CN105103268B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105103268B
CN105103268B CN201480019122.3A CN201480019122A CN105103268B CN 105103268 B CN105103268 B CN 105103268B CN 201480019122 A CN201480019122 A CN 201480019122A CN 105103268 B CN105103268 B CN 105103268B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mentioned
treatment fluid
nozzle
periphery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480019122.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105103268A (zh
Inventor
林航之介
大田垣崇
长岛裕次
矶明典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of CN105103268A publication Critical patent/CN105103268A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105103268B publication Critical patent/CN105103268B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

实施方式的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，在平面内支承基板(W)；旋转机构(5)，以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴，使支承部(4)旋转；多个喷嘴(6a，6b和6c)，设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面；控制部(9)，根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴(6a，6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中，将处理液(例如，抗蚀剂剥离液或清洗液等)供给至晶片或液晶基板等基板的表面并对基板表面进行处理的装置。在该基板处理装置中，一种进行自旋(spin)处理的基板处理装置被提出(例如，参考专利文献1)，该自旋处理使基板以水平状态旋转，将处理液从与此基板表面的中央对置的一个喷嘴供给至基板表面，通过由旋转所产生的离心力使此处理液扩散至基板表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2002－336761号公报
发明所要解决的课题
在上述的基板处理装置中，向基板中心附近供给新的处理液(新鲜的处理液)，但供给至基板中心附近的处理液由于离心力而流向基板周缘部，因此，变成了向基板周缘部供给已进行了反应或者污染的处理液(旧的处理液)。因此，在基板中心部和基板周缘部，处理上产生差异。为了抑制该处理差异，继续供给处理液直到基板周缘部的处理结束，但与之相应地，处理时间变长，而且处理液的消耗量也变大。
发明内容
本发明所要解决的课题是提供一种能够实现处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减的基板处理装置以及基板处理方法。
实施方式的基板处理装置具备：支承部，在平面内支承基板；旋转机构，以与通过支承部支承的基板的表面相交的轴为旋转轴，使支承部旋转；多根喷嘴，设置为从通过支承部支承的基板的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构而旋转的支承部上的基板的表面；以及控制部，根据形成于通过旋转机构而旋转的支承部上的基板表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴分别以不同的排出定时排出处理液。。
实施方式的基板处理方法具有：使基板在平面内旋转的工序；以及根据形成于旋转的基板表面的处理液的液膜厚度，从自基板的中心向周缘排列的多根喷嘴，分别以不同的排出定时排出处理液的工序。
发明的效果
根据本发明，能够实现处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减。
附图说明
图1为表示第一实施方式的基板处理装置的示意构成的图。
图2为表示第一实施方式的各喷嘴的排出定时的时间图。
图3为表示第一实施方式的晶片半径位置与接触角的关系的曲线图。
图4为表示第二实施方式的各喷嘴的排出定时的时间图。
图5为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第一说明图。
图6为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第二说明图。
图7为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第三说明图。
图8为放大表示第二实施方式的外周喷嘴的下部的液膜厚的图。
图9为表示第二实施方式的外周喷嘴的下部的液膜厚与残留粒子数的关系的曲线图。
