JP2008012566A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャックテーブルに保持された被加工物の上面側からレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段が加工用レーザー光線を発振する加工用レーザー光線発振手段と加工用レーザー光線発振手段によって発振された加工用レーザー光線を集光する集光器とを具備しているレーザー加工装置であって、加工用パルスレーザー光線の集光点を調整する集光点位置調整手段と、集光点位置調整手段を介して検査用レーザー光線を被加工物に照射し、その反射光に基いて被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、高さ位置検出手段の検出値に基いて集光点位置調整手段を制御する制御データを格納するメモリを備えた制御手段とを具備している。
【選択図】図1
Description
該加工用レーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該集光器によって集光される加工用レーザー光線の集光点位置を変位せしめる集光点位置調整手段と、
該チャックテーブルに保持された被加工物の上面高さ位置を検出するための高さ位置検出手段と、該高さ位置検出手段からの検出信号に基いて該集光点位置調整手段を制御する制御手段と、を具備し、
該高さ位置検出手段は、該加工用レーザー光線発振手段によって発振された加工用レーザー光線の波長と異なる波長を有する検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振手段と、該加工用レーザー光線発振手段と該集光点位置調整手段との間に配設され該加工用レーザー光線発振手段から発振される波長の加工用レーザー光線を通過し該検査用レーザー光線発振手段から発振される波長の検査用レーザー光線を該集光点位置調整手段に向けて偏向せしめるダイクロックハーフミラーと、該ダイクロックハーフミラーと該検査用レーザー光線発振手段との間に配設され該検査用レーザー光線発振手段から発振された検査用レーザー光線を通過し該ダイクロックハーフミラーによって偏向された反射光を偏向せしめる第1のスプリッターと、該第1のスプリッターによって偏向された反射光のうち検査用レーザー光線の波長に対応する反射光のみを通過せしめるバンドパスフィルターと、該バンドパスフィルターを通過した反射光を第1の経路と第2の経路に分光する第2のスプリッターと、該第2のスプリッターによって該第1の経路に分光された反射光を受光する第1の受光素子と、該第2のスプリッターによって該第2の経路に分光された反射光を受光する第2の受光素子と、該第2の経路に配設され該第2の受光素子が受光する反射光の受光領域を規制する受光領域規制手段とを具備しており、
該制御手段は、該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比を求め、該光量の比が所定値になるように該集光点位置調整手段を制御する制御データを演算し、該制御データを格納するメモリを備え、該メモリに格納された制御データに基づいて該集光点位置調整手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
上記第1の経路には第1の経路に分光された反射光を100%集光して上記第1の受光素子に受光させる集光レンズが配設されており、上記受光領域規制手段は上記第2の経路に分光された反射光を単位面積に規制するニ次元マスクからなっている。
また、上記光路長変移手段は、反射面を対向して互いに平行に配設された第1のミラーおよび第2のミラーと該第1のミラーと該第2のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータとからなる第1のガルバノスキャナーおよび第2のガルバノスキャナーによって構成されていることが望ましい。
更に、上記検査用レーザー光線の集光点位置は、上記チャックテーブルに保持された被加工物の内部に位置付けられることが望ましい。
