JP2014220428A - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品と基板内の配線との接続信頼性を向上させる。
【解決手段】積層された複数の樹脂フィルム１０と、複数の樹脂フィルム１０のうち一部の樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅが有する貫通孔１１に挿入された電子部品２０と、一部の樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅに隣接する樹脂フィルム１０ｆに設けられ、電子部品２０の主面２０ａと接続された導電性の接続部材４０ｆとを備える多層基板１において、貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの表面上であって、貫通孔１１の隣の位置に、電子部品２０の側面２０ｃと接触するとともに、接続部材４０ｆと導通する導体パターン３０ｄ、３０ｅを設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の樹脂フィルムを積層した積層体を加圧しつつ加熱して形成される多層基板およびその製造方法に関するものである。

このような多層基板が特許文献１に開示されている。この多層基板は、積層された複数の樹脂フィルムのうち一部の樹脂フィルムが有する貫通孔にチップ部品が挿入されている。チップ部品は電極を有しており、電極の主面、すなわち、電極の下面がその真下に位置するビアと接続されている。ビアは、多層基板内の導体パターンとともに基板内の配線を構成している。また、ビアは、導電ペーストを焼結させることで形成される。

なお、特許文献１に開示された多層基板は、チップ部品の電極の下面とビアとが接続されていたが、従来の多層基板には、チップ部品の電極の上面とビアとが接続されたものや、チップ部品の電極の上面および下面の両面とビアとが接続されたものもある。

特開２００８−１４７２５４号公報

しかし、上記した多層基板は、チップ部品の上面と下面の少なくとも一方の主面のみがビアと接続されており、チップ部品と基板内の配線との接続箇所が少ないので、接続信頼性が低いという問題がある。例えば、ビア用の導電ペーストの充填不足が起きると、チップ部品とビアとの間が接続不良となり、その結果、チップ部品と基板内の配線とが導通不良となる。

なお、このような問題は、チップ部品の主面に対してビアを接続させる場合に限らず、チップ部品の主面に対してメッキ層や金属箔等の導体パターンを接続させる場合においても同様に生じる。また、このような問題は、貫通孔にチップ部品を挿入した多層基板に限らず、貫通孔に他の電子部品を挿入した多層基板においても同様に生じる。

本発明は上記点に鑑みて、電子部品と基板内の配線との接続信頼性を向上させることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、積層された複数の樹脂フィルム（１０）と、複数の樹脂フィルムのうち一部の樹脂フィルムが有する貫通孔（１１）に挿入され、貫通孔の軸方向端部に位置する主面（２０ａ、６０ａ）と、貫通孔を構成する壁面に対向する側面（２０ｃ、６０ｃ）とを有する電子部品（２０、６０）と、複数の樹脂フィルムのうち貫通孔を有していない樹脂フィルムであって一部の樹脂フィルムに隣接する樹脂フィルムに設けられ、電子部品の主面と接続された導電性の接続部材（４０ｆ、３０ｆ）とを備え、
前記一部の樹脂フィルムの表面上には、貫通孔の隣の位置に、電子部品の側面と接触するとともに、接続部材と導通する導体パターン（３０、３０ｄ、３０ｅ）が設けられていることを特徴としている。

本発明では、電子部品の主面と接続部材とを接続するとともに、電子部品の側面と導体パターンとを接続している。このため、本発明によれば、電子部品の主面のみを基板内の配線と接続する場合と比較して、電子部品と基板内の配線との接続箇所が増加しているので、電子部品と基板内の配線との接続信頼性が向上する。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