图10为表示第三实施方式的基板处理装置的示意构成的图。
图11为用于说明第三实施方式的喷嘴配置的说明图。
图12为用于说明其他实施方式的喷嘴排出顺序的说明图。
具体实施方式
(第一实施方式)
参照图1～图3对第一实施方式加以说明。
如图1所示，第一实施方式的基板处理装置1具备：作为处理室的处理箱2；杯体3，设于此处理箱2内；支承部4，在此杯体3内以水平状态支承基板W；旋转机构5，使此支承部4在水平面内旋转。而且，基板处理装置1具备：多根喷嘴6a、6b以及6c，将处理液分别供给至支承部4上的基板W的表面；摆动机构7，支承这些喷嘴6a、6b以及6c并且使其移动到处理位置和待机位置；供液部8，将处理液供给至各喷嘴6a、6b和6c；控制部9，对各部进行控制。
杯体3形成圆筒形状，从周围包围支承部4并将其容纳于内部。杯体3的周壁的上部朝径向内侧倾斜，以支承部4上的基板W露出的方式开口。该杯体3接收从旋转的基板W上流下或者飞散的处理液。另外，在杯体3的底部设有用于排出所接收的处理液的排出管(未作图示)。
支承部4位于杯体3内的中央附近，被设为可在水平面内旋转。该支承部4具有多个销等支承部件4a，通过这些支承部件4a，可拆装地保持晶片或液晶基板等基板W。
旋转机构5具有连结于支承部4的旋转轴和作为使其旋转轴旋转的驱动源的发动机(均未作图示)等，通过发动机的驱动，介由旋转轴使支承部4旋转。该旋转机构5与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
各喷嘴6a、6b和6c沿着支承部4上的基板W的表面，从其基板W的中心朝向周缘排列，并被设置为位于支承部4上的基板W的表面上方。这些喷嘴6a、6b以及6c将由供液部8供给的处理液从支承部4上的基板W的上方朝向旋转中的基板W的表面排出，并供给至此基板表面。另外，在图1中，喷嘴根数是三根，但该根数是举例示出的，而并不限于此。
作为第一喷嘴的喷嘴6a设于与支承部4上的基板W的表面的中心附近对置的位置，作为第二喷嘴的喷嘴6b设于与支承部4上的基板W的表面的半径方向的中央附近对置的位置。此外，作为第三喷嘴的喷嘴6c设于与支承部4上的基板W的表面的周缘附近对置的位置。
在此，各喷嘴6a、6b和6c配置于沿着支承部4上的基板W的表面在半径方向上延伸的一条直线上。不过，这些喷嘴6a、6b以及6c的配置并不限于一条直线上，例如，可以以跨该条直线的方式交替配置，也可以分别配置于基板W的表面中直径不同的三个圆的圆周上。
另外，作为各喷嘴6a、6b和6c，理想的是：使用排出口径的直径为1mm以上的喷嘴(各喷嘴6a、6b和6c的排出口径彼此可以相同也可以不同)，此外，相对于基板W的表面的排出角度为90度以下。而且，理想的是：将各喷嘴6a、6b和6c与基板W的表面的分开距离设为3mm以上。
此外，在基板W的背面也需要处理的情况下，即在处理基板W的两面的情况下，除了上述的各喷嘴6a、6b和6c，例如，也可以在支承部4内设置朝向支承部4上的基板W的背面排出处理液的喷嘴，并从此喷嘴将处理液供给至旋转中的基板W的背面的中央。
摆动机构7包括：保持各喷嘴6a、6b和6c的保持头7a；沿着支承部4上的基板W的表面可移动地支承此保持头7a和各喷嘴6a、6b和6c的臂7b；在水平面内可旋转地支承此臂7b的支柱7c。该摆动机构7与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
在此，通过上述摆动机构7，各喷嘴6a、6b和6c例如移动到向与支承部4上的基板W的表面对置的处理位置和从此处理位置退避并能够进行支承部4上的基板W的设置以及搬出的待机位置。
供液部8具备储存处理液的储存箱或作为驱动源的泵、作为调整供给量的调整阀的阀(均未作图示)等，通过泵的驱动将处理液供给至各喷嘴6a、6b和6c。该供液部8与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
在此，作为处理液，例如，可以使用臭氧水或氢氟酸(HF)、超纯水(DIW)等，也能够根据处理内容使用其他各种处理液。
控制部9具备集中控制各部的微型计算机和存储关于基板处理的基板处理信息或各种程序等的存储部。该控制部9基于基板处理信息或各种程序来控制旋转机构5和供液部8等，进行从各喷嘴6a、6b和6c对旋转中的支承部4上的基板W的表面排出并供给由供液部6供给的处理液的基板处理的控制。
在基板处理中，控制部9进行使各喷嘴6a、6b和6c以从基板W的中心朝向周缘的顺序排出处理液的控制。若详细记述，则控制部9控制与喷嘴6a相连的配管中途的开闭阀、与喷嘴6b相连的配管中途的开闭阀以及与喷嘴6c相连的配管中途的开闭阀(均未作图示)各自的开闭状态，以从基板W的中心朝向周缘的顺序使各开闭阀成为开状态，使各喷嘴6a、6b和6c排出处理液。
在此，如图2所示，作为第一喷嘴6a的喷嘴1以规定间隔打开(排出)。在该喷嘴1从打开变为关闭的定时，作为第二喷嘴6b的喷嘴2打开。同样地，在喷嘴2从打开变为关闭的定时，作为第三喷嘴6c的喷嘴3打开。这样一来，处理液以从基板W的中心朝向周缘的顺序，即以喷嘴1、喷嘴2以及喷嘴3的顺序从各喷嘴6a、6b和6c被排出，并被供给至旋转中的基板W的表面。另外，各喷嘴6a、6b和6c在上述打开的时间内，以预先设定的时间间歇地排出处理液。
这样一来，处理液以从基板W的中心朝向周缘的顺序从各喷嘴6a、6b和6c间歇地被排出，并被供给至旋转的基板W的表面。从喷嘴6a供给至基板中心附近的处理液通过离心力流向基板周缘部，同样地，从喷嘴6b供给至基板半径中央附近的处理液也通过离心力流向基板周缘部。此外，从喷嘴6c供给至基板周缘附近的处理液也通过离心力流向基板周缘部。由此，基板W的表面在基板处理过程中通过处理液被覆盖。
