TWI631609B - 基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

實施形態的基板處理裝置包含有：基板支撐部，支撐基板；旋轉部，使前述基板旋轉；處理液供給部，對前述基板的表面供給處理液；及控制部，在一邊使前述基板旋轉一邊進行前述處理液的供給之基板處理當中，持續處理並且在事先設定好的預定之時點，進行改變前述處理液自基板排出的排液速度之排液處理。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法
發明領域 本發明是有關於基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法。
發明背景 在半導體或液晶面板等之製程中乃使用一種基板處理裝置，藉其對晶圓或液晶基板等基板的表面供給處理液，處理基板表面(例如參考日本專利特開H09-134872號公報)。例如以處理液來說是供給光阻剝離液或洗淨液等，來進行蝕刻處理或洗淨處理。如此的基板處理已知有旋轉式的基板處理，即：使基板旋轉，從面向該基板表面而設置的噴嘴對基板表面供給處理液，且以旋轉的離心力而使處理液在基板表面擴展。在如此的基板處理中，以因應處理條件的速度排出被供給至基板的處理液，且依序供給新的處理液。
一般而言，關於基板的旋轉或處理液的供給的各種處理條件是設定為可確保基板處理的均勻性的條件。
在如此的旋轉式基板處理中，依處理條件而使處理液長時間停留在基板上，因此會在處理液發生沈澱，諸如基板上的處理液會發生有微粒析出等情況。在處理液一發生沈澱，就會造成諸如蝕刻速率或光阻除去功能、洗淨能力等的處理功能降低。為此，期望有可以確保處理功能高的基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法。
發明概要 本發明一形態之基板處理裝置，包含有：基板支撐部，支撐基板；旋轉部，使前述基板旋轉；處理液供給部，對前述基板的表面供給處理液；及控制部，在一邊使前述基板旋轉一邊進行前述處理液的供給之基板處理當中，持續處理並且在事先設定好的預定之時點，進行改變前述處理液自基板排出的排液速度之排液處理。
本發明另一形態之基板處理方法，包含有以下步驟：使基板旋轉；對前述基板的表面供給處理液；藉由面向前述基板而配置的加熱器將前述基板加熱；及在基板處理當中，在事先設定好的預定之時點，持續處理並且進行將前述旋轉的旋轉速度提高、將前述處理液的供給量增加、及將前述基板與前述加熱器間的間隙縮小之任1個以上的處理，藉此改變前述處理液自基板上排出的排液速度。
本發明另一形態之基板的製造方法，包含有以下步驟：使基板旋轉；對前述基板的表面供給處理液；藉由面向前述基板而配置的加熱器將前述基板加熱；及在基板處理當中，在事先設定好的預定之時點，持續處理並且進行將前述旋轉的旋轉速度提高、將前述處理液的供給量增加、及將前述基板與前述加熱器間的間隙縮小之任1個以上的處理，藉此改變前述處理液自基板上移動的排液速度。
依實施形態，乃可提供可以確保處理功能高的基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法。 本發明的其他目的及功效可藉以下的記載或者是透過發明的實施例清楚地呈現。並且本發明的各種目的及功效可透過所附的申請專利範圍明白揭示的構成及組合而達成。
較佳實施例之詳細說明 [第1實施形態] 以下，是參考圖1至圖3說明本發明第1實施形態之基板處理裝置及基板處理方法。圖1是顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成之說明圖，圖2是該基板處理裝置之處理流程圖。圖3是顯示加熱器的位置變化之說明圖，圖4是顯示旋轉速度的順序之線圖。在各圖中為了說明，乃適當地將構成放大、縮小或者是省略圖示。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置1包含有：構成處理室的處理室10、支撐基板W且可使之旋轉之基板支撐部20、將基板W及處理液L1加熱的加熱器30、對基板上供給處理液的處理液供給部40、承接排放液的盛杯50、及控制各部的動作的控制部60。
