TW202131376A - 具嵌入式接地表面之模組化微波源 - Google Patents

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拉瑞Ｄ 伊利薩格
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菲利浦亞倫 克勞司
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Abstract

本文揭示的實施例包括用於處理工具的源。在一個實施例中，源包括具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的介電板，以及進入介電板的第一表面的腔。在一個實施例中，腔包括在第一表面和第二表面之間的第三表面。在一個實施例中，源還包括遠離第三表面延伸的介電共振器。

Description

具嵌入式接地表面之模組化微波源
實施例涉及半導體製造領域，並且尤其涉及模組化微波源，該模組化微波源具有圍繞介電共振器的嵌入式接地表面。
高頻電漿源可以包括設置在介電板上的介電共振器；接地的外殼，其環繞介電共振器。為了改善高頻電磁輻射進入到處理腔室中的注入，可以將介電共振器放置在介電板的腔中。但是，腔內的介電共振器部分不再被接地外殼包圍。這樣，介電共振器的共振特性減小，並且高頻電磁輻射到處理腔室中的耦合減小。
本文揭示的實施例包括用於處理工具的源。在一個實施例中，源包括具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的介電板，以及進入介電板的第一表面的腔。在一個實施例中，腔包括在第一表面和第二表面之間的第三表面。在一個實施例中，源還包括延伸而遠離第三表面的介電共振器。
實施例還包括用於處理工具的組件。在一個實施例中，組件包括源和外殼。在一個實施例中，源包括介電板、進入介電板的腔以及在腔中的介電共振器。在一個實施例中，介電共振器的寬度小於腔的寬度，使得間隙將介電共振器的側壁與腔的側壁分開。在一個實施例中，外殼包括導電主體和穿過導電主體的開口。介電共振器可以在開口內。在一個實施例中，外殼還包括在間隙中的導電環，該間隙將介電共振器的側壁與腔的側壁隔開。
本文揭示的實施例還可包括處理工具。在一個實施例中，處理工具包括腔室和與腔室接口的組件。在一個實施例中，組件包括具有介電板的源、在介電板上的腔以及在腔中的介電共振器。在一個實施例中，外殼包括具有開口的導電主體。在一個實施例中，介電共振器在開口中，並且電耦合到導電主體的導電環將介電共振器的側壁與腔的側壁分開。
本文描述的系統包括模組化微波源，該模組化微波源具有圍繞介電共振器的嵌入式接地表面。在以下描述中，闡述了許多具體細節以便提供對實施例的透徹理解。對於本領域技術人員顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐實施例。在其他實例中，未詳細描述眾所周知的態樣，以免不必要地混淆實施例。此外，應當理解，附圖中示出的各種實施例是說明性表示，並且不一定按比例繪製。
如上所述，介電共振器可以在腔中設置在介電板中，以便改善電磁輻射到處理腔室中的耦合。然而，當接地表面不能完全圍繞介電共振器的側壁表面時，介電共振器的共振特性降低。因此，本文揭示的實施例提供了電耦合到外殼的導電環。導電環位於介電共振器的側壁與腔的側壁之間的間隙中，以提供圍繞介電共振器的整個側壁的接地表面。
在一些實施例中，導電環是與外殼分離的離散式部件。在其他實施例中，導電環和外殼是整體式部件。實施例還可包括源，該源包括介電板和離散式介電共振器。其他實施例可以包括源，該源包括作為整體式部件的介電板和介電板。
包括完全圍繞介電共振器的側壁的嵌入式接地表面的實施例在處理腔室中提供了改善的處理條件。例如，這樣的架構提供了高頻電磁輻射到電漿的更強耦合。這具有提供改善的電漿均勻性和改善的電漿密度的能力。這樣，改善了用實現這種結構的工具所沉積的膜的均勻性。類似地，利用實現這種架構的工具進行的電漿處理的均勻性也得到改善。
現在參考圖1，其示出了根據一個實施例的電漿處理工具100的截面圖示。在一些實施例中，處理工具100可以是適合於利用電漿的任何類型的處理操作的處理工具。例如，處理工具100可以是用於電漿增強化學氣相沉積（PECVD）、電漿增強原子層沉積（PEALD）、蝕刻和選擇性去除處理以及電漿清潔的處理工具。另外的實施例可以包括處理工具100，其利用高頻電磁輻射而不產生電漿（例如，微波加熱等）。如本文所用，「高頻」電磁輻射包括射頻輻射、超高頻輻射、超高頻輻射和微波輻射。「高頻」可以指的是0.1MHz至300GHz之間的頻率。