此时，除了基板中心附近，新的处理液(新鲜的处理液)也被供给至基板半径中央附近或基板周缘附近。在处理液仅被供给至基板中心附近的情况下，进行了反应或者污染的处理液(旧的处理液)被供给至基板半径中央附近或基板周缘附近。但是，在处理液除了基板中心附近还直接被供给至基板半径中央附近或基板周缘附近的情况下，新的处理液(新鲜的处理液)也被供给至基板半径中央附近或基板周缘附近。由此，抑制在基板中心部和基板周缘部处理产生差异。此外，基板W的表面处理(例如，刻蚀或洗净度等)的均匀性提高。
在此，图3中，曲线图A1为仅从喷嘴6a供给处理液的情况的结果(参照白圈)，曲线图A2为以如上所述的顺序从各喷嘴6a、6b和6c间歇地供给处理液的情况的结果(参照黑圈)。在曲线图A2中，接触角(deg)与曲线图A1相比变小(接触角越小，处理越在进行)。特别是，作为圆形的基板W的晶片的半径位置在200mm附近，接触角变小为1/2或2/3左右。另外，晶片的直径例如为450mm。
因此，如上所述，在从各喷嘴6a、6b和6c分别间歇地排出处理液并供给至基板表面的情况下，接触角的变化从曲线图A1变为曲线图A2，接触角的差(例如，最大值与最小值的差)变小，因此，可知基板中心附近和基板周缘附近的处理差等、基板W的表面的各位置处的处理差变小。像这样地通过上述的处理液供给，能够抑制处理在基板中心部和基板周缘部产生差异。
另外，处理过程中，各喷嘴6a、6b和6c的移动通过摆动机构7受到限制。由此，由于各喷嘴6a、6b和6c的移动而产生粒子，通过此粒子能够防止处理过程中的基板W被污染。
如以上所说明的，根据第一实施方式，通过从自基板W的中心向周缘排列的多个喷嘴6a、6b以及6c将处理液分别排出至旋转的基板W的表面，抑制处理在基板W的中心部和周缘部产生差异。由此，无需为了抑制此处理差，持续供给处理液直至基板周缘部的处理结束，因此，能够与之相应地缩短处理时间，而且还能够削减处理液的消耗量。这样一来，能够实现处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减。
(第二实施方式)
参照图4～图9，对第二实施方式加以说明。
第二实施方式基本上与第一实施方式相同。在第二实施方式中，对与第一实施方式的不同点(按喷嘴的排出定时)加以说明，省略其他说明。
如图4所示，第一喷嘴6a(喷嘴1)在供液开始的定时打开(排出)，自此打开定时开始经时间t1后变为关闭。而且，第一喷嘴6a自上述关闭定时开始经时间t2后变为打开，自此打开定时开始经时间t3后变为关闭。此后，第一喷嘴6a重复每隔时间t2打开时间t3的动作直至供液结束的定时。
第二喷嘴6b(喷嘴2)自第一喷嘴6a从打开变为关闭的定时开始经时间t4后变为打开，自此打开定时开始经时间t3后变为关闭。此后，第二喷嘴6b重复每隔时间t2打开时间t3的动作。此外，自第二喷嘴6b从打开变为关闭的定时开始经时间t5后，第一喷嘴6a从关闭变为打开。另外，图4中，t1≥t3、t2＝t3+t4+t5以及0≤t5≤t4的关系式成立。
这样的第一喷嘴6a(内周喷嘴)与第二喷嘴6b(外周喷嘴)的排出定时的关系为内周喷嘴与外周喷嘴的排出定时的关系。因此，此排出定时的关系也适用于第二喷嘴6b与第三喷嘴6c的排出定时的关系。即，第二喷嘴6b被设为内周喷嘴，第三喷嘴6c被设为外周喷嘴，使用与上述相同的排出定时。
接着，对基于上述排出定时的第二喷嘴6b(外周喷嘴)的排出定时，与基板W的表面上处理液的扩散一同加以说明。与第一实施方式相同地，供给处理液时，基板W在水平面内旋转。另外，为了简化说明，主要对第一喷嘴6a(内周喷嘴)和第二喷嘴6b(外周喷嘴)的排出加以说明，其内容在第二喷嘴6b(内周喷嘴)和第三喷嘴6c(外周喷嘴)的排出中也是相同的。
如图5所示，若第一喷嘴6a(喷嘴1)打开时间t1(参照图4)，规定量的处理液从第一喷嘴6a被供给至基板W的表面上。被供给至此基板W的表面上的处理液通过离心力朝向基板W的外周扩散。此时，如图6所示，基板W上的处理液以其外周部分比内周部分厚的方式呈膜状地扩散。
第一喷嘴6a从打开变为关闭时，自此定时开始经时间t4后，第二喷嘴6b(喷嘴2)从关闭变为打开(参照图4)。此时，如图7以及图8所示，第二喷嘴6b的下方(正下方附近)的处理液的膜厚变为规定厚度T以下。在该定时，第二喷嘴6b打开时间t3，规定量的处理液L从第二喷嘴6b被供给至基板W的表面上。另外，图7以及图8中的符号L表示从作为第二喷嘴6b的外周喷嘴被供给至基板W的表面上的处理液。
接着，若第二喷嘴6b从打开变为关闭，则自此定时开始经时间t5后，第一喷嘴6a从关闭变为打开(参照图4)。该第一喷嘴6a打开时间t3，规定量的处理液从第一喷嘴6a被供给至基板W的表面上。
此后，在第一喷嘴6a，时间t3的供液以时间t2的间隔重复(参照图4)。同样地，在第二喷嘴6b，时间t3的供液也是以时间t2的间隔重复。此时，如上所述，也是以第二喷嘴6b的下方的处理液的膜厚变为规定厚度T以下的定时(参照图7以及图8)，规定量的处理液L从第二喷嘴6b被供给至基板W的表面上。
控制部9通过进行基于如上所述的排出定时的排出控制，在从第一喷嘴(内周喷嘴)6a被供给至基板W的表面的处理液的液膜中第二喷嘴(外周喷嘴)6b的下方的膜厚为规定厚度T以下的情况下，使第二喷嘴6b排出处理液。
上述规定厚度T是将从第一喷嘴(内周喷嘴)6a被供给至基板W的表面并通过离心力朝向基板W的外周扩散的处理液由于从第二喷嘴(外周喷嘴)6b被供给至基板W表面的处理液L而滞留的液量设为规定量以下的厚度。所谓规定量例如是滞留的处理液对于对基板W的处理不产生恶劣影响的量，优选是0(零)。另外，作为液膜厚的控制因素，包括基板W的转速或液流量、邻接喷嘴间的距离、基板W与喷嘴间的距离、液流速(例如喷嘴直径)等。
