JP5622477B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
この問題のため、特に面積が1m2以上、さらには2m2級の大型基板においては、プラズマCVD法による製膜処理を施すのが困難であり、リッジ導波管による製膜処理の実用化に向けて解決が望まれていた。
すなわち、本発明に係る真空処理装置は、平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方及び他方のリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室と、前記放電室の両端に隣接して配置され、互いに平行に対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電源から供給された高周波電力を方形導波管の基本伝送モードに変換して前記放電室に伝送し、前記一方及び他方のリッジ電極の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、前記他方のリッジ電極の外面側に設置され、前記他方のリッジ電極の温度を制御する均熱温調器と、前記一方のリッジ電極の外面側に設置され、前記一方のリッジ電極の温度を制御する熱吸収温調ユニットと、前記放電室及び前記変換器の内部の気体を排出させる排気手段と、基板にプラズマ処理を施すのに必要な母ガスを前記一方及び他方のリッジ電極の間に供給する母ガス供給手段と、を有し、前記基板は前記一方及び他方のリッジ電極の間に設置されてプラズマ処理が施されることを特徴とするものである。
このような構成とすれば、熱吸収温調ユニットのマニホールド形状により、母ガスの分配手段により母ガスの分布を均一化することができ、さらに放電室の幅方向両端からバランスをとりながら排気ができるため、放電室の内部で母ガスが澱みにくくなり、プラズマ処理の迅速化及び安定化による高品質な製膜が可能になる。
図1は製膜装置1の概略構成を説明する模式図、図2は図1のA−A断面図である。
製膜装置1は、放電室(プロセス室)2と、この放電室2の両端に隣接して配置された変換器3A,3Bと、これらの変換器3A,3Bに一端が接続される同軸ケーブル4A,4B(電源ライン)と、これらの同軸ケーブル4A,4Bの他端に接続される高周波電源5A,5B(電源手段)と、同軸ケーブル4A,4Bの中間部にサーキュレータSA,SBを介して接続された整合器6A,6Bと、放電室2に接続される排気手段7及び製膜の材料ガスを含む母ガス供給手段となる母ガス供給管8を主な構成要素として備えている。
サーキュレータSA及びサーキュレータSBは、それぞれ高周波電源5A,5Bから供給された高周波電力を放電室(プロセス室)2に導くとともに、高周波電源5A,5Bに対して進行方向が違う高周波電力が入力されることを防止するものである。
なお、上述した排気部7及び母ガス供給管8は図2に示されている。
図示しない真空容器には排気手段である排気部7が接続されている。そのため、真空容器の内部や、放電室(プロセス室)2、変換器3A及び変換器3Bの内部は、排気部7により真空状態とされる。この排気部7は、本発明において特に限定されることはなく、たとえば公知の真空ポンプ、圧力調整弁と真空排気配管等を用いることができる。
放電室2は、アルミニウム合金材料等により構成され、導電性を有し非磁性または弱磁性を有する材料から形成された容器状の部品であって、所謂ダブルリッジ型の導波管状に形成されたものである。放電室2及び変換器3A,3Bの内部は、排気部7により0.1kPaから10kPa程度の真空状態とされる。このため、放電室2及び変換器3A,3Bは、その内外の圧力差に耐え得る構造となっている。
また、図中の符号9は、排気側リッジ電極21a及び基板側リッジ電極21bの両側に形成された矩形断面の非リッジ部導波管であり、内部には長手方向に沿って母ガス供給管8が配設されている。この母ガス供給管8には、リッジ電極21a,21bの間に母ガスを略均一に噴き出すためのガス噴出孔8aが噴出し径を適正化して複数設けられており、母ガス供給管8及びガス噴出孔8aにより母ガス供給手段を構成している。たとえば、各ガス噴出孔8aが噴出すガス流速は、音速を超えることによりチョーク現象を発生させることで均一なガス流速になるので好ましい。母ガス流量と圧力条件によるが、このような噴出し径としてφ0.3mm〜φ0.5mmを用いてガス噴出孔8aの数量を設定することが例示される。
さらに、導波管の特性により、この一対のリッジ電極21a,21bの間ではリッジ電極に沿う方向(H方向)の電界強度分布がほぼ均一になる。さらに、リッジ導波管を用いることにより、この一対のリッジ電極21a,21bの間ではプラズマを生成可能な程度の強い電界強度を得ることができる。
さらに、放電室2、変換器3A及び変換器3Bは、図1、図2から図6に示すようにダブルリッジ導波管により構成されていてもよいし、シングルリッジ導波管により構成されていてもよい。
そこで、高周波電源5A及び高周波電源5Bの少なくとも一方から供給される高周波電力の位相を調節することにより、放電室2に形成される定在波の位置の調節が行われる。これにより、一対のリッジ電極21a,21bにおけるL方向の電界強度の分布が時間平均的に均一化される。