通常，實施例包括具有腔室178的處理工具100。在處理工具100中，腔室178可以是真空腔室。真空腔室可以包括用於從腔室去除氣體以提供期望的真空的泵（未示出）。另外的實施例可以包括腔室178，該腔室178包括一個或多個用於向腔室178內提供處理氣體的氣體管線170和用於從腔室178中去除副產物的排氣管線172。儘管未示出，但是應當理解，氣體也可以透過源陣列150（例如，作為噴頭）注入腔室178中，以將處理氣體均勻地分佈在基板174上。
在一個實施例中，基板174可以被支撐在夾盤176上。例如，夾盤176可以是任何合適的夾盤，例如靜電夾盤。夾盤176還可以包括冷卻線和/或加熱器，以在處理期間向基板174提供溫度控制。由於本文所述的高頻發射模組的模組化配置，實施例允許處理工具100容納任何尺寸的基板174。例如，基板174可以是半導體晶片（例如200mm、300mm、450mm或更大）。替代的實施例還包括除半導體晶片之外的基板174。例如，實施例可以包括配置成用於處理玻璃基板（例如，用於顯示技術）的處理工具100。
根據一個實施例，處理工具100包括模組化高頻發射源104。模組化高頻發射源104可以包括高頻發射模組105的陣列。在一個實施例中，每個高頻發射模組105可以包括振盪器模組106、放大模組130和施加器142。如圖所示，施加器142被示意性地示出為整合到源陣列150中。
在一個實施例中，振盪器模組106和放大模組130可以包括作為固態電子部件的電子部件。在一個實施例中，多個振盪器模組106中的每一個可以通訊地耦合到不同的放大模組130。在一些實施例中，振盪器模組106和放大模組130之間可以存在1：1的比率。例如，每個振盪器模組106可以電耦合到單個放大模組130。在一個實施例中，多個振盪器模組106可以產生不相干的電磁輻射。因此，在腔室178中感應的電磁輻射將不會以會導致不期望的干涉圖案的方式相互作用。
在一個實施例中，每個振盪器模組106產生高頻電磁輻射，該高頻電磁輻射被傳輸到放大模組130。在放大模組130進行處理之後，電磁輻射被傳輸至施加器142。在一個實施例中，每個施加器142將電磁輻射發射到腔室178中。在一些實施例中，施加器142將電磁輻射耦合到腔室178中的處理氣體以產生電漿。
現在參考圖2，其示出了根據一個實施例的固態高頻發射模組105的示意圖。在一個實施例中，高頻發射模組105包括振盪器模組106。振盪器模組106可以包括電壓控制電路210，該電壓控制電路210用於向壓控振盪器220提供輸入電壓，以便產生期望的頻率的高頻電磁輻射。實施例可以包括在大約1V和10V DC之間的輸入電壓。壓控振盪器220是電子振盪器，其振盪頻率由輸入電壓控制。根據實施例，來自電壓控制電路210的輸入電壓導致壓控振盪器220以期望的頻率振盪。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有大約0.1MHz和30MHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有在大約30MHz和300MHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有在大約300MHz和1GHz之間的頻率。在一個實施例中，高頻電磁輻射可以具有在大約1GHz和300GHz之間的頻率。
根據一個實施例，電磁輻射從壓控振盪器220傳輸到放大模組130。放大模組130可以包括各自耦合到電源239的驅動器/前置放大器234和主功率放大器236。根據一個實施例，放大模組130可以以脈沖模式操作。例如，放大模組130可以具有在1％和99％之間的工作週期。在更特定的實施例中，放大模組130可以具有在大約15％和50％之間的工作週期。
在一個實施例中，在被放大模組130處理之後，電磁輻射可以被傳輸到熱中斷249和施加器142。然而，由於輸出阻抗的不匹配，傳輸到熱中斷249的功率的一部分可能被反射回去。因此，一些實施例包括檢測器模組281，該檢測器模組281允許檢測正向功率283和反射功率282的位準並將其反饋給控制電路模組221。應當理解，檢測器模組281可以位於系統中的一個或多個不同位置（例如，在循環器238和熱中斷249之間）。在一個實施例中，控制電路模組221會解釋正向功率283和反射功率282，並確定出通訊地耦合到振盪器模組106的控制信號285的位準以及通訊地耦合到放大模組130的控制信號286的位準。在一個實施例中，控制信號285調整振盪器模組106以優化耦合到放大模組130的高頻輻射。在一個實施例中，控制信號286調整放大模組130以優化透過熱中斷249耦合到施加器142的輸出功率。在一個實施例中，除了對熱中斷249中的阻抗匹配進行定制之外，振盪器模組106和放大模組130的反饋控制可以允許反射功率的位準小於正向功率的位準的大約5％。在一些實施例中，振盪器模組106和放大模組130的反饋控制可以允許反射功率的位準小於正向功率的大約2％。
