JP2004200448A - 電子部品の基板実装方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性の高い基板実装を行うことができる基板実装方法の提供。
【解決手段】プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法において、第1の工程では、配線層2a,2b,3a,3bが形成された基板1に、金属メッキが施されていないスルーホール6を、配線層2a,2b,3a,3bを貫通するように形成する。第2工程では、形成したスルーホール6に電子部品のピン7を挿入する。そして、第2の工程の後に、スルーホール6の壁面やピン7の露出面や配線層2a,2bの表面に導電性材料による被膜8を形成する。ピン7を挿入した後に被膜8を形成することにより、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの接触に加えて、被膜8を介して導通を図ることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法において、第1の工程では、配線層2a,2b,3a,3bが形成された基板1に、金属メッキが施されていないスルーホール6を、配線層2a,2b,3a,3bを貫通するように形成する。第2工程では、形成したスルーホール6に電子部品のピン7を挿入する。そして、第2の工程の後に、スルーホール6の壁面やピン7の露出面や配線層2a,2bの表面に導電性材料による被膜8を形成する。ピン7を挿入した後に被膜8を形成することにより、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの接触に加えて、被膜8を介して導通を図ることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント基板に電子部品を実装する方法の一つに、プレスフィット構造を用いるものがある。プレスフィット構造では、電子部品のリードやコネクタピンをプレスフィットピンと呼ばれるピン幅方向に弾性変形するピンで形成する。このピン幅はプリント基板に形成されたスルーホールの孔径よりも大きく設定され、ピンをスルーホールに圧入するとピンが弾性変形し、そのときの接触圧力によりピンとプリント基板導体との電気的接続が図られる(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−174406号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ピンをスルーホールに圧入する構造であるため、ピンを圧入した際にピンがスルーホールの側壁の導体を削り落とす可能性があり、この導体の削りかすが脱落すると、導電性異物として短絡不良を引き起こす原因となる。また、ピンとスルーホールとの間の接触圧力により電気的接続を図っているため、接続信頼性を得るためにスルーホールの径寸法やピンの幅寸法等の寸法公差を厳しくする必要があった。しかし、スルーホールの径寸法は、孔形成時の寸法ばらつきや、スルーホールの側壁に形成される導体膜の膜厚ばらつきなどにより、所定公差範囲の高精度なスルーホールを形成するのは非常に難しかった。
【0005】
本発明は、信頼性の高い基板実装を行うことができる基板実装方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の本発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に適用され、第1の工程では、回路が形成された基板に、金属メッキが施されていないスルーホールを回路を貫通するように形成し、第2の工程では、形成したスルーホールに電子部品のプレスフィットピンを挿入して電子部品を基板に装着し、その後の第3工程において、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびピンの表面に導電性材料による被膜を形成することを特徴とする。プレスフィットピンと回路との電気的接続は、プレスフィットピンと回路との直接的接触に加えて被膜を介しても行われる。
請求項2の発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に適用され、第1の工程では、回路が形成された基板に、導電性被膜が形成されたスルーホールを回路を貫通するように形成し、第2の工程では、形成したスルーホールに電子部品のプレスフィットピンを挿入して電子部品を基板に装着し、その後の第3工程において、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびプレスフィットピンの表面に導電性材料による被膜を形成することを特徴とする。スルーホールに形成された導電性被膜によってプレスフィットピンと回路との接触状態が向上する。
【0007】
【発明の効果】
