示裝配狀態良好的主旨的比較結果輸出到輸出部75(S111)。輸出部75,將比較部74所輸出的判定結果,輸出到顯示器等的輸出裝置702。然後,本流程圖所示的裝配狀態提示方法便結束。
另一方面,當至少一部分零件的裝配位置以及朝向在容許範圍外時(S110:No),比較部74,便將表示裝配狀態並非良好的主旨的比較結果輸出到輸出部75(S112)。輸出部75,將比較部74所輸出的判定結果,輸出到顯示器等的輸出裝置702。然後,本流程圖所示的裝配狀態提示方法便結束。
以上,係針對第1實施態樣進行說明。本實施態樣之提示裝置70,具備:DB71、取得部72、特定部73、比較部74,以及輸出部75。DB71,分別針對電漿處理裝置10所包含的複數個零件,儲存該零件的裝配位置以及朝向的資訊。取得部72,取得表示3D掃描器700所攝入的電漿處理裝置10的外觀狀態的掃描資料。特定部73,根據掃描資料,識別出電漿處理裝置10所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向。比較部74,針對所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於DB71的裝配位置以及朝向的資訊。輸出部75,輸出比較部74的比較結果。藉此,即使並未在維護保養後對被處理體W實行處理,仍可檢測出電漿處理裝置10的裝配不良情況。因此,可令處理的產能提高。
另外,在上述實施態樣中,於DB71,儲存了各零件的裝配位置以及朝向的容許範圍的相關資訊。比較部74,針對所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於DB71的裝配位置以及朝向的容許範圍。輸出部75,將表示所識別出的全部零件的裝配位置以及朝向是否被儲存於DB71的容許範圍所包含的資訊,輸出作為比較結果。藉此,使用者,便可迅速地掌握是否存在裝配位置以及朝向在容許範圍外的零件,並可迅速地判斷是否應將電漿處理裝置10重新組裝。
另外,在上述實施態樣中,當在所識別出的零件之中,存在裝配位置以及朝向並未被儲存於DB71的容許範圍所包含的零件時,輸出部75,亦可針對該零件,更進一步輸出相對於容許範圍的裝配位置以及朝向的偏移的大小。藉此,使用者,便可掌握裝配位置以及朝向在容許範圍外的零件偏移到何等程度。
另外,在上述實施態樣中,輸出部75,亦可依照相對於容許範圍的裝配位置以及朝向的偏移的大小的比例較大的順序,針對既定數目的零件,輸出相對於容許範圍的裝配位置以及朝向的偏移的大小。藉此,使用者,便可優先修正偏移較大的零件的裝配位置以及朝向。
另外,在上述實施態樣中,取得部72,取得表示3D掃描器700所攝入的既定狀態的裝置本體11的外觀狀態的掃描資料。特定部73,根據取得部72所取得的掃描資料,識別出裝置本體11所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向,然後將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊儲存於DB71。藉此,便能以維護保養前的裝置本體11的各零件的裝配位置以及朝向為基準,檢測出維護保養後的裝置本體11的各零件的裝配位置以及朝向的偏移。
另外,在上述實施態樣中,於零件的外表面形成了標記373。特定部73,針對所識別出的每個零件,用標記373的位置以及朝向特定出零件的裝配位置以及朝向。藉此,特定部73,便可精度良好地特定出各零件的裝配位置以及朝向。
另外,在上述實施態樣中,標記373,具有被以設計上的軸心為中心的圓筒的外周面所包含的底面3730。藉此,在處於已組裝狀態的裝置本體11中,即使設計上的軸心無法從裝置本體11的外部看見,仍可根據3D掃描器700所攝入的標記373的位置以及朝向,特定出設計上的軸心的位置以及朝向。
另外,在上述實施態樣中,標記373,具有側面3731以及側面3732還有側面3733以及側面3734至少其中任一個,該側面3731以及側面3732具有被包含設計上的軸心在內的平面所包含的面,該側面3733以及側面3734具有被與設計上的軸心直交的平面所包含的面。藉此,在處於已組裝狀態的裝置本體11中,即使設計上的軸心無法從裝置本體11的外部看見,仍可根據3D掃描器700所攝入的標記373的位置以及朝向,特定出設計上的軸心的位置以及朝向。
另外,在上述實施態樣中,亦可於各零件,形成標記374,其具有被以與設計上的軸心直交的直線為軸心的圓筒的外周面所包含的側面3741。藉此,在處於已組裝狀態的裝置本體11中,即使設計上的軸心無法從裝置本體11的外部看見,仍可根據3D掃描器700所攝入的標記374的位置以及朝向,特定出設計上的軸心的位置以及朝向。
(第2實施態樣)
在第1實施態樣之處理系統1中,儲存在提示裝置70的DB71內的容許範圍的值,係由處理系統1的管理者等預先設定之。相對於此,在本實施態樣的處理系統1中,則會收集複數個電漿處理裝置10的零件的裝配位置以及朝向的資料與處理結果,並從所收集的資訊,特定出獲得良好處理結果時的零件的裝配位置以及朝向的容許範圍。另外,在第1實施態樣中,會對「維護保養後的電漿處理裝置10的各零件的裝配位置以及朝向,是否被以維護保養前等的既定時序的電漿處理裝置10的各零件的裝配位置以及朝向為基準的容許範圍所包含」進行評價。相對於此,在本實施態樣中,則係對「維護保養後的電漿處理裝置10的各零件的裝配位置以及朝向,是否被根據複數個電漿處理裝置10的各零件的裝配位置以及朝向的分布特定出的容許範圍所包含」進行評價。