因此，實施例允許經增加的百分比的正向功率耦合到處理腔室178中，並增加耦合到電漿的可用功率。此外，使用反饋控制進行的阻抗調整優於典型的縫隙板天線中的阻抗調整。在縫隙板天線中，阻抗調整涉及移動在施加器中形成的兩個介電塊。這涉及施加器中兩個獨立部件的機械運動，這增加了施加器的複雜性。此外，機械運動的精度可能不如壓控振盪器220所提供的頻率變化那麼精確。
現在參考圖3，其示出了根據一個實施例的組件370的分解透視圖。在一個實施例中，組件370包括源陣列350和外殼372。如箭頭所示，外殼372裝配在源陣列350上方和周圍。在所示的實施例中，組件370被示為具有基本圓形的形狀。然而，應當理解，組件370可以具有任何期望的形狀（例如，多邊形、橢圓形、楔形等）。
在一個實施例中，源陣列350可以包括介電板360和在介電板360上方的多個介電共振器366。在一個實施例中，介電板360和多個介電共振器366是整體式結構。即，在介電共振器366的底部和介電板360之間沒有實體界面。如本文所使用的，「實體界面」是指第一離散式本體的第一表面與第二離散式本體的第二表面接觸。在其他實施例中，介電板360和介電共振器366是離散式部件。每個介電共振器366是施加器142的一部分，其用於將高頻電磁輻射注入處理腔室178。
在一個實施例中，源陣列350包括介電材料。例如，源陣列350可以是陶瓷材料。在一個實施例中，可以用於源陣列350的一種合適的陶瓷材料是Al2 O3 。在整體式源陣列350的態樣，整體式結構可以由單個材料塊製成。在其他實施例中，可以透過模製處理來形成整體式源陣列350的粗糙形狀，然後對其進行機械加工以提供具有期望的尺寸的最終結構。例如，綠色狀態機械加工和燒成的動作可用於提供整體式源陣列350的期望的形狀。在所示的實施例中，介電共振器366被示為具有圓形橫截面（當沿平行於介電板360的平面觀察時）。然而，應當理解，介電共振器366可以包括許多不同的橫截面。例如，介電共振器366的橫截面可以具有中心對稱的任何形狀。
在一個實施例中，外殼372包括導電主體373。例如，導電主體373可以是鋁或類似物。外殼包括多個開口374。開口374可以完全穿過導電主體373的厚度。開口374的尺寸可以設置成容納介電共振器366。例如，隨著外殼372朝著整體式源陣列350移動（如箭頭所示），介電共振器366將被插入開口374中。
在所示的實施例中，外殼372被示為單個導電主體373。然而，應當理解，外殼372可以包括一個或多個離散式導電部件。離散式部件可以單獨接地，或者離散式部件可以機械地或透過任何形式金屬結合而連接，以形成單個導電主體373。
現在參考圖4A，其示出了根據一個實施例的源陣列450的透視圖。在一個實施例中，源陣列450包括介電板460。多個腔467設置在介電板460的第一表面461中。腔467不穿過介電板460的第二表面462。源陣列450可以進一步包括多個介電共振器466。每個介電共振器466可以在腔467中的不同腔中。每個介電共振器466可以包括在介電共振器466的軸向中心的孔465。
在一個實施例中，介電共振器466可以具有第一寬度W1 ，並且腔467可以具有第二寬度W2 。介電共振器466的第一寬度W1 小於腔467的第二寬度W2 。寬度上的差異在介電共振器466的側壁與腔467的側壁之間提供了間隙G。在所示的實施例中，每個介電共振器466被示為具有均勻的寬度W1 。然而，應當理解，並非源陣列450的所有介電共振器466都需要具有相同的尺寸。
現在參考圖4B和4C，其示出了根據各種實施例的沿著線4-4'的圖4A中的源陣列450的截面圖示。沿著線4-4'的截面圖示更清楚地示出了腔467和各種部件的表面。
現在參考圖4B，其示出了根據一個實施例的包括離散式介電板460和離散式介電共振器466的源陣列450的截面圖示。介電板460包括腔467。腔467從介電板460的第一表面461向下延伸，並終止於介電板460的第三表面463。在一個實施例中，介電共振器466具有由第三表面463支撐的第一表面469。也就是說，介電共振器466位於腔467的底部。此外，在介電共振器466的第一表面469和介電板460的第三表面463之間存在實體界面。在一個實施例中，在介電共振器466的側壁表面468和腔467的側壁之間存在間隙G。