本発明によれば、ピンをスルーホールに挿入した後に、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびピンの表面に被膜を形成するので、ピン径およびスルーホール内径の寸法誤差によらず、ピンと回路との導通を確実に行うことが可能となり信頼性のより高い基板実装を行うことができる。
さらに、導電性被膜が形成されたスルーホールとすることによって、プレスフィットピンと回路との接触状態がより向上する。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。
−第1の実施の形態−
図1および2は本発明による基板実装方法の第1の実施の形態を説明する図である。図1は、電子部品が実装された基板のスルーホール部分の断面図である。図2は、図1のA−A断面図である。基板1は複数の配線層2a,2b,3a,3bが積層された多層基板である。図1に示した例では、4層の配線層2a,2b,3a,3bを有しているが、本発明は配線層の数に関係なく適用することができる。
【0009】
配線層2a,2bは基板1の表面側および裏面側に形成され、配線層3a,3bは基板内部に形成されている。各配線層2a,2b,3a,3bは、絶縁性の基板基材4により互いに絶縁されている。基板1の表面および裏面には、ソルダーレジスト5が塗布されている。
【0010】
基板1を貫通するスルーホール6は各配線2a,2b,3a,3bを貫通するように設けられており、スルーホール6の壁面には各配線2a,2b,3a,3bの断面が露出している。電子部品のピン7はプレスフィットピン構造を有しており、図2に示すように楕円断面を有している。ピン7の長軸方向の径d1はスルーホール6の孔径に対してプラス公差に設定される。すなわち、ピン7をスルーホール6に挿入すると、この公差分だけピン7が弾性変形し、符号Eで示す部分においてピン7の周面とスルーホール6の壁面に露出した配線2a,2b,3a,3bとが接触して導通することになる。また、ピン7が弾性変形することによって、電子部品が基板1に固定される。
【0011】
なお、図1に示す例では、ピン7の周面と配線2bとは接触していないが、ピン7をより深く挿入すれば配線2bとも接触することができる。また、ピン7は楕円断面に限らず様々な形態が考えられる。
【0012】
図2に示すように、ピン7をスルーホール6に挿入すると、ピン7が弾性変形し、ピン7とスルーホール6との接触圧力によりピン7がスルーホール6内に固定される。図2に示す例では、ピン7の断面は楕円形状をしており、ピン7はスルーホール6に挿入した際に楕円の長軸方向に弾性変形する。
【0013】
ピン7の表面、スルーホール6の内壁および配線2a,2bの表面には導電性材料の被膜8、例えば、銅メッキ層が形成される。被膜8は、図1に示すように外部に露出している基板表面やピン7の表面だけでなく、スルーホール6内に挿入されているピン7の表面や、スルーホール6の内壁面にも形成される。そのため、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの接触だけでなく、導電性被膜8を介して導通が得られるため、両者の間の電気的接続状態の向上を図ることができる。
【0014】
図2に示すようにスルーホール6内におけるピン7とスルーホール内壁との間のギャップ最大寸法をd2としたとき、被膜8を化学銅メッキのようなメッキ処理にて形成する場合には、基板1の板厚とギャップ最大寸法d2との比(アスペクト比)を10以下とするのが好ましい。すなわち、アスペクト比を、「10:1」や「8:1」や「5:1」等のような値に設定し、ギャップ最大寸法d2の大きさが基板1の厚さの0.1倍以上とすれば良い。例えば、基板1の厚さは1.0(mm)〜3.2(mm)程度であるが、厚さ3.2(mm)の場合には隙間寸法dを0.32(mm)以上に設定すれば良い。
【0015】
このように、ギャップ最大寸法d2の大きさを基板1の厚さの0.1倍以上とすることにより、すなわち、アスペクト比を10以下とすることにより、スルーホール内におけるスルーホール壁面およびピン表面へのメッキの付き回り性を確保することができ、これらに形成される被膜8の厚さを、ピン7が挿入されていないスルーホール6にメッキ処理を施した場合と同等の厚さにすることができる。その結果、被膜8による接続信頼性を確保することができる。
【0016】
《実装工程の説明》
図3〜図8は基板1への電子部品の実装手順を示す断面図である。図3は基板1の断面図であり、基板表面に配線層2a,2bが、基板内部には配線層3a,3bが形成されている。まず、図4に示すように、基板1の所定位置にスルーホール6をドリル等を用いて形成する。スルーホール6の孔径は通常0.4(mm)以上に設定される。スルーホール6を形成した後には、孔形成の際に生じた切り粉や汚れなどを除去するデスミア処理を行う。
【0017】