基板支撐部20具有：支撐基板的支撐台21、及作為使支撐台21旋轉的旋轉部的旋轉機構22。 支撐台21設於處理室10內，於其上面具有水平的載置面21a。在支撐台21的載置面21a周緣例如設有複數個固定基板且可令基板安裝及卸下的固定部23。基板支撐部20於支撐台21的載置面21a上可載置基板及令基板脫離且以水平狀態支撐晶圓或液晶基板等的基板W。
旋轉機構22連接於控制部60，藉控制部60的控制而驅動支撐台21，使其在預定的水平面上以所希望的旋轉速度旋轉。因此，基板支撐部20是構成為可調整支撐台21的旋轉速度。
加熱器30具有熱板31、及使熱板31昇降移動的昇降機構32。熱板31具有較基板W的表面Wa大的加熱面31a。熱板31藉昇降機構31所支撐，使加熱面31a配置成面向基板W的表面Wa。熱板31連接於控制部60，構成為可被調整溫度。熱板31主面的面積比基板W的面積大，在俯視時覆蓋基板W且呈現圓形。
昇降機構32連接於控制部60，藉控制部60的控制而將熱板31沿上下方向移動，且停止在預定位置。即，加熱器30是構成為可調整熱板31的上下位置。因此，構成為可調整在加熱面31a與基板W的表面Wa間所形成的間隙尺寸G。在本實施形態中，如圖3所示，熱板31可移動到定位在例如間隙尺寸為G1的第1位置、及間隙尺寸為較G1小的G2的第2位置。
例如第1位置是指基板W上面的表面Wa與加熱面31a間隔預定距離的退避位置。第2位置是指一處理位置，在該處理位置例如使加熱面31a與基板W的表面Wa間的間隙的至少一部充滿處理液L1，換言之，使處理液L1至少一部分接觸於加熱面31a。
處理液供給部40具有配置成面向支撐台21上方的噴嘴41、及連接於噴嘴的供給機構42。供給機構42具有例如將傳送至噴嘴41的處理液L1儲存的儲槽43、成為壓送處理液L1的動力源的幫浦44、形成連接儲槽43與噴嘴41的流路45之配管、及將流路45關閉的開關閥46。
另，在本實施形態中，處理液L1例如是使用磷酸水溶液、硫酸、或者是該等的混合液等的藥液。
噴嘴41貫穿熱板31的內部設置。例如噴嘴41的前端是朝向加熱面31a的中心位置且面向配置，並朝支撐台21的中央部分的上方開口。為此，噴嘴41是構成為隨著熱板31的移動而可昇降移動。
設於供給機構42的幫浦44或關關閥46是連接於控制部60，構成為可控制供給機構42的動作。因此，處理液供給部40藉控制部60而構成為可調整處理液的供給時序或供給量。
盛杯50例如是構成為圓筒形狀。盛杯50設置成覆蓋基板W的周圍及下方，承接自基板W流下來的排放液。在盛杯50設有將積存的排放液朝外部排出的排出管51。
控制部60具有控制基板處理裝置1的各種驅動部的處理器、記憶各種資訊的記憶體、及驅動各要素的驅動電路。
控制部60是連接於基板處理裝置1的旋轉機構22、昇降機構32及供給機構42。處理器是根據各種控制程式或動作條件等的資訊，為實現基板處理裝置的各種功能，而控制各部的動作。處理器是依照各種動作條件或控制程式，驅動旋轉機構22、昇降機構32及幫浦44或開關閥46等的供給機構42。
即，藉使處理器執行根據控制程式的控制處理，以處理器作為中樞部分的控制部60控制基板的旋轉動作、加熱器的昇降動作、及處理液供給動作。因此，控制部60是作為調整旋轉速度的旋轉速度調整部、調整間隙的間隙調整部、及調整處理液的供給量的液量調整部而發揮功能。在本實施形態中，控制部60是作為進行排液處理之排液部而發揮功能，即藉旋轉速度的調整，而將處理液L1自基板W上排出時的處理液L1的流速提高，即，將排液速度提高。本發明的基板處理包括：通常處理，進行在基板W的中央部與周邊部得到處理速率的均勻性之處理；及排液處理。另，本發明之排液處理係指在基板處理當中，持續進行基板處理並且將排液速度提高到比通常處理時更快速的處理。