在一個實施例中，介電共振器466包括孔465，該孔465的尺寸設置成容納單極天線（未示出）。孔465從第四表面464向下延伸到介電共振器466的主體中。在一個實施例中，孔465的底部在介電板460的第一表面461下方（在Z方向上）。即，孔465的底部可以在腔467內。在其他實施例中，孔465的底部可以在第一表面461上或在第一表面461上（在Z方向上）。
現在參考圖4C，其示出了根據另一實施例的具有整體式構造的源陣列450的截面圖示。整體式構造消除了介電共振器466和介電板460之間的實體界面。也就是說，第三表面463（即，腔467的底部）完全在由介電共振器466的側壁468限定的周邊的外部。
整體式構造導致腔467為環形。腔467的一部分由介電共振器466的側壁468所限定。特別地，環形腔467的內表面由介電共振器466的側壁468限定，並且環形腔467的外表面由介電板460的一部分限定。在一些情況下，腔467可被稱為凹槽，其進入圍繞介電共振器466的第一表面461中。類似於圖4B，間隙G在介電共振器466的側壁468和腔467的外側壁之間。
現在參考圖4D，其示出了根據另一實施例的源陣列450的截面圖示。除了導電層491設置在源陣列的表面上之外，圖4D中的源陣列450可以與圖4B中的源陣列450基本相似。例如，導電層491A 的第一部分可以在介電共振器466的第四表面464和側壁表面468上方，並且導電層491B 的第二部分可以在介電板460的第一表面461上方。在一個實施例中，整個第四表面464可以不被導電層491A 的第一部分覆蓋。例如，第四表面464的靠近孔465的一部分可以保持暴露。這可以減小導電層491A 與插入孔465中的單極天線（未示出）之間產生電弧的可能性。在一個實施例中，在第三表面463和腔467的側壁上沒有導電層491。然而，在其他實施例中，導電層491可以覆蓋腔467的側壁和第三表面463的一部分。特別地，導電層491可以覆蓋第三表面463的不直接在介電共振器466下方的部分。在操作期間，導電層491A-B 可以接地。導電層491可以是任何合適的導電材料（例如，鋁、鈦等）。
現在參考圖4E，其示出了根據另一實施例的源陣列450的截面圖示。除了導電層491設置在源陣列450的表面之上之外，圖4E中的源陣列可以與圖4C中的源陣列450基本相似。例如，導電層491可以設置在腔467的第一表面461、第三表面463、第四表面464和側壁表面上。在所示的實施例中，間隙G仍然保留。在其他實施例中，導電層491基本上填充間隙G。
現在參考圖5A，其示出了根據一個實施例的外殼572的透視圖圖示。所示的實施例描繪了外殼572的第二表面533。第二表面533是面向源陣列450的表面，並且第一表面534背向源陣列450。如圖所示，外殼572包括具有多個開口574的導電主體573。開口574的尺寸設置成容納源陣列450的介電共振器466。
在一個實施例中，外殼572還包括遠離第二表面533延伸的多個環531。在一些實施例中，環531和導電主體573形成整體式部分。環531可以與開口574重合。在一個實施例中，環531的內表面與開口574的側壁基本共面。即，環531的內部的直徑與開口574的直徑相同。在一個實施例中，環531可以具有寬度D。可以選擇寬度D以適合於源陣列450的間隙G。
現在參考圖5B，其示出了根據一個實施例的沿線B-B'的圖5A中的外殼572的截面圖示。如圖所示，環531的內表面513與開口574的側壁514基本共面。圖5B還示出了環531和導電主體573形成整體式部分。
現在參考圖5C和5D，根據另一個實施例，其示出了沿著外殼572的線D-D'的透視圖圖示和相應的截面圖示。圖5C中的外殼572包括離散式導電主體573和離散式環531。在一實施例中，每個環531被插入開口574之一。環531的外表面515在開口574的側壁514上。在一個實施例中，環531的高度大於導電主體573的高度，使得環的一部分在導電主體573的第二表面533上方延伸。在一個實施例中，環531的厚度D的尺寸設置成適合於源陣列450的間隙G。