[處理系統1的構造]
圖18,係表示本案之第2實施態樣的處理系統1的一例的圖式。本實施態樣之處理系統1,具備:複數個電漿處理裝置10、複數個終端機80,以及伺服器90。複數個電漿處理裝置10,係同種類的處理裝置。所謂同種類的處理裝置,例如,係指製造商、系列以及型號等相同的處理裝置。另外,在圖18中,附有與圖1相同的符號的構造,具有與圖1的構造相同或同樣的功能,故省略說明。
各終端機80,透過纜線701與3D掃描器700連接。各終端機80,將3D掃描器700所攝入的掃描資料透過通信網路NW發送到伺服器90。然後,終端機80,將從伺服器90所接收到的裝配狀態的判定結果輸出到監視器等。
伺服器90,根據各終端機80所發送的掃描資料,特定出電漿處理裝置10的各零件的裝配位置以及朝向的容許範圍。然後,伺服器90,判定從各終端機80發送的掃描資料所特定出的各零件的裝配位置以及朝向,是否在特定的容許範圍內,並將判定結果發送到終端機80。伺服器90,係裝配狀態提示裝置的一例。
[終端機80的構造]
圖19,係表示終端機80的一例的方塊圖。終端機80,具有:發送部81、取得部82、接收部83、輸出部84,以及輸入部85。
輸入部85,透過觸控面板或鍵盤等的輸入裝置801接收來自使用者的輸入操作,並將輸入操作所輸入的資訊輸出到取得部82。輸入操作,例如,係用來輸入第3取得指示、第4取得指示以及處理結果等的操作。處理結果,係表示電漿處理裝置10對被處理體W所實行的處理的結果是否滿足既定基準的資訊。處理結果,在滿足既定基準時顯示為OK,在並未滿足既定基準時顯示為NG。
當從輸入部85輸出第3取得指示以及處理結果時,取得部82,便透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料。然後,取得部82,作成包含所取得的掃描資料以及處理結果在內的登錄要求,並將所作成的登錄要求輸出到發送部81。另外,當從輸入部85輸出第4取得指示時,取得部82,便透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料。然後,取得部82,作成包含所取得的掃描資料在內的判定要求,並將所作成的判定要求輸出到發送部81。
發送部81,將取得部82所輸出的登錄要求以及判定要求,透過通信網路NW發送到伺服器90。當透過通信網路NW從伺服器90接收到判定結果時,接收部83,便將所接收到的判定結果輸出到輸出部84。輸出部84,將接收部83所輸出的判定結果,輸出到顯示器等的輸出裝置800。
[伺服器90的構造]
圖20,係表示伺服器90的一例的方塊圖。伺服器90,具有:容許範圍特定部91、DB92、比較部93、特定部94、接收部95,以及發送部96。接收部95,係取得部的一例,特定部94,係第1特定部的一例,容許範圍特定部91,係第2特定部的一例。
於DB92,儲存了例如圖21所示的測定值表格920,以及例如圖22所示的容許範圍表格925。圖21,係表示測定值表格920的一例的圖式。圖22,係表示容許範圍表格925的一例的圖式。
於測定值表格920,針對每個識別裝配於同種類的電漿處理裝置10的裝置本體11的各零件的零件ID921,儲存了個別表格922。於各個別表格922,儲存了零件的裝配位置以及朝向的測定值,還有,裝配成該裝配位置以及朝向時的處理結果。
於容許範圍表格925,針對每個識別裝配於同種類的電漿處理裝置10的裝置本體11的各零件的零件ID926,儲存了個別表格927。於各個別表格927,儲存了零件的裝配位置以及朝向的容許範圍的資訊。
另外,在DB92內,表示裝配於裝置本體11的各個零件的形狀資料,由伺服器90的管理者等預先儲存之。
接收部95,透過通信網路NW接收從各終端機80所發送的登錄要求以及判定要求,並將所接收到的登錄要求以及判定要求輸出到特定部94。
當從接收部95輸出登錄要求時,特定部94,便根據預先儲存在DB92內的各個零件的形狀資料,從登錄要求所包含的掃描資料識別出各個零件。然後,特定部94,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向。然後,特定部94,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊,與登錄要求所包含的處理結果一起,儲存在DB92的測定值表格920內。
另外,當從接收部95輸出判定要求時,特定部94,便根據預先儲存在DB92內的各個零件的形狀資料,從判定要求所包含的掃描資料識別出各個零件。然後,特定部94,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向。然後,特定部94,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊輸出到比較部93。