具体的には、定在波の位置が、時間の経過に伴いL方向に、Sin波状や、三角波状や、階段(ステップ)状に移動するように高周波電源5A及び高周波電源5Bから供給される高周波電力の位相が調節される。
定在波が移動する範囲や、定在波を移動させる方式(Sin波状、三角波状、階段状等)や位相調整の周期の適正化は、電力の分布や、プラズマからの発光の分布や、プラズマ密度の分布や、製膜された膜に係る特性の分布等に基づいて行われる。膜に係る特性としては、膜厚や、膜質や、太陽電池等の半導体としての特性などを挙げることができる。
リッジ部を形成したリッジ導波管の特性と、高周波電源5A,Bから供給された高周波電力の位相変調により、基板Sに対してH方向とL方向のいずれの方向にも均一なプラズマを広い範囲に生成することができ、大面積基板へ製膜するにあたり、高品質な膜を均一に製膜することができる。
高周波電源5A,5Bから供給された高周波電力は、同軸線路及び変換部3A,3Bを介して放電室2のリッジ電極21a,21bに伝送され、リッジ電極21a,21bの間隔を狭く設けることで強い電界を発生し、リッジ電極21a,21bの間に母ガスを導入することでプラズマを生成し、母ガスの材料ガスが分解や活性化する。
生成されたプラズマは電位差により基板Sに向かって移動するため、基板Sに製膜処理が施される。
均熱温調器40と熱吸収温調ユニット50とにより、プラズマ処理が施される基板Sの板厚方向の熱流束を制御することができ、基板Sの反り変形が抑制できる。そして、この場合の基板Sは、上述した一対のリッジ電極21a,21bの間に設置されてプラズマ処理が施される。
排気側リッジ電極21aの通気孔22は、均一な排気ができることを考慮する。
排気側リッジ電極21aに貫通孔として穿設した通気孔22は、平面の中央部が密でかつ周囲部が粗いピッチとする。このようにすれば、材料ガスの供給が排気側リッジ電極21aの周辺方向から、すなわち、非リッジ部導波管9内の母ガス供給管8から基板Sの面中央部に向うように行われるため、基板Sの面中央部にも材料ガスが行き届くようにするための工夫である。従って、排気側リッジ電極21aから排気部7により母ガスが真空排気されるにあたり、排気側リッジ電極21aにおける通気孔22の単位面積当たりの開口率は、母ガス供給管8に近い位置に比べて、母ガス供給管8から遠い位置において高くなるので、排気側リッジ電極21a面内に排気コンダクタンスに分布を設けることで、母ガスが放電室2内に均等に行き渡り、安定した製膜を行うことができる。
このため、通気孔22の口径をφ2mm〜φ5mm程度とし、各辺の30%〜50%程度の長さとなる中央領域では、通気孔22の配置は30〜50mm程度のピッチとし、周囲領域では、通気孔22の配置は50〜150mm程度のピッチとする。
排気側リッジ電極21a面内に排気コンダクタンスが小さくなりすぎないよう有効な孔サイズとピッチに分布を設けることで、排気抵抗が大きくならずに、母ガスが放電室2内に均等に行き渡り、安定した製膜を行うことができる。
もしくは、排気側リッジ電極21aと熱吸収温調ユニット50の熱膨張率が大きく異なる場合には、排気側リッジ電極21aは熱膨張方向に設けた長穴と締結材により、熱膨張の伸びを許容しながら、熱的には密着しているように保持してもよい。
同様の位置決め穴23及びスライド長穴24は、非リッジ部導波管9の上フランジにも設けられており、排気側リッジ電極21aは熱吸収温調ユニット50と導波管9の上部フランジとの間に挟持され、保持されている。
さらに、スライド長穴24は、位置決め穴23から離れた位置にある長穴ほど、熱膨張方向に長穴形状が長くなるよう拡大されると、不要な長穴設置による電極強度低下を防止できるのでさらに好ましい。
従って、熱吸収温調ユニット50は、高周波電源5A,5Bから供給されプラズマで発生するエネルギーを適切に吸収するとともに、リッジ電極21a,21bのプラズマから基板Sを設置する均熱温調器40への通過熱量や、均熱温調器40から基板Sを通過して熱吸収温調ユニット50へ通過する熱量に伴って基板Sの表裏に生じる温度差の発生を低減するので、基板Sが凹や凸に熱変形することの抑制に有効である。
同様の位置決め穴23及びスライド長穴24は、非リッジ部導波管9の下フランジにも設けられており、基板側リッジ電極21bは均熱温調器40と非リッジ部導波管9の下部フランジとの間に挟持され、保持されている。
さらに、スライド長穴24熱膨張方向に長穴形状が長くなるよう拡大されると、不要な長穴設置による電極強度低下を防止できるのでさらに好ましい。
ここで、排気側リッジ電極21a及び基板側リッジ電極21bには、電極板の表裏温度差によるソリ量が小さくなるように、線膨張率αが小さくて熱伝達率λの大きい特性を有し、板厚tが薄い金属の板材が望ましい。
板厚tは、0.5mm以上で3mm以下が好ましい。0.5mm以下の板厚tでは、素材の表面残留応力のために、排気側リッジ電極21a及び基板側リッジ電極21bの平面度を維持することが難しくなる。また、通過する熱流束と板厚tとの積で表裏温度差が生じるので、熱伝達率λが大きいアルミニウムやアルミニウム合金においても、一辺が1mを越える大型の電極サイズでは、板厚tが3mm以上になると、略1mm以上の凸変形に至る表裏温度差が生じ易くなる。
さらに、より好ましい板厚tは、薄いながらも構造的な取扱強度を確保するため、1mm以上で2mm以下となる。