現在參考圖6A，其示出了根據一個實施例的組件670的一部分的截面圖示。組件670包括源陣列650和外殼672。在一個實施例中，源陣列650包括介電板660和介電共振器666。介電共振器666是來自介電板660的離散式組件，類似於圖4B中的源陣列450。即，介電共振器666的第一表面669由腔667的底表面663所支撐。用於單極天線的孔665形成在介電共振器666中。外殼672包括導電主體673和環631。導電主體673和環631可以是離散式部件，類似於圖5C和5D中的外殼572。因此，導電主體673的開口674可以由環631排列。因此，環631可以將開口674的側壁與介電共振器666的側壁668分開。
在一個實施例中，環631將介電共振器666的側壁668和腔667的側壁之間的間隙G填充到介電板660中。即，環631的一部分在介電板660的第一表面661下方（在Z方向上）延伸。環631電連接至導電主體673，並且在處理工具的操作期間接地。因此，側壁668的整個長度被接地表面覆蓋。這改善了源陣列650的共振特性，並且改善了高頻電磁輻射到處理腔室中的耦合。
現在參考圖6B，其示出了根據另一實施例的組件670的截面圖示。圖6B中的組件670與圖6A中的組件670相似，除了介電共振器666和介電板660形成整體式源陣列650，而環631和導電主體673則是形成整體式外殼672。例如，源陣列650類似於圖4C中的源陣列450，並且外殼672類似於圖5A和5B中的外殼572。在一個實施例中，環631位於間隙G中，並將腔667的側壁與介電共振器666的側壁668分開。因此，外殼672的一部分在第一表面661下方嵌入在介電板660中的下方。此外，開口674的側壁可以面對介電共振器的側壁668，而沒有在兩個表面之間的離散式主體。
現在參考圖6C，其示出了根據另一實施例的組件670的截面圖示。圖6C中的組件670類似於圖6B中的組件670，除了外殼672包括離散式部件以外。例如，外殼672可包括導電主體673和離散式環631。圖6C中的組件670的外殼672可以類似於關於圖6A描述的外殼672。
現在參考圖6D，其示出了根據另一實施例的組件670的截面圖示。除了源陣列650包括離散式組件之外，圖6D中的組件670類似於圖6B中的組件670。例如，源陣列650包括彼此分離的離散式部件的介電板660和介電共振器666。圖6D中的源陣列650可以類似於關於圖6A描述的源陣列650。
如圖6A-6D所示，實施例包括離散式和整體式部件的不同組合。例如，圖6A包括所有離散式部件，圖6B包括所有整體式部件，圖6C包括離散式外殼組件和整體式源陣列，圖6D包括整體式外殼和離散式源陣列組件。然而，每個示出的實施例包括在介電板660的第一表面661下方並且圍繞介電共振器666的一部分的嵌入式接地表面。
現在參考圖7，其示出了根據一個實施例的包括組件770的處理工具700的截面圖示。在一個實施例中，處理工具包括由組件770密封的腔室778。例如，組件770可以抵靠一個或多個O形環781，以向腔室778的內部容積783提供真空密封。在其他實施例中，組件770可以與腔室778對接。也就是說，組件770可以是密封腔室778的蓋子的一部分。在一個實施例中，處理工具700可以包括多個處理容積（可以流體地耦合在一起），其中每個處理容積具有不同的組件770。在一個實施例中，夾盤779等可以支撐工件774（例如，晶片、基板等）。在一個實施例中，腔室容積783可以適合於撞擊電漿782。即，腔室778可以是真空腔室。
在一個實施例中，組件770可以與上述組件670基本相似。例如，組件770包括源陣列750和外殼772。源陣列750可以包括介電板760和從介電板760向上延伸的多個介電共振器766。進入介電板760的腔767可以圍繞每個介電共振器766。腔767的側壁透過間隙G與介電共振器766的側壁分開。源陣列750的介電板760和介電共振器766可以是整體式結構（如圖7所示），或者介電板760和介電共振器766可以是離散式部件。
外殼772包括裝配到間隙G中的環731。在一個實施例中，外殼772的環731和導電主體773是整體式結構（如圖7所示），或者導電主體773和環731可以是離散式部件。外殼772可具有經調整尺寸而適於容納介電共振器766的開口。在一個實施例中，單極天線788可以延伸到介電共振器766中的孔中。單極天線788均電耦合至電源（例如，高頻發射模組105）。
現在參考圖8A和8B，根據另外的實施例，分別示出了組件870的截面圖示和相應的平面圖。組件870包括源陣列850和外殼872。源陣列850可以包括介電板860和介電共振器866。在所示的實施例中，源陣列850被示為整體式結構。但是，也可以使用具有離散式介電板860和離散式介電共振器866的構造。可以在介電共振器866中提供孔865。外殼872可以包括導電主體873。在一個實施例中，導電主體873可以向下延伸到圍繞介電共振器866的間隙G中。
