JP2014187084A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施の形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極と前記ゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、を備えている。
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長(PE−CVD)法を用いて形成し、第2の窒化珪素膜を、減圧化学気相成長(LPCVD)法を用いて形成すること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1の窒化珪素膜を、ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマスパッタ法を用いて形成し、第2の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成すること以外は、第1または第2の実施の形態と同様である。したがって、第1または第2の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体層上にECRプラズマスパッタ法を用いて第1の窒化珪素膜を形成し、第1の窒化珪素膜の一部を除去し、窒化物半導体層を露出させ、窒化物半導体層上に減圧化学気相成長法を用いて第2の窒化珪素膜を形成し、第2の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、窒化物半導体層上にソース電極を形成し、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成する。第1ないし第3の実施の形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が第1の窒化珪素膜よりも低い第3の窒化珪素膜を備えること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第3の窒化珪素膜と第2の窒化珪素膜とが、連続する同一の膜であること以外は、第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、ゲート電極の端部が表面保護膜の間の溝部に設けられること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極と第1の窒化珪素膜、ドレイン電極と第1の窒化珪素膜との間に、第2の窒化珪素膜が介在すること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
11 窒化部物半導体層
12 第2の窒化珪素膜(ゲート絶縁膜)
14 ゲート電極
16 ソース電極
18 ドレイン電極
20 第1の窒化珪素膜(表面保護膜)
22 第3の窒化珪素膜
Claims (14)
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対し前記ソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、
前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、
前記窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、
前記ソース電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第3の窒化珪素膜と、
を有し、
前記第1の窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比が、0.75以上であり、
前記第1の窒化珪素膜の水素含有量が10at%以上であり、
前記第1の窒化珪素膜の誘電率が7以下であり、
前記第1の窒化珪素膜が引張り応力を備え、
前記第2の窒化珪素膜の水素含有量が前記第1の窒化珪素膜の水素含有量よりも低く、
前記第2の窒化珪素膜の塩素含有量が0.5at%以上であり、
前記窒化物半導体層が、窒化ガリウムと前記窒化ガリウム上の窒化アルミニウムガリウムとの積層構造を備え、前記窒化アルミニウムガリウム上に前記第1および第2の窒化珪素膜が形成されることを特徴とする半導体装置。 - 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、
前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成される第1の窒化珪素膜と、
前記窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比が、0.75以上であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の窒化珪素膜の水素含有量が10at%以上であることを特徴とする請求項2または請求項3記載の半導体装置。
- 前記第1の窒化珪素膜の誘電率が7以下であることを特徴とする請求項2ないし請求項4いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の窒化珪素膜が引張り応力を備えることを特徴とする請求項2ないし請求項5いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第2の窒化珪素膜の水素含有量が前記第1の窒化珪素膜の水素含有量よりも低いことを特徴とする請求項2ないし請求項6いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第2の窒化珪素膜の塩素含有量が0.5at%以上であることを特徴とする請求項2ないし請求項7いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ソース電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第3の窒化珪素膜をさらに有することを特徴とする請求項2ないし請求項8いずれか一項記載の半導体装置。
- 窒化物半導体層上に第1の窒化珪素膜を形成し、
前記第1の窒化珪素膜の一部を除去して、前記窒化物半導体層を露出させ、
前記窒化物半導体層上に珪素の窒素に対する原子比が前記第1の窒化珪素膜よりも低い第2の窒化珪素膜を形成し、
前記第2の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、
前記窒化物半導体層上にソース電極を形成し、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成し、
前記第2の窒化珪素膜を、前記第1の窒化珪素膜形成時より、原料ガス中の珪素の窒素に対する原子比が小さい条件でプラズマ化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成し、
前記第2の窒化珪素膜を、減圧化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の窒化珪素膜を、ECRプラズマスパッタ法を用いて形成し、
前記第2の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。 - 窒化物半導体層上にECRプラズマスパッタ法を用いて第1の窒化珪素膜を形成し、
前記第1の窒化珪素膜の一部を除去し、前記窒化物半導体層を露出させ、
前記窒化物半導体層上に減圧化学気相成長法を用いて第2の窒化珪素膜を形成し、
前記第2の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、
前記窒化物半導体層上にソース電極を形成し、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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