JP2016115859A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 509
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 159
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 76
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 16
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
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Abstract
反応室側壁への膜堆積を抑制し、低欠陥の膜を基板に成膜する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【構成】
反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、アンモニアを含む第1のガスを供給する第1のガス供給路と、有機金属ガスを含む第2のガスを供給する第2のガス供給路と、窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを供給するパージガス供給路と、第1のガス供給路及び第2のガス供給路と接続され反応室内に第1のガス及び第2のガスを供給するプロセスガス噴出孔を有する第1の領域と、第1の領域の外周に設けられパージガス供給路に接続され反応室内にパージガスを供給するパージガス噴出孔を有する第2の領域と、を有するシャワープレートと、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、アンモニアを含む第1のガスを供給する第1のガス供給路と、有機金属ガスを含む第2のガスを供給する第2のガス供給路と、窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを供給するパージガス供給路と、第1のガス供給路及び第2のガス供給路と接続され反応室内に第1のガス及び第2のガスを供給するプロセスガス噴出孔を有する第1の領域と、第1の領域の外周に設けられパージガス供給路に接続され反応室内にパージガスを供給するパージガス噴出孔を有する第2の領域と、を有するシャワープレートと、を備える。
本実施形態の気相成長装置は、パージガス供給路に接続され第1のマスフローコントローラを備え第1のパージガスを供給する第1の副パージガス供給路と、パージガス供給路に接続され第2のマスフローコントローラを備え第2のパージガスを供給する第2の副パージガス供給路と、パージガス供給路に接続され第3のマスフローコントローラを備え第3のパージガスを供給する第3の副パージガス供給路と、パージガス供給路に接続され第4のマスフローコントローラを備え第4のパージガスを供給する第4の副パージガス供給路と、パージガス供給路に接続され第5のマスフローコントローラを備え第5のパージガスを供給する第5の副パージガス供給路と、第1のマスフローコントローラと第2のマスフローコントローラと第3のマスフローコントローラと第4のマスフローコントローラと第5のマスフローコントローラを制御する第1の制御部と、をさらに備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の気相成長装置は、第1の横方向ガス流路と第3の横方向ガス流路を接続する第1の横方向ガス流路接続流路と、第2の横方向ガス流路と第3の横方向ガス流路を接続する第2の横方向ガス流路接続流路と、をさらに備える点以外は、第1の実施形態及び第2の実施形態の気相成長装置と同様である。したがって、第1の実施形態及び第2の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の気相成長装置は、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスと第3のプロセスガスが混合される第4のマニフォールドを備える点以外は、第1の実施形態、第2の実施形態及び第3の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態、第2の実施形態及び第3の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
11 側壁
12 支持部
14 回転体ユニット
16 加熱部
20 回転駆動機構
31 第1のガス供給路
32 第2のガス供給路
33 第3のガス供給路
37 パージガス供給路
37a 第1の副パージガス供給路
37b 第2の副パージガス供給路
37c 第3の副パージガス供給路
37d 第4の副パージガス供給路
37e 第5の副パージガス供給路
40 リフレクター
50 第1の制御部
52 第2の制御部
100 シャワープレート
100a 内側領域
100b 外側領域
101 第1の横方向ガス流路
102 第2の横方向ガス流路
103 第3の横方向ガス流路
104 第1の横方向ガス流路接続流路
105 第2の横方向ガス流路接続流路
107 横方向パージガス流路
111 第1のガス噴出孔
112 第2のガス噴出孔
113 第3のガス噴出孔
114 第4のガス噴出孔
117 パージガス噴出孔
121 第1の縦方向ガス流路
122 第2の縦方向ガス流路
123 第3の縦方向ガス流路
131 第1のマニフォールド
132 第2のマニフォールド
133 第3のマニフォールド
135 第4のマニフォールド
141 第1の接続流路
142 第2の接続流路
143 第3の接続流路
147 パージガス接続流路
Claims (5)
- 反応室と、
前記反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、
アンモニアを含む第1のガスを供給する第1のガス供給路と、
有機金属ガスを含む第2のガスを供給する第2のガス供給路と、
窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを供給するパージガス供給路と、
前記第1のガス供給路及び前記第2のガス供給路と接続され前記反応室内に前記第1のガス及び前記第2のガスを供給するプロセスガス噴出孔を有する第1の領域と、前記第1の領域の外周に設けられ前記パージガス供給路に接続され前記反応室内に前記パージガスを供給するパージガス噴出孔を有する第2の領域と、を有するシャワープレートと、
を備える気相成長装置。 - 前記プロセスガス噴出孔は、前記第1のガス供給路に第1の横方向ガス流路を介して接続される第1のガス噴出孔と、前記第2のガス供給路に第2の横方向ガス流路を介して接続される第2のガス噴出孔と、を有することを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記第1のガスと前記第2のガスは、混合されて前記反応室に供給されることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記第2のガスがトリメチルインジウムを含む場合には前記パージガスがアンモニアと窒素を含み、前記第2のガスがトリメチルインジウムを含まない場合には前記パージガスがアンモニアと窒素と水素を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
前記基板を加熱し、
前記反応室の上部より、アンモニアを含む第1のガスと、有機金属ガスを含む第2のガスと、を前記基板上に供給しながら、
前記反応室の上部より、窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを前記支持部より前記反応室の側壁側に供給し、
前記基板表面に半導体膜を成膜する気相成長方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014254658A JP6386901B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
DE112015005682.3T DE112015005682T5 (de) | 2014-12-17 | 2015-12-09 | Dampfphasenwachstumsvorrichtung und Dampfphasenwachstumsverfahren |
PCT/JP2015/084528 WO2016098661A1 (ja) | 2014-12-17 | 2015-12-09 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
US15/624,239 US20170283985A1 (en) | 2014-12-17 | 2017-06-15 | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014254658A JP6386901B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016115859A true JP2016115859A (ja) | 2016-06-23 |
JP6386901B2 JP6386901B2 (ja) | 2018-09-05 |
Family
ID=56126553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014254658A Active JP6386901B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170283985A1 (ja) |
JP (1) | JP6386901B2 (ja) |
DE (1) | DE112015005682T5 (ja) |
WO (1) | WO2016098661A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101560623B1 (ko) * | 2014-01-03 | 2015-10-15 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
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US20170283985A1 (en) | 2017-10-05 |
DE112015005682T5 (de) | 2017-10-05 |
WO2016098661A1 (ja) | 2016-06-23 |
JP6386901B2 (ja) | 2018-09-05 |
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