JP2017168186A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を載置する載置面を有する載置台と、
マイクロ波を生成すると共に、該マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部と、
前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を複数の伝送経路で前記処理容器内へ伝送するマイクロ波伝送部と、
前記マイクロ波伝送部によって伝送された前記マイクロ波を前記処理容器内に放射するマイクロ波導入部と、
を備えている。
前記処理容器の天井部を構成するとともに、前記載置面に対向して設けられた凹部を有する導電性部材と、
前記導電性部材の一部分をなし、前記マイクロ波伝送部を介して伝送された前記マイクロ波を放射する複数のスロットと、
前記導電性部材の前記凹部に嵌合し、前記スロットから放射された前記マイクロ波を透過させて前記処理容器内に導入させるマイクロ波透過部材と、
を有している。
前記マイクロ波遅波材は、前記導電性部材において、前記複数のスロットの上部であって前記チューナー部の配置部分と上下に重なる部位を含む円環状をなす領域に沿って全体として円環状に配置されていてもよい。この場合、前記突起が、前記チューナー部の配置部分と上下に重ならない部位において、隣接する2つの前記マイクロ波遅波材の間に挿入されていてもよい。
まず、本発明の一実施の形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図1は、プラズマ処理装置の概略の構成を示す断面図である。図2は、図1に示した制御部の構成を示す説明図である。本実施の形態のプラズマ処理装置1は、連続する複数の動作を伴って、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す)Wに対してプラズマ処理を施す装置である。ここで、プラズマ処理として、例えば、プラズマ酸化処理、プラズマ窒化処理などの成膜処理や、プラズマエッチング処理などを挙げることができる。
処理容器2は、例えば略円筒形状をなしている。処理容器2は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料によって形成されている。マイクロ波導入装置5は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波(マイクロ波)を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。マイクロ波導入装置5の構成については、後で詳しく説明する。
載置台21は、被処理体であるウエハWを水平に載置するためのものである。プラズマ処理装置1は、更に、処理容器2内において載置台21を支持する支持部材22と、支持部材22と処理容器2の底部13との間に設けられた絶縁材料よりなる絶縁部材23とを備えている。支持部材22は、底部13の中央から処理容器2の内部空間に向かって延びる円筒形状を有している。載置台21および支持部材22は、例えばAlN等によって形成されている。
ガス供給機構3は、ガス供給源31を含むガス供給装置3aと、ガス供給源31とガス導入部15とを接続する配管32とを有している。なお、図1では、1つのガス供給源31を図示しているが、ガス供給装置3aは、使用されるガスの種類に応じて複数のガス供給源を含んでいてもよい。
プラズマ処理装置1の各構成部は、それぞれ制御部8に接続されて、制御部8によって制御される。制御部8は、典型的にはコンピュータである。図2に示した例では、制御部8は、CPUを備えたプロセスコントローラ81と、このプロセスコントローラ81に接続されたユーザーインターフェース82および記憶部83とを備えている。
次に、図1、図3から図6を参照して、マイクロ波導入装置5及びマイクロ波導入部6A,6Bの構成について詳しく説明する。図3は、マイクロ波導入装置5の構成を示す説明図である。図4は、マイクロ波導入装置5の一部分をなすチューナー部63Bとマイクロ波導入部6Bの構成を示す断面図である。図5は、天井部11の上方から見たマイクロ波導入部6A,6Bの構成を示す平面図である。図6は、天井部11の下方から見たマイクロ波導入部6A,6Bの構成を示す平面図である。
前述のように、マイクロ波導入装置5は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波(マイクロ波)を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。図1および図3に示したように、マイクロ波導入装置5は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部50と、マイクロ波出力部50から出力されたマイクロ波を処理容器2に伝送するマイクロ波伝送部60とを有している。
マイクロ波出力部50は、電源部51と、マイクロ波発振器52と、マイクロ波発振器52によって発振されたマイクロ波を増幅するアンプ53と、アンプ53によって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配する分配器54とを有している。マイクロ波発振器52は、所定の周波数(例えば、860MHz)でマイクロ波を発振(例えば、PLL発振)させる。なお、マイクロ波の周波数は、860MHzに限らず、2.45GHz、8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等であってもよい。分配器54は、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。
マイクロ波伝送部60は、複数のアンテナモジュール61を含んでいる。複数のアンテナモジュール61は、それぞれ、分配器54によって分配されたマイクロ波を処理容器2内に導入する。各アンテナモジュール61は、分配されたマイクロ波を主に増幅して出力するアンプ部62と、アンプ部62から出力されたマイクロ波のインピーダンスを調整するチューナー部63A,63Bとを有している。