次いで、図5に示すように、銅メッキを施すべきスルーホール6の内壁および配線層2a,2bの表面にメッキ用の触媒処理を行う。銅メッキ層は、触媒層20が形成された面に形成される。そして、図6のように表面の配線層2a,2bにフォトリソグラフィ等により所定の回路パタンを形成し、その後、ソルダーレジスト5を形成する(図7)。
【0018】
次に、図8に示すように、電子部品のピン7を触媒処理が施されたスルーホール6内に挿入して電子部品を実装する。挿入時に、スルーホール6のピン7が接触する部分においては触媒層20の一部がピン7により削り取られ、ピン7と配線2a,2b,3a,3bとが導通する。ピン7を挿入したならば、化学銅メッキ処理を行う。このメッキ処理によって、触媒層20が形成された部分およびピン7の表面に銅が析出し、図1に示すように銅メッキ層である被膜8が形成される。銅メッキ層の厚さは、15μm〜35μm程度に設定される。
【0019】
なお、ピン7に銅メッキを析出させたくない領域がある場合や、銅メッキにより機能に影響を与える部品がある場合には、その領域や部品にマスキングを施したり、その領域や部品をメッキ液の液面上に出すようにすれば良い。
【0020】
図9、10は本発明に対する比較例を示したものであって、従来のようにスルーホールにメッキ処理を施した後にピン7を挿入する場合を示している。図9は図1と同様にピン7が挿入されたスルーホール部分の断面図であり、図10はB−B断面図である。図9,10に示す比較例では、基板1にスルーホール31を形成したならば、スルーホール内壁および配線層2a,2bの表面に銅メッキ処理を施してメッキ層30を形成する。メッキ層30の膜厚は、被膜8と同様に15μm〜35μm程度である。そして、メッキ層30が形成されたスルーホール31内にピン7を挿入することにより、電子部品を基板1に実装する。配線2a,2b,3a,3bとピン7とはメッキ層30を介して導通することになる。
【0021】
図9,10に示す実装方法では、ピン7の弾性変形による接触圧力のみによりピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの導通を図っているため、充分な接触圧力を得るためにピン7の寸法公差を本願発明よりも大きくする必要がある。そのため、メッキ厚さも含めたスルーホール内径に関して高い寸法精度が要求され、例えば、±0.025mm程度の公差が必要とされる。
【0022】
しかしながら、スルーホール31はドリリング等の切削加工により形成され、さらに、ピン挿入前にスルーホール内壁にメッキ層30を形成するため、切削加工の寸法誤差とメッキ層30の厚さ寸法誤差との両方がスルーホール内径の誤差に影響し、常に上述したような公差内に納めるのは難しい。そして、スルーホール31にはメッキ層30が予め形成されているため、スルーホール内径が基準よりも小さい場合には、図11に示すようにピン挿入時にメッキ層30が削られやすくなって導電性異物30aが発生しやすくなる。この導電性異物30aが脱落して配線等に付着すると、短絡不良が発生することになる。
【0023】
図11は、スルーホール内径が小さい場合に発生し得る状況を模式的に示したものである。メッキ層30の一部が削られて、ピン7と配線2a,3aとの間に隙間32が生じている。また、スルーホール内径が小さいと挿入時の力も大きくなり、クラック7aの発生等によるピン7の損傷や、基板1の損傷が生じやすくなる。図11では、スルーホール31の左側の基板1が変形し、配線層2bの剥離や配線層3aとメッキ層30との間に隙間が生じたりしている。
【0024】
逆に、スルーホール内径が基準よりも大きい場合には、ピン7とスルーホール内壁との接触圧が小さくなりすぎる。図10に示すように、ピン7は符号Cで示す部分の側面でしかメッキ層30と接触していないため、接触圧が小さくなると充分な導通が得られない場合も出てくる。
【0025】
一方、本実施の形態では、被膜8が形成される前のスルーホール6にピン7を挿入する構成であるため、ピン挿入時に導電性異物が発生しない。また、スルーホール内径寸法はメッキ厚寸法の誤差の影響を受けず切削時の誤差にだけ依存するので、スルーホール6に関する寸法精度の管理がし易くなる。そのため、図11に示すような不具合の発生を防止することができる。
【0026】
また、前述したように、ピン7をスルーホール6に挿入した後に導電性の被膜8を形成しているため(図1,2参照)、被膜8を介した電気的接合も行われる。ピン7の外径およびスルーホール6の内径の寸法誤差によらず、それらの間の電気的接続を確実に行うことができ、信頼性向上を図ることができる。さらに、被膜を介して導通が図れるため、図9,10の場合ほど接触圧力が大きくなくても良く、ピン7の公差を小さくしてピン7の弾性変形量小さくすることが可能となる。その結果、ピンの損傷等を防止することができる。
【0027】
−第2の実施の形態−