以下，參考圖1至圖4來說明本實施形態之基板的處理方法及基板的製造方法。在此，對於基板的處理方法及基板的製造方法以一例來說，是舉對基板W上所形成的氮化膜供給作為處理液L1之磷酸水溶液而進行處理的蝕刻處理為例進行說明。又，是以氧化矽(silica)來說明析出的微粒。
在待機狀態下，熱板31退避至第1位置，足 使加熱面31a與支撐台21相隔離。例如，在待機狀態中的間隙尺寸G1是設定在150mm以上。在待機狀態下，支撐台21的旋轉是停止的。
首先，控制部60一檢測到基板處理的指示(ST1)，就安裝成為處理對象的基板W(ST2)。具體來說，將處理對象的基板W送入處理室10內，載置於支撐台21上。接著，驅動固定部23，將基板W固定。
其次，控制部60驅動旋轉機構22，使支撐台21以預定的第1旋轉速度R1旋轉(ST3)。第1旋轉速度R1是一種能確保基板處理之均勻性的旋轉速度，例如設定在300rpm以內。在本實施形態中，令R1=150rpm。
控制部60驅動加熱器30，將熱板31的溫度設定在預定的溫度。又，控制部60驅動昇降機構32，將熱板31下降，安裝在預定位置(ST4)。具體來說是將熱板31下降到第2位置。第2位置，例如是成為間隙尺寸G2的處理位置。間隙尺寸G2，例如是使供給到基板W的處理液L1充滿於間隙G的至少一部分的尺寸，例如在本實施形態中是設定為間隙尺寸G2=1.5mm。
又，控制部60驅動供給機構42，將處理液L1以預定的第1流量Q1從噴嘴41供給至基板W上(ST5)。第1流量Q1是可得到基板W處理之均勻性的流量，例如在本實施形態中是設定為Q1=0.55l/m。
進而，控制部60以預定的時序提高處理液L1自基板W被排出時的流速即排液速度V，一邊在基板處理當中進行基板處理，一邊進行促成排液之排液處理(ST6)。即，在以第1旋轉速度R1進行的處理之後，再進行以第2旋轉速度R2進行的處理，以此一邊持續處理，也能一邊進行排液處理。具體來說，定期地將旋轉速度提高到第2旋轉速度R2，以此利用離心力變大的情形，來提高處理液L1從基板W排出的排液速度V。例如第2旋轉速度R2是大於第1旋轉速度R1，設定在300rpm至600rpm範圍。
如圖4所示，排液處理的時序，例如是開始排液處理的時序是根據在基板處理的時間中因處理液L1的停滯而發生沈澱的時間，即發生微粒析出的時間來設定。例如在每一個比微粒開始析出的時間更短的一定時間進行排液處理。 又，如圖4所示，比起以第1旋轉速度R1進行基板處理(通常處理)的時間，以第2旋轉速度R2進行排液處理的時間是設定為更短。 另，微粒是在處理基板W的過程中，停留在基板W上的處理液L1所析出的反應生成物或處理對象膜等。在存在於基板W的處理液中，從處理開始之後有反應生成物或處理對象膜溶於其中，但基板W的處理時間一增長，已經有反應生成物或處理對象膜溶於其中且存在於基板W上的處理液L1，會使反應生成物或處理對象膜無法完全溶解，而成為微粒析出。以微粒的例子來說，可舉例如下，即，在藉磷酸水溶液所進行的蝕刻處理中，是指基板W上的處理液L1中析出的氧化矽等的反應生成物，或者是在藉硫酸所進行的光阻移除中，指於基板W上的處理液L1中析出的光阻等的處理對象膜的殘渣等。含有該等微粒的處理液L1留在基板W上時，將使藉處理液L所進行之對於基板W上的處理對象膜的反應速度變慢，或基板W的蝕刻的處理速率變慢，遂成為光阻除去性能惡化的原因所在。