當從特定部94輸出各零件的裝配位置以及朝向的資訊時,比較部93,便針對每個零件,參照DB92內的容許範圍表格925,判定從特定部94所輸出的各零件的裝配位置以及朝向是否在容許範圍內。然後,比較部93,將判定結果輸出到發送部96。發送部96,將比較部93所輸出的判定結果,透過通信網路NW,發送到判定要求的發送元的終端機80。
容許範圍特定部91,毎經過一既定時序便參照測定值表格920,針對每個零件,特定出裝配位置以及朝向的容許範圍,並用所特定出的容許範圍,更新儲存在容許範圍表格925內的容許範圍。例如,容許範圍特定部91,針對每個零件,將對應OK的處理結果的裝配位置以及朝向的測定值從個別表格922抽出。然後,容許範圍特定部91,針對每個零件,將包含抽出的測定值的範圍特定為容許範圍。另外,容許範圍特定部91,亦可針對每個零件,將抽出的測定值的分布的±3σ的範圍特定為容許範圍。「σ」,係抽出的測定值的分布的標準偏差。
[終端機80的處理]
圖23,係表示終端機80的處理的一例的流程圖。
首先,輸入部85,判定使用者是否透過輸入裝置801輸入第3取得指示以及處理結果(S200)。電漿處理裝置10的使用者,毎經過一既定時序便將第3取得指示與電漿處理裝置10的處理結果透過輸入裝置801輸入終端機80。
當輸入了第3取得指示以及處理結果時(S200:Yes),輸入部85,便將第3取得指示以及處理結果輸出到取得部82。使用者,令3D掃描器700在裝置本體11的表面上移動,以於3D掃描器700掃描裝置本體11的表面。取得部82,透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料(S201)。
然後,取得部82,作成包含所取得的掃描資料與處理結果在內的登錄要求,並將所作成的登錄要求輸出到發送部81。發送部81,將取得部82所輸出的登錄要求,透過通信網路NW發送到伺服器90(S202)。然後,再度實行步驟S200所示的處理。
當並未輸入第3取得指示以及處理結果時(S200:No),輸入部85,便判定使用者是否透過輸入裝置801輸入第4取得指示(S203)。當並未輸入第4取得指示時(S203:No),便再度實行步驟S200所示的處理。使用者,為了維護保養等之目的而將裝置本體11分解,對裝置本體11的零件實行洗淨或更換等。然後,將裝置本體11再度組裝,然後,使用者,透過輸入裝置801,對終端機80輸入第4取得指示。
當輸入了第4取得指示時(S203:Yes),輸入部85,便將第4取得指示輸出到取得部82。使用者,令3D掃描器700在維護保養後的裝置本體11的表面上移動,以於3D掃描器700掃描裝置本體11的表面。取得部82,透過纜線701從3D掃描器700取得3維掃描資料(S204)。然後,取得部82,作成包含所取得的掃描資料在內的判定要求,並將所作成的判定要求輸出到發送部81。發送部81,將取得部82所輸出的判定要求,透過通信網路NW發送到伺服器90(S205)。
接著,接收部83,判定是否透過通信網路NW從伺服器90接收到判定結果(S206)。當並未接收到判定結果時(S206:No),便再度實行步驟S206所示的處理。
另一方面,當接收到判定結果時(S206:Yes),接收部83,便將所接收到的判定結果輸出到輸出部84。輸出部84,將接收部83所輸出的判定結果,輸出到顯示器等的輸出裝置800(S207)。然後,再度實行步驟S200所示的處理。
[伺服器90的處理]
圖24,係表示伺服器90所實行的容許範圍更新處理的一例的流程圖。
首先,特定部94,判定是否透過通信網路NW從終端機80接收到登錄要求(S300)。當接收到登錄要求時(S300:Yes),特定部94,便根據預先儲存在DB92內的各個零件的形狀資料,從登錄要求所包含的掃描資料識別出各個零件(S301)。
然後,特定部94,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向(S302)。然後,特定部94,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊,與登錄要求所包含的處理結果一起,儲存在DB92的測定值表格920內(S303)。然後,再度實行步驟S300所示的處理。
另一方面,當並未接收到登錄要求時(S300:No),容許範圍特定部91,便判定從容許範圍前次更新算起是否登錄了既定數目以上的測定值(S304)。當從容許範圍前次更新算起並未登錄既定數目以上的測定值時(S304:No),便再度實行步驟S300所示的處理。
另一方面,當從容許範圍前次更新算起登錄了既定數目以上的測定值時(S304:Yes),容許範圍特定部91,便參照容許範圍特定部91內的測定值表格920,針對每個零件,特定出裝配位置以及朝向的容許範圍(S305)。然後,容許範圍特定部91,以所特定出的容許範圍,更新儲存在容許範圍表格925內的容許範圍(S306)。然後,再度實行步驟S300所示的處理。
圖25,係表示伺服器90所實行的判定處理的一例的流程圖。
首先,特定部94,判定是否透過通信網路NW從終端機80接收到判定要求(S400)。當並未接收到判定要求時(S400:No),便再度實行步驟S400所示的處理。