上述した第1の実施の形態ではメッキ処理が施されていないスルーホール6にピン7を挿入し、ピン挿入後に導電性の被膜8をメッキ処理等により形成したが、第2の実施の形態では、充分な導通を得るのに必要とされるメッキ厚さよりも薄いメッキ層40(図12参照)を予めスルーホールに形成しておき、メッキ層40が形成されたスルーホールにピン7を挿入するようにした。ピン挿入後は、第1の実施の形態と同様に被膜8を形成する。
【0028】
すなわち、図3に示した基板1に対して、図4〜図7に示すスルーホール形成工程、触媒処理工程、回路パタン形成工程およびソルダーレジスト形成工程を順に行う。次いで、図12に示すように、触媒処理が施されたスルーホール壁面および配線層2a,2bの表面に化学銅メッキ処理を行い、それぞれにメッキ層40を形成する。メッキ層40の膜厚は3〜5μm程度に設定される。なお、本実施の形態ではソルダーレジスト形成工程の次にメッキ層40を形成する工程を配したが、例えば、回路パタン形成工程の前にメッキ層40を形成しても良い。
【0029】
次いで、電子部品のピン7をスルーホール41内に挿入する。スルーホール41内にピン7を挿入したならば、図14に示すように、化学銅メッキ処理によりメッキ層40およびピン7の露出部分に被膜8を形成する。図15は図14のD−D断面図であり、第1の実施の形態の図2と同様の図である。被膜8は、スルーホール内のピン7の表面およびスルーホール内壁にも形成される。そのため、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとは、被膜8およびメッキ層40を介して導通しており、電気的接続状態は第1の実施の形態よりもさらに向上する。
【0030】
上述したように、メッキ層40の膜厚は、本来必要とされる膜厚(15μm〜35μm程度)に対して約1/10程度と薄いため、このときのメッキ膜厚の誤差はスルーホール内径d3(図14参照)の誤差に対してほとんど無視できるくらいに小さいものとなる。そのため、第1の実施の形態と同様に、スルーホール内径d3の寸法精度の向上を図ることができ、図11に示すような不具合の発生を防止することができる。
【0031】
また、スルーホール41の寸法精度が向上するので、ピン7を挿入したときに導電性異物30a(図11)がほとんど発生しない。そして、導電性異物30aが生じた場合でも、削り取られる導電性異物30aが小さくメッキ層40との密着力が弱いため、高圧洗浄等で洗浄することにより導電性異物30aを容易に除去することができる。
【0032】
なお、本実施の形態においても、ギャップ最大寸法d2の大きさを基板1の厚さの0.1倍以上とすることによりメッキの付き回り性が確保でき、スルーホール壁面およびピン7の表面に形成される被膜8の厚さを、ピン7が挿入されていないスルーホール6にメッキ処理を施した場合と同等の厚さにすることができる。その結果、被膜8による接続信頼性を確保することができる。
【0033】
上述した実施の形態では、例えば、配線層2a,2b,3a,3bは回路を実現している。また、被膜8やメッキ層40を銅メッキで形成する場合を例に説明したが、銅メッキ以外のメッキを施しても良い。上述した一連の実装工程は一例を示したものであって、本発明はプリント基板の製造方法であるフルアディティブ工法やパートリアディティブ工法にも適用することができ、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、上述した実施の形態における基板1の厚さや孔径等は一例を示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板実装方法の第1の実施の形態を説明する図であり、電子部品が実装された基板のスルーホール部分の断面図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】基板1の断面図である。
【図4】スルーホール形成工程を示す図である。
【図5】触媒処理工程を示す図である。
【図6】回路パタン形成工程を示す図である。
【図7】ソルダーレジスト形成工程を示す図である。
【図8】ピン挿入工程を示す図である。
【図9】比較例を示す断面図である。
【図10】図9のB−B断面図である。
【図11】スルーホール内径が小さい場合に発生し得る状況を示した模式図である。
【図12】第2の実施の形態におけるメッキ層40の形成工程を説明する図である。
【図13】ピン挿入工程を示す図である。
【図14】第2の実施の形態の実装方法により形成された基板1の断面を示す図である。
【図15】図14のD−D断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2a,2b,3a,3b 配線層
5 ソルダーレジスト
6,31,41 スルーホール
7 ピン
8 被膜
20 触媒層
30,40 メッキ層
30a 導電性異物
d2 ギャップ最大寸法
【発明の属する技術分野】