在此，例如，理想的是：规定厚度T为500μm。该数值是基于图9所示的曲线求出的。如图9所示，在外周喷嘴的下方(下部)的液膜厚为500μm以下的情况下，残留粒子数(未处理粒子数)为0个。但是，外周喷嘴的下方的液膜厚大于500μm时，存在即液厚度600μm时残留粒子数为100个、液厚度700μm时残留粒子数为1000个、液厚度800μm以上时残留粒子数为2000个这样地急激增加的倾向。因此，理想的是：规定厚度T为500μm。
在液膜厚为500μm以下的情况下，从第一喷嘴6a被供给至基板W的表面并且通过离心力朝向基板W的外周扩散的处理液由于从第二喷嘴6b被供给至基板W的表面的处理液L而滞留的液量成为规定量以下。即，在基板W的表面上朝向基板W的外周扩散的处理液的膜厚为500μm以下并且薄、液量少的情况下，若此液量少的处理液被从第二喷嘴6b供给至基板W的表面的处理液L遮挡，滞留的液量少并且成为规定量以下。该关系在第二喷嘴6b与第三喷嘴6c之间也是相同的。因此，由于分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉、这些处理液的流动停滞并产生沉淀的情况被抑制，所以能够切实地减少残留粒子数。
另一方面，在液膜厚比500μm大的情况下，从第一喷嘴6a被供给至基板W的表面并且通过离心力朝向基板W的外周扩散的处理液由于从第二喷嘴6b被供给至基板W的表面的处理液L而滞留的液量变得比规定量多。即，在基板W的表面上朝向基板W的外周扩散的处理液的膜厚比500μm厚、液量多的情况下，若此液量多的处理液被从第二喷嘴6b供给至基板W的表面的处理液L遮挡，则滞留的液量多并且超过规定量。该关系在第二喷嘴6b与第三喷嘴6c之间也是相同的。因此，由于分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉，这些处理液的流动停滞并产生沉淀，所以通过处理液实现的处理能力降低。
如以上说明地，根据第二实施方式，能够获得与第一实施方式相同的效果。即，根据基板W的表面上的处理液的液膜厚度，使各喷嘴6a、6b和6c分别在不同的排出定时排出处理液，由此，能够抑制分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉。因此，能够抑制分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉，这些处理液的流动停滞并产生沉淀。所以，不需要为了抑制由处理液的沉淀的产生所引起的处理差，而继续供给处理液直至基板周缘部的处理结束，因此，能够与之相应地缩短处理时间，而且，也能够削减处理液的消耗量。
(第三实施方式)
参照图10以及图11对第三实施方式加以说明。
第三实施方式基本上与第二实施方式相同。在第三实施方式中，对与第二实施方式的不同点(膜厚测定部以及喷嘴配置)加以说明，省略其他说明。
如图10所示，在第三实施方式中，设有对基板W上的处理液的膜厚(液膜的厚度)进行测定的膜厚测定部10。膜厚测定部10位于比第二喷嘴6b靠近基板W的内周侧且第二喷嘴6b附近，设于第一喷嘴6a和第二喷嘴6b之间。该膜厚测定部10与控制部9电连接，测定喷嘴6b下方(正下方附近)的基板W上的处理液的膜厚，将此测定结果输入至控制部9。另外，图10中的符号L表示从作为第二喷嘴6b的外周喷嘴供给至基板W的表面上的处理液。
作为膜厚测定部10，例如能够使用激光变位计或激光干渉计等。此外，膜厚测定部10的个数也不特别限定，也可以将膜厚测定部10设于比第三喷嘴6c靠近基板W的内周侧且第三喷嘴6c附近，并用于第三喷嘴6c的排出定时用。
控制部9基于膜厚测定部10的测定结果，调整从第二喷嘴6b排出处理液的定时。例如，在从第一喷嘴6a开始供液后，通过膜厚测定部10测定的处理液的膜厚变为规定厚度T(例如，500μm)以下的情况下，控制部9使第二喷嘴6b排出处理液。此时的排出定时为基于膜厚的实测值的定时，能够使排出定时的精度提高。
如图11所示，各喷嘴6a、6b和6c被设为这些喷嘴中存在于最内周侧的喷嘴6a与外周侧的喷嘴6c之间的喷嘴6b的排出口从通过最内周侧的喷嘴6a的排出口和外周侧的喷嘴6c的排出口的假想直线L1上偏离，并不位于此假想直线L1上。而且，喷嘴6b被设为从假想直线L1向旋转方向L2偏离规定距离。由此，能够抑制分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉，并能够切实地抑制这些处理液的流动停滞并产生沉淀。
如以上说明地，根据第三实施方式，能够获得与第二实施方式相同的效果。而且，通过测定基板W的表面上的处理液的膜厚，能够根据所测定的膜厚，使各喷嘴6a、6b和6c以分别不同的排出定时排出处理液。由此，能够切实地抑制分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉，并能够抑制这些处理液的流动停滞并产生沉淀。
此外，设置各喷嘴6a、6b和6c，使各喷嘴6a、6b和6c中存在于最内周侧的喷嘴6a与外周侧的喷嘴6c之间的喷嘴6b的排出口从通过最内周侧的喷嘴6a的排出口和外周侧的喷嘴6c的排出口的假想直线L1上偏离，由此，能够切实地抑制分别从各喷嘴6a、6b和6c供给的处理液在基板W的表面上干渉。
此外，在不设置喷嘴6a，仅存在各喷嘴6b以及6c的情况下，设置各喷嘴6b以及6c，使这些喷嘴6b以及6c中存在于基板中央与外周侧的喷嘴6c之间的喷嘴6b的排出口从通过基板中央和外周侧的喷嘴6c的排出口的假想直线上偏离，由此，能够切实地抑制分别从各喷嘴6b以及6c供给的处理液在基板W的表面上干渉。
(其他实施方式)
