CN114424318B - 单片式模块化高频等离子体源 - Google Patents

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Abstract

本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。

Description

单片式模块化高频等离子体源
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年9月27日递交的美国非临时申请No.16/586,462的优先权，通过引用的方式将所述申请的全部内容结合在此。
技术领域
实施方式与半导体制造的领域相关，且详细而言与用于高频等离子体源的单片式(monolithic)源阵列相关。
现有技术的描述
一些高频等离子体源包括穿过介电板中的开口的施加器。通过介电板的开口允许施加器(例如介电腔谐振器)暴露于等离子体环境。然而，已经显示，等离子体也产生在环绕施加器的空间中的介电板中的开口中。这有可能在处理腔室内产生等离子体不均匀性。并且，将施加器暴露于等离子体环境可能导致施加器更快速地劣化。
在一些实施方式中，将施加器定位在介电板之上或定位在进入(但不通过)介电板的空腔内。此类配置减少了与腔室的内部的耦合，且因此并不提供最佳的等离子体产生。高频电磁辐射与腔室的内部的耦合部分地由于介电板与施加器之间的额外界面而减少，高频电磁辐射需要跨所述界面传播。此外，每个施加器处及跨不同处理工具的界面的变化(例如施加器的定位、施加器及/或介电板的表面粗糙度、施加器相对于介电板的角度等等)可能造成等离子体不均匀性。
详细而言，当施加器是与介电板离散的部件时，(单个处理腔室内及/或跨不同处理腔室(例如腔室匹配)的)等离子体不均匀性更可能发生。例如，在离散部件的情况下，小变化(例如组件、加工容差等等的变化)可能造成负面影响腔室内的处理条件的等离子体不均匀性。
发明内容
本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。
额外的实施方式可以包括用于处理工具的组件。在一个实施方式中，所述组件包括单片式源阵列及壳体。在一个实施方式中，单片式源阵列包括介电板及多个凸部，所述多个凸部从所述介电板的表面向上延伸。在一个实施方式中，所述壳体包括多个开口，所述多个开口的尺寸被调整为接收所述凸部中的每一个。
本文中所公开的一个额外的实施方式包括一种处理工具。在一个实施方式中，所述处理工具包括腔室及与所述腔室交接的组件。在一个实施方式中，所述组件包括单片式源阵列及壳体。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。在一个实施方式中，所述第二表面暴露于所述腔室的内部容积，且所述第二表面暴露于外部环境。所述单片式源阵列可以更包括多个凸部，所述多个凸部从所述介电板的所述第一表面延伸出去。在一个实施方式中，所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。在一个实施方式中，所述壳体包括导电体及通过所述导电体的多个开口。在一个实施方式中，每个开口的尺寸均被调整为环绕所述凸部中的一个。
附图说明
图1是依据一个实施方式的处理工具的示意插图，所述处理工具包括具有单片式源阵列的模块化高频发射源，所述单片式源阵列包括多个施加器。
图2是依据一个实施方式的模块化高频发射模块的方块图。
图3A是依据一个实施方式的单片式源阵列的透视图插图，所述单片式源阵列包括多个施加器及介电板。
图3B是依据一个实施方式的图3A中沿着线B-B'的单片式源阵列的横截面插图。
图3C是依据一个实施方式的单片式源阵列的横截面插图，所述单片式源阵列在介电板的表面之上具有钝化层。
图3D是依据一个实施方式的单片式源阵列的横截面插图，所述单片式源阵列在一或多个表面之上具有导电层。
图3E是依据一个实施方式的单片式源阵列的平面图插图，所述单片式源阵列具有形状为六角形的多个施加器。
图4A是依据一个实施方式的单片式源阵列及壳体的透视图插图，所述壳体与所述单片式源阵列交接以形成组件。
图4B是依据一个实施方式在单片式源阵列及壳体配合在一起之后的组件的横截面插图。