本発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント基板に電子部品を実装する方法の一つに、プレスフィット構造を用いるものがある。プレスフィット構造では、電子部品のリードやコネクタピンをプレスフィットピンと呼ばれるピン幅方向に弾性変形するピンで形成する。このピン幅はプリント基板に形成されたスルーホールの孔径よりも大きく設定され、ピンをスルーホールに圧入するとピンが弾性変形し、そのときの接触圧力によりピンとプリント基板導体との電気的接続が図られる(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−174406号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ピンをスルーホールに圧入する構造であるため、ピンを圧入した際にピンがスルーホールの側壁の導体を削り落とす可能性があり、この導体の削りかすが脱落すると、導電性異物として短絡不良を引き起こす原因となる。また、ピンとスルーホールとの間の接触圧力により電気的接続を図っているため、接続信頼性を得るためにスルーホールの径寸法やピンの幅寸法等の寸法公差を厳しくする必要があった。しかし、スルーホールの径寸法は、孔形成時の寸法ばらつきや、スルーホールの側壁に形成される導体膜の膜厚ばらつきなどにより、所定公差範囲の高精度なスルーホールを形成するのは非常に難しかった。
【0005】
本発明は、信頼性の高い基板実装を行うことができる基板実装方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の本発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に適用され、第1の工程では、回路が形成された基板に、金属メッキが施されていないスルーホールを回路を貫通するように形成し、第2の工程では、形成したスルーホールに電子部品のプレスフィットピンを挿入して電子部品を基板に装着し、その後の第3工程において、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびピンの表面に導電性材料による被膜を形成することを特徴とする。プレスフィットピンと回路との電気的接続は、プレスフィットピンと回路との直接的接触に加えて被膜を介しても行われる。
請求項2の発明は、プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法に適用され、第1の工程では、回路が形成された基板に、導電性被膜が形成されたスルーホールを回路を貫通するように形成し、第2の工程では、形成したスルーホールに電子部品のプレスフィットピンを挿入して電子部品を基板に装着し、その後の第3工程において、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびプレスフィットピンの表面に導電性材料による被膜を形成することを特徴とする。スルーホールに形成された導電性被膜によってプレスフィットピンと回路との接触状態が向上する。
【0007】
【発明の効果】
本発明によれば、ピンをスルーホールに挿入した後に、スルーホールの壁面を含む所定基板領域およびピンの表面に被膜を形成するので、ピン径およびスルーホール内径の寸法誤差によらず、ピンと回路との導通を確実に行うことが可能となり信頼性のより高い基板実装を行うことができる。
さらに、導電性被膜が形成されたスルーホールとすることによって、プレスフィットピンと回路との接触状態がより向上する。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。
−第1の実施の形態−
図1および2は本発明による基板実装方法の第1の実施の形態を説明する図である。図1は、電子部品が実装された基板のスルーホール部分の断面図である。図2は、図1のA−A断面図である。基板1は複数の配線層2a,2b,3a,3bが積層された多層基板である。図1に示した例では、4層の配線層2a,2b,3a,3bを有しているが、本発明は配線層の数に関係なく適用することができる。
【0009】
配線層2a,2bは基板1の表面側および裏面側に形成され、配線層3a,3bは基板内部に形成されている。各配線層2a,2b,3a,3bは、絶縁性の基板基材4により互いに絶縁されている。基板1の表面および裏面には、ソルダーレジスト5が塗布されている。
【0010】
基板1を貫通するスルーホール6は各配線2a,2b,3a,3bを貫通するように設けられており、スルーホール6の壁面には各配線2a,2b,3a,3bの断面が露出している。電子部品のピン7はプレスフィットピン構造を有しており、図2に示すように楕円断面を有している。ピン7の長軸方向の径d1はスルーホール6の孔径に対してプラス公差に設定される。すなわち、ピン7をスルーホール6に挿入すると、この公差分だけピン7が弾性変形し、符号Eで示す部分においてピン7の周面とスルーホール6の壁面に露出した配線2a,2b,3a,3bとが接触して導通することになる。また、ピン7が弾性変形することによって、電子部品が基板1に固定される。
【0011】