另一方面,當接收到判定要求時(S400:Yes),特定部94,便根據預先儲存在DB92內的各個零件的形狀資料,從判定要求所包含的掃描資料識別出各個零件(S401)。然後,特定部94,在從掃描資料所識別出的各零件中,以預定零件的裝配位置以及朝向為基準,特定出各零件的裝配位置以及朝向(S402)。然後,特定部94,將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊,輸出到比較部93。
接著,比較部93,針對每個零件,參照DB92內的容許範圍表格925,判定特定部94所輸出的全部零件的裝配位置以及朝向是否在容許範圍內(S403)。當全部零件的裝配位置以及朝向均在容許範圍內時(S403:Yes),比較部93,便將表示裝配狀態良好的主旨的判定結果輸出到發送部96。發送部96,將比較部93所輸出的判定結果,透過通信網路NW,發送到在步驟S400中所接收到的判定要求的發送元的終端機80(S404)。然後,再度實行步驟S400所示的處理。
另一方面,當至少一部分零件的裝配位置以及朝向在容許範圍外時(S403:No),比較部93,便將表示裝配狀態並非良好的主旨的判定結果輸出到發送部96。發送部96,將比較部93所輸出的判定結果,透過通信網路NW,發送到在步驟S400中所接收到的判定要求的發送元的終端機80(S405)。然後,再度實行步驟S400所示的處理。
以上,係針對第2實施態樣進行說明。本實施態樣之伺服器90,具備:容許範圍特定部91、特定部94,以及接收部95。接收部95,分別針對同種類的複數個電漿處理裝置10,收集電漿處理裝置10的處理結果,以及3D掃描器700所攝入的掃描資料。特定部94,根據接收部95所收集到的複數個電漿處理裝置10的掃描資料,識別出電漿處理裝置10所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向。容許範圍特定部91,針對每個零件,特定出處理結果滿足既定條件的零件的位置以及朝向的容許範圍,並針對每個零件,將所特定出的容許範圍儲存於DB92。藉此,便可特定出在處理結果滿足既定條件的範圍內的零件的裝配位置以及朝向的容許範圍。藉此,便可防止容許範圍設定得太寬,而導致處理結果無法滿足既定條件。另外,亦可防止容許範圍設定得太窄,而導致裝置本體11的重新組裝太頻繁。
[其他]
另外,本案所揭示的技術,並非僅限於上述實施態樣,在其發明精神的範圍內可作出各種變化。
例如,在上述各實施態樣中,係利用3D掃描器700掃描已組裝的裝置本體11的外觀,惟所揭示的技術並非僅限於此。例如,亦可利用3D掃描器700掃描處於組裝途中階段的裝置本體11。藉此,針對完全組裝後從外部無法看見的零件,亦可對其裝配位置以及朝向的偏移進行評價。
另外,在上述各實施態樣中,係利用3D掃描器700掃描未實行處理的裝置本體11的外觀,惟所揭示的技術並非僅限於此。例如,亦可利用3D掃描器700掃描實行處理中的裝置本體11的外觀。藉此,便可也考慮到熱對零件所造成的變形,而對各零件的裝配位置以及朝向的偏移進行評價。
另外,在上述第1實施態樣中,係以維護保養前的裝置本體11的各零件的裝配位置以及朝向為基準,對維護保養後的裝置本體11的各零件的裝配位置以及朝向的偏移進行評價,惟所揭示的技術並非僅限於此。例如,對於維護保養後的裝置本體11的各零件的裝配位置以及朝向的偏移,亦可藉由與設計資料(例如CAD資料)作比較而進行評價。藉此,便可不受維護保養前的裝置本體11的特性的影響,而將維護保養後的裝置本體11的特性保持一定。
另外,在上述第2實施態樣中,伺服器90係根據從各終端機80所發送的掃描資料特定出各零件的裝配位置以及朝向,惟所揭示的技術並非僅限於此。例如,亦可各終端機80根據3D掃描器700所攝入的掃描資料特定出各零件的裝配位置以及朝向,並將所特定出的各零件的裝配位置以及朝向的資訊透過通信網路NW發送到伺服器90。藉此,便可減少在通信網路NW內所傳送的資料量。
另外,在上述第2實施態樣中,係說明伺服器90與終端機80為各別不同的裝置,惟所揭示的技術並非僅限於此,亦可實現伺服器90與其中任一個終端機80合併為單一裝置的態樣。
另外,在上述各實施態樣的電漿處理裝置10中,關於電漿源,係以使用了RLSA的微波電漿為例進行說明,惟所揭示的技術並非僅限於此。作為電漿源,例如,亦可使用電容耦合電漿(capacitive coupling plasma,CCP)、感應耦合電漿(inductive coupling plasma,ICP)、電子迴旋共振電漿(electron cyclotron resonance plasma,ECP),或螺旋波激發電漿(helicon wave excited plasma,HWP)等。
另外,在上述各實施態樣中,關於處理裝置,係以電漿處理裝置10為例進行說明,惟所揭示的技術並非僅限於此。若為對被處理體W實行處理的裝置,即使是對於熱處理裝置等不使用電漿而對被處理體W實行處理的裝置,亦可適用所揭示的技術。
另外,本案所揭示的實施態樣其全部的特徵點應認為僅係例示而已,而並非限制要件。事實上,上述實施態樣可用各種態樣實現之。另外,上述實施態樣,在不超出所附錄的專利請求範圍以及其發明精神的情況下,亦可省略、置換、變更為各種態樣。
10:電漿處理裝置
11:裝置本體
12:排氣管
12a:排氣口
13:排氣裝置
15:密封構件
160:凹部
161:中心軸
162:外側區域
163:中間區域
164:內側區域
165:推拔部
166:推拔部
167:凹部