第１実施形態における多層基板の断面図である。 図１の多層基板を構成する複数の樹脂フィルムが積層される様子を示す斜視図である。 第１実施形態における多層基板の製造工程のうち、樹脂フィルムの準備工程を示す断面図である。 図３Ａに続く樹脂フィルムの準備工程を示す断面図である。 図３Ｂに続く樹脂フィルムの準備工程を示す断面図である。 第１実施形態における多層基板の製造工程のうち、樹脂フィルムの積層工程を示す断面図である。 第１実施形態における多層基板の製造工程のうち、チップ部品の挿入工程を示す断面図である。 図４Ｂに続くチップ部品の挿入工程を示す断面図である。 第１実施形態における多層基板の製造工程のうち、積層体の加圧加熱工程を示す断面図である。 第２実施形態における多層基板の断面図である。 第２実施形態における多層基板の製造工程のうち、樹脂フィルムの準備工程を示す断面図である。 図６Ａに続く樹脂フィルムの準備工程を示す断面図である。 第３実施形態における多層基板の断面図である。 第３実施形態における多層基板の製造工程のうち、積層体の加圧加熱工程を示す断面図である。 第３実施形態における多層基板の製造工程のうち、ピンの挿入工程を示す断面図である。 他の実施形態におけるピンを示す外観図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
図１、２に示すように、多層基板１は、電子部品が内蔵された部品内蔵基板であって、複数の樹脂フィルム１０が積層された積層体を加熱プレスして成形されたものである。

複数の樹脂フィルム１０は、熱可塑性樹脂で構成されており、相互に接着されている。図１、２に示す例では、６枚の樹脂フィルム１０が積層されている。６枚の樹脂フィルム１０のそれぞれを上から順に第１〜第６樹脂フィルム１０ａ〜１０ｆと呼ぶ。第１〜第６樹脂フィルム１０ａ〜１０ｆのうち、第３〜第５樹脂フィルム１０ｃ、１０ｄ、１０ｅは、貫通孔１１を有しており、第１、第２および第６樹脂フィルム１０ａ、１０ｂ、１０ｆは貫通孔１１を有していない。第６樹脂フィルム１０ｆは、貫通孔１１を有する第５樹脂フィルム１１ｅに隣接している。したがって、第３〜第５樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅが、特許請求の範囲に記載の一部の樹脂フィルムに相当し、第６樹脂フィルム１０ｆが特許請求の範囲に記載の貫通孔１１を有していない樹脂フィルムであって一部の樹脂フィルムに隣接する樹脂フィルムに相当する。

第３〜第５樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅが有する貫通孔１１に、チップ部品２０が挿入されている。チップ部品２０は、半導体チップ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ型の電子部品である。チップ部品２０は、主面としての下面２０ａおよび上面２０ｂと、側面２０ｃとを有している。主面２０ａ、２０ｂは、貫通孔１１の軸方向端部に位置している。側面２０ｃは、貫通孔１１の内部に位置しており、貫通孔１１を構成する壁面に対向している。

チップ部品２０は、両側の側方端部にそれぞれ第１、第２電極２１、２２が設けられている。第１、第２電極２１、２２は金属材料等の導電性材料で構成されている。第１、第２電極２１、２２の表面は、チップ部品２０の主面２０ａ、２０ｂと側面２０ｃの両方に面しており、チップ部品２０の主面２０ａ、２０ｂと側面２０ｃのどちらからも電気的な接続が可能となっている。

第１、第２電極２１、２２の下面２１ａ、２２ａは、第６樹脂フィルム１０ｆに設けられた層間接続部材としてのビア４０ｆと接続されている。この接続とは物理的および電気的な接続を意味する。第１、第２電極２１、２２は、ビア４０ｆを介して、第６樹脂フィルム１０ｆの下面に設けられた導体パターン３０ｆと導通している。このビア４０ｆが特許請求の範囲に記載の電子部品の主面と接続された導電性の接続部材に相当する。

また、第１〜第５樹脂フィルム１０ａ〜１０ｅの上面には導体パターン３０が設けられている。第１〜第５樹脂フィルム１０ａ〜１０ｅおよび第６樹脂フィルム１０ｆに設けられた各導体パターン３０は、各樹脂フィルム中に設けられたビア４０を介して互いに導通している。したがって、第１〜第６樹脂フィルム１０ａ〜１０ｆに設けられた各導体パターン３０ａ〜３０ｆは、第１、第２電極２１、２２と電気的に接続されており、ビア４０とともに、第１、第２電極２１、２２に接続された配線を構成している。