なお、図1に示す例では、ピン7の周面と配線2bとは接触していないが、ピン7をより深く挿入すれば配線2bとも接触することができる。また、ピン7は楕円断面に限らず様々な形態が考えられる。
【0012】
図2に示すように、ピン7をスルーホール6に挿入すると、ピン7が弾性変形し、ピン7とスルーホール6との接触圧力によりピン7がスルーホール6内に固定される。図2に示す例では、ピン7の断面は楕円形状をしており、ピン7はスルーホール6に挿入した際に楕円の長軸方向に弾性変形する。
【0013】
ピン7の表面、スルーホール6の内壁および配線2a,2bの表面には導電性材料の被膜8、例えば、銅メッキ層が形成される。被膜8は、図1に示すように外部に露出している基板表面やピン7の表面だけでなく、スルーホール6内に挿入されているピン7の表面や、スルーホール6の内壁面にも形成される。そのため、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの接触だけでなく、導電性被膜8を介して導通が得られるため、両者の間の電気的接続状態の向上を図ることができる。
【0014】
図2に示すようにスルーホール6内におけるピン7とスルーホール内壁との間のギャップ最大寸法をd2としたとき、被膜8を化学銅メッキのようなメッキ処理にて形成する場合には、基板1の板厚とギャップ最大寸法d2との比(アスペクト比)を10以下とするのが好ましい。すなわち、アスペクト比を、「10:1」や「8:1」や「5:1」等のような値に設定し、ギャップ最大寸法d2の大きさが基板1の厚さの0.1倍以上とすれば良い。例えば、基板1の厚さは1.0(mm)〜3.2(mm)程度であるが、厚さ3.2(mm)の場合には隙間寸法dを0.32(mm)以上に設定すれば良い。
【0015】
このように、ギャップ最大寸法d2の大きさを基板1の厚さの0.1倍以上とすることにより、すなわち、アスペクト比を10以下とすることにより、スルーホール内におけるスルーホール壁面およびピン表面へのメッキの付き回り性を確保することができ、これらに形成される被膜8の厚さを、ピン7が挿入されていないスルーホール6にメッキ処理を施した場合と同等の厚さにすることができる。その結果、被膜8による接続信頼性を確保することができる。
【0016】
《実装工程の説明》
図3〜図8は基板1への電子部品の実装手順を示す断面図である。図3は基板1の断面図であり、基板表面に配線層2a,2bが、基板内部には配線層3a,3bが形成されている。まず、図4に示すように、基板1の所定位置にスルーホール6をドリル等を用いて形成する。スルーホール6の孔径は通常0.4(mm)以上に設定される。スルーホール6を形成した後には、孔形成の際に生じた切り粉や汚れなどを除去するデスミア処理を行う。
【0017】
次いで、図5に示すように、銅メッキを施すべきスルーホール6の内壁および配線層2a,2bの表面にメッキ用の触媒処理を行う。銅メッキ層は、触媒層20が形成された面に形成される。そして、図6のように表面の配線層2a,2bにフォトリソグラフィ等により所定の回路パタンを形成し、その後、ソルダーレジスト5を形成する(図7)。
【0018】
次に、図8に示すように、電子部品のピン7を触媒処理が施されたスルーホール6内に挿入して電子部品を実装する。挿入時に、スルーホール6のピン7が接触する部分においては触媒層20の一部がピン7により削り取られ、ピン7と配線2a,2b,3a,3bとが導通する。ピン7を挿入したならば、化学銅メッキ処理を行う。このメッキ処理によって、触媒層20が形成された部分およびピン7の表面に銅が析出し、図1に示すように銅メッキ層である被膜8が形成される。銅メッキ層の厚さは、15μm〜35μm程度に設定される。
【0019】
なお、ピン7に銅メッキを析出させたくない領域がある場合や、銅メッキにより機能に影響を与える部品がある場合には、その領域や部品にマスキングを施したり、その領域や部品をメッキ液の液面上に出すようにすれば良い。
【0020】
図9、10は本発明に対する比較例を示したものであって、従来のようにスルーホールにメッキ処理を施した後にピン7を挿入する場合を示している。図9は図1と同様にピン7が挿入されたスルーホール部分の断面図であり、図10はB−B断面図である。図9,10に示す比較例では、基板1にスルーホール31を形成したならば、スルーホール内壁および配線層2a,2bの表面に銅メッキ処理を施してメッキ層30を形成する。メッキ層30の膜厚は、被膜8と同様に15μm〜35μm程度である。そして、メッキ層30が形成されたスルーホール31内にピン7を挿入することにより、電子部品を基板1に実装する。配線2a,2b,3a,3bとピン7とはメッキ層30を介して導通することになる。
【0021】
図9,10に示す実装方法では、ピン7の弾性変形による接触圧力のみによりピン7と配線層2a,2b,3a,3bとの導通を図っているため、充分な接触圧力を得るためにピン7の寸法公差を本願発明よりも大きくする必要がある。そのため、メッキ厚さも含めたスルーホール内径に関して高い寸法精度が要求され、例えば、±0.025mm程度の公差が必要とされる。