在本實施形態中，是以每30秒各進行一次且每次5秒的排液處理。將以上的ST5至ST6的處理重複進行直至基板處理結束為止(ST7)。即，基板W在基板處理即將結束之前，藉同種類的處理液之處理液L1進行基板處理，在那當中以事先設定好的預定的時序進行排液處理。控制部60從處理開始若經過事先設定的時間，就停止處理液L1的供給，並將基板處理結束(ST8)。其次，適當地進行清洗處理。 另，重複的安裝數若已事先設定好處理預定時間A時，就將處理預定時間A除以令基板處理(通常處理)與排液處理為1組處理的時間T，以此，可事先設定為處理選單。
另，當令以第1旋轉速度R1進行處理的基板處理(通常處理)與以第2旋轉速度R2進行處理的排液處理為1組處理的時間T的N倍在超過事先設定好的處理預定時間A時，即，當將處理預定時間A除以時間T而有餘數時，就調整第N組的基板處理(通常處理)的時間，且第N組的排液處理的時間不變。舉例來說，將通常處理與排液處理分別重複2次(2組)，且令第3組的基板處理的時間為5秒，使排液處理的時間設定為5秒。如此一來，進行複數次的排液處理之每1次的時間為固定的相同時間。
在本實施形態中，從處理開始(t1)實施通常處理，以第1旋轉速度R1進行基板處理例如25秒。在以第1旋轉速度R1之處理之後開始排液處理(t2)，以第2次旋轉速度R2進行處理，經過5秒鐘，就將以第2旋轉速度R2之排液處理結束(t3)。將該基板處理(通常處理)與排液處理當作為1組，重複進行複數組直到處理結束(t4)。重複進行時，在排液處理結束後從第2旋轉速度R2減速到第1旋轉速度R1，再次進行以第1旋轉速度R1所實施的基板處理(通常處理。另，在本實施形態中，如圖4所示，在處理即將結束之前進行排液處理。 另，在本實施形態之基板處理中，處理液是持續不斷地繼續供給。即，在排液處理之中，處理液L1也是持續不斷地繼續供給。藉此，可在持續基板處理的狀態下進行排液處理。
依本實施形態之基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法，可得到如下的效果。即，藉於基板處理的途中改變旋轉速度，例如定期地將旋轉速度提高，可將處理液L1自基板W移動的排液速度提高。因此，定期地促成排液，可促進對新的處理液的替換。為此，可防止在於基板W上的處理液L1中，例如累積基板W的處理時間，使基板W上的處理對象膜的反應生成物溶解在處理液L1時之所造成的微粒析出。因此，可防止因微粒析出所造成的處理速率的降低，且可防止處理效率的降低。 又，比起以第1旋轉速度R1進行基板處理(通常處理)的時間，以第2旋轉速度R2進行排液處理的時間是設定為更短。藉此，可以第2旋轉速度下之排液處理定期地將微粒排出，可以第1旋轉速度R1一邊維持處理速率，一邊得到均勻性的處理。
在本實施形態中，構成為控制基板處理用的旋轉機構22，藉此定期地提高旋轉速度，實現排液處理，因此能利用既有的設備，無須引進新的機構，謀求處理效率的提昇。
進而，構成為在基板處理即將結束之前進行排液促進處理，因此例如在下一步驟中進行以溫度較處理液L1低的洗淨水之清洗處理，而使溫度降低等微粒容易析出之情況，也能促成處理液的替換，能有效地防止處理效率的降低。 [第2實施形態] 以下，參考圖5及圖6，說明本發明第2實施形態的基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法。圖5是顯示本實施形態之加熱器的位置的順序之線圖，圖6是顯示加熱器的位置變化之說明圖。另，在本實施形態中，對於排液處理是進行改變基板W與熱板31之間隙G之處理，但其他的裝置構成及處理順序是和上述第1實施形態同樣，因此省略共通的說明。
在本實施形態中，控制部60在基板處理中，對於排液處理，是驅動昇降機構32，以此從作為處理位置而將熱板31定位之第2位置定期地將熱板31下降，配置在第3位置。具體來說，以30秒1次、5秒鐘，在第3位置將熱板31定位而進行排液處理。