图4C是依据一个实施方式的施加器的横截面插图，所述施加器包括来自组件的部件。
图5是依据一个实施方式的处理工具的横截面插图，所述处理工具包括组件，所述组件包括单片式源阵列及壳体。
图6绘示依据一个实施方式的示例性计算机系统的方块图，所述计算机系统可以与高频等离子体工具结合使用。
具体实施方式
本文中所述的系统包括用于高频等离子体源的单片式源阵列。在以下的说明中，阐述了许多具体细节以提供实施方式的完整了解。本领域中的技术人员将理解到，可在没有这些具体细节的情况下实行实施方式。在其他的实例中，不详细描述众所周知的方面以不会不必要地模糊了实施方式。并且，要了解到，附图中所示的各种实施方式是说明性的表示且不一定是依比例绘制的。
如上所述，具有离散施加器的高频等离子体源可能造成腔室内的等离子体不均匀性及非最佳地将高频电磁辐射注入到腔室中。等离子体的不均匀性可能由于不同的原因而发生，例如组装问题、制造容差、劣化和类似原因。非最佳地将高频电磁辐射注入到腔室中可能(部分地)由施加器与介电板之间的界面造成。
因此，本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，单片式源阵列包括介电板及多个凸部，所述多个凸部从介电板的表面向上延伸。详细而言，凸部及介电板形成单片式部件。也就是说，凸部及介电板由单块材料制造。凸部具有适于用作施加器的尺度。例如，可以制造进入凸部的孔，所述孔容纳单极天线。因此，凸部可以用作介电腔谐振器。
将源阵列实施为单片式部件具有几个优点。一个益处是，可以维持严格的加工容差以在部件之间提供高度的均匀性。单片式源阵列避免了可能的组装变化，而离散的施加器需要组装。此外，因为在施加器与介电板之间不再存在实体界面，所以使用单片式源阵列可以改善将高频电磁辐射注入到腔室中的能力。
单片式源阵列也在腔室中提供了改善的等离子体均匀性。详细而言，介电板的暴露于等离子体的表面不包括用来容纳施加器的任何间隙。并且，缺乏凸部与介电板之间的实体界面改善了介电板中的侧向电场扩散。
现参照图1，示出了依据一个实施方式的等离子体处理工具100的横截面插图。在一些实施方式中，处理工具100可以是适于利用等离子体的任何类型的处理操作的处理工具。例如，处理工具100可以是用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、蚀刻和选择性移除工序、及等离子体清洁的处理工具。额外的实施方式可以包括利用高频电磁辐射而不会产生等离子体(例如微波加热等等)的处理工具100。如本文中所使用的，“高频”电磁辐射包括射频辐射、极高频(very-high-frequency)辐射、超高频(ultra-high-frequency)辐射、及微波辐射。“高频”可以指0.1MHz与300GHz之间的频率。
一般而言，实施方式包括处理工具100，所述处理工具包括腔室178。在处理工具100中，腔室178可以是真空腔室。真空腔室可以包括泵(未示出)以供从腔室移除气体以提供所需的真空。额外的实施方式可以包括腔室178，所述腔室178包括用于将处理气体提供到腔室178中的一或多个气体线路170及用于从腔室178移除副产物的排气线路172。虽然未示出，但要理解，也可以通过单片式源阵列150(例如作为喷头)将气体注入到腔室178中以供将处理气体均匀分布在基板174之上。
在一个实施方式中，可以将基板174支撑在卡盘176上。例如，卡盘176可以是任何合适的卡盘，例如静电卡盘。卡盘176也可以包括冷却线路及/或加热器以在处理期间向基板174提供温度控制。由于本文中所述的高频发射模块的模块化配置，实施方式允许处理工具100容纳任何尺寸的基板174。例如，基板174可以是半导体晶片(例如200mm、300mm、450mm、或更大)。替代性的实施方式也包括半导体晶片以外的基板174。例如，实施方式可以包括配置为用于处理玻璃基板(例如用于显示技术)的处理工具100。
依据一个实施方式，处理工具100包括模块化高频发射源104。模块化高频发射源104可以包括高频发射模块105的阵列。在一个实施方式中，每个高频发射模块105均可以包括振荡器模块106、放大模块130、及施加器142。如所示，将施加器142示意性地示为集成到单片式源阵列150中。然而，要理解，单片式源阵列150可以是单片式结构，所述单片式结构包括施加器142的一或多个部分(例如介电谐振体)及面向腔室178的内部的介电板。