【0022】
しかしながら、スルーホール31はドリリング等の切削加工により形成され、さらに、ピン挿入前にスルーホール内壁にメッキ層30を形成するため、切削加工の寸法誤差とメッキ層30の厚さ寸法誤差との両方がスルーホール内径の誤差に影響し、常に上述したような公差内に納めるのは難しい。そして、スルーホール31にはメッキ層30が予め形成されているため、スルーホール内径が基準よりも小さい場合には、図11に示すようにピン挿入時にメッキ層30が削られやすくなって導電性異物30aが発生しやすくなる。この導電性異物30aが脱落して配線等に付着すると、短絡不良が発生することになる。
【0023】
図11は、スルーホール内径が小さい場合に発生し得る状況を模式的に示したものである。メッキ層30の一部が削られて、ピン7と配線2a,3aとの間に隙間32が生じている。また、スルーホール内径が小さいと挿入時の力も大きくなり、クラック7aの発生等によるピン7の損傷や、基板1の損傷が生じやすくなる。図11では、スルーホール31の左側の基板1が変形し、配線層2bの剥離や配線層3aとメッキ層30との間に隙間が生じたりしている。
【0024】
逆に、スルーホール内径が基準よりも大きい場合には、ピン7とスルーホール内壁との接触圧が小さくなりすぎる。図10に示すように、ピン7は符号Cで示す部分の側面でしかメッキ層30と接触していないため、接触圧が小さくなると充分な導通が得られない場合も出てくる。
【0025】
一方、本実施の形態では、被膜8が形成される前のスルーホール6にピン7を挿入する構成であるため、ピン挿入時に導電性異物が発生しない。また、スルーホール内径寸法はメッキ厚寸法の誤差の影響を受けず切削時の誤差にだけ依存するので、スルーホール6に関する寸法精度の管理がし易くなる。そのため、図11に示すような不具合の発生を防止することができる。
【0026】
また、前述したように、ピン7をスルーホール6に挿入した後に導電性の被膜8を形成しているため(図1,2参照)、被膜8を介した電気的接合も行われる。ピン7の外径およびスルーホール6の内径の寸法誤差によらず、それらの間の電気的接続を確実に行うことができ、信頼性向上を図ることができる。さらに、被膜を介して導通が図れるため、図9,10の場合ほど接触圧力が大きくなくても良く、ピン7の公差を小さくしてピン7の弾性変形量小さくすることが可能となる。その結果、ピンの損傷等を防止することができる。
【0027】
−第2の実施の形態−
上述した第1の実施の形態ではメッキ処理が施されていないスルーホール6にピン7を挿入し、ピン挿入後に導電性の被膜8をメッキ処理等により形成したが、第2の実施の形態では、充分な導通を得るのに必要とされるメッキ厚さよりも薄いメッキ層40(図12参照)を予めスルーホールに形成しておき、メッキ層40が形成されたスルーホールにピン7を挿入するようにした。ピン挿入後は、第1の実施の形態と同様に被膜8を形成する。
【0028】
すなわち、図3に示した基板1に対して、図4〜図7に示すスルーホール形成工程、触媒処理工程、回路パタン形成工程およびソルダーレジスト形成工程を順に行う。次いで、図12に示すように、触媒処理が施されたスルーホール壁面および配線層2a,2bの表面に化学銅メッキ処理を行い、それぞれにメッキ層40を形成する。メッキ層40の膜厚は3〜5μm程度に設定される。なお、本実施の形態ではソルダーレジスト形成工程の次にメッキ層40を形成する工程を配したが、例えば、回路パタン形成工程の前にメッキ層40を形成しても良い。
【0029】
次いで、電子部品のピン7をスルーホール41内に挿入する。スルーホール41内にピン7を挿入したならば、図14に示すように、化学銅メッキ処理によりメッキ層40およびピン7の露出部分に被膜8を形成する。図15は図14のD−D断面図であり、第1の実施の形態の図2と同様の図である。被膜8は、スルーホール内のピン7の表面およびスルーホール内壁にも形成される。そのため、ピン7と配線層2a,2b,3a,3bとは、被膜8およびメッキ層40を介して導通しており、電気的接続状態は第1の実施の形態よりもさらに向上する。
【0030】
上述したように、メッキ層40の膜厚は、本来必要とされる膜厚(15μm〜35μm程度)に対して約1/10程度と薄いため、このときのメッキ膜厚の誤差はスルーホール内径d3(図14参照)の誤差に対してほとんど無視できるくらいに小さいものとなる。そのため、第1の実施の形態と同様に、スルーホール内径d3の寸法精度の向上を図ることができ、図11に示すような不具合の発生を防止することができる。
【0031】
また、スルーホール41の寸法精度が向上するので、ピン7を挿入したときに導電性異物30a(図11)がほとんど発生しない。そして、導電性異物30aが生じた場合でも、削り取られる導電性異物30aが小さくメッキ層40との密着力が弱いため、高圧洗浄等で洗浄することにより導電性異物30aを容易に除去することができる。