そして、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの上面に設けられた導体パターン３０ｄ、３０ｅは、ビア４０の位置から貫通孔１１の隣の位置まで配置されており、これらの導体パターン３０ｄ、３０ｅの側面３１が第１、第２電極２１、２２の側面２１ｃ、２２ｃと接触している。導体パターン３０の側面３１を第１、第２電極２１、２２に接触させることから、導体パターン３０は厚い方が好ましい。

次に、本実施形態の多層基板１の製造方法を説明する。多層基板１は、樹脂フィルム１０の準備工程と、樹脂フィルム１０の積層工程と、チップ部品２０の挿入工程と、積層体の加圧加熱工程とを順に行うことで製造される。

樹脂フィルム１０の準備工程では、貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０および貫通孔１１を有していない樹脂フィルム１０を含む複数の樹脂フィルム１０を準備する。貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０が図１の第３〜第５樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅであり、貫通孔１１を有していない樹脂フィルム１０が図１の第１、第２、第６樹脂フィルム１０ａ、１０ｂ、１０ｆである。

ここで、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備について具体的に説明する。まず、図３Ａに示すように、樹脂フィルム１０の一方の表面に銅箔等の導体箔を設けた後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより導体箔をパターニングして、導体パターン３０を形成する。このとき、形成された導体パターン３０は、貫通孔１１の形成予定領域およびその隣の領域にも存在している。

続いて、図３Ｂに示すように、樹脂フィルム１０に貫通孔１１を形成する。このとき、レーザ加工またはパンチ加工により、貫通孔１１の形成予定領域に存在する導体箔も除去する。これにより、貫通孔１１の隣に導体パターン３０が設けられる。

続いて、図３Ｃに示すように、レーザ加工により、ビアホール１２を形成した後、ビアホール１２内にビア４０を形成するための導電ペースト１３を充填する。以上により、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備が完了する。

なお、第３樹脂フィルム１０ｃについては、上記した第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備工程に対して、形成される導体パターン３０の形状および位置を変更することで準備することができる。第１、第２樹脂フィルム１０ａ、１０ｂについては、上記した第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備工程に対して、貫通孔１１の形成を省略するとともに、形成される導体パターン３０の形状および位置を変更する等により準備することができる。第６樹脂フィルム１０ｆについては、上記した第４、第５樹脂フィルムの準備工程に対して、貫通孔１１の形成を省略するとともに、形成される導体パターン３０の形状および位置を変更し、さらに、チップ部品２０と電気的に接続されるビア４０ｆを追加する等により準備することができる。なお、第６樹脂フィルム１０ｆについては、第１、第２樹脂フィルム１０ａ、１０ｂの準備と同様に、樹脂フィルムの上面に導体箔が設けられ、下面にビア４０ホールが形成されるが、積層時にその上下面が逆となる。

樹脂フィルム１０の積層工程では、図４Ａに示すように、準備した第３〜第６樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｆを積層して樹脂フィルム１０の積層体を形成する。これにより、第３〜第５樹脂フィルム１０ｃ〜１０ｅの貫通孔１１が連なって、積層体にチップ部品２０を挿入する凹部が形成される。

チップ部品２０の挿入工程では、図４Ｂに示すように、樹脂フィルム１０の積層体の凹部にチップ部品２０を挿入する。その後、図４Ｃに示すように、樹脂フィルム１０の積層体の凹部に蓋をするように、第１、第２樹脂フィルム１０ａ、１０ｂを積層する。これにより、第１〜第６樹脂フィルム１０ａ〜１０ｆの積層体が形成される。

続いて、加圧加熱工程では、図４Ｄに示すように、ヒータが埋設された一対の熱プレス板５０によって、第１〜第６樹脂フィルム１０ａ〜１０ｆの積層体を加圧しつつ加熱する。これにより、各樹脂フィルム１０が相互に接着されて一体化するとともに、樹脂が流動して隙間が埋められて、チップ部品２０と樹脂フィルム１０とが一体化する。このように、樹脂フィルム１０とチップ部品２０とを一括で一体化させる。なお、このときの加熱により、導電ペースト１３に含まれる粉末が焼結してビア４０が形成される。以上により、図１に示す多層基板１が製造される。