在一个实施方式中，振荡器模块106及放大模块130可以包括电部件，所述电部件是固态电部件。在一个实施方式中，所述多个振荡器模块106中的每一个均可以通讯耦接到不同的放大模块130。在一些实施方式中，振荡器模块106与放大模块130之间的比率可以是1:1。例如，每个振荡器模块106均可以电耦接到单个放大模块130。在一个实施方式中，所述多个振荡器模块106可以产生不相干的电磁辐射。因此，腔室178中所诱发的电磁辐射将不会用造成不合需要的干涉图案的方式交互作用。
在一个实施方式中，每个振荡器模块106均产生传送到放大模块130的高频电磁辐射。在由放大模块130处理之后，电磁辐射被传送到施加器142。在一个实施方式中，施加器142各自将电磁辐射发射到腔室178中。在一些实施方式中，施加器142将电磁辐射耦合到腔室178中的处理气体以产生等离子体。
现参照图2，示出了依据一个实施方式的固态高频发射模块105的示意图。在一个实施方式中，高频发射模块105包括振荡器模块106。振荡器模块106可以包括电压控制电路210，用于向电压控制的振荡器220提供输入电压，以用所需的频率产生高频电磁辐射。实施方式可以包括约1V与10V DC之间的输入电压。电压控制的振荡器220是一种电子振荡器，所述电子振荡器的振荡频率由输入电压所控制。依据一个实施方式，来自电压控制电路210的输入电压使得电压控制的振荡器220用所需的频率振荡。在一个实施方式中，高频电磁辐射可以具有约0.1MHz与30MHz之间的频率。在一个实施方式中，高频电磁辐射可以具有约30MHz与300MHz之间的频率。在一个实施方式中，高频电磁辐射可以具有约300MHz与1GHz之间的频率。在一个实施方式中，高频电磁辐射可以具有约1GHz与300GHz之间的频率。
依据一个实施方式，将电磁辐射从电压控制的振荡器220传送到放大模块130。放大模块130可以包括驱动器/前置放大器234及主功率放大器236，所述驱动器/前置放大器234及主功率放大器236各自耦接到电源239。依据一个实施方式，放大模块130可以用脉波模式操作。例如，放大模块130可以具有1％与99％之间的占空比。在一个更特定的实施方式中，放大模块130可以具有约15％与50％之间的占空比。
在一个实施方式中，可以将电磁辐射在由放大模块130处理之后传送到断热器249及施加器142。然而，由于输出阻抗的失配，传送到断热器249的功率的一部分可能反射回去。因此，一些实施方式包括检测器模块281，所述检测器模块281允许将前向功率283及反射功率282的电平感测及馈送回控制电路模块221。要理解，检测器模块281可以位于系统中的一或多个不同位置处(例如循环器238与断热器249之间)。在一个实施方式中，控制电路模块221解译前向功率283及反射功率282，及确定通讯耦接到振荡器模块106的控制信号285的电平及通讯耦接到放大模块130的控制信号286的电平。在一个实施方式中，控制信号285调整振荡器模块106以优化耦合到放大模块130的高频辐射。在一个实施方式中，控制信号286调整放大模块130以优化通过断热器249耦合到施加器142的输出功率。在一个实施方式中，除了定制断热器249中的阻抗匹配以外，对振荡器模块106及放大模块130的反馈控制还可以允许反射功率的电平小于前向功率的约5％。在一些实施方式中，对振荡器模块106及放大模块130的反馈控制可以允许反射功率的电平小于前向功率的约2％。
因此，实施方式允许增加要耦合到处理腔室178中的前向功率的百分比，且增加了耦合到等离子体的可用功率。并且，使用反馈控制进行的阻抗调整优于典型的狭槽板(slot-plate)天线中的阻抗调整。在狭槽板天线中，阻抗调整涉及移动形成于施加器中的两个介电块。这涉及两个单独部件在施加器中的机械运动，这增加了施加器的复杂度。并且，机械运动可能不如可以由电压控制的振荡器220所提供的频率改变那么精确。
现参照图3A，示出了依据一个实施方式的单片式源阵列350的透视图插图。在一个实施方式中，单片式源阵列350包括介电板360及多个凸部366，所述多个凸部从介电板360向上延伸。在一个实施方式中，介电板360及所述多个凸部366是单片式结构。也就是说，在凸部366的底部与介电板360的第一表面361之间不存在实体界面。如本文中所使用的，“实体界面”指的是第一离散主体的第一表面接触第二离散主体的第二表面。