16:介電體窗
19:環狀構件
1:處理系統
200:槽孔對
201a:槽孔
201b:槽孔
202:內周側槽孔群
203:外周側槽孔群
204:基準孔
209:開口
20:槽孔板
21:槽孔
210:中心軸
25:介電體板
26:蓋部
27:流通管路
2f:保護膜
2:處理容器
3:平台
30:同軸導波管
31:內側導體
32:外側導體
35:微波產生器
36:矩形導波管
370:中心軸
371:開口
372:開口
3730:底面
3731:側面
3732:側面
3733:側面
3734:側面
373:標記
3740:底面
3741:側面
3742:直線
374:標記
37:模式轉換器
4:加熱器電源
40:氣體供給源
41:配管
42:配管
5:加熱器
52:供給管路
53:供給管
55:中央導入部
61:周邊導入部
62:周邊導入口
700:3D掃描器
701:纜線
702:輸出裝置
703:輸入裝置
70:提示裝置
710:表格
711:零件ID
712:個別表格
71:資料庫(DB)
72:取得部
73:特定部
74:比較部
75:輸出部
76:輸入部
800:輸出裝置
801:輸入裝置
80:終端機
81:發送部
82:取得部
83:接收部
84:輸出部
85:輸入部
90:伺服器
91:容許範圍特定部
920:測定值表格
921:零件ID
922:個別表格
925:容許範圍表格
926:零件ID
927:個別表格
92:資料庫(DB)
93:比較部
94:特定部
95:接收部
96:發送部
BV:高頻電源
CK:靜電夾頭
CNT:控制裝置
E:電場
G1:重心位置
G2:重心位置
Gc:流量
Gp:流量
I-I:剖面
MG:匹配器
NW:通信網路
PCV:壓力控制閥
PS:電漿
S:處理空間
S100~S112:步驟
S200~S207:步驟
S300~S306:步驟
S400~S405:步驟
W:被處理體
X:中心軸
[圖1]係表示本發明之第1實施態樣的處理系統的一例的圖式。
[圖2]係表示槽孔板的附近的一例的分解立體圖。
[圖3]係表示槽孔板的一例的俯視圖。
[圖4]係表示從處理空間側觀察的介電體窗的一例的俯視圖。
[圖5]係表示圖4所示的介電體窗的I-I剖面的一例的圖式。
[圖6]係表示槽孔以及凹部附近的一例的立體圖。
[圖7]係表示槽孔以及凹部附近的一例的剖面圖。
[圖8]係表示槽孔與凹部的位置關係的一例的圖式。
[圖9]係表示槽孔與凹部的位置關係的一例的圖式。
[圖10]係表示提示裝置的一例的方塊圖。
[圖11]係表示儲存於資料庫(DB)的表格的一例的圖式。
[圖12]係表示形成了標記的零件的外觀的一例的立體圖。
[圖13]係表示標記的形狀的一例的剖面圖。
[圖14]係表示標記的形狀的一例的剖面圖。
[圖15]係表示形成了標記的零件的外觀的另一例的立體圖。
[圖16]係表示標記的形狀的另一例的剖面圖。
[圖17]係表示提示裝置的處理的一例的流程圖。
[圖18]係表示本發明之第2實施態樣的處理系統的一例的圖式。
[圖19]係表示終端機的一例的方塊圖。
[圖20]係表示伺服器的一例的方塊圖。
[圖21]係表示測定值表格的一例的圖式。
[圖22]係表示容許範圍表格的一例的圖式。
[圖23]係表示終端機的處理的一例的流程圖。
[圖24]係表示伺服器所實行的容許範圍更新處理的一例的流程圖。
[圖25]係表示伺服器所實行的判定處理的一例的流程圖。
700:3D掃描器
702:輸出裝置
703:輸入裝置
70:提示裝置
71:資料庫(DB)
72:取得部
73:特定部
74:比較部
75:輸出部
76:輸入部
Claims (13)
- 一種裝配狀態提示裝置,包含:資料庫,其分別針對處理裝置所包含的複數個零件,儲存該零件的裝配位置以及朝向的資訊;取得部,其取得表示3D掃描器所攝入的該處理裝置的外觀狀態的第1外觀資料;第1特定部,其根據該第1外觀資料,識別出該處理裝置所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向;比較部,其針對該所識別出的每個零件,比較該所特定出的裝配位置以及朝向與儲存於該資料庫的裝配位置以及朝向的資訊;以及輸出部,其輸出該比較部的比較結果。
- 如申請專利範圍第1項之裝配狀態提示裝置,其中,於該資料庫,儲存了各個零件的裝配位置以及朝向的容許範圍的相關資訊;該比較部,針對該所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於該資料庫的裝配位置以及朝向的容許範圍;該輸出部,將表示該所識別出的全部零件的裝配位置以及朝向是否被儲存於該資料庫的該容許範圍所包含的資訊,輸出作為該比較結果。
- 如申請專利範圍第2項之裝配狀態提示裝置,其中,該取得部,分別針對包含該處理裝置在內的同種類的複數個處理裝置,收集該等處理裝置的處理結果以及3D掃描器所攝入的該第1外觀資料; 該第1特定部,根據該取得部所收集到的該複數個處理裝置的第1外觀資料,識別出該處理裝置所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向;該裝配狀態提示裝置,更包含第2特定部,其針對該每個零件,特定出該處理結果滿足既定條件的該零件的位置以及朝向的容許範圍,並將針對該每個零件所特定出的該容許範圍儲存於該資料庫。