以上の説明の通り、本実施形態では、貫通孔１１を有する第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの上面のうち貫通孔１１の隣の位置に、チップ部品２０の第１、第２電極２１、２２の側面２１ｃ、２２ｃと接触する導体パターン３０ｄ、３０ｅが設けられている。この導体パターン３０ｄ、３０ｅは、チップ部品２０の第１、第２電極２１、２２の下面２１ａ、２２ａに接合されたビア４０と導通している。このため、本実施形態の多層基板１は、チップ部品２０の第１、第２電極２１、２２をビア４０のみと電気的に接続した場合と比較して、第１、第２電極２１、２２の基板内の配線との接続箇所が増加しており、チップ部品２０と基板内の配線との接続信頼性が向上している。

（第２実施形態）
図５に示すように、本実施形態では、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅに設けた導体パターン３０ｄ、３０ｅが、貫通孔１１の周縁部で貫通孔１１に入り込むように折り曲げられた折り曲げ部３２を有しており、この折り曲げ部３２よりも先端側部分３３の表面がチップ部品２０の側面２０ｃに接触している。

このような構成は、第１実施形態で説明した第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備工程において、次のように変更することで実現される。すなわち、図６Ａに示すように、導体パターン３０の端部３４が、貫通孔１１の形成予定領域の内部に位置するように、導体パターン３０を形成する。その後、図６Ｂに示すように、導体パターン３０を残しつつ、貫通孔１１を形成する。これにより、導体パターン３０の端部３４が貫通孔１１の周縁部から貫通孔１１の中心側へ突出した導体パターン３０が形成される。

そして、チップ部品２０の挿入工程において、チップ部品２０を貫通孔１１に挿入した際に、チップ部品２０によって導体パターン３０が折り曲げ部３２で折り曲げられ、導体パターン３０がチップ部品２０の側面２０ｃと接触する。

本実施形態によれば、導体パターン３０の側面（端面）をチップ部品２０の側面２０ｃに接触させる場合と比較して、チップ部品２０の側面２０ｃと導体パターン３０の接触面積を増大させることができる。

（第３実施形態）
図７に示すように、本実施形態の多層基板１００は、第１実施形態の多層基板１に対してチップ部品２０をピン６０に変更したものである。

ピン６０は、針状の接続部材であり、多層基板１００の配線と外部とを電気的に接続する電子部品である。ピン６０は、主面６０ａと側面６０ｃとを有している。ピン６０の長手方向端部の先端面が主面６０ａであり、長手方向に沿う面が側面６０ｃである。したがって、ピン６０の主面６０ａは、貫通孔１１の軸方向端部に位置している。ピン６０の側面６０ｃは、貫通孔１１の内部に位置しており、貫通孔１１を構成する壁面に対向している。

図７に示す例では、複数の樹脂フィルム１０として、８枚の樹脂フィルム１０ａ〜１０ｈが積層されている。貫通孔１１を有していない樹脂フィルム１０ｆに主面接続用の導体パターン３０ｆが設けられている。この主面接続用の導体パターン３０ｆに、ピン６０の主面６０ａが接触している。この主面接続用の導体パターン３０ｆは、各樹脂フィルム１０の表面に設けられた導体パターン３０とビア４０を介して導通している。この主面接続用の導体パターン３０ｆが、特許請求の範囲に記載の電子部品の主面に接続された接続部材に相当する。

また、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、貫通孔１１を有するフィルム１０の表面のうち貫通孔１１の隣の位置に、導体パターン３０が設けられている。図７に示す例では、第１〜第５樹脂フィルム１０ａ〜１０ｅの上面のうち貫通孔１１の隣の位置に、導体パターン３０ａ〜３０ｅが設けられている。これらの導体パターン３０ａ〜３０ｅの側面３１が、ピン６０の側面６０ｃに接触している。ピン６０の側面６０ｃに接触している導体パターン３０ａ〜３０ｅは、ビア４０を介して、主面接続用の導体パターン３０ｆと導通している。

次に、本実施形態の多層基板１００の製造方法を説明する。本実施形態の多層基板１００の製造方法は、積層体の加圧加熱工程の後にピン６０の挿入工程を行う点が第１実施形態と異なっており、その他は第１実施形態と同じである。