但し、拡散してきた製膜ラジカルや粉類が少ない製膜条件などにおいては、防着板41を、省略することも可能である。
このように、防着板41を基板側リッジ電極21bへ向けて押圧することで、製膜に影響される領域、拡散してきた製膜ラジカルや粉類が付着する領域を限定して、製膜装置1の不要な製膜を抑制することができる。
なお、上述した均熱温調器40は、所定温度と所定流量の熱媒の循環により温度を制御された均熱板と基板テーブルとにより構成される従来構造を採用してもよい。また、均熱温調器40を一定の温度に加熱維持し、吸熱が不要な製膜条件で運用する製膜装置には、熱媒循環ではなく電気ヒータを保有した均熱板であってもよく、コスト削減と制御の簡易化が可能となる。
ここで、真空排気は、排気側リッジ電極21aの通気孔22から排気マニホールド51に設けられた複数の吸引口52、排気共通空間53、排気部7の真空排気配管及び図示しない圧力調整弁や真空ポンプを経由して流れる。
図4は、排気側リッジ電極21aの上に熱吸収温調ユニット50を重ねた状態を示す平面図であり、この場合の熱媒は、一端部の中央付近に設けた入口55aより排気マニホールド51内の熱媒流路(温調媒体流通路)55に導入され、排気マニホールド51の外周側から内側へと通過させて出口55bから流出させることにより、周囲構造との伝熱影響を受け易い外周側から所定温度に制御された熱媒導入し、これを内側へと導くことで全面にわたって排気マニホールド51の温度を均一化している。この場合、熱媒流路55は全体をより均一な温度にするために、2系統に分割され、各熱媒流路55は吸引口52を避けて設けられているが、これに限定されることはない。
なお、熱媒流路55に供給される熱媒は、図示しない加熱装置及び冷却装置を製膜装置1と離れた図示しない熱媒循環流路中に用いることにより、所定の温度に昇温または降温したものである。
また、上述した本実施形態では、基板Sが排気側リッジ電極21a及び基板側リッジ電極21b間に設置されているので、均熱温調機構40の裏側へ拡散してきた製膜ラジカルや粉類が蓄積される量は格段に少なく、防着板41を省略することも可能である。
なお、非リッジ部導波管9の上下分離部分には、電位均一性のため、金属ウールや薄板によるシールド材を設けてプラズマ発生時には上部非リッジ部導波管9a,9a′に対して下部導波管9b,9b′の電気的接触特性を維持してもよい。
リッジ電極対向間隔調整機構49は、電極固定部9c及びスライド調整部47及び締結部材48で構成されている。リッジ電極対向間隔調整機構49は、非リッジ部導波管22a,22bのL方向断面形状を変化させることなく導波管特性を維持することで、伝送特性を変化しないよう保持しながら、排気側リッジ電極21aに対して基板側リッジ電極21bを平行に保った状態で移動させ、両方のリッジ電極21a,21b間の対向間隔を調整可能にしている。
このスライド調整部47は、電極固定部9cを非リッジ部導波管22a,22bとは別体として非リッジ部導波管22a,22bに重ね合わせてE方向にスライド可能にし、締結部材48で締結してその高さを固定するようにしたものである。このため、電極固定部9cの位置をスライドさせても、非リッジ部導波管22a,22bのL方向断面形状を変化させることがなく、導波管特性を維持するので伝送特性は変化しない。締結部材48は頭が非リッジ部導波管22a,22bの内面側へ突出しないよう、締結部材48の頭が薄く曲面をもつものが好ましい。
図1及び図2に示すように、製膜装置1は図示しない真空容器に収納されている。図示しない基板搬送装置により、基板Sが放電室2における基板側リッジ電極21bの上に配置される。その後、図2に示す排気部7により放電室2、変換器3A,3Bの内部から、空気等の気体が排出される。
次に、本発明に係る真空処理装置について、第2の実施形態を図6に基づいて説明する。なお、上述した実施形態と同様の部分には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この実施形態はシングルリッジ型に関するものであり、均熱温調器40Aの両端が非リッジ部導波管9Bの部分まで拡大されている。
また、非リッジ部導波管9Bの上側両端部分には、電位均一性のため、金属ウールや薄板によるシールド材を設けてプラズマ発生時には均熱温調器40Aとの電気的接触特性を維持してもよい。
次に、本発明に係る真空処理装置について、第3の実施形態を図7及び図8に基づいて説明する。なお、上述した実施形態と同様の部分には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この実施形態では、母ガス分配手段が熱吸収温調ユニット50Aの内部に収容されている。この母ガス分配手段80は、熱吸収温調ユニット50Aの内部に張り巡らされた母ガス供給管83と、この母ガス供給管83から熱吸収温調ユニット50Aの内部を経て排気側リッジ電極21a及び基板側リッジ電極21bの間に母ガスを噴出させる複数のガス噴出孔8aとを備えており、真空排気を行う排気部7Aは、非リッジ部導波管9Cに設けられている。
この場合、各々が母ガス導入管81に接続されて対向する一対のヘッダー82を備え、両ヘッダー部82の間を複数の母ガス供給管83により連結する構造となっている。
母ガス分配手段80は、ヘッダー部82、複数の母ガス供給管83に限定されるものでなく、同様の機能を有する構造であればよい。