- 如申請專利範圍第2或3項之裝配狀態提示裝置,其中,當該所識別出的零件之中,存在該裝配位置以及朝向並未被儲存於該資料庫的該容許範圍所包含的零件時,該輸出部,便針對該零件,更輸出相對於該容許範圍的該裝配位置以及朝向的偏移的大小。
- 如申請專利範圍第2或3項之裝配狀態提示裝置,其中,該輸出部,依照相對於該容許範圍的該裝配位置以及朝向的偏移的大小的比例較大的順序,針對既定數目的零件,輸出相對於該容許範圍的該裝配位置以及朝向的偏移的大小。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之裝配狀態提示裝置,其中,儲存於該資料庫的該裝配位置以及朝向的資訊,係該處理裝置的電腦輔助設計資料。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之裝配狀態提示裝置,其中,該取得部,取得表示3D掃描器所攝入的既定狀態下的該處理裝置的外觀狀態的第2外觀資料; 該第1特定部,根據該第2外觀資料,識別出該處理裝置所包含的複數個零件,並針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向,然後將所特定出的各個零件的裝配位置以及朝向的資訊儲存於該資料庫。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之裝配狀態提示裝置,其中,於該零件的外表面形成了凹部;該第1特定部,針對該所識別出的每個零件,用該凹部的位置以及朝向特定出該零件的裝配位置以及朝向。
- 如申請專利範圍第8項之裝配狀態提示裝置,其中,該凹部,具有被以設計上的軸心為中心的圓筒的外周面所包含的底面。
- 如申請專利範圍第8項之裝配狀態提示裝置,其中,該凹部,包含:具有被包含設計上的軸心在內的平面所包含的面之側壁,以及,具有被與設計上的軸心直交的平面所包含的面之側壁,的至少其中任一個。
- 如申請專利範圍第8項之裝配狀態提示裝置,其中,該凹部,具有被以與設計上的軸心直交的直線為軸心的圓筒的外周面所包含的側壁。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之裝配狀態提示裝置,其中,該取得部,針對運作中的該處理裝置,取得3D掃描器所攝入的該第1外觀資料。
- 一種裝配狀態提示方法,其提示處理裝置所裝配的複數個零件的裝配狀態,且包含:取得表示3D掃描器所攝入的該處理裝置的外觀狀態的外觀資料的步驟;根據該外觀資料,識別出該處理裝置所包含的複數個零件的步驟;針對所識別出的每個零件,特定出該零件的裝配位置以及朝向的步驟;分別針對該處理裝置所包含的複數個零件,參照儲存該零件的裝配位置以及朝向的資訊的資料庫,針對該所識別出的每個零件,比較該零件的裝配位置以及朝向與儲存於該資料庫的裝配位置以及朝向的資訊的步驟;以及輸出比較結果的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194382A JP7103910B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法 |
JP2018-194382 | 2018-10-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202028513A TW202028513A (zh) | 2020-08-01 |
TWI820228B true TWI820228B (zh) | 2023-11-01 |
Family
ID=70161200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108136134A TWI820228B (zh) | 2018-10-15 | 2019-10-05 | 裝配狀態提示裝置及裝配狀態提示方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11543807B2 (zh) |
JP (1) | JP7103910B2 (zh) |
KR (1) | KR20200042417A (zh) |
CN (1) | CN111048390B (zh) |
TW (1) | TWI820228B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4129465A1 (en) | 2020-03-31 | 2023-02-08 | Tosoh Corporation | Hydrocarbon adsorbent and hydrocarbon adsorption method |
WO2024024631A1 (ja) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 評価装置、評価方法及びコンピュータプログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1878713A (zh) * | 2003-12-05 | 2006-12-13 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于对倒装芯片电子器件进行低应力底部填充的平衡产品流程的制造系统和设备 |