すなわち、樹脂フィルムの準備工程で、貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０および貫通孔１１を有していない樹脂フィルム１０を含む複数の樹脂フィルム１０を準備する。このとき、貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０として、貫通孔１１の隣の位置に導体パターン３０ａ〜３０ｅが設けられたものを準備する。一方、貫通孔１１を有していない樹脂フィルム１０として、主面接続用の導体パターン３０ｆが設けられたものを準備する。

続いて、図８に示すように、樹脂フィルム１０の積層工程を行った後、積層体の加圧加熱工程を行う。これにより、各樹脂フィルム１０が相互に接着されて一体化する。また、このときの加熱により、導電ペーストに含まれる粉末が焼結してビア４０が形成される。

続いて、図９に示すように、ピン６０の挿入工程において、ピン６０を貫通孔１１に挿入する。これにより、ピン６０の主面６０ａを主面接続用の導体パターン３０ｆと接触させるとともに、ピン６０の側面６０ｃを貫通孔１１の隣に設けられた導体パターン３０ａ〜３０ｅの側面３１と接触させる。以上により、図７に示す多層基板１００が製造される。

本実施形態においても、ピン６０の主面６０ａに加えて、ピン６０の側面６０ｃを導体パターン３０と接触させているので、ピン６０の主面６０ａのみを導体パターン３０と接触させる場合と比較して、ピン６０の接触面積が増加しており、ピン６０と基板内の配線との接続信頼性が向上している。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、下記のように、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

（１）第１実施形態では、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの準備の際に、貫通孔１１の形成予定領域およびその隣の領域に存在するように導体パターン３０を形成し、貫通孔１１の形成とともに導体パターン３０の一部を除去した。これに対して、貫通孔１１の形成前に、貫通孔１１の形成予定領域に存在せず、その隣の領域に存在するように導体パターン３０を形成しておいても良い。

（２）第１、第２実施形態では、チップ部品２０の第１、第２電極２１、２２の下面２１ａ、２２ａを、ビア４０と接続させたが、ビア４０の代わりに、メッキ層や金属箔からなる導体パターン３０等の他の接続部材と接続させても良い。

（３）第１、第２実施形態では、チップ部品２０の一方の主面である下面２０ａをビア４０と接続させたが、チップ部品２０の他方の主面である上面２０ｂをビア４０と接続させても良い。

（４）第１、第２実施形態では、チップ部品２０の第１、第２電極２１、２２の側面２１ｃ、２２ｃと接触する導体パターン３０を、第４、第５樹脂フィルム１０ｄ、１０ｅの一方の表面である上面に設けたが、他方の表面である下面に設けても良い。

（５）第３実施形態では、ピン６０が単独の部品であったが、図１０に示すように、ピン６０が挿入部品６１の足と呼ばれる挿入部を構成していても良い。

（６）第３実施形態では、積層体の加圧加熱工程の後にピン６０の挿入工程を行ったが、ピン６０を多層基板に内蔵する場合、第１実施形態と同様に、ピン６０の挿入工程の後に積層体の加圧加熱工程を行うようにしても良い。

（７）第３実施形態では、貫通孔１１を有する樹脂フィルム１０の表面上のうち貫通孔１１の隣の位置に設けられた導体パターン３０の側面３１をピン６０の側面６０ｃと接触させたが、第２実施形態のように、導体パターン３０の折り曲げ部よりも先端側部分の表面をピン６０の側面６０ｃに接触させても良い。

（８）上記各実施形態では、複数の樹脂フィルム１０が熱可塑性樹脂で構成されていたが、これに限られず、複数の樹脂フィルム１０が全て熱硬化性樹脂で構成されていても良い。また、複数の樹脂フィルム１０として、熱可塑性樹脂で構成されたものと熱硬化性樹脂で構成されたものとを併用しても良い。

（９）上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

１ 多層基板
１０ 樹脂フィルム
２０ チップ部品（電子部品）
２０ａ チップ部品の下面（電子部品の主面）
２０ｃ チップ部品の側面（電子部品の側面）
３０ 導体パターン
３０ｄ 電子部品の側面に接続された導体パターン
３０ｅ 電子部品の側面に接続された導体パターン
４０ ビア
４０ｆ 電子部品の主面に接続されたビア（接続部材）
６０ ピン（電子部品）

