JP2014209605A5 - - Google Patents

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実施形態に係る基板処理装置は、
基板を平面内で支持する支持部と、
前記支持部により支持された前記基板の表面に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
前記支持部により支持された前記基板の上方に位置し、前記基板の中心から周縁に並ぶように設けられ、前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に処理液をそれぞれ吐出する複数本のノズルと、
前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に形成される前記処理液の液膜の厚さに応じて、前記複数本のノズルにそれぞれ異なる吐出タイミングで前記処理液を吐出させる制御部とを備える。
実施形態に係る基板処理方法は、
基板を平面内で回転させる工程と、
回転している前記基板の表面に、その基板の表面に形成される処理液の液膜の厚さに応じて、前記基板の上方に位置し前記基板の中心から周縁に並ぶ複数本のノズルからそれぞれ異なる吐出タイミングで処理液を吐出する工程と、
を有する。

Claims (12)

  1. 基板を平面内で支持する支持部と、
    前記支持部により支持された前記基板の表面に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
    前記支持部により支持された前記基板の上方に位置し、前記基板の中心から周縁に並ぶように設けられ、前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に処理液をそれぞれ吐出する複数本のノズルと、
    前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に形成される前記処理液の液膜の厚さに応じて、前記複数本のノズルにそれぞれ異なる吐出タイミングで前記処理液を吐出させる制御部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記複数本のノズルのうち第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液の液膜における前記第１のノズルより外周側に位置する第２のノズルの下方の膜厚が所定厚さ以下である場合、前記第２のノズルに前記処理液を吐出させ、
    前記所定厚さは、前記第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液が、前記第２のノズルから前記基板の表面に供給された処理液によって前記基板の表面に滞留する液量を所定量以下とする厚さであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記液膜の厚さを測定する膜厚測定部をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記複数本のノズルに前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で前記処理液を吐出させることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記複数本のノズルから吐出する前記処理液の温度は前記ノズルごとに変えられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記複数本のノズルから吐出する前記処理液の濃度は前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で高くされていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 基板を平面内で回転させる工程と、
    回転している前記基板の表面に、その基板の表面に形成される処理液の液膜の厚さに応じて、前記基板の上方に位置し前記基板の中心から周縁に並ぶ複数本のノズルからそれぞれ異なる吐出タイミングで処理液を吐出する工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  8. 前記処理液を吐出する工程では、前記複数本のノズルのうち第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液の液膜における前記第１のノズルより外周側に位置する第２のノズルの下方の膜厚が所定厚さ以下である場合、前記第２のノズルから前記処理液を吐出し、
    前記所定厚さは、前記第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって流れる処理液が、前記第２のノズルから前記基板の表面に供給された処理液によって前記基板の表面に滞留する液量を所定量以下とする厚さであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記液膜の厚さを測定する工程をさらに有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記処理液を吐出する工程では、前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  11. 前記処理液を吐出する工程では、前記処理液の温度を前記ノズルごとに変えて前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  12. 前記処理液を吐出する工程では、前記処理液の濃度を前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で高くして前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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