在一個實施例中，將法拉第籠放置在圍繞介電共振器866的外周的介電板860中。例如，可以將多個引腳892插入間隙G下方的介電板860中。雖然示出了8個引腳892，但是實施例可以包括足以形成具有期望的屏蔽特性的法拉第籠的任意數量的引腳892。在一個實施例中，引腳892可以電耦合到導電主體873。在一些實施例中，可以使用RF墊圈893等來改善導電主體873和引腳892之間的電耦合。因此，引腳892可以在操作期間保持在接地電位。
現在參考圖8C和8D，其示出了根據另一實施例的組件870的截面圖示和平面圖。圖8C和8D中的組件870與圖8A和8B中的組件870基本相似，不同之處在於，從介電板860中省去了間隙G。在一些實施例中，可以透過使用介電板860中的法拉第籠來獲得透過將環延伸到間隙G中所提供的一個或多個益處，並且因此可以可選地省略間隙。
現在參考圖9，其示出了根據一個實施例的處理工具的示例性電腦系統960的框圖。在一個實施例中，電腦系統960耦合到處理工具並控制處理工具中的處理。電腦系統960可以連接（例如，網路）到區域網（LAN）、內部網路、外部網或網際網路中的其他機器。電腦系統960可以在客戶端-伺服器網路環境中以伺服器或客戶端電腦的能力進行操作，或者在對等（或分佈式）網路環境中作為對等機器進行操作。電腦系統960可以是個人電腦（PC）、平板電腦、機頂盒（STB）、個人數位助理（PDA）、手機、網路設備、伺服器、網路路由器、交換機或橋或能夠執行一組指令（順序的或其他方式）的機器，這些指令指定該機器要執行的操作。此外，儘管僅針對電腦系統960示出了單個機器，但是術語「機器」也應被認為包括單獨地或共同地執行一組（或多組）指令以執行本文所述的任何一種或多種方法的機器（例如，電腦）的任何集合。
電腦系統960可以包括電腦程式產品或軟體922，其具有在其上儲存有指令的非暫時性機器可讀媒體，該指令可以用於對電腦系統960（或其他電子元件）進行編程以根據實施例執行處理。機器可讀媒體包括用於以機器（例如，電腦）可讀的形式儲存或傳輸訊息的任何機制。例如，機器可讀（例如，電腦可讀）媒體包括機器（例如，電腦）可讀儲存媒體（例如，唯讀記憶體（「ROM」）、隨機存取記憶體（「RAM」）、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體元件等）、機器（例如電腦）可讀傳輸媒體（電、光、聲學或其他形式傳播信號（例如紅外信號、數位信號等））等。
在實施例中，電腦系統960包括系統處理器902、主記憶體904（例如，唯讀記憶體（ROM）、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體（DRAM），諸如同步DRAM（SDRAM）或Rambus DRAM（RDRAM）等）、經由匯流排930彼此通訊的靜態記憶體906（例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體（SRAM）等）和輔助記憶體918（例如，資料儲存元件）。
系統處理器902代表一個或多個通用處理元件，例如微系統處理器、中央處理單元等。更具體地說，系統處理器可以是複雜指令集計算（CISC）微處理器、精簡指令集計算（RISC）微處理器、超長指令字（VLIW）微處理器、實現其他指令集的系統處理器，或實現指令集組合的系統處理器。系統處理器902也可以是一個或多個專用處理元件，例如特殊應用積體電路（ASIC）、現場可編程門陣列（FPGA）、數位信號系統處理器（DSP）、網路系統處理器等。系統處理器902被配置為執行用於執行本文描述的操作的處理邏輯926。
電腦系統960可以進一步包括用於與其他元件或機器進行通訊的系統網路介面元件908。電腦系統960也可以包括影像顯示單元910（例如，液晶顯示器（LCD）、發光二極體顯示器（LED）或陰極射線管（CRT））、字母數字輸入元件912（例如，鍵盤）、游標控制元件914（例如鼠標）和信號生成元件916（例如揚聲器）。
輔助記憶體918可以包括機器可存取的儲存媒體931（或更具體地，電腦可讀的儲存媒體），在其上儲存一組或多組指令（例如，軟體922），其體現了本文所述的方法或功能的一個或多者。在由電腦系統960執行軟體922的過程中，軟體922還可以全部或至少部分地駐留在主記憶體904中和/或系統處理器902中，主記憶體904和系統處理器902也構成機器可讀儲存媒體裝置。可以經由系統網路介面元件908透過網路920進一步發送或接收軟體922。在一個實施例中，網路介面元件908可以使用RF耦合、光耦合、聲耦合或電感耦合來操作。