Claims (7)

1. 積層された複数の樹脂フィルム（１０）と、
   前記複数の樹脂フィルムのうち一部の樹脂フィルムが有する貫通孔（１１）に挿入され、前記貫通孔の軸方向端部に位置する主面（２０ａ、６０ａ）と、前記貫通孔を構成する壁面に対向する側面（２０ｃ、６０ｃ）とを有する電子部品（２０、６０）と、
   前記複数の樹脂フィルムのうち前記貫通孔を有していない樹脂フィルムであって前記一部の樹脂フィルムに隣接する樹脂フィルムに設けられ、前記電子部品の主面と接続された導電性の接続部材（４０ｆ、３０ｆ）とを備え、
   前記一部の樹脂フィルムの表面上には、前記貫通孔の隣の位置に、前記電子部品の側面と接触するとともに、前記接続部材と導通する導体パターン（３０、３０ｄ、３０ｅ）が設けられていることを特徴とする多層基板。
2. 前記導体パターンは、その側面（３１）が前記電子部品の側面と接触していることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
3. 前記導体パターンは、その先端側部分が前記貫通孔に入り込むように、前記貫通孔の周縁部で折り曲げられた折り曲げ部（３２）を有しており、前記折り曲げ部よりも先端側部分（３３）の表面が前記電子部品の側面と接触していることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
4. 前記電子部品は、チップ部品（２０）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板。
5. 前記電子部品は、接続用のピン（６０）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板。
6. 請求項１に記載の多層基板の製造方法において、
   貫通孔（１１）を有する樹脂フィルムおよび前記貫通孔を有していない樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルム（１０）を準備する準備工程と、
   前記複数の樹脂フィルムを積層する積層工程と、
   前記積層工程後に、前記貫通孔に電子部品（２０、６０）を挿入する挿入工程と、
   前記挿入工程後に、積層した前記複数の樹脂フィルムを加圧しつつ加熱することにより、前記複数の樹脂フィルムを一体化させるとともに、前記複数の樹脂フィルムと前記電子部品とを一体化させる加圧加熱工程とを備え、
   前記準備工程において、前記貫通孔を有する樹脂フィルムとして、前記貫通孔の隣の位置に導体パターン（３０、３０ｄ、３０ｅ）が設けられたものを準備するとともに、前記貫通孔を有していない樹脂フィルムとして、前記電子部品の主面（２０ａ、６０ａ）と接続するための前記接続部材（４０ｆ、３０ｆ）が設けられたものを準備し、
   前記挿入工程において、前記電子部品を前記貫通孔に挿入することにより、前記電子部品の主面を前記接続部材と接触させるとともに、前記電子部品の側面（２０ｃ、６０ｃ）を前記導体パターンと接触させることを特徴とする多層基板の製造方法。
7. 請求項１に記載の多層基板の製造方法において、
   貫通孔（１１）を有する樹脂フィルムおよび前記貫通孔を有していない樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルム（１０）を準備する準備工程と、
   前記複数の樹脂フィルムを積層する積層工程と、
   前記積層工程後に、積層した前記複数の樹脂フィルムを加圧しつつ加熱することにより、前記複数の樹脂フィルムを一体化させる加圧加熱工程と、
   前記加圧加熱工程後に、前記貫通孔に電子部品（６０）を挿入する挿入工程とを備え、
   前記準備工程において、前記貫通孔を有する樹脂フィルムとして、前記貫通孔の隣の位置に導体パターン（３０）が設けられたものを準備するとともに、前記貫通孔を有していない樹脂フィルムとして、前記電子部品の主面（６０ａ）と接続するための前記接続部材（３０ｆ）が設けられたものを準備し、
   前記挿入工程において、前記電子部品を前記貫通孔に挿入することにより、前記電子部品の主面を前記接続部材と接触させるとともに、前記電子部品の側面（６０ｃ）を前記導体パターンと接触させることを特徴とする多層基板の製造方法。

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