US20130286567A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-10-31 | Hzo, Inc. | Apparatuses, systems and methods for protecting electronic device assemblies |
TW201802272A (zh) * | 2016-04-25 | 2018-01-16 | 創新先進材料股份有限公司 | 瀉流單元和含有瀉流單元的沉積系統以及相關方法 |
US9875881B2 (en) * | 2013-02-20 | 2018-01-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
WO2018142532A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社Fuji | 生産管理装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715171A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品装着装置 |
JPH09293770A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sony Corp | 吸着ノズル及び実装装置 |
US7085622B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-08-01 | Applied Material, Inc. | Vision system |
JP2008235504A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 組立品検査装置 |
JP2008257314A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Ulvac Japan Ltd | プロセス管理システム |
JP4983575B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-07-25 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5198226B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
JP5045786B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5377587B2 (ja) | 2011-07-06 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5992288B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置 |
JP6250329B2 (ja) | 2013-08-19 | 2017-12-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP5894227B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2016-03-23 | 株式会社カブク | 情報処理装置及びプログラム |
JP6423706B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN107636374B (zh) | 2015-05-07 | 2019-12-27 | 应用材料公司 | 一种波纹管和阀门组件 |
WO2020035156A1 (en) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | Abb Schweiz Ag | Method of programming an industrial robot |
-
2018
- 2018-10-15 JP JP2018194382A patent/JP7103910B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-05 TW TW108136134A patent/TWI820228B/zh active
- 2019-10-10 KR KR1020190125422A patent/KR20200042417A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-11 US US16/599,350 patent/US11543807B2/en active Active