凸部366中的每一个均是施加器142的一部分，用来将高频电磁辐射注入到处理腔室178中。详细而言，凸部366用作施加器142的谐振体。施加器142的其他部件(例如单极天线及环绕谐振体的接地壳体)可以是与单片式源阵列350离散的部件且于下文更详细地描述。
介电板360包括第一表面361及与第一表面361相对的第二表面362。介电板具有第一表面361与第二表面362之间的第一厚度T1。在一个实施方式中，第一厚度T1小于约30mm、小于约20mm、小于约10mm、或小于约5mm。在一个详细的实施方式中，第一厚度T1为约3mm。减少第一厚度T1可以改善将高频电磁辐射耦合到处理腔室中的能力。然而，增加第一厚度T1可以改善机械支撑及减少机械故障(例如介电板360破裂)的可能性。在所绘示的实施方式中，将介电板360示为具有实质圆形的形状。然而，要理解，介电板360可以具有任何所需的形状(例如多边形、椭圆形、楔形或类似形状)。
所述多个凸部366从介电板360的第一表面361向上延伸。例如，侧壁364与介电板360的第一表面361实质垂直地定向。凸部366更包括第三表面363。第三表面363可以与第一表面361实质平行。在一个实施方式中，将孔365设置到每个凸部的第三表面363中。孔365的尺寸被调整为容纳施加器142的单极天线。在一个实施方式中，孔365定位在凸部366的轴向中心处。
在一个实施方式中，凸部366可以具有第一表面361与第三表面363之间的第二厚度T2。在一个实施方式中，可以将第二厚度T2选择成为施加器提供谐振体。例如，凸部366的尺度可以至少取决于单片式源阵列的材料、介电板360的厚度、所需的操作频率等考虑。实施方式可以大致包括在介电板的第一厚度T1增加时减少凸部的第二厚度T2。
在一个实施方式中，将所述多个凸部366布置成阵列。在所绘示的实施方式中，将所述多个凸部366布置成密排阵列，然而其他的包装布置是可能的。并且，虽然示出了十九个凸部366，但要理解，实施方式也可以包括背向介电板360的第一表面361延伸的一或多个凸部366。在所绘示的实施方式中，凸部366中的每一个均具有相同的尺度(例如厚度T2及宽度W)。在其他的实施方式中，凸部366的尺度可以不均匀。
在一个实施方式中，单片式源阵列350包括介电材料。例如，单片式源阵列350可以是陶瓷材料。在一个实施方式中，可以用于单片式源阵列350的一个合适的陶瓷材料是Al2O3。单片式结构可以由单块材料制造。在其他的实施方式中，可以用模制工序形成单片式源阵列350的粗糙形状，随后对所述粗糙形状进行加工以提供具有所需尺度的最终结构。例如，可以使用生坯状态加工(green state machining)及烧制来提供单片式源阵列350所需的形状。
现参照图3B，示出了依据一个实施方式的图3A中沿着线B-B'的单片式源阵列350的横截面插图。如所示，凸部366的侧壁表面364与介电板360的第一表面361相交。也就是说，在凸部366与介电板360之间不存在实体界面的情况下，凸部366的底部无缝地过渡到介电板360中。
图3B更清楚地绘示进入凸部366的第三表面363的孔365的深度D。如所示，孔365的深度D小于凸部366的第二厚度T2。在此类实施方式中，孔365不向延伸到单片式源阵列350的介电板360中。在其他的实施方式中，(例如对于较大的第一厚度T1而言)孔365可以具有大于凸部366的第二厚度T2且延伸到单片式源阵列350的介电板360中的深度D。
现参照图3C，示出了依据一个额外实施方式的单片式源阵列350的横截面插图。图3C中的单片式源阵列350可以与图3B中的单片式源阵列350实质类似，除了将介电层367设置在单片式源阵列350的一或多个表面之上以外。在所绘示的实施方式中，将介电层367设置在介电层360的第二表面362之上。然而，可以将介电层367设置在单片式源阵列350的任何数量的表面之上。例如，可以将介电层367设置在第一表面361、第三表面363、侧壁表面364之上、或孔365内。在一个实施方式中，可以将不同的介电层367设置在不同的表面之上。例如，可以将具有第一组成的第一介电层367设置在第一表面361之上，且可以将具有第二组成的第二介电层367设置在第二表面362之上。
