JP2017152686A5 - - Google Patents

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本発明の一形態にかかる基板処理装置は、
基板を支持する基板支持部と、
前記基板を回転させる回転部と、
前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記回転部により前記基板を回転させながら、前記処理液供給部が前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液が基板上から排出される際の排液速度を上げる排液処理を行う、制御部と、を備える。
本発明の他の形態にかかる基板処理方法は、
基板を回転させることと、
前記基板の表面に処理液を供給することと、
前記基板に対向配置されたヒータにより前記基板を加熱することと、
前記基板を回転させながら、前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記回転の回転速度を上げること、前記処理液の供給量を増加させること、及び前記基板と前記ヒータとの間の隙間を狭めること、のいずれか１以上の処理により前記処理液が前記基板上から排出される際の排液速度を上げることと、を備える。
本発明の他の形態にかかる基板の製造方法は、
基板を回転させることと、
前記基板の表面に処理液を供給することと、
前記基板に対向配置されたヒータにより前記基板を加熱することと、
前記基板を回転させながら、前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記回転の回転速度を上げること、前記処理液の供給量を増加させること、及び前記基板と前記ヒータとの間の隙間を狭めること、のいずれか１以上の処理により前記処理液が前記基板上から排出される際の排液速度を上げることと、を備える。

Claims (11)

  1. 基板を支持する基板支持部と、
    前記基板を回転させる回転部と、
    前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記回転部により前記基板を回転させながら、前記処理液供給部が前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液が基板上から排出される際の排液速度を上げる排液処理を行う、制御部と、を備える基板処理装置。
  2. 前記基板支持部に支持された前記基板の表面に対向配置され、前記基板を加熱するヒータをさらに有し、
    前記制御部は、前記排液処理として、前記基板と前記ヒータとの間の隙間を狭めるギャップ調整部を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記排液処理として、前記回転部による前記基板の回転速度を上げる回転速度調整部を備える請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記排液処理として、前記処理液供給部による前記基板に供給する前記処理液の流量を増加させる液量調整部を備える請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記基板処理の最中に、前記排液処理を定期的に行い、
    前記基板処理の終了直前に前記排液処理を行う、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記排液処理の１回あたりの時間は、前記基板処理における通常処理の１回あたりの時間よりも短い請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記排液処理は、前記基板処理の最中において複数回行われる請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 複数回の前記排液処理は、１回あたりの時間が一定の同じ時間である請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記基板処理は通常処理と前記排液処理とを含み、
    前記基板処理の処理予定時間Ａを、前記通常処理と前記排液処理とを１セットとした時間Ｔで除算すると余りが生じる場合、前記排液処理が行われる時間は変えずに前記通常処理の時間を調整する請求項１乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
  10. 基板を回転させることと、
    前記基板の表面に処理液を供給することと、
    前記基板に対向配置されたヒータにより前記基板を加熱することと、
    前記基板を回転させながら、前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記回転の回転速度を上げること、前記処理液の供給量を増加させること、及び前記基板と前記ヒータとの間の隙間を狭めること、のいずれか１以上の処理により前記処理液が前記基板上から排出される際の排液速度を上げることと、を備える基板処理方法。
  11. 基板を回転させることと、
    前記基板の表面に処理液を供給することと、
    前記基板に対向配置されたヒータにより前記基板を加熱することと、
    前記基板を回転させながら、前記基板の表面に前記処理液の供給を継続して行う基板処理の最中に、予め設定された所定のタイミングで、前記回転の回転速度を上げること、前記処理液の供給量を増加させること、及び前記基板と前記ヒータとの間の隙間を狭めること、のいずれか１以上の処理により前記処理液が前記基板上から排出される際の排液速度を上げることと、を備える基板の製造方法。
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