マイクロ波導入部6A,6Bは、天井部11に設けられている。本実施の形態では、天井部11の中央部分に設けられたマイクロ波導入部6Aと、天井部11の周縁部分に設けられたマイクロ波導入部6Bとを備えている。マイクロ波導入部6Aは、天井部11の一部分と、マイクロ波遅波材72Aと、スロットアンテナ部74Aと、マイクロ波透過部材73Aとを含んでいる。マイクロ波導入部6Bは、天井部11の一部分と、マイクロ波遅波材72Bと、スロットアンテナ部74Bと、マイクロ波透過部材73Bとを含んでいる。マイクロ波導入部6Aと、マイクロ波導入部6Bは、以下に説明するように構成が若干異なる。
図5に示すように天井部11の中央部分の上部には、チューナー部63Aの配置部位と上下に重なる領域に凹部11aが形成されており、そこに円板状をなすマイクロ波遅波材72Aが嵌め込まれている。また、図6に示すように、天井部11の中央部分の下面において、マイクロ波遅波材72Aと上下に重なる部位には凹部11bが形成されており、そこに円板状をなすマイクロ波透過部材73Aが嵌め込まれている。マイクロ波遅波材72Aの下方とマイクロ波透過部材73Aとの間にはスロットアンテナ部74Aが形成されている。スロットアンテナ部74Aには、スロット75aが形成されている。
図4及び図5に示すように、天井部11における周縁部分の上部には、チューナー部63Bの配置部位と上下に重なる円環状の領域に沿って凹部11cが形成されており、そこに複数のマイクロ波遅波材72Bが嵌め込まれている。また、図4及び図6に示すように、天井部11の周縁部分の下面には、チューナー部63Bの配置部位と上下に重なる円環状の領域に凹部11dが形成されており、そこにマイクロ波透過部材73Bが嵌め込まれている。そして、図4に示すように、複数のマイクロ波遅波材72Bとマイクロ波透過部材73Bとの間には、スロットアンテナ部74B及び複数の誘電体層76が形成されている。
H1≒(λ/4)×f(W1)
[ここで、f(W1)は、W1の関数を表す。]
λ≒(λ0/εs 1/2)/{1−[(λ0/εs 1/2)/λc]2}1/2
[ここで、εsはスロット75bに充填される誘電体材料の比誘電率、λ0は真空中のマイクロ波の波長、λcはカットオフ周波数を意味する。]
プラズマ処理装置1を用いるプラズマ処理は、例えば以下の手順で行うことができる。まず、例えばユーザーインターフェース82から、プラズマ処理装置1においてプラズマ処理を行うように、プロセスコントローラ81に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ81は、この指令を受けて、記憶部83またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によってプラズマ処理が実行されるように、プロセスコントローラ81からプラズマ処理装置1の各エンドデバイス(例えば、高周波バイアス電源25、ガス供給装置3a、排気装置4、マイクロ波導入装置5等)に制御信号が送出される。
Claims (8)
- 被処理体を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を載置する載置面を有する載置台と、
マイクロ波を生成すると共に、該マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部と、
前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を複数の伝送経路で前記処理容器内へ伝送するマイクロ波伝送部と、
前記マイクロ波伝送部によって伝送された前記マイクロ波を前記処理容器内に放射するマイクロ波導入部と、
を備えたプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波伝送部は、前記複数の伝送経路毎に、前記マイクロ波出力部と前記処理容器内との間のインピーダンスを整合させるチューナー部を有しており、
前記マイクロ波導入部は、
前記処理容器の天井部を構成するとともに、前記載置面に対向して設けられた凹部を有する導電性部材と、
前記導電性部材の一部分をなし、前記マイクロ波伝送部を介して伝送された前記マイクロ波を放射する複数のスロットと、
前記導電性部材の前記凹部に嵌合し、前記スロットから放射された前記マイクロ波を透過させて前記処理容器内に導入させるマイクロ波透過部材と、
を有し、
前記マイクロ波透過部材は、複数の前記伝送経路を介して伝送された複数の前記マイクロ波に共通して設けられているとともに、その内部における複数のマイクロ波の干渉を抑制する干渉抑制手段を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記干渉抑制手段が、板状をなす前記マイクロ波透過部材に形成された突起である請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波透過部材は、全体として円環状をなし、前記突起が、前記円環状のマイクロ波透過部材の上面において、その径方向に横断して設けられた壁部である請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波導入部は、さらに、誘電体材料からなる複数のマイクロ波遅波材を備えており、
前記マイクロ波遅波材は、前記導電性部材において、前記複数のスロットの上部であって前記チューナー部の配置部分と上下に重なる部位を含む円環状をなす領域に沿って全体として円環状に配置されている請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。 - 前記突起が、前記チューナー部の配置部分と上下に重ならない部位において、隣接する2つの前記マイクロ波遅波材の間に挿入されている請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数のスロットと前記マイクロ波透過部材との間に、前記複数のスロットに対応して互いに分離して設けられた複数の誘電体層を有する請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体層は、空気層または誘電体材料層である請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置を用いて被処理体を処理するプラズマ処理方法。
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