在一些实施方式中，介电层367可以是化学惰性的介电层以向单片式源阵列350原本会暴露于腔室内部的部分提供保护。例如，当未被覆盖时，第二表面362的部分可能暴露于等离子体环境且更容易受到侵蚀或其他劣化的影响。在一个实施方式中，化学惰性的介电层367可以包括以下项目中的一或多个：Al2O3、SiO2、SiN、过渡金属氧化物(例如Y2O3、HfO2、或La2O3)、过渡金属氮化物、及上述项目的组合。此类化学惰性的介电层367可以更包括氟(F)。实施方式也可以包括惰性介电层367，所述惰性介电层367包括包含元素组(例如铝-氧-氮(Al-O-N)、铝-铪-氧-氟(Al-Hf-O-F)、钇-氧-氟-氮(Y-O-F-N)、或铪-锆-氧-氟-氮(Hf-Zr-O-F-N))的组成。
在一个实施方式中，可以用任何合适的沉积工序将惰性介电层367沉积在单片式源阵列350之上。例如，可以使用等离子体喷涂、热喷涂、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、原子层沉积(ALD)、或等离子体增强ALD(PE-ALD)来施加惰性介电层367。
现参照图3D，示出了依据一个实施方式的图3A中沿着线B-B'的单片式源阵列350的横截面插图。图3D中的单片式源阵列350可以与图3B中的单片式源阵列350实质类似，除了将导电层391设置在一或多个表面之上以外。例如，可以将导电层391设置在凸部366的第一表面361、第三表面363、及侧壁364中的一或多个之上。在操作期间，导电层391可以接地。在一些实施方式中，第三表面363可以不被导电层391完全覆盖。例如，可以暴露第三表面363在孔365附近的部分以减少导电层391与安插到孔365中的天线(未示出)之间电弧的可能性。在一个实施方式中，导电层391可以是任何合适的导电层(例如铝、钛等等)。
现参照图3D，示出了依据一个额外实施方式的单片式源阵列350的平面图插图。单片式源阵列350与图3A中的单片式源阵列350实质类似，除了在沿着与第一表面361平行的平面检视时，凸部366具有不同的横截面以外。在图3D中，与图3A中是圆形相比，凸部366的轮廓的形状实质上是六角形。虽然示出了圆形及六角形的横截面的示例，但要理解，凸部366可以包括许多不同的横截面。例如，凸部366的横截面可以具有中心对称的任何形状。
现参照图4A，示出了依据一个实施方式的组件470的分解图。在一个实施方式中，组件470包括单片式源阵列450及壳体472。单片式源阵列450可以与上述的单片式源阵列350实质类似。例如，单片式源阵列450可以包括介电板460及多个凸部466，所述多个凸部从介电板460向上延伸。
在一个实施方式中，壳体472包括导电体473。例如，导电体473可以是铝或类似物。壳体包括多个开口474。开口474可以完全穿过导电体473的厚度。可以将开口474的尺寸调整为接收凸部466。例如，在壳体472朝向单片式源阵列450位移(如由箭头所指示)时，凸部466将被安插到开口474中。
在所绘示的实施方式中，将壳体472示为单个导电体473。然而，要理解，壳体472可以包括一或多个离散的导电部件。离散部件可以单独接地，或离散部件可以机械地或通过任何形式的金属结合来接合以形成单个导电体473。
现参照图4B，示出了依据一个实施方式的组件470的横截面插图。如所示，壳体472的导电体473由介电板460的第一表面461所支撑。在所绘示的实施方式中，导电体473直接由第一表面461所支撑，但要理解，热界面材料或类似物可以将导电体473与第一表面461分离。在一个实施方式中，介电板460的第二表面462背向壳体472。
在一个实施方式中，壳体472具有第三厚度T3。壳体472的第三厚度T3可以与凸部466的第二厚度T2类似。在其他的实施方式中，壳体472的第三厚度T3可以大于或小于凸部466的第二厚度T2。
在所绘示的实施方式中，开口474具有开口直径O，所述开口直径O大于凸部466的宽度W。尺度的差异造成在凸部466的侧壁与导电体473的侧壁之间的间隙475。间隙475可以适于允许某种程度的热膨胀，同时仍然维持单片式源阵列450与壳体472之间的固定配合。
