JP6345928B2 - 検出装置 - Google Patents
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Description
切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルに保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを検出する撮像手段等を具備している(例えば、特許文献2参照)。
また、研削装置においては研削痕の凹凸状態を検証できないという問題がある。
該制御手段は、該干渉式撮像機構の撮像位置を加工溝におけるZ軸方向において所定量下方の位置に位置付けて作動するとともに、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にX軸方向またはY軸方向に移動して光強度の高い干渉光を受光した画素のXY座標を求めると共に、求めたXY座標に基づいてXY2次元画像の画像情報を生成し、該画像情報を該出力手段に出力する、
ことを特徴とする検出装置が提供される。
また、上記干渉式撮像機構は、複数の画素がX軸方向とY軸方向に配列された撮像素子手段と、被加工物保持手段の保持面に対向する集光器と、該集光器を通して該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に光を照射する光照射手段と、被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物で反射した戻り光と干渉光を生成する干渉光生成手段とを備え、
上記制御手段は、干渉光生成手段で生成された強い光を捉えた撮像素子手段の画素のX軸方向およびY軸方向の座標を記憶するXY座標記憶領域とZ軸方向位置毎のXY座標を記憶するXYZ座標記憶領域とを備えたメモリを具備し、該メモリに記憶されたXY座標に基づいてXY2次元画像の画像情報を生成し、XYZ座標に基づいてXYZ3次元画像の画像情報を生成する。
第1のZ軸移動手段8は、上記干渉式撮像機構70の機構ハウジング71を矢印Zで示すZ軸方向(チャックテーブル36の保持面に垂直な方向)に移動可能に支持する支持ケース81と、該支持ケース81に支持された機構ハウジング71を矢印Zで示すZ軸方向に移動せしめる作動手段82とからなっている。支持ケース81は、上壁811と底壁812と両側壁813,814および後壁(図示せず)とからなり、両側壁813,814が前側に突出して案内レール813a,813bを構成している。上記作動手段82は、支持ケース81の両側壁813,814の間に平行に配設され上壁811と底壁812に回転可能に軸支された雄ネジロッド821と、上壁811に配設され雄ネジロッド821と伝動連結されたパルスモータ822等の駆動源を含んでいる。このように構成された作動手段82の雄ネジロッド821に上記機構ハウジング71の後壁に配設された雌ネジブロック713に形成された貫通雌ネジ穴713aが螺合される。従って、パルスモータ822によって雄ネジロッド821を正転および逆転駆動することにより、雌ネジブロック713が装着されている機構ハウジング71は案内レール813a,813bに沿ってZ軸方向に移動せしめられる。
図7には、上述したレーザー加工機1によって加工される被加工物としての半導体ウエーハ10が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に装着された状態の斜視図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、表面10aに複数の分割予定ライン101が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。
先ず上述した図1に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10が貼着されたダイシングテープT側を載置し、該チャックテーブル36上にダイシングテープTを介して半導体ウエーハ10を吸引保持する。従って、チャックテーブル36上にダイシングテープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ10は、表面10aが上側となる。なお、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFは、チャックテーブル36に配設されたクランプ362によって固定される。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、X軸移動手段37によって撮像手段6の直下に位置付けられる。
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :5W
集光スポット :φ10μm
加工送り速度 :200mm/秒
レーザー加工溝確認工程は、X軸移動手段37を作動して上記レーザー加工溝形成工程が実施された半導体ウエーハ10が保持されているチャックテーブル36を干渉式撮像機構70の集光器73の下側に移動するとともに、半導体ウエーハ10に形成されたレーザー加工溝110を集光器73の直下に位置付ける。次に、第1のZ軸移動手段8を作動して干渉式撮像機構70を所定の待機位置から下降させるとともに、第2のZ軸移動手段としてのピエゾモータからなるアクチュエータ76に例えば60Vの電圧を印加しピエゾモータからなるアクチュエータ76を図6に示すように60μm伸びた状態とする。この状態において干渉式撮像機構70の集光器73から照射される光の集光点P(図4参照)がチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10の表面10a(上面)付近となるようにセットする。
先ず、制御手段9はX軸移動手段37を作動して半導体ウエーハ10が保持されているチャックテーブル36を干渉式撮像機構70の集光器73の下側に移動するとともに、半導体ウエーハ10に形成されたレーザー加工溝110のX3位置を集光器73の直下に位置付ける。次に、第1のZ軸移動手段8を作動して干渉式撮像機構70を所定の待機位置から下降させるとともに、第2のZ軸移動手段としてのピエゾモータからなるアクチュエータ76に例えば60Vの電圧を印加しピエゾモータからなるアクチュエータ76を図6に示すように60μm伸びた状態とする。この状態において干渉式撮像機構70の集光器73から照射される光の集光点P(図4参照)がチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10の表面10a(上面)付近となるようにセットする。
また、上述した実施形態においては干渉式撮像機構70としてミラウ型干渉式撮像機構を用いた例を示したが、所謂マイケルソン型干渉式撮像機構や所謂リニーク型干渉式撮像機構等の他の干渉式撮像機構を用いることができる。
3:被加工物保持機構
36:チャックテーブル
37:X軸移動手段
38:Y軸移動手段
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
51:加工ヘッド
6:撮像手段
7:検出装置
70:干渉式撮像機構
72:撮像素子手段
73:集光器
732:対物レンズ
74:光照射手段
75:干渉光生成手段
76:アクチュエータ
8:第1のZ軸移動手段
9:制御手段
10:半導体ウエーハ
Claims (3)
- 加工溝が形成された被加工物を保持する保持面を備えた被加工物保持手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物を撮像し撮像した画像信号を出力する干渉式撮像機構と、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にX軸方向に移動するX軸移動手段と、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にX軸方向と直交するY軸方向に移動するY軸移動手段と、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にX軸方向およびY軸方向と直交するZ軸方向に移動するZ軸移動手段と、該干渉式撮像機構から出力される画像信号に基づいて画像情報を生成する制御手段と、該制御手段によって生成された画像情報を出力する出力手段と、を具備し、
該制御手段は、該干渉式撮像機構の撮像位置を加工溝におけるZ軸方向において所定量下方の位置に位置付けて作動するとともに、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にX軸方向またはY軸方向に移動して光強度の高い干渉光を受光した画素のXY座標を求めると共に、求めたXY座標に基づいてXY2次元画像の画像情報を生成し、該画像情報を該出力手段に出力する、
ことを特徴とする検出装置。 - 該制御手段は、該XY2次元画像における特定された領域において、該被加工物保持手段と該干渉式撮像機構とを相対的にZ軸方向に移動してXYZ3次元画像の画像情報を生成し、該画像情報を該出力手段に出力する、請求項1記載の検出装置。
- 該干渉式撮像機構は、複数の画素がX軸方向とY軸方向に配列された撮像素子手段と、該被加工物保持手段の保持面に対向する集光器と、該集光器を通して該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に光を照射する光照射手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物で反射した戻り光と干渉光を生成する干渉光生成手段とを備え、
該制御手段は、該干渉光生成手段で生成された強い光を捉えた該撮像素子手段の画素のX軸方向およびY軸方向の座標を記憶するXY座標記憶領域とZ軸方向位置毎のXY座標を記憶するXYZ座標記憶領域とを備えたメモリを具備し、該メモリに記憶されたXY座標に基づいて該XY2次元画像の画像情報を生成し、XYZ座標に基づいて該XYZ3次元画像の画像情報を生成する、請求項1又は2記載の検出装置。
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