在上述的第一或第二实施方式中，以从各喷嘴6a、6b和6c分别不同的排出定时、即从基板W的中心朝向周缘的顺序，从各喷嘴6a、6b和6c排出处理液，但并不限于此，例如，也可以改变其顺序，可以以从上述相反的周缘朝向中心的顺序，从各喷嘴6a、6b和6c排出处理液，此外，也可以在处理过程中改变其顺序。不过，为了防止基板W的表面干燥，理想的是：从与支承部4上的基板W表面的中心附近对置的喷嘴6a最先排出处理液。
例如，在通过HF进行的刻蚀处理结束，并进行使用臭氧水的亲水化处理的工序中，如图12所示，以喷嘴6a→喷嘴6b→喷嘴6c→喷嘴6a→喷嘴6b→喷嘴6c…的方式重复从基板W的内周侧向外周侧的顺序，进行间歇排出，能够使基板W的整个面亲水化。此外，以喷嘴6a→喷嘴6b→喷嘴6c→喷嘴6b→喷嘴6a…的方式重复从基板W的内周侧向外周侧再从外周侧向内周侧的顺序，进行间歇排出，也能够使基板W的整个面亲水化。无论哪种情况，通过在内周以及外周重复顺序，能够始终供给新鲜的臭氧水，因此，能够使基板W的整个面亲水化。另外，所谓新鲜的臭氧水是溶于臭氧水中的臭氧气化而未脱出的液体。
另一方面，例如，在通过HF对存在于基板W表面的氧化膜进行刻蚀时，能够以喷嘴6c→喷嘴6b→喷嘴6a→喷嘴6b→喷嘴6c…的方式重复从基板W的外周侧向内周侧再从内周侧向外周侧的顺序，对基板W的外周部进行刻蚀之后依次间歇地排出。或者，将喷嘴6a以及喷嘴6b设为A组，能够以A组→喷嘴6c→A组→喷嘴6c…的方式进行向基板W的中心部附近的间歇排出，并在其中心部的刻蚀后仅对基板W的外周部进行刻蚀。而且，将喷嘴6b以及喷嘴6c设为B组，能够以B组→喷嘴6a→B组→喷嘴6a…的方式重复从基板W的外周侧向内周侧并且从内周侧向外周侧的顺序，在对基板W的外周部进行刻蚀之后依次进行间歇排出。
另外，在A组中，重复喷嘴6a和喷嘴6b的排出切换，喷嘴6a以及6b均进行间歇排出。此外，在B组中也重复喷嘴6b和喷嘴6c的排出切换，喷嘴6b以及6c均进行间歇排出。不过，也不一定需要进行间歇排出，也可以进行连续排出。
如上所述，在存在基板W的表面上的氧化膜、即处理对象膜的情况下，能够根据处理对象膜的厚度使用各种顺序。例如，在处理对象膜的外周部比内周部厚的情况下，使用积极地向外周部供给处理液的顺序。另一方面，在处理对象膜的内周部比外周部厚的情况下，使用积极地向内周部供给处理液的顺序。
此外，在上述第一或第二实施方式中，相对于基板W的表面几乎垂直地设有各喷嘴6a、6b和6c，但并不限于此，可以相对于基板W的表面倾斜地设置，例如，也可以使其向基板W的旋转方向的上游侧倾倒。
此外，在上述第一或第二实施方式中，作为从各喷嘴6a、6b和6c排出的处理液，使用相同的处理液，但并不限于此，例如，也可以以从基板W的中心朝向周缘的顺序或者从相反的周缘朝向中心的顺序提高从各喷嘴6a、6b和6c排出的处理液的浓度。此外，由于越接近基板W的外周侧圆周速度越快，因此，也可以以从基板W的中心朝向周缘的顺序提高从各喷嘴6a、6b和6c排出的处理液的温度。即，由于越接近基板W的外周侧圆周速度越快，因此，基板W的温度与中心部相比外周更低，所以，理想的是：提高供给至外周的处理液的温度。在像这样地调整处理液的浓度或温度的情况下，能够进一步抑制上述处理差，因此，能够促进处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减。
在此，作为提高处理液的浓度的手段，例如，包括将浓度不同的处理液储存于分别不同的储存箱，并从这些储存箱单独地向各喷嘴6a、6b和6c供给处理液的手段。而且，还包括通过在连接各喷嘴6a、6b和6c的各配管的中途连接供给纯水等的配管，并将此纯水混合至处理液来改变各处理液的浓度的手段。此外，作为改变处理液的温度的手段，例如，包括在各喷嘴6a、6b和6c连接供给温度不同的处理液的配管的手段。
以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子公开的，其意图并不在于限定发明的范围。例如，第一处理液和第二处理液等的供给是以各自的供给时间不重叠的实施方式来说明的，但也可以部分重叠。此外，上述这些新颖的实施方式能够通过其他的各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围和主旨中，并包含于权利要求书中所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
支承部，在平面内支承基板；
旋转机构，以与通过上述支承部支承的上述基板的表面相交的轴为旋转轴，使上述支承部旋转；
多根喷嘴，位于通过上述支承部支承的上述基板的上方，设置为从上述基板的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过上述旋转机构而旋转的上述支承部上的基板的表面；以及
控制部，根据在通过上述旋转机构而旋转的上述支承部上的基板的表面形成的上述处理液的液膜厚度，使上述多根喷嘴分别以不同的排出定时排出上述处理液，
从上述多根喷嘴中的第一喷嘴供给至上述基板的表面并且通过离心力朝上述基板的外周扩散的上述处理液的液膜中、位于比上述第一喷嘴靠近外周侧的第二喷嘴的下方的膜厚为规定厚度以下的情况下，上述控制部使上述第二喷嘴排出上述处理液，