如下文将更详细地示出，组件470的不同表面将暴露于不同的环境。例如，第二表面462被配置为暴露于腔室容积。组件470的相对侧被配置为暴露于大气或其他环境，在操作期间所述大气或其他环境的压力高于腔室容积的压力(例如约1.0atm或更高)。因此，导电体473与凸部466之间的小间隙475将不会经历适于点燃等离子体的低压环境。
现参照图4C，示出了依据一个实施方式与组件470集成在一起的施加器442的横截面插图。在一个实施方式中，施加器442包括凸部466、环绕凸部466的导电体473、及延伸到孔465中的单极天线468。在一个实施方式中，导电板476也可以覆盖凸部466的顶面。因此，组件470的部分可以用作施加器442的部件。例如，凸部466是单片式源阵列450的一部分且用作施加器442的介电腔谐振器，而导电体473是壳体472的一部分且用作环绕施加器442的介电腔谐振器的接地平面。
单极天线468可以在组件470上方被屏蔽体469环绕，且单极天线468可以电耦接到高频电源(例如高频发射模块105或类似物)。单极天线468穿过导电板476且延伸到孔道465中。在一些实施方式中，孔465比单极天线468更深地延伸到凸部466中。此外，孔465的宽度可以大于单极天线468的宽度。因此，在一些实施方式中提供了热膨胀的容差以防止损伤单片式源阵列450。图4C中也示出了导电体473的底面与介电板460的第一表面461之间的热界面材料477。当在组件470中实施主动加热或冷却时，热界面材料477可以改善导电体473与介电板460之间的导热。在其他的实施方式中，热界面材料477可以是结合层，或热界面材料477及结合层。
现参照图5，示出了依据一个实施方式包括组件570的处理工具500的横截面插图。在一个实施方式中，处理工具包括由组件570密封的腔室578。例如，组件570可以抵靠一或多个o形环581以向腔室578的内部容积583提供真空密封。在其他的实施方式中，组件570可以与腔室578交接。也就是说，组件570可以是盖体的密封腔室578的一部分。在一个实施方式中，处理工具500可以包括多个处理容积(所述多个处理容积可以流体耦接在一起)，其中每个处理容积均具有不同的组件570。在一个实施方式中，卡盘579等等可以支撑工件574(例如晶片、基板等等)。
在一个实施方式中，组件570可以与上述的组件470实质类似。例如，组件570包括单片式源阵列550及壳体572。单片式源阵列550可以包括介电板560及多个凸部566，所述多个凸部从介电板560的第一表面561向上延伸。介电板560的第二表面562可以暴露于腔室578的内部容积583。壳体572可以具有尺寸被调整为接收凸部566的开口。在一些实施方式中，可以在凸部566与壳体572的导电体573之间提供间隙575以允许热膨胀。在一个实施方式中，单极天线568可以延伸到凸部566中的孔565中。单极天线568可以穿过壳体572及凸部566之上的顶板576。
在一个实施方式中，腔室容积583可以适于引燃等离子体582。也就是说，腔室容积583可以是真空腔室。在一个实施方式中，只有第二表面562暴露于腔室容积583(如果所述腔室容积583未被介电层(例如上述的那些介电层)覆盖的话)。相对表面位于腔室容积583的外部，且因此不经历引燃等离子体582所需的低压条件。因此，即使当在凸部566的侧壁与导电体573之间的间隙575中存在高电场时，也不会产生等离子体。
现参照图6，绘示了依据一个实施方式的处理工具的示例性计算机系统660的方块图。在一个实施方式中，计算机系统660耦接到处理工具且控制处理工具中的处理。计算机系统660可以连接(例如连网)到局域网络(LAN)、内部网络、外联网、或因特网中的其他机器。计算机系统660可以用客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的身份操作，或操作为点对点(或分布式)网络环境中的同级机器。计算机系统660可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网页器具、服务器、网络路由器、交换器或网桥、或能够执行一组指令(顺序的或其他的指令)的任何机器，所述组指令指定要由所述机器所采取的动作。进一步地，虽然仅针对计算机系统660绘示了单个机器，但用词“机器”也应被视为包括了单独地或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文中所论述的方法中的任一个或多个的任何系列的机器(例如计算机)。