儘管在示例性實施例中將機器可存取儲存媒體931示出為單個媒體，但是術語「機器可讀儲存媒體」應被認為包括單個媒體或多個媒體（例如，集中式或分佈式資料庫和/或關聯的快取和伺服器），用於儲存一組或多組指令。術語「機器可讀儲存媒體」也應被認為包括那種能夠儲存或編程一組指令以由機器執行且致使機器執行任何一種或多種方法的任何媒體。因此，術語「機器可讀儲存媒體」應被認為包括但不限於固態記憶體以及光和磁媒體。
在前述說明書中，已經描述了特定的示例性實施例。顯而易見的是，在不脫離所附請求項的範圍的情況下，可以對其進行各種修改。因此，說明書和附圖應被認為是說明性的而不是限制性的。
100:處理工具 178:腔室 170:氣體管線 172:排氣管線 150:源陣列 174:基板 176:夾盤 104:模組化高頻發射源 105:高頻發射模組 106:振盪器模組 130:放大模組 142:施加器 210:電壓控制電路 220:壓控振盪器 239:電源 234:前置放大器 236:主功率放大器 249:熱中斷 281:檢測器模組 283:正向功率 282:反射功率 221:控制電路模組 238:循環器 285:控制信號 286:控制信號 370:組件 350:源陣列 372:外殼 360:介電板 366:介電共振器 373:導電主體 374:開口 450:源陣列 460:介電板 467:腔 461:第一表面 462:第二表面 466:介電共振器 465:孔 W1 :第一寬度 W2 :第二寬度 467:腔 G:間隙 463:第三表面 469:第一表面 468:側壁表面 464:第四表面 491:導電層 491A :導電層 491B :導電層 572:外殼 533:第二表面 534:第一表面 574:開口 573:導電主體 531:環 D:寬度 513:內表面 514:側壁 515:外表面 D:厚度 670:組件 650:源陣列 672:外殼 660:介電板 666:介電共振器 669:第一表面 667:腔 663:底表面 665:孔 673:導電主體 631:環 674:開口 668:側壁 661:第一表面 770:組件 700:處理工具 778:腔室 781:O形環 783:內部容積 779:夾盤 750:源陣列 760:介電板 766:介電共振器 767:腔 772:外殼 731:環 773:導電主體 788:單極天線 870:組件 850:源陣列 872:外殼 860:介電板 866:介電共振器 892:引腳 893:RF墊圈 873:導電主體 960:電腦系統 922:軟體 902:系統處理器 904:主記憶體 918:輔助記憶體 930:匯流排 926:處理邏輯 908:系統網路介面元件 910:影像顯示單元 912:字母數字輸入元件 914:游標控制元件 916:信號生成元件 931:機器可存取的儲存媒體 906:靜態記憶體 920:網路
圖1是根據一個實施例的處理工具的示意圖，該處理工具包括模組化的高頻發射源，該高頻發射源具有包括多個施加器的源陣列。
圖2是根據一個實施例的模組化高頻發射模組的框圖。
圖3是根據一個實施例的組件的分解透視圖。
圖4A是根據一個實施例的源陣列的透視圖，該源陣列具有在腔內的進入介電板的介電共振器。
圖4B是根據一個實施例的沿線4-4'的源陣列的截面圖示，其中，介電共振器是與介電板分離的離散式部件。
圖4C是根據一個實施例的沿著線4-4'的源陣列的截面圖示，其中介電共振器和介電板是整體式部件。
圖4D是根據一個實施例的沿線4-4'的源陣列的截面圖示，其中介電共振器是與介電板分離的離散式部件，並且導電層設置在介電共振器和介電板的表面上。
圖4E是根據一個實施例的沿著線4-4'的源陣列的截面圖示，其中，介電共振器和介電板是整體式部件，並且導電層設置在源陣列的表面上方。
圖5A是根據一個實施例的在開口周圍具有整體式環的外殼的透視圖。
圖5B是根據一個實施例的沿線B-B'的圖5A中的外殼的截面圖示。
圖5C是根據一個實施例的具有經插入開口中的環的外殼的透視圖。
圖5D是根據一個實施例的沿線D-D'的圖5C中的外殼的截面圖示。
圖6A是根據一個實施例的具有帶有離散式介電共振器和離散式介電板的源陣列的組件以及具有在開口中的離散式導電主體和離散式環的外殼的截面圖示 。