- 2019-10-12 CN CN201910966976.7A patent/CN111048390B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1878713A (zh) * | 2003-12-05 | 2006-12-13 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于对倒装芯片电子器件进行低应力底部填充的平衡产品流程的制造系统和设备 |
US20130286567A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-10-31 | Hzo, Inc. | Apparatuses, systems and methods for protecting electronic device assemblies |
US9875881B2 (en) * | 2013-02-20 | 2018-01-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
TW201802272A (zh) * | 2016-04-25 | 2018-01-16 | 創新先進材料股份有限公司 | 瀉流單元和含有瀉流單元的沉積系統以及相關方法 |
WO2018142532A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社Fuji | 生産管理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200042417A (ko) | 2020-04-23 |
JP7103910B2 (ja) | 2022-07-20 |
CN111048390B (zh) | 2024-04-19 |
TW202028513A (zh) | 2020-08-01 |
CN111048390A (zh) | 2020-04-21 |
US20200117175A1 (en) | 2020-04-16 |
JP2020064909A (ja) | 2020-04-23 |
US11543807B2 (en) | 2023-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI820228B (zh) | 裝配狀態提示裝置及裝配狀態提示方法 | |
CN107452590B (zh) | 用于在下游反应器中边缘蚀刻速率控制的可调侧气室 | |
TWI736527B (zh) | 具有埋入電極之陶瓷氣體分配板 | |
KR101176061B1 (ko) | 천판 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP7096538B2 (ja) | 開放空間均圧化通路および側方閉じ込めを備えた平坦な基板縁部接触部 | |
CN111357075B (zh) | 受等离子体加热的窗的多区域冷却 | |
WO2005119735A1 (en) | Pressure control and plasma confinement in a plasma processing chamber | |
KR101444228B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
TWI772206B (zh) | 選擇性蝕刻速率監控器 | |
US8282848B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR20210106904A (ko) | 기판 처리 장치 및 적재대 | |
TW202131376A (zh) | 具嵌入式接地表面之模組化微波源 | |
US11062881B2 (en) | Plasma etching method and plasma processing device | |
TWI817043B (zh) | 用於具有整合式處理氣體分配的整體式模組化微波源的外殼、組件以及處理工具 | |
US20210225623A1 (en) | Plasma observation system and plasma observation method | |
KR102409660B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
KR20230117695A (ko) | 에칭 제어 방법 및 에칭 제어 시스템 | |
CN114514794B (zh) | 具有集成温度控制的单片式模块化微波源 | |
CN111223736B (zh) | 一种等离子体处理设备的进气装置 | |
CN115152009A (zh) | 用于腔室条件监测的电容传感器 | |
US11056318B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2000277296A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US20230005720A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US20190013180A1 (en) | Plasma treatment apparatus |