上述规定厚度是将从上述第一喷嘴供给至上述基板的表面并且通过离心力朝上述基板的外周扩散的处理液由于从上述第二喷嘴供给至上述基板的表面的处理液而滞留于上述基板的表面的液量设为规定量以下的厚度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备测定上述液膜的厚度的膜厚测定部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部使上述多根喷嘴以从上述基板的中心朝向周缘的顺序或从上述基板的周缘朝向中心的顺序排出上述处理液。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从上述多根喷嘴排出的上述处理液的温度按上述喷嘴而被改变。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从上述多根喷嘴排出的上述处理液的浓度以从上述基板的中心朝向周缘的顺序或者从上述基板的周缘朝向中心的顺序被提高。
6.一种基板处理方法，其特征在于，具有：
使基板在平面内旋转的工序；以及
在旋转的上述基板的表面，根据在该基板的表面形成的处理液的液膜厚度，从位于上述基板的上方且自上述基板的中心向周缘排列的多根喷嘴，分别以不同的排出定时排出处理液的工序，
在排出上述处理液的工序中，从上述多根喷嘴中的第一喷嘴供给至上述基板的表面并且通过离心力朝上述基板的外周扩散的上述处理液的液膜中、位于比上述第一喷嘴靠外周侧的第二喷嘴的下方的膜厚为规定厚度以下的情况下，从上述第二喷嘴排出上述处理液，
上述规定厚度是将从上述第一喷嘴供给至上述基板的表面并且通过离心力朝上述基板的外周流动的处理液由于从上述第二喷嘴供给至上述基板的表面的处理液而滞留于上述基板的表面的液量设为规定量以下的厚度。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
还具有测定上述液膜的厚度的工序。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在排出上述处理液的工序中，以从上述基板的中心朝向周缘的顺序或者从上述基板的周缘朝向中心的顺序，从上述多根喷嘴排出上述处理液。
9.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在排出上述处理液的工序中，按上述喷嘴改变上述处理液的温度，从上述多根喷嘴排出上述处理液。
10.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在排出上述处理液的工序中，以从上述基板的中心朝向周缘的顺序或者从上述基板的周缘朝向中心的顺序提高上述处理液的浓度，从上述多根喷嘴排出上述处理液。
CN201480019122.3A 2013-03-29 2014-03-25 基板处理装置以及基板处理方法 Active CN105103268B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013073877 2013-03-29
JP2013-073877 2013-03-29
JP2014060462A JP6203098B2 (ja) 2013-03-29 2014-03-24 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014-060462 2014-03-24
PCT/JP2014/058241 WO2014157180A1 (ja) 2013-03-29 2014-03-25 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105103268A CN105103268A (zh) 2015-11-25
CN105103268B true CN105103268B (zh) 2017-11-17

Family

ID=51624151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480019122.3A Active CN105103268B (zh) 2013-03-29 2014-03-25 基板处理装置以及基板处理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10325787B2 (zh)
EP (1) EP2980833A4 (zh)
JP (1) JP6203098B2 (zh)
KR (2) KR101867250B1 (zh)
CN (1) CN105103268B (zh)
TW (1) TWI508138B (zh)
WO (1) WO2014157180A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6478692B2 (ja) * 2015-02-18 2019-03-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN109037111B (zh) 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP6361071B2 (ja) * 2015-02-25 2018-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6517113B2 (ja) * 2015-08-28 2019-05-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および吐出ヘッド
JP6563762B2 (ja) * 2015-09-29 2019-08-21 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20180013327A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN106065495B (zh) * 2016-08-17 2018-10-23 上海大族新能源科技有限公司 扩散源涂覆装置
