JP2014146767A5 - - Google Patents

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TW103101697A TWI494469B (zh) 2013-01-30 2014-01-17 氣相成長裝置以及氣相成長方法
US14/164,498 US9624603B2 (en) 2013-01-30 2014-01-27 Vapor phase growth apparatus having shower plate with multi gas flow passages and vapor phase growth method using the same
CN201410041218.1A CN103966574B (zh) 2013-01-30 2014-01-28 气相生长装置及气相生长方法
KR1020140010238A KR101610638B1 (ko) 2013-01-30 2014-01-28 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법
DE102014201554.5A DE102014201554A1 (de) 2013-01-30 2014-01-29 Dampfphasenepitaxievorrichtung und Dampfphasenepitaxieverfahren

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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6199619B2 (ja) * 2013-06-13 2017-09-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP6153401B2 (ja) * 2013-07-02 2017-06-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
TWI639179B (zh) 2014-01-31 2018-10-21 美商蘭姆研究公司 真空整合硬遮罩製程及設備
KR102215965B1 (ko) * 2014-04-11 2021-02-18 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN104120408B (zh) * 2014-08-06 2016-09-07 上海世山科技有限公司 一种改进衬底气流方向的hvpe反应器
KR102267923B1 (ko) * 2014-08-26 2021-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
JP6386901B2 (ja) * 2014-12-17 2018-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置及び気相成長方法
JP6193284B2 (ja) 2015-03-18 2017-09-06 株式会社東芝 流路構造、吸排気部材、及び処理装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
CN110050333B (zh) * 2016-12-08 2023-06-09 应用材料公司 时间性原子层沉积处理腔室
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
CN111052308A (zh) * 2017-09-01 2020-04-21 纽富来科技股份有限公司 气相生长装置及气相生长方法
US11149350B2 (en) * 2018-01-10 2021-10-19 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for supplying carrier and dry gas
JP7012613B2 (ja) * 2018-07-13 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7365761B2 (ja) * 2018-08-24 2023-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
US11921427B2 (en) 2018-11-14 2024-03-05 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
KR102731166B1 (ko) 2018-12-20 2024-11-18 램 리써치 코포레이션 레지스트들의 건식 현상 (dry development)
US12125711B2 (en) 2019-03-18 2024-10-22 Lam Research Corporation Reducing roughness of extreme ultraviolet lithography resists
CN113785381B (zh) 2019-04-30 2025-04-22 朗姆研究公司 用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
CN110158055B (zh) * 2019-05-15 2022-01-14 拓荆科技股份有限公司 多段喷淋组件
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
KR20220025876A (ko) * 2019-06-27 2022-03-03 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 건식 증착을 위한 장치
US12060652B2 (en) 2019-11-27 2024-08-13 Sino Nitride Semiconductor Co., Ltd. Linear showerhead for growing GaN
CN111020693B (zh) * 2019-12-27 2021-01-29 季华实验室 一种碳化硅外延生长设备的进气装置
CN114200776A (zh) 2020-01-15 2022-03-18 朗姆研究公司 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层
WO2021173557A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 Lam Research Corporation Multi-layer hardmask for defect reduction in euv patterning
CN111321463B (zh) * 2020-03-06 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室
CN115004110A (zh) 2020-07-07 2022-09-02 朗姆研究公司 用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
CN115152008A (zh) 2020-11-13 2022-10-04 朗姆研究公司 用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具
CN114107953A (zh) * 2021-09-18 2022-03-01 江苏微导纳米科技股份有限公司 原子层沉积装置及其喷淋板
WO2023177950A1 (en) * 2022-03-17 2023-09-21 Lam Research Corporation Dual plenum showerhead with center to edge tunability
US12504692B2 (en) 2022-07-01 2025-12-23 Lam Research Corporation Cyclic development of metal oxide based photoresist for etch stop deterrence
CN116240525B (zh) * 2022-12-15 2025-06-24 江苏微导纳米科技股份有限公司 喷淋板及处理装置
KR20250006116A (ko) 2023-03-17 2025-01-10 램 리써치 코포레이션 단일 프로세스 챔버에서의 euv 패터닝을 위한 건식 현상 및 에칭 프로세스의 통합
CN116695098B (zh) * 2023-08-07 2023-11-17 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种喷淋板、喷淋方法及处理装置
CN117403210B (zh) * 2023-11-02 2025-12-05 希科半导体科技(苏州)有限公司 一种外延炉喷淋装置
CN117966129A (zh) * 2024-01-26 2024-05-03 江苏微导纳米科技股份有限公司 喷淋装置及处理设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3572211B2 (ja) 1998-12-28 2004-09-29 京セラ株式会社 半導体製造装置用ガス導入ノズル
JP3962509B2 (ja) * 1999-09-16 2007-08-22 株式会社東芝 気相成長装置
KR100513920B1 (ko) 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
JP5519105B2 (ja) 2004-08-02 2014-06-11 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
JP4981485B2 (ja) * 2007-03-05 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法および気相成長装置
JP5140321B2 (ja) * 2007-05-31 2013-02-06 株式会社アルバック シャワーヘッド
KR20090011978A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 아이피에스 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치
JP4865672B2 (ja) * 2007-10-22 2012-02-01 シャープ株式会社 気相成長装置及び半導体素子の製造方法
KR20110074854A (ko) 2008-08-28 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유량 경사 설계를 갖는 균일한 실리콘 막을 증착하는 방법 및 장치
JP4576466B2 (ja) * 2009-03-27 2010-11-10 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
JP2010238831A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
US20120012049A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Wei-Yung Hsu Hvpe chamber
JP5622477B2 (ja) * 2010-08-06 2014-11-12 三菱重工業株式会社 真空処理装置
JP2011109141A (ja) * 2011-02-28 2011-06-02 Masayoshi Murata プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法
JP5691889B2 (ja) 2011-07-04 2015-04-01 富士通セミコンダクター株式会社 メモリアクセス制御装置、及びメモリアクセス制御方法
JP5259804B2 (ja) 2011-11-08 2013-08-07 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
JP6038618B2 (ja) 2011-12-15 2016-12-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法

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