一方、非リッジ部導波管9Cは、その供給する高周波周波数と伝送モードから適切なサイズが決定されるので、非リッジ部導波管9Cの内部に導波管区画用のメッシュ10を設ける。導波管区画用のメッシュ10は導電性のある金属製であり、ガスの排気を妨げることなく、電位場を区画することが可能である。メッシュ10より下部方向(−E方向)にある下部分は、適切な伝送用サイズを確保したものである。また、メッシュ10より上部方向(+E方向)にある上部分は均一な真空排気に必要な空間としてサイズや形状を自由に選定することができる。メッシュ10の開口部の大きさは、3〜20mm程度が望ましい。
次に、本発明に係る真空処理装置について、第4の実施形態を図9に基づいて説明する。なお、上述した実施形態と同様の部分には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この実施形態では、上述した母ガス分配手段が、排気部7とともに熱吸収温調ユニット50Aの内部に収容されている。
たとえば、熱吸収温調ユニット50Bは母ガス供給管80を内蔵し、両ヘッダー82、複数の母ガス供給管83、複数のガス噴出孔8aを設け、主配管に接続した母ガス導入管81から供給された母ガスを各ガス噴出孔8aから略均等に噴出し、排気側リッジ電極21aに設けた孔から母ガスを基板Sに向けて吹出す。
また、熱吸収温調ユニット50Bでは、排気共通空間53の空間を利用し、排気部7による真空排気を同時に行うものである。
ここで、排気側リッジ電極21aでは、母ガスを各ガス噴出孔8aから略均等に噴出する孔部分と、排気部7による真空排気を行なう吸引口52とは、必ずしも同一である必要はない。各孔は、基板Sに対して均一な製膜が行なえるよう、各孔のピッチをずらして設けてもよい。この場合、各ガス噴出孔8aから噴出した母ガスは、一端に排気側リッジ電極21aより確実に排出された後に、吸引口52より排気部7による真空排気が行なえるので、基板Sの全面にわたり製膜条件を維持し管理できるので、さらに好ましい。
次に、本発明に係る真空処理装置について、第5の実施形態を図10に基づいて説明する。なお、上述した実施形態と同様の部分には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
この実施形態では、上述した第1の実施形態に対し、基板押付具60を追加して設けた点が異なっている。この基板押付具60は、基板Sの周囲(特に角部)と対応する箇所に複数個配置して、排気側リッジ電極21aの下面に取り付けたものである。
複数個の基板押付具60は、たとえば基板Sの周囲の少なくとも各角部に対応するよう4箇所設け、さらに周囲各辺の中央部分付近に4箇所設けることが好ましい。
具体的には、基板押付具60の基板接触面を曲面とし、過剰な押圧力が作用した場合には、外側に開くようにして逃げる。この結果、基板押付具60で基板Sの周囲基板Sの凹変形を抑制でき、さらに、過剰な押圧力による基板Sの破損や排気側リッジ電極21a側の変形を抑制できる。
たとえば、上記の実施形態においては、基板Sを水平に設置する横型の製膜装置1に適用した構成例を説明したが、基板Sを鉛直上下方向に傾斜させて設置する縦型の製膜装置にも適用することができる。傾斜させて設置する場合は、基板Sは鉛直方向からθ=7°〜12°傾斜させることで、基板自重のsin(θ)成分により基板を安定して支持させるとともに、基板搬送時のゲート弁通過幅や製膜装置の設置床面積を少なくできるので、好ましい。
2 放電室(プロセス室)
3A,3B 変換器
4A,4B 同軸ケーブル(電源ライン)
5A,5B 高周波電源(電源手段)
6A,6B 整合器
7,7A 排気部(排気手段)
8,83 母ガス供給管(母ガス供給手段)
8a ガス噴出孔
9,9B,9C 非リッジ部導波管
21a 排気側リッジ電極(リッジ電極)
21b 基板側リッジ電極(リッジ電極)
22 通気孔(貫通孔)
23 位置決め穴
24 スライド長穴
31a 排気側リッジ部(リッジ部)
31b 基板側リッジ部(リッジ部)
40 均熱温調器
41 防着板
42 バネ押付機構
43 支持柱
44 防着板押圧部材
50,50A 熱吸収温調ユニット
51 排気マニホールド
52 吸引口
53 排気共通空間
55 熱媒流路(温調媒体流通路)
55a 入口
55b 出口
60 基板押付具
80 母ガス分配手段
81 母ガス導入管
82 ヘッダー部
83 母ガス供給管
S 基板
D リッジ段差
SA,SB サーキュレータ
Claims (12)
- 平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方及び他方のリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室と、
前記放電室の両端に隣接して配置され、互いに平行に対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電源から供給された高周波電力を方形導波管の基本伝送モードに変換して前記放電室に伝送し、前記一方及び他方のリッジ電極の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、