KR101870650B1 (ko) 2016-08-25 2018-06-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6814653B2 (ja) * 2017-02-09 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6842952B2 (ja) * 2017-02-28 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7040871B2 (ja) * 2017-07-28 2022-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法
JP7202106B2 (ja) * 2018-08-31 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102174065B1 (ko) * 2018-12-28 2020-11-04 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN112233996A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法
JP7344720B2 (ja) * 2019-09-03 2023-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置
JP2021077702A (ja) 2019-11-06 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7093390B2 (ja) * 2020-10-15 2022-06-29 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP2022169174A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20230150084A1 (en) * 2021-11-18 2023-05-18 Sandisk Technologies Llc Wafer surface chemical distribution sensing system and methods for operating the same
TW202406634A (zh) * 2022-04-28 2024-02-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US20240050993A1 (en) * 2022-08-09 2024-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Onsite cleaning system and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101727009A (zh) * 2008-10-21 2010-06-09 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6025012A (en) * 1995-09-20 2000-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate
JP2000153210A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Hitachi Ltd 回転基板処理装置
JP2002336761A (ja) 2001-05-21 2002-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
JP3754322B2 (ja) * 2001-05-24 2006-03-08 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
TW594421B (en) 2002-01-30 2004-06-21 Toshiba Corp Film forming method/device, image-forming method and semiconductor device manufacturing method
JP4312997B2 (ja) * 2002-06-04 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びノズル
JP2004237157A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転塗布装置
JP4443393B2 (ja) * 2004-11-29 2010-03-31 東京応化工業株式会社 塗布装置、塗布方法および被膜形成装置
JP4954610B2 (ja) * 2005-06-10 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 塗布装置、塗布方法及び半導体装置の作製方法
US7770535B2 (en) 2005-06-10 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chemical solution application apparatus and chemical solution application method