即，例如圖5所示，從初期的第1位置，將熱板31下降而定位在第2位置，供給處理液，開始進行處理(t1)。接著，以通常處理，在將熱板31配置在第2位置的狀態下進行基板處理25秒鐘之後(t2)，將熱板31從第2位置進一步降低，而移動到第3位置(t2)。然後，在已將熱板31配置在第3位置之狀態下進行排液處理5秒鐘(t3)。將該基板處理(通常處理)及排液處理作為1組，重複複數組直到處理結束(t4)。在重複時，於排液處理結束後，從第3位置將熱板31上昇到第2位置，再次於已定位在第2位置之狀態下進行基板W的處理。另，在本實施形態中，也是在基板處理即將結束(t4)之前進行排液處理。又，如圖5所示，比起將熱板31定位在第2位置而進行基板處理的時間，定位在第3位置而進行排液處理的時間是設定為更短。 另，在本實施形態之基板處理中，處理液是持續不斷地供給。即，排液處理之間，也是持續不斷地供給處理液L1。藉此，可在持續進行基板處理之狀態下進行排液處理。
如圖6所示，第3位置是將加熱面31a抵接於處理液L1至少一部分，且使基板W的表面Wa與加熱面31a間之間隙尺寸G3比G2還小，自基板W上促成處理液L1的排液之排液位置。間隙尺寸G3例如是設定為1.2mm。 藉使處理器執行根據控制程式的控制處理，以處理器作為中樞部分的控制部60控制基板的旋轉動作、加熱器的昇降動作、及處理液供給動作。因此，控制部60是作為調整旋轉速度的旋轉速度調整部、調整間隙的間隙調整部、及調整處理液的供給量的液量調整部而發揮功能。即，在本實施形態中，控制部60是作為進行藉間隙的調整而使排液速度提高之排液處理之排液部而發揮功能。
依本實施形態的基板處理裝置、基板處理方法及基板製造方法，可得到與上述第1實施形態同樣的效果。即，在基板處理的途中，定期地改變間隙G，例如定期地縮小間隙G，以此可縮小流路截面積，提高處理液自基板移動的排液速度，促成排液。因此，可防止基板上之處理液的停滯，可促進行對新的處理液的替換。為此，可防止基板上的處理液中微粒之析出而使處理效率降低的情況。又，比起將熱板31定位在第2位置後才進行基板處理(通常處理)之時間，定位在第3位置後才進行排液處理的時間設定為較短。藉此，可以第3位置上之排液處理定期地將微粒排出，可進行在第2位置一邊維持處理速率一邊獲得均勻性之處理。
在本實施形態中，是構成為使用加熱器30的昇降機構來實現排液處理，因此能利用既有的設備，無須引進新的機構，謀求處理效率的提昇。進而，構成為基板處理即將結束之前進行排液促進處理，因此例如就算在下一步驟中溫度降低等容易析出微粒的情況，也能促成處理液的替換，有效地防止處理效率的降低。 [第3實施形態] 以下，參考圖7來說明本發明第3實施形態之基板處理裝置、基板處理方法及基板之製造方法。圖7是顯示本實施形態之處理液的供給量的順序之線圖。另，在本實施形態中，對於排液處理是進行定期地增加處理液的供給量的處理，但其他的裝置構成及處理順序是和上述第1實施形態同樣，因此省略共通的說明。
在本實施形態中，控制部60在基板處理中，控制供給機構42，以此定期地增加處理液L1的供給量，作為排液處理。具體來說，從基板處理開始以預定的流量Q1供給處理液L1，定期地將流量增加到Q2。例如30秒1次、5秒鐘，來進行排液處理。
例如圖7所示，令從處理開始(t1)進行以第1流量Q1供給處理液L1之基板處理(通常處理)25秒鐘後(t2)，將流量切換成第2流量Q2，進行以第2流量Q2供給處理液L1之排液處理5秒鐘(t3)為止的步驟當作為1組，到基板W的處理結束(t4)為止重複進行複數組。在重複時，等排液處理結束後，將流量從Q2減少到Q1，再次以流量Q1供給處理液L1，進行基板W的處理。然後，在本實施形態中在基板處理即將結束之前進行排液處理。又，比起進行以第1流量Q1供給處理液L1之基板處理的時間，進行以第2流量Q2供給處理液L1的排液處理之時間是設定為更短。藉此，藉以第2流量Q2供給處理液L1之排液處理可定期地排出微粒，且可進行一邊以第1流量Q1供給處理液L1來維持處理速率，一邊得到均勻性的處理。
