JP7336591B2 - モノリシックモジュラー高周波プラズマ源 - Google Patents
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Description
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれている、2019年9月27日に出願された、米国非仮出願第16/586,462号の優先権を主張する。
Claims (19)
- 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを有する誘電体板と、
前記誘電体板の前記第1の表面から外に延びる複数の突出部とを備え、
前記複数の突出部および前記誘電体板が、モノリシック構造であり、
各突出部が側壁表面、上面、及び前記上面の中への孔を備える、モノリシックソースアレイ。 - 前記上面が、前記第1の表面に平行である、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記孔の深さが、前記上面と前記第1の表面との間の前記突出部の厚さ未満である、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記複数の突出部の各突出部が、前記第1の表面に対して垂直な軸について中心対称である、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記第1の表面に平行な平面に沿った各突出部の断面が、円形である、請求項4に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記第1の表面に平行な平面に沿った各突出部の断面が、多角形である、請求項4に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記誘電体板が、30mm以下である、前記第1の表面と前記第2の表面との間の厚さを有する、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記第1の表面と前記第2の表面との間の前記厚さが、10mm以下である、請求項7に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記誘電体板が、前記第2の表面の上に不活性誘電体層を備える、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記不活性誘電体層が、AlNと、SiNと、SiO2と、Al2O3と、遷移金属窒化物と、遷移金属酸化物と、Al、O、およびNを含む組成物と、Al、Hf、O、およびFを含む組成物と、Y、O、F、およびNを含む組成物と、Hf、Zr、O、F、およびNを含む組成物とのうちの1つまたは複数を含む、請求項9に記載のモノリシックソースアレイ。
- 前記誘電体板および前記突出部が、Al2O3を含む、請求項1に記載のモノリシックソースアレイ。
- モノリシックソースアレイであって、前記モノリシックソースアレイが、誘電体板と、前記誘電体板の表面から上向きに延びる複数の突出部とを備える、モノリシックソースアレイと、
前記モノリシックソースアレイの上のハウジングであって、前記ハウジングが、前記突出部の各々を受け入れるようにサイズ決定された複数の開口を備える、ハウジングと
を備え、各突出部が側壁表面、上面、及び前記上面の中への孔を備える、アセンブリ。 - 前記ハウジングが、導電性材料である、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記ハウジングが、熱インターフェース材料によって前記誘電体板の前記表面から分離された、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記複数の開口が、前記ハウジングの厚さ全体を通過する、請求項12に記載のアセンブリ。
- チャンバと、
前記チャンバとインターフェースするアセンブリであって、前記アセンブリは、
モノリシックソースアレイであって、
第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを有する誘電体板であって、前記第2の表面が、前記チャンバの内部空間に曝露され、前記第2の表面が、外部環境に曝露された、誘電体板と、
前記誘電体板の前記第1の表面から外に延びる複数の突出部であって、前記複数の突出部および前記誘電体板が、モノリシック構造であり、各突出部が側壁表面、上面、及び前記上面の中への孔を備える、複数の突出部と
を含む、モノリシックソースアレイと、
ハウジングであって、前記ハウジングが、
導電性本体と、
前記導電性本体を通る複数の開口であって、各開口が、前記突出部のうちの1つを取り囲むようにサイズ決定された、複数の開口と
を含む、ハウジングと
を含む、アセンブリと
を備える、処理ツール。 - モノポールアンテナが、各孔中に配設された、請求項16に記載の処理ツール。
- 各モノポールアンテナが、異なる高周波放出モジュールに結合された、請求項17に記載の処理ツール。
- 前記モノリシックソースアレイから反対側に面する前記ハウジングの表面の上のプレート
をさらに備える、請求項16に記載の処理ツール。
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