【0032】
なお、本実施の形態においても、ギャップ最大寸法d2の大きさを基板1の厚さの0.1倍以上とすることによりメッキの付き回り性が確保でき、スルーホール壁面およびピン7の表面に形成される被膜8の厚さを、ピン7が挿入されていないスルーホール6にメッキ処理を施した場合と同等の厚さにすることができる。その結果、被膜8による接続信頼性を確保することができる。
【0033】
上述した実施の形態では、例えば、配線層2a,2b,3a,3bは回路を実現している。また、被膜8やメッキ層40を銅メッキで形成する場合を例に説明したが、銅メッキ以外のメッキを施しても良い。上述した一連の実装工程は一例を示したものであって、本発明はプリント基板の製造方法であるフルアディティブ工法やパートリアディティブ工法にも適用することができ、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、上述した実施の形態における基板1の厚さや孔径等は一例を示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板実装方法の第1の実施の形態を説明する図であり、電子部品が実装された基板のスルーホール部分の断面図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】基板1の断面図である。
【図4】スルーホール形成工程を示す図である。
【図5】触媒処理工程を示す図である。
【図6】回路パタン形成工程を示す図である。
【図7】ソルダーレジスト形成工程を示す図である。
【図8】ピン挿入工程を示す図である。
【図9】比較例を示す断面図である。
【図10】図9のB−B断面図である。
【図11】スルーホール内径が小さい場合に発生し得る状況を示した模式図である。
【図12】第2の実施の形態におけるメッキ層40の形成工程を説明する図である。
【図13】ピン挿入工程を示す図である。
【図14】第2の実施の形態の実装方法により形成された基板1の断面を示す図である。
【図15】図14のD−D断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2a,2b,3a,3b 配線層
5 ソルダーレジスト
6,31,41 スルーホール
7 ピン
8 被膜
20 触媒層
30,40 メッキ層
30a 導電性異物
d2 ギャップ最大寸法
Claims (4)
- プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法であって、
回路が形成された基板に、金属メッキが施されていないスルーホールを前記回路を貫通するように形成する第1の工程と、
前記第1の工程で形成されたスルーホールに前記電子部品のプレスフィットピンを挿入する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記スルーホールの壁面を含む所定基板領域および前記ピンの表面に導電性材料による被膜を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする電子部品の基板実装方法。 - プレスフィットピンを有する電子部品の基板実装方法であって、
回路が形成された基板に、導電性被膜が形成されたスルーホールを前記回路を貫通するように形成する第1の工程と、
前記第1の工程で形成されたスルーホールに前記電子部品のプレスフィットピンを挿入する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記スルーホールの壁面を含む所定基板領域および前記ピンの表面に導電性材料による被膜を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする電子部品の基板実装方法。 - 請求項2に記載の基板実装方法において、
前記第1の工程における導電性被膜の厚さを、前記第3の工程における導電性被膜の厚さよりも薄くしたことを特徴とする基板実装方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の基板実装方法において、
前記ピンの前記スルーホール壁面に接触していない面と前記スルーホールとのギャップ最大寸法が前記基板の厚さの0.1倍以上となるように、前記基板の厚さおよび前記スルーホールの孔径を設定したことを特徴とする基板実装方法。
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-
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- 2002-12-19 JP JP2002367840A patent/JP2004200448A/ja active Pending
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