第2流量Q2是設定在比Q1大且可提高處理液L1之排液速度之預期流量。例如在本實施形態中是設定為Q1=0.55l/m、Q2=0.65l/m。
藉使處理器執行基於控制程式的控制處理，而使以處理器作為中樞部分之控制部60控制基板的旋轉動作、加熱器的昇降動作、處理液的供給動作。因此，控制部60是作為調整旋轉速度的旋轉速度調整部、及調整處理液的供給量之液量調整部而發揮功能。即，在本實施形態中，控制部60是作為經由調整處理液的供給量之液量調整而提高排液速度之排液處理的排液部而發揮功能。
依本實施形態之基板處理裝置、基板處理方法及基板製造方法，可得到與上述第1實施形態同樣的效果。即，在基板處理的途中，定期地增加處理液L1的流量，以此提高處理液L1自基板W移動的排液速度，可定期地促成排液。因此，可防止基板上的處理液停滯，可促進對新的處理液的替換。為此，可防止基板上的處理液中微粒的析出而使處理效率降低之情況。 比起進行以第1流量Q1供給處理液L1之基板處理(通常處理)的時間，進行以第2流量Q2供給處理液L1之排液處理的時間是設定為更短。
在本實施形態中，是構成為使用處理液的供給機構來實現排液處理，便能利用既有的設備，無須引進新的機構，謀求處理效率的提昇。進而，在基板處理即將結束之前進行排液促進處理，因此例如就算在下一步驟中溫度降低等容易析出微粒的情況，也能促成處理液的替換，有效地防止處理效率的降低。 另，在本實施形態之基板處理中，處理液是持續不斷地供給。即，在排液處理之間也持續不斷地供給處理液L1。藉此，可在持續進行基板處理之狀態下進行排液處理。
另，本發明並不限定於上述各實施形態原本樣貌，在實施階段上可將構成要素變形予以具體化。
例如也可組合複數個實施形態。即，可適時地組合以預定的時序提高旋轉速度、增加處理液的流量及縮小基板與前述加熱器的間隔之中任1個以上的處理，以此來提高處理液自基板上移動的排液速度。
又，在上述實施形態中，是顯示了讓熱板31側移動之例，但不限於此。例如也可更具有讓支撐台21昇降的昇降機構，在調整相對距離時，替代加熱器的昇降，或者是除了加熱器的昇降外，將基板昇降。又，除了支撐台21的旋轉外，熱板31也可旋轉。
另，例如上述實施形態中，對於處理液L1是舉磷酸水溶液、硫酸或者是該等的混合液等藥液為例，但並不限於此。例如也可供給純水，替代該等藥液，來進行洗淨基板的基板處理。又，將2個儲槽43連接於噴嘴41，在各儲槽43分別儲存藥液及純水，以預定的時序切換供給的液體，例如在連續地供給藥液進行基板處理之後，再供給純水進行洗淨，亦可。
以上，說明了本發明幾個實施形態，但該等實施形態只是當作例子來提示，並無限定發明範圍之意圖。該等新的實施形態可以其他各種形態實施，只要在不脫離發明旨趣的範圍內可進行各種的省略、替換、變更。該等實施形態或其變形是包括在發明的範圍或旨趣，並涵蓋於申請專利範圍所記載的發明及其均等範圍內。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧處理室
20‧‧‧基板支撐部
21‧‧‧支撐台
21a‧‧‧載置面
22‧‧‧旋轉機構
23‧‧‧固定部
30‧‧‧加熱器
31‧‧‧熱板
31a‧‧‧加熱面
32‧‧‧昇降機構
40‧‧‧處理液供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧供給機構
43‧‧‧儲槽
44‧‧‧幫浦
45‧‧‧流路
46‧‧‧開關閥
50‧‧‧盛杯
51‧‧‧排出管
60‧‧‧控制部
L1‧‧‧處理液
G‧‧‧間隙
G1、G2‧‧‧間隙尺寸
Q1、Q2‧‧‧流量
R1、R2‧‧‧旋轉速度