前記他方のリッジ電極の外面側に設置され、前記他方のリッジ電極の温度を制御する均熱温調器と、
前記一方のリッジ電極の外面側に設置され、前記一方のリッジ電極の温度を制御する熱吸収温調ユニットと、
前記放電室及び前記変換器の内部の気体を排出させる排気手段と、
基板にプラズマ処理を施すのに必要な母ガスを前記一方及び他方のリッジ電極の間に供給する母ガス供給手段と、
を有し、
前記基板は前記一方及び他方のリッジ電極の間に設置されてプラズマ処理が施されることを特徴とする真空処理装置。 - 前記均熱温調器と前記熱吸収温調ユニットは、互いに平行に対向する平面部を有し、前記他方のリッジ電極は前記均熱温調器の平面部に密着するように保持され、前記一方のリッジ電極は前記熱吸収温調ユニットの平面部に密着するように保持されていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 前記一方及び他方のリッジ電極を、厚さ0.5mm以上で3mm以下の金属板としたことを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。
- 前記一方のリッジ電極と、前記他方のリッジ電極の少なくともいずれかには、該一方及び他方のリッジ電極を締結部材で電極保持部に締結保持するための締結部材挿通孔が形成され、この締結部材挿通孔は、前記電極保持部に対する前記一方及び他方のリッジ電極の熱膨張方向に形状が長穴とされるとともに、前記締結部材の締結力は、前記一方及び他方のリッジ電極が熱膨張した際に該一方及び他方のリッジ電極の伸びを許容できる強度に設定されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記一方のリッジ電極には複数の通気孔が穿設され、前記熱吸収温調ユニットは該通気孔を介して前記放電室に連通するマニホールド状に形成されるとともに、前記熱吸収温調ユニットの内部に温調媒体が流通する温調媒体流通路を有し、前記排気手段は前記熱吸収温調ユニットのヘッダー部に接続されて、該熱吸収温調ユニットのマニホールド形状を介して前記放電室及び前記変換器の内部の気体を排出させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記母ガス供給手段は、前記放電室の非リッジ部導波管の内部に収容され、該非リッジ部導波管の内部の長手方向に沿って配設された母ガス供給管と、この母ガス供給管から前記一方及び他方のリッジ電極の間に母ガスを噴き出させる複数のガス噴出孔とを備えてなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記一方のリッジ電極における前記通気孔の単位面積当たりの開口率は、前記排気手段に対して前記母ガス供給手段に近い位置範囲に比べて、前記母ガス供給手段から遠い位置範囲において高くなることを特徴とする請求項6に記載の真空処理装置。
- 前記母ガス供給手段は、前記熱吸収温調ユニットの内部に収容され、該母ガス供給手段は、前記熱吸収温調ユニットの内部に張り巡らされた母ガス分配手段と、この母ガス分配手段から前記熱吸収温調ユニットの内部を経て前記一方及び他方のリッジ電極の間に母ガスを噴き出させる複数のガス噴出孔とを備えてなることを特徴とする請求項5に記載の真空処理装置。
- 前記一方のリッジ電極には複数の通気孔が穿設され、前記熱吸収温調ユニットは該通気孔を介して前記放電室に連通するマニホールド状に形成されるとともに、その内部に温調媒体が流通する温調媒体流通路を有し、この熱吸収温調ユニットの内部に前記母ガス供給手段が設けられ、該母ガス供給手段は、前記熱吸収温調ユニットの内部に張り巡らされた母ガス分配手段と、この母ガス分配手段から前記熱吸収温調ユニットの内部を経て前記一方及び他方のリッジ電極の間に母ガスを噴き出させる複数のガス噴出孔とを備えてなる一方、前記排気手段は前記放電室の導波管非リッジ部に接続されたことを特徴とする請求項4に記載の真空処理装置。
- 前記非リッジ部導波管の断面形状を変化させることなく、前記一方のリッジ電極と前記他方のリッジ電極との間を平行に保った状態で、該一方及び他方のリッジ電極間の間隔を調整可能にするリッジ電極支持調整機構をさらに有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記一方及び他方のリッジ電極の間に設置された前記基板は、前記一方のリッジ電極の周辺部にあり、所定支持力で前記基板周囲を押え支持する複数の基板押付具を有し、
前記基板押付具は、所定支持力を越える場合には、前記基板周辺の押付を解除することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の真空処理装置。 - 請求項1〜請求項11のいずれかに記載の真空処理装置を用いて基板に製膜処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010178108A JP5622477B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 真空処理装置 |
PCT/JP2011/060625 WO2012017717A1 (ja) | 2010-08-06 | 2011-05-09 | 真空処理装置及びプラズマ処理方法 |
