JP2015002209A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、第1のプロセスガスを供給する第1のガス供給路と、第2のプロセスガスを供給する第2のガス供給路と、水素および不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含む第1のパージガスと、不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含み第1のパージガスより分子量が大きい第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路と、を備える。さらに、反応室の上部に配置され、第1のガス供給路に接続され第1の水平面内に配置され互いに平行に延伸する複数の第1の横方向ガス流路と、第1の横方向ガス流路に接続され縦方向に延伸し反応室側に第1のガス噴出孔を有する複数の第1の縦方向ガス流路と、第2のガス供給路に接続され第1の水平面より上方の第2の水平面内に配置され第1の横方向ガス流路と同一方向に互いに平行に延伸する複数の第2の横方向ガス流路と、第2の横方向ガス流路に接続され第1の横方向ガス流路の間を通って縦方向に延伸し反応室側に第2のガス噴出孔を有する複数の第2の縦方向ガス流路と、パージガス供給路に接続され、第1および第2のガス噴出孔より反応室の側壁側に設けられるパージガス噴出孔とを有し、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、を備える。
本実施形態の気相成長装置は、パージガス供給路に接続され第1のマスフローコントローラを備え第1のパージガスを供給する第1のパージガス供給路と、パージガス供給路に接続され第2のマスフローコントローラを備え第2のパージガスを供給する第2のパージガス供給路と、第1のマスフローコントローラと第2のマスフローコントローラを制御する制御部を、さらに備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、第1のプロセスガスを供給する第1のガス供給路と、第2のプロセスガスを供給する第2のガス供給路と、水素および不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含む第1のパージガスと、不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含み第1のパージガスより分子量が大きい第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路と、を備える。さらに、反応室の上部に配置され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、を備える。そして、シャワープレートの内側領域にプロセスガス噴出孔が設けられ、シャワープレートの外側領域にパージガスガス噴出孔が設けられる。そして、プロセスガス供給路がプロセスガス噴出孔に接続され、パージガス供給路がパージガス噴出孔に接続される。
11 側壁
12 支持部
14 回転体ユニット
16 加熱部
20 回転駆動機構
31 第1のガス供給路
32 第2のガス供給路
33 第3のガス供給路
37 パージガス供給路
37a 第1のパージガス供給路
37b 第2のパージガス供給路
50 制御部
100 シャワープレート
100a 内側領域
100b 外側領域
101 第1の横方向ガス流路
102 第2の横方向ガス流路
103 第3の横方向ガス流路
107 横方向パージガス流路
111 第1のガス噴出孔
112 第2のガス噴出孔
113 第3のガス噴出孔
117 パージガス噴出孔
121 第1の縦方向ガス流路
122 第2の縦方向ガス流路
123 第3の縦方向ガス流路
131 第1のマニフォールド
132 第2のマニフォールド
133 第3のマニフォールド
141 第1の接続流路
142 第2の接続流路
143 第3の接続流路
147 パージガス接続流路
Claims (6)
- 反応室と、
前記反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、
第1のプロセスガスを供給する第1のガス供給路と、
第2のプロセスガスを供給する第2のガス供給路と、
水素および不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含む第1のパージガスと、不活性ガスから選ばれる少なくとも1種のガスを含み前記第1のパージガスより分子量が大きい第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路と、
前記反応室の上部に配置され、
前記第1のガス供給路に接続され第1の水平面内に配置され互いに平行に延伸する複数の第1の横方向ガス流路と、前記第1の横方向ガス流路に接続され縦方向に延伸し前記反応室側に第1のガス噴出孔を有する複数の第1の縦方向ガス流路と、
前記第2のガス供給路に接続され前記第1の水平面より上方の第2の水平面内に配置され前記第1の横方向ガス流路と同一方向に互いに平行に延伸する複数の第2の横方向ガス流路と、前記第2の横方向ガス流路に接続され前記第1の横方向ガス流路の間を通って縦方向に延伸し前記反応室側に第2のガス噴出孔を有する複数の第2の縦方向ガス流路と、
前記パージガス供給路に接続され、前記第1および第2のガス噴出孔より前記反応室の側壁側に設けられるパージガス噴出孔とを有し、前記反応室内にガスを供給するシャワープレートと、
を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 前記第1または第2のプロセスガスがアンモニアであり、前記第1および第2のパージガスが水素と窒素であることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記パージガス供給路に接続され第1のマスフローコントローラを備え前記第1のパージガスを供給する第1のパージガス供給路と、前記パージガス供給路に接続され第2のマスフローコントローラを備え前記第2のパージガスを供給する前記第2のパージガス供給路と、前記第1のマスフローコントローラと前記第2のマスフローコントローラを制御する制御部を、さらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の気相成長装置。
- 反応室と、前記反応室の上部に配置され、前記反応室内にガスを供給するシャワープレートと、前記反応室内の前記シャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部とを備える気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記支持部に基板を載置し、
前記基板を加熱し、
前記シャワープレートの内側領域から、成膜用の複数種のプロセスガスを噴出させ、
前記シャワープレートの外側領域から、水素および不活性ガスから選ばれ、前記複数種のプロセスガスの平均分子量よりも分子量の小さい第1のパージガスと、前記平均分子量よりも分子量の大きい第2のパージガスの混合ガスを噴出させ、
前記基板表面に半導体膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。 - 前記複数種のプロセスガスは、有機金属およびアンモニアを含み、前記第1のパージガスが水素であり前記第2のパージガスが窒素であることを特徴とする請求項4記載の気相成長方法。
- 前記混合ガスの平均分子量が、前記複数種のプロセスガスの平均分子量の80%以上120%以下であることを特徴とする請求項4または請求項5記載の気相成長方法。
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