検査用レーザー光線発振手段90から発振された検査用レーザー光線LB2は、第1のキュービックスプリッター92を通過してダイクロックハーフミラー91に達し、該ダイクロックハーフミラー91によって集光点位置調整手段71に向けて反射偏向される。集光点位置調整手段71に向けて反射偏向された検査用レーザー光線LB2は、上記加工用パルスレーザー光線LB1と同様に集光点位置調整手段71、方向変換ミラー72を介して集光レンズ81によって集光される。なお、検査用レーザー光線発振手段90から発振された検査用レーザー光線LB2は、集光レンズ81によって集光される集光点が上記加工用パルスレーザー光線発振手段6から発振される加工用パルスレーザー光線LB1の集光点Pより図2において下方になるように広がり角の大きいレーザー光線を用いることが望ましい。このようにして集光される検査用レーザー光線LB2は、チャックテーブル36に保持された被加工物の上面で反射し、その反射光が図2において破線で示すように集光レンズ81、方向変換ミラー72、集光点位置調整手段71、ダイクロックハーフミラー91、第1のキュービックスプリッター92を介してバンドパスフィルター93に達する。なお、上記加工用パルスレーザー光線LB1の反射光も検査用レーザー光線LB2と同様に経路を介してバンドパスフィルター93に達する。バンドパスフィルター93は上述したように検査用レーザー光線LB2の周波数に対応する反射光のみを通過せしめるように構成されているので、加工用パルスレーザー光線LB1の反射光はバンドパスフィルター93によって遮断される。従って、検査用レーザー光線LB2の反射光だけがバンドパスフィルター93を通過し、第2のキュービックスプリッター94に達する。
第1の受光素子96に受光される検査用レーザー光線LB2の反射光は、集光レンズ95によって100%集光されるので受光量は一定であり、第1の受光素子96から出力される電圧値(V1)は一定(例えば10V)となる。一方、第2の受光素子97によって受光される検査用レーザー光線LB2の反射光は、シリンドリカルレンズ981によって一次元に集光された後、一次元マスク982によって所定の単位長さに規制されて第2の受光素子97に受光されるので、検査用レーザー光線LB2が集光器8の集光レンズ81によって集光された集光点Paの被加工物に対する位置によって第2の受光素子97の受光量は変化する。従って、第2の受光素子97から出力される電圧値(V2)は、検査用レーザー光線LB2の集光点Paの被加工物Wに対する位置によって変化する。
なお、検査用レーザー光線LB2の集光点Paは、常に被加工物Wの内部に位置付けるように設定することが望ましい。即ち、検査用レーザー光線LB2の集光点Paが被加工物Wの内部に位置付けられても被加工物Wの表面より上側に位置付けられても、被加工物Wの表面から集光点Paまでの距離が同一であると第2の受光素子97によって受光される光量は同一となる。従って、検査用レーザー光線LB2の集光点Paを常に被加工物Wの内部に位置付けるように設定することにより、被加工物Wの表面の高さ位置を確実に検出することができる。
図5に示す例においては、検査用レーザー光線LB2の集光点Paの位置が被加工物Wの表面から10μmの場合上記電圧値の比(V1/
V2)は“2”で、検査用レーザー光線LB2の集光点Paの位置が被加工物Wの表面から40μmの場合上記電圧値の比(V1/
V2)は“6”となっている。なお、検査用レーザー光線LB2の集光点Paの位置が加工用パルスレーザー光線LB1の集光点Pの位置より図2において例えば10μm下方になるように設定している場合には、図5に示す制御マップの上記電圧値の比(V1/ V2)は集光点Pと集光点Paとの間隔に対応して差異を補正した値としておく。即ち、検査用レーザー光線LB2の集光点Paの10μm上方に加工用パルスレーザー光線LB1の集光点Pが位置付けられるので、図5において実線で示すように加工用パルスレーザー光線LB1の集光点Pに関する制御マップを作成する。従って、例えば、上記電圧値の比(V1/ V2)を“6”に設定し、電圧値の比(V1/
V2)が“6”を維持するように上記集光点位置調整手段71を制御することにより、被加工物Wの厚さにバラツキがあっても表面から30μmの位置にレーザー加工することができる。なお、図5に示す制御マップは、後述する制御手段のメモリに格納される。
図7には、被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハ20の斜視図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ20は、例えば厚さが100μmのシリコンウエーハからなっており、表面20aに格子状に形成された複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ20は、図8に示すように環状のフレーム30に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ40に表面20a側を貼着する。従って、半導体ウエーハ20は、裏面20bが上側となる。
加工用レーザー :YVO4 パルスレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
6:パルスレーザー光線発振手段
7:光学伝送手段
71:集光点位置調整手段
711:第1の凸レンズ
712:第2の凸レンズ
713:第1のガルバノスキャナー
714:第2のガルバノスキャナー714