US13/703,694 US20130084408A1 (en) | 2010-08-06 | 2011-05-09 | Vacuum processing apparatus and plasma processing method |
EP11814348.6A EP2602356A1 (en) | 2010-08-06 | 2011-05-09 | Vacuum processing apparatus and plasma processing method |
CN201180030847.9A CN102959125B (zh) | 2010-08-06 | 2011-05-09 | 真空处理装置及等离子体处理方法 |
TW100118133A TWI442458B (zh) | 2010-08-06 | 2011-05-24 | Vacuum processing device and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010178108A JP5622477B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 真空処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012038596A JP2012038596A (ja) | 2012-02-23 |
JP2012038596A5 JP2012038596A5 (ja) | 2013-08-29 |
JP5622477B2 true JP5622477B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=45850384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010178108A Expired - Fee Related JP5622477B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5622477B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6134522B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2017-05-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP6285411B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2018-02-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3912569A1 (de) * | 1989-04-17 | 1990-10-18 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines elektrischen hochfrequenzfeldes in einem nutzraum |
JP3249356B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2002-01-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
DE19540543A1 (de) * | 1995-10-31 | 1997-05-07 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens |
JP4082720B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-04-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板表面処理装置 |
JP2007221156A (ja) * | 2003-10-22 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006019593A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルファス太陽電池の成膜装置、及び、その製造方法 |
JP4859472B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-01-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | プラズマプロセス装置 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2010178108A patent/JP5622477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012038596A (ja) | 2012-02-23 |
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A521 | Written amendment |
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