V‧‧‧排液速度
t‧‧‧時間
W‧‧‧基板
Wa‧‧‧表面
構成為本說明書一部分的附圖是顯示本發明目前適當的實施例，並且連同前述的概略記載及以下適當實施例的詳細記載，能有助於說明發明本質之用。 圖1是顯示本發明第1實施形態之基板處理裝置的構成之說明圖。 圖2是該基板處理裝置之基板處理的流程圖。 圖3是顯示該基板處理裝置中的加熱器的位置變化之說明圖。 圖4是顯示該基板處理裝置中的旋轉速度的順序之線圖。 圖5是顯示本發明第2實施形態之加熱器之位置的順序之線圖。 圖6是顯示該實施形態之加熱器的位置變化之說明圖。 圖7是顯示本發明第3實施形態之處理液供給量的順序之線圖。

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含有：基板支撐部，支撐基板；旋轉部，使前述基板旋轉；處理液供給部，對前述基板的表面供給處理液；及控制部，在一邊使前述基板旋轉一邊進行前述處理液的供給之基板處理當中，持續處理並且在事先設定好的預定之時點，進行提高前述處理液自前述基板排出的排液速度之排液處理。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其更具有加熱器，該加熱器面向前述基板的表面而配置，以加熱前述基板，前述控制部具有將前述基板與前述加熱器間的間隙縮小之間隙調整部，進行前述排液處理。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部具有將前述基板的旋轉速度提高之旋轉速度調整部，進行前述排液處理。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部具有將供給至前述基板的前述處理液的流量增加之液量調整部，進行前述排液處理。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部在前述基板處理中，定期地進行前述排液處理，且在前述基板處理即將結束之前進行前述排液處理。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述排液處理之每1次的時間，比前述基板處理中的通常處理之每1次的時間還短。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述排液處理是在前述基板處理中進行複數次。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中複數次的前述排液處理是每1次的時間為固定的相同時間。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述基板處理含有通常處理及前述排液處理，當將前述基板處理的處理預定時間A除以令前述通常處理及前述排液處理為1組處理的時間T會產生餘數時，不改變進行前述排液處理的時間，而是調整前述通常處理的時間。
  10. 一種基板處理方法，包含有以下步驟：使基板旋轉；對前述基板的表面供給處理液；及在基板處理當中，在事先設定好的預定之時點，持續處理並且進行將前述旋轉的旋轉速度提高、將前述處理液的供給量增加、及將前述基板與面向前述基板而配置的加熱器間的間隙縮小之任1個以上的處理，藉此提高前述處理液自基板上排出的排液速度。
  11. 一種基板之製造方法，包含有以下步驟：使基板旋轉；對前述基板的表面供給處理液；及在基板處理當中，在事先設定好的預定的時點，持續處理並且進行將前述旋轉的旋轉速度提高、將前述處理液的供給量增加、及將前述基板與面向前述基板而配置的加熱器間的間隙縮小之任1個以上的處理，藉此提高前述處理液自基板上移動的排液速度。
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