72:方向変換ミラー72
8:集光器8
81:集光レンズ
9:高さ位置検出手段
90:検査用レーザー光線発振手段
91:ダイクロックハーフミラー
92:第1のキュービックスプリッター
93:バンドパスフィルター
94:第2のキュービックスプリッター
95:集光レンズ
96:第1の受光素子
97:第2の受光素子
98:受光領域規制手段
981:シリンドリカルレンズ
982:一次元マスク
10:制御手段
11:撮像手段
20:半導体ウエーハ
21:ストリート
22:デバイス
30:環状のフレーム
40:保護テープ
Claims (5)
- 板状の被加工物を保持する被加工物保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面側からレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、該レーザー光線照射手段が加工用レーザー光線を発振する加工用レーザー光線発振手段と該加工用レーザー光線発振手段によって発振された加工用レーザー光線を集光する集光器とを具備しているレーザー加工装置において、
該加工用レーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該集光器によって集光される加工用レーザー光線の集光点位置を変位せしめる集光点位置調整手段と、
該チャックテーブルに保持された被加工物の上面高さ位置を検出するための高さ位置検出手段と、該高さ位置検出手段からの検出信号に基いて該集光点位置調整手段を制御する制御手段と、を具備し、
該高さ位置検出手段は、該加工用レーザー光線発振手段によって発振された加工用レーザー光線の波長と異なる波長を有する検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振手段と、該加工用レーザー光線発振手段と該集光点位置調整手段との間に配設され該加工用レーザー光線発振手段から発振される波長の加工用レーザー光線を通過し該検査用レーザー光線発振手段から発振される波長の検査用レーザー光線を該集光点位置調整手段に向けて偏向せしめるダイクロックハーフミラーと、該ダイクロックハーフミラーと該検査用レーザー光線発振手段との間に配設され該検査用レーザー光線発振手段から発振された検査用レーザー光線を通過し該ダイクロックハーフミラーによって偏向された反射光を偏向せしめる第1のスプリッターと、該第1のスプリッターによって偏向された反射光のうち検査用レーザー光線の波長に対応する反射光のみを通過せしめるバンドパスフィルターと、該バンドパスフィルターを通過した反射光を第1の経路と第2の経路に分光する第2のスプリッターと、該第2のスプリッターによって該第1の経路に分光された反射光を受光する第1の受光素子と、該第2のスプリッターによって該第2の経路に分光された反射光を受光する第2の受光素子と、該第2の経路に配設され該第2の受光素子が受光する反射光の受光領域を規制する受光領域規制手段とを具備しており、
該制御手段は、該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比を求め、該光量の比が所定値になるように該集光点位置調整手段を制御する制御データを演算し、該制御データを格納するメモリを備え、該メモリに格納された制御データに基づいて該集光点位置調整手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該第1の経路には該第1の経路に分光された反射光を100%集光して該第1の受光素子に受光させる集光レンズが配設されており、
該受光領域規制手段は該第2の経路に分光された反射光を一次元に集光するシリンドリカルレンズと、該シリンドリカルレンズによって一次元に集光された反射光を単位長さに規制する一次元マスクとからなっている、請求項1記載のレーザー加工装置。 - 該第1の経路には該第1の経路に分光された反射光を100%集光して該第1の受光素子に受光させる集光レンズが配設されており、
該受光領域規制手段は該第2の経路に分光された反射光を単位面積に規制するニ次元マスクからなっている、請求項1記載のレーザー加工装置。 - 該光路長変移手段は、反射面を対向して互いに平行に配設された第1のミラーおよび第2のミラーと該第1のミラーと該第2のミラーの設置角度を調整する角度調整アクチュエータとからなる第1のガルバノスキャナーおよび第2のガルバノスキャナーによって構成されている、請求項1から3のいずれかに記載の請求項1記載のレーザー加工装置。
- 該検査用レーザー光線の集光点位置は、該チャックテーブルに保持された被加工物の内部に位置付けられる、請求項1から4のいずれかに記載のレーザー加工装置。
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