圖6B是根據一個實施例的具有整體式源和整體式外殼的組件的截面圖示。
圖6C是根據一個實施例的具有整體式源和具有離散式導電主體和離散式環的外殼的組件的截面圖示。
圖6D是根據一個實施例的具有源的組件的截面圖示，該源具有離散式介電共振器和離散式介電板以及整體式外殼。
圖7是根據一個實施例的具有組件的處理工具的截面圖示，該組件包括位於腔中的介電共振器，該介電共振器具有導體環，導體環將介電共振器的側壁與腔的側壁分開。
圖8A是根據一個實施例的源陣列的截面圖示，該源陣列在介電板上且具有法拉第（Faraday）籠。
圖8B是根據一個實施例的圖8A中的源陣列的平面視圖圖示。
圖8C是根據另一實施例的在介電板上具有法拉第籠的源陣列的截面圖示。
圖8D是根據一個實施例的圖8C中的源陣列的平面視圖圖示。
圖9示出了根據一個實施例的示例性電腦系統的框圖，該示例性電腦系統可以與高頻電漿工具結合使用。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理工具
178:腔室
170:氣體管線
172:排氣管線
150:源陣列
174:基板
176:夾盤
104:模組化高頻發射源
105:高頻發射模組
106:振盪器模組
130:放大模組
142:施加器

Claims (20)

  1. 一種源，包括： 一介電板，其具有一第一表面和與該第一表面相反的一第二表面； 一腔，該腔進入該介電板的該第一表面，其中該腔包括在該第一表面和該第二表面之間的一第三表面；以及 一介電共振器，該介電共振器遠離該第三表面延伸。
  2. 根據請求項1所述的源，其中，該介電共振器包括一第四表面，其中，該介電板的該第一表面在該腔的該第三表面與該介電共振器的該第四表面之間。
  3. 根據請求項1所述的源，其中，該介電共振器的一寬度小於該腔的一寬度。
  4. 根據請求項1所述的源，其中，該介電共振器是中心對稱的。
  5. 根據請求項4所述的源，其中，該介電共振器沿著平行於該第一表面的一平面的一橫截面是圓形的。
  6. 根據請求項4所述的源，其中，該介電共振器沿著平行於該第一表面的一平面的一橫截面是多邊形的。
  7. 根據請求項1所述的源，更包括：在該介電共振器的一軸向中心上的一孔。
  8. 根據請求項7所述的源，其中，該孔延伸越過該介電板的該第一表面。
  9. 根據請求項1所述的源，更包括： 多個腔；以及 多個介電共振器，其中每個介電共振器在不同的腔內。
  10. 根據請求項1所述的源，其中，該介電板和該介電共振器中的一個或多個包括一陶瓷。
  11. 一種組件，包括： 一源，其中該源包括：一介電板； 一腔，該腔進入該介電板中；以及 該腔中的一介電共振器，其中該介電共振器的一寬度小於該腔的一寬度，從而一間隙將該介電共振器的一側壁與該腔的一側壁分隔開；以及 一外殼，其中，該外殼包括：一導電主體； 一開口，該開口穿過該導電主體，其中該介電共振器在該開口內；以及 一導電環，其位於將該介電共振器的該側壁與該腔的該側壁隔開的該間隙中。
  12. 根據請求項11所述的組件，其中，該介電共振器和該介電板是一整體式部件。
  13. 根據請求項11所述的組件，其中，該導電主體和該導電環是一整體式部件。
  14. 根據請求項11所述的組件，其中，該導電環將該開口的一側壁與該介電共振器的該側壁分開。
  15. 根據請求項11所述的組件，其中，該導電環電耦合至該導電主體。
  16. 根據請求項11所述的組件，更包括：在該介電共振器的一軸向中心上的一孔；以及在該孔中的一單極天線。
  17. 根據請求項11所述的組件，其中，該源更包括： 多個腔；以及 多個介電共振器，其中每個介電共振器位於不同的腔中，且其中該外殼更包括： 多個開口，其中每個介電共振器位於該開口之其中一個不同的開口中；以及 多個環，其中每個環位於該介電共振器的側壁與該腔的側壁之間的不同的一間隙中。
  18. 一種處理工具，包括： 一腔室；以及 與該腔室對接的一組件，其中，該組件包括： 具有一介電板的一源，在該介電板上的一腔，以及在該腔中的一介電共振器；以及 一外殼，其具有帶一開口的一導電主體，其中該介電共振器在該開口中，且其中電耦合至該導電主體的一導電環將該介電共振器的一側壁與該腔的一側壁分開。
  19. 根據請求項18所述的處理工具，其中，該介電板和該介電共振器是一整體式部件。
  20. 根據請求項18所述的處理工具，其中，該導電主體和該導電環是一整體式部件。
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