计算机系统660可以包括具有非暂时性机器可读取媒体的计算机程序产品或软件622，所述非暂时性机器可读取媒体具有储存在所述非暂时性机器可读取媒体上的指令，所述指令可以用来程序化计算机系统660(或其他电子设备)以执行依据实施方式的工序。机器可读取媒体包括用于用可以由机器(例如计算机)所读取的形式来储存或传送信息的任何机构。例如，机器可读取(例如计算机可读取)媒体包括机器(例如计算机)可读取储存媒体(例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘储存媒体、光学储存媒体、闪存存储器等等)、机器(例如计算机)可读取传输媒体(电气、光学、声学、或其他形式的传播信号(例如红外线信号、数字信号等等))等等。
在一个实施方式中，计算机系统660包括经由总线630来彼此通讯的处理器602、主存储器604(例如只读存储器(ROM)、闪存、动态随机存取存储器(DRAM)(例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM))等等)、静态存储器606(例如闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等等)、及辅助存储器618(例如数据储存装置)。
系统处理器602表示一或多个通用处理装置，例如微型系统处理器、中央处理单元或类似物。更具体而言，系统处理器可以是复杂指令集计算(CISC)微型系统处理器、精简指令集计算(RISC)微型系统处理器、极长指令字(VLIW)微型系统处理器、实施其他指令集的系统处理器、或实施指令集组合的系统处理器。系统处理器602也可以是一或多个特殊用途的处理装置，例如应用特定集成电路(ASIC)、现场可程序化逻辑门阵列(FPGA)、数字信号系统处理器(DSP)、网络系统处理器或类似物。系统处理器602被配置为执行处理逻辑626以供执行本文中所述的操作。
计算机系统660可以更包括系统网络接口装置608以供与其他装置或机器通讯。计算机系统660也可以包括视频显示单元610(例如液晶显示器(LCD)、发光二极管显示器(LED)、或阴极射线管(CRT))、文数字输入装置612(例如键盘)、光标控制装置614(例如鼠标)、及信号产生装置616(例如扬声器)。
辅助存储器618可以包括机器可存取储存媒体632(或更具体而言是计算机可读取储存媒体)，在所述媒体上储存了实施本文中所述的方法或功能中的任一个或多个的一或多组指令(例如软件622)。软件622也可以(完全地或至少部分地)在由计算机系统660执行所述软件期间常驻于主存储器604内及/或系统处理器602内，主存储器604及系统处理器602也构成机器可读取储存媒体。可以进一步经由系统网络接口装置608在网络620上传送或接收软件622。在一个实施方式中，网络接口装置608可以使用RF耦合、光学耦合、声学耦合、或感应耦合来操作。
虽然机器可存取储存媒体632在一个示例性实施方式中被示为单种媒体，但也应将用语“机器可读取储存媒体”视为包括储存所述一或多组指令的单种媒体或多种媒体(例如集中式或分布式数据库及/或相关联的高速缓存及服务器)。也应将用语“机器可读取储存媒体”视为包括能够储存或编码用于由机器执行的一组指令且使得机器执行方法中的任一个或多个的任何媒体。因此应该将用语“机器可读取储存媒体”视为包括(但不限于)固态存储器以及光学及磁式媒体。
在前述的说明书中，已经描述了具体的示例性实施方式。显然，可以在不脱离以下权利要求书的范围的情况下对所述实施方式作出各种修改。因此，应就说明的角度而非限制的角度看待说明书及附图。

Claims (17)

1.一种单片式源阵列，包括：
介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；及