JP2007220956A (ja) 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007313439A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Hitachi High-Technologies Corp 樹脂塗布装置及び樹脂塗布方法
JP5096849B2 (ja) 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5312879B2 (ja) * 2008-09-02 2013-10-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010239013A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP4897070B2 (ja) * 2009-06-08 2012-03-14 パナソニック株式会社 機能膜製造方法
KR101353661B1 (ko) * 2009-06-19 2014-01-20 다즈모 가부시키가이샤 기판용 도포 장치
US20130034966A1 (en) 2011-08-04 2013-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") Chemical dispersion method and device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101727009A (zh) * 2008-10-21 2010-06-09 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6203098B2 (ja) 2017-09-27
US20160071746A1 (en) 2016-03-10
EP2980833A1 (en) 2016-02-03
TW201508815A (zh) 2015-03-01
TWI508138B (zh) 2015-11-11
US10325787B2 (en) 2019-06-18
KR20150119186A (ko) 2015-10-23
JP2014209605A (ja) 2014-11-06
WO2014157180A1 (ja) 2014-10-02
CN105103268A (zh) 2015-11-25
EP2980833A4 (en) 2016-08-10
KR101867250B1 (ko) 2018-06-12
KR20170087524A (ko) 2017-07-28
KR101762054B1 (ko) 2017-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105103268B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN101414132B (zh) 显影装置
KR100654698B1 (ko) 기판의 처리방법 및 그 장치
CN105051869B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN101075553B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
CN1737692B (zh) 显像装置和显像方法
KR100706666B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드
CN105404102B (zh) 显影方法和显影装置
TWI629088B (zh) 除氧裝置及基板處理裝置
US10864530B2 (en) Coating apparatus and method of forming coating film
US20130089664A1 (en) Coating method and coating apparatus
CN107123610A (zh) 基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法
JP5399678B2 (ja) レジスト剥離装置
KR102186415B1 (ko) 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체
JP6325919B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4357225B2 (ja) 基板処理装置
KR101041455B1 (ko) 약액 분배기, 이를 갖는 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 약액 분배 방법
TWI567847B (zh) 晶圓清洗裝置及晶圓清洗方式
JP2008253893A (ja) 基板処理装置
CN110192267B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP6376863B2 (ja) 基板処理装置
JP2020102508A (ja) 基板処理装置
JP2014054618A (ja) スリットノズル及び塗布装置及び塗布方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant