JP2010062582A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下段シャワー管の配置を、長いシャワー管31と、短いシャワー管32を、その底面から見て、行方向では上部の最初の一段目に真空容器1内の横軸方向に平行し、横軸の中心から割り振って、長いプロセス用ガス供給シャワー管31を、隣接する誘電体の窓19の中間の位置の間に一つおきにガス導入用の金属管22が位置するように、隣り同士を離した状態で直列に配列する。真空容器1内の両端には、その位置に合致するように短い処理用ガス供給シャワー管32を配設する。
【選択図】図5
Description
(1)壁の一部がマイクロ波を透過する材料からなる平板状の誘電体板で構成されて、内部が減圧可能な真空容器と、
真空容器内にガスを供給するガス供給システムと、
真空容器内に供給されるガスを排気するとともに該真空容器内を減圧するための排気システムと、
誘電体板で壁の一部を構成する誘電体板と真空容器内に励起されるプラズマの間に配置され、マイクロ波を透過する材料からなる平板状の誘電体で構成されると共に複数のガス放出孔が形成された上段シャワープレートと、
誘電体板を挟んで真空容器の外側に配置され、該誘電体板を通してプラズマ励起用のマイクロ波を供給するための平板状のスロットアンテナと、
真空容器の内側に設けられて前記被処理基体を保持するステージと、
真空容器の上段に配設された上段シャワープレートと被処理基板との間に設けられて、上段シャワープレートから放出されるガスとは異なる組成のガスを該被処理基板側に放出するための多数に分割されたプロセス用ガス供給シャワー管を均一的に展開し、並設して前記スロットアンテナから放射されたマイクロ波を反射するプロセス用ガス供給のための下段シャワープレートとを有する構成とした。
長いシャワー管の両端を閉塞して管壁に複数のガス放出孔を設け、かつ中央部に分岐してガス導入用の第1の管を立設する。また、短いシャワー管の両端を閉塞して管壁に複数のガス放出孔を設け、かつ一端部にL字状に連結してガス導入用の第2の管を立設する。これらの長いシャワー管及び短いシャワー管は、それらの複数のガス放出孔を有する多数の管を行方向、列方向共に隣り同士を離し、かつ均一な間隔で展開して配置する。
そして、エッチングプロセスでは、基板上に成膜する材料パターンの均一性、加工の均一性が得られる。また、処理空間での放電がし易く、基板周辺の電子密度を高くすることができ、低電力のマイクロ波で、高速プロセスが実現できる。
図2は、上段及び下段のシャワーの流れを示す装置の縦断面構造を示す模式図である。図2において、参照符号19は誘電体窓、20は上段のシャワー、21は下段のシャワー、22はガス導入用金属管、23は金属管、24は金属管23の端(端部)、25は処理用ガス導入管との接続具、25'はプラズマ励起用ガス導入管との接続具を示す。
シャワー管31と、短い処理用ガス供給シャワー管32とを、図5に示したように、一定間隔をおいて配置された分割構造とすることにより、発熱は個々に分散されるため、高いシャワー温度に起因する下段のプロセス用ガス供給シャワー11の反り等の変形を避けることができる。
Claims (2)
- 壁の一部がマイクロ波を透過する材料からなる平板状の誘電体板で構成されて、内部が減圧可能な真空容器と、
前記真空容器内にガスを供給するガス供給システムと、
前記真空容器内に供給されるガスを排気するとともに該真空容器内を減圧するための排気システムと、
前記誘電体板で壁の一部を構成する前記誘電体板と前記真空容器内に励起されるプラズマの間に配置され、マイクロ波を透過する材料からなる平板状の誘電体で構成されると共に複数のガス放出孔が形成された上段シャワープレートと、
前記誘電体板を挟んで前記真空容器の外側に配置され、該誘電体板を通してプラズマ励起用のマイクロ波を供給するための平板状のスロットアンテナと、
前記真空容器(1)の内側に設けられて矩形の被処理基板を保持するステージと、
前記真空容器の上段に配設された前記上段シャワープレートと前記被処理基板との間に設けられて、前記上段シャワープレートから放出されるガスとは異なる組成のガスを該被処理基板側に放出するための多数に分割されたプロセス用ガス供給シャワー管を均一的に展開し、並設して前記スロットアンテナから放射されたマイクロ波を反射するプロセス用ガス供給のための、全体として矩形をなす下段シャワープレートとを有し、
前記下段シャワープレートは、複数のガス放出孔を有して前記被処理基板に対して前記ガスが均一に放出されるように均一に展開し並設て前記スロットアンテナから放射されたマイクロ波を反射するプロセス用ガス供給のための複数のシャワー管を有し、
前記シャワー管は、前記複数のガス放出孔を有する金属管と、該金属管に立設されたガス導入用の金属管とからなり、
前記シャワー管は、前記下段シャワープレートの平行する2辺の一方の端部から他方の端部まで同じパターンで配列されており、
前記下段シャワープレートの前記2辺に隣接する他の2辺の端部には前記シャワー管の端部が配列されており、
前記上段シャワープレートと前記下段シャワープレート間の空間で生成されたプラズマを、前記下段シャワープレートに設けた多数に分割された前記各シャワー管同士の間に形成される通気部を通して前記被処理基板側の空間に流し込むことで、前記被処理基板に対してプラズマ加工を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記下段シャワープレートを構成する各シャワー管は、長いシャワー管と短いシャワー管とからなり、
前記長いシャワー管は、該管の両端が閉塞されると共に管壁に複数の前記ガス放出孔を有し、かつ中央部に分岐して立設されたガス導入用の第1の管を備え、
前記短いシャワー管は、該管の両端が閉塞されると共に管壁に複数の前記ガス放出孔を有し、かつ該管の一端部にL字状に連結して立設されたガス導入用の第2の管を備え、
前記長いシャワー管及び短いシャワー管は、複数の前記ガス放出孔を有する多数の管を行列共隣り同士を離し、かつ均一な間隔で展開して配置してなり、
前記下段シャワープレートが、前記被処理基板に対して均一なガス放出と、高いシャワー温度に起因するシャワープレートの変形を回避することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2009261449A JP2010062582A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | プラズマ処理装置 |
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JP2009261449A JP2010062582A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | プラズマ処理装置 |
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Family Applications (1)
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JP2009261449A Pending JP2010062582A (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | プラズマ処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019046766A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN116921802A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-24 | 湖北秀山智能科技有限公司 | 一种汽车散热器钎焊自动喷淋装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000074127A1 (fr) * | 1999-05-26 | 2000-12-07 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
JP2003034869A (ja) * | 2001-05-15 | 2003-02-07 | Canon Inc | 成膜装置及び電子源の製造装置とそれを用いた製造方法 |
JP2006294661A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000074127A1 (fr) * | 1999-05-26 | 2000-12-07 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
JP2003034869A (ja) * | 2001-05-15 | 2003-02-07 | Canon Inc | 成膜装置及び電子源の製造装置とそれを用いた製造方法 |
JP2006294661A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019046766A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN116921802A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-24 | 湖北秀山智能科技有限公司 | 一种汽车散热器钎焊自动喷淋装置 |
CN116921802B (zh) * | 2023-07-27 | 2024-03-15 | 湖北秀山智能科技有限公司 | 一种汽车散热器钎焊自动喷淋装置 |
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