多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板构成单片式结构，其中每个所述凸部是施加器的一部分并用作所述施加器的谐振体，每个凸部包括侧壁表面和第三表面，其中所述第三表面平行于所述第一表面，其中每个凸部进一步包括在所述第三表面中的孔，并且其中单极天线设置在每个孔中。
2.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述孔的深度小于所述凸部在所述第三表面与所述第一表面之间的厚度。
3.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述多个凸部中的每个凸部均围绕与所述第一表面垂直的轴线而中心对称。
4.如权利要求3所述的单片式源阵列，其中每个凸部沿着与所述第一表面平行的平面的横截面均是圆形。
5.如权利要求3所述的单片式源阵列，其中每个凸部沿着与所述第一表面平行的平面的横截面均是多边形。
6.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述介电板具有所述第一表面与所述第二表面之间的厚度，所述厚度为30mm或更小。
7.如权利要求6所述的单片式源阵列，其中所述第一表面与所述第二表面之间的所述厚度为10mm或更小。
8.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述介电板包括所述第二表面之上的惰性介电层。
9.如权利要求8所述的单片式源阵列，其中所述惰性介电层包括以下项目中的一或多个：AlN、SiN、SiO2、Al2O3、过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、包括Al、O、及N的组成、包括Al、Hf、O、及F的组成、包括Y、O、F、及N的组成、及包括Hf、Zr、O、F、及N的组成。
10.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述介电板及所述凸部包括Al2O3。
11.一种组件，包括：
单片式源阵列，其中所述单片式源阵列包括介电板及多个凸部，所述介电板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述多个凸部从所述介电板的所述第一表面向上延伸，其中所述多个凸部和所述介电板构成单片式结构；及
壳体，位于所述单片式源阵列之上，其中所述壳体包括多个开口，所述多个开口的尺寸被调整为接收所述凸部中的每一个，其中每个所述凸部是施加器的一部分并用作所述施加器的谐振体，每个凸部包括侧壁表面和第三表面，其中所述第三表面平行于所述第一表面，其中每个凸部进一步包括在所述第三表面中的孔，其中单极天线设置在每个孔中，并且其中所述壳体是导电材料。
12.如权利要求11所述的组件，其中所述壳体通过热界面材料与所述介电板的所述表面分离。
13.如权利要求11所述的组件，其中所述多个开口穿过所述壳体的整个厚度。
14.一种处理工具，包括：
腔室；及
组件，与所述腔室交接，其中所述组件包括：
单片式源阵列，包括：
介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面暴露于所述腔室的内部容积，且其中所述第二表面暴露于外部环境；及
多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板构成单片式结构；及
壳体，其中所述壳体包括：
导电体；及
多个开口，通过所述导电体，其中每个开口的尺寸均被调整为环绕所述凸部中的一个，其中每个所述凸部是施加器的一部分并用作所述施加器的谐振体，每个凸部包括侧壁表面和第三表面，其中所述第三表面平行于所述第一表面，其中每个凸部进一步包括在所述第三表面中的孔，并且其中单极天线设置在每个孔中。
15.如权利要求14所述的处理工具，其中每个凸部均包括孔，且其中在每个孔中均设置单极天线。
16.如权利要求15所述的处理工具，其中每个单极天线均耦接到不同的高频发射模块。
17.如权利要求14所述的处理工具，所述处理工具更包括：
板，位于所述壳体的背向所述单片式源阵列的表面之上。
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