KR20090011978A - 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 등의 가스를 처리공간 내에 분사하면서 플라즈마를 형성하여 반도체처리공정을 수행하는 반도체처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 반도체공정을 수행하기 위한 처리공간을 가지는 반도체처리장치의 내부에 설치되는 샤워헤드로서, 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체와; 외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간을 형성하도록 상기 샤워헤드본체의 저면과 간격을 이루고 결합되며 다수개의 관통공들이 관통되어 형성된 하나 이상의 확산부형성플레이트를 포함하며, 상기 관통공들의 일부는 상기 샤워헤드본체에 형성된 상기 가스유로부의 상기 분사공과 관연결부에 의하여 연결되며, 상기 관통공들의 나머지는 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간 내로 공급하도록 상기 확산공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드를 개시한다.

Description

샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치 {Showerhead and Semiconductor Processing Apparatus having Same}
본 발명은 반도체처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 등의 가스를 처리공간 내에 분사하면서 플라즈마를 형성하여 반도체처리공정을 수행하는 반도체처리장치에 관한 것이다.
반도체처리장치란 밀폐된 처리공간 내에서 하나 이상의 가스를 처리공간 내에 주입하면서 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지대 상에 안착된 웨이퍼 등의 기판의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성(성막)하는 등 반도체처리공정을 수행하는 장치를 말한다.
반도체처리장치는 일반적으로 기판지지대의 상측에 가스의 공급을 위한 샤워헤드가 설치된다. 그리고 반도체처리공정에 따라서 처리공간 내에 주입되는 가스들은 그 종류 및 수가 달라진다.
한편 반도체처리공정을 수행할 때 플라즈마를 형성하면서 여러 가지 가스들이 주입되는데 가스들이 혼합된 상태에서 주입되는 경우 샤워헤드 내에서도 플라즈마가 형성되어 반도체처리공정을 불안정하게 하는 문제를 야기할 수 있다.
따라서 복수 개의 가스들을 공급하는 종래의 샤워헤드는 각각의 가스를 독립적으로 공급하는 복수 개의 가스유로들을 형성하여 가스를 독립적으로 공급하도록 구성이 제시되고 있다.
그러나 복수 개의 가스유로들이 형성된 종래의 샤워헤드는 처리공간 내에 주입되는 가스들의 종류에 따라서 유동성이 달라질 수 있는데, 질소(N2)가스, 불활성가스 등 유동성이 높은 경우 가스유로를 통하여 가스가 원활하게 공급될 수 있지만, 캐리어가스인 불활성가스 및 금속원소가 혼합된 원료가스의 경우 유동성이 낮아 가스유로를 통하여 원활하게 공급되지 못하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 샤워헤드가 가스의 확산을 위한 확산공간 및 가스의 분사를 위한 가스유로를 동시에 구비함으로써 유동성이 낮은 가스는 확산공간을 통하여 유동성이 높은 가스는 가스유로를 통하여 처리공간 내에 가스를 주입함으로써 처리공간 내에 효율적으로 가스를 주입할 수 있는 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 가스유로를 가지는 샤워헤드본체와 샤워헤드본체에 결합되어 확산공간을 형성하는 확산부형성플레이트로 구성됨으로써 조립이 간단하며 사공간(Dead Volume)이 감소된 구조를 가지는 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 반도체공정을 수행하기 위한 처리공간을 가지는 반도체처리장치의 내부에 설치되는 샤워헤드로서, 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체와; 외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간을 형성하도록 상기 샤워헤드본체의 저면과 간격을 이루고 결합되며 다수개의 관통공들이 관통되어 형성된 하나 이상의 확산부형성플레이트를 포함하며, 상기 관통공들의 일부는 상기 샤워헤드본 체에 형성된 상기 가스유로부의 상기 분사공과 관연결부에 의하여 연결되며, 상기 관통공들의 나머지는 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간 내로 공급하도록 상기 확산공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드를 개한다.
본 발명은 또한 반도체공정을 수행하기 위한 처리공간을 가지는 반도체처리장치의 내부에 설치되는 샤워헤드로서, 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체와; 외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간을 형성하도록 상기 샤워헤드본체의 상면과 간격을 이루면서 결합되고 외부에서 가스를 공급하는 가스공급관과 연결되는 복수개의 공급유로들이 형성되는 하나 이상의 확산부형성플레이트를 포함하며, 상기 샤워헤드본체는 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간 내로 공급하도록 상기 확산공간과 연통되는 다수개의 관통공들이 상하로 관통 형성된 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드를 개시한다.
상기 샤워헤드본체는 상기 가스유로부가 2개 이상으로 구성되고 상기 각각의 가스유로부는 각각 독립적으로 가스를 공급받도록 구성될 수 있다.
상기 2개 이상의 상기 가스유로부는 층을 이루어 형성될 수 있다.
상기 확산부형성플레이트에는 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 추가로 형성될 수 있다.
상기 샤워헤드본체 및 확산부형성플레이트는 볼트에 의하여 결합되거나 브래이징될 수 있다.
상기 관연결부는 상기 확산부형성플레이트의 상면으로부터 돌출형성될 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 구성을 가지는 샤워헤드를 가지는 반도체처리장치를 개시한다.
본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드는 가스의 확산을 위한 확산공간 및 가스유로를 함께 형성하여 가스의 유동성에 따라 유동성이 낮은 가스는 확산공간으로 유동성이 높은 가스는 가스유로를 통하여 처리공간 내에 가스를 공급함으로써 처리공간 내에 가스를 효율적으로 공급할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드는 가스유로를 가지는 샤워헤드본체와 확산공간을 형성하는 확산부형성플레이트로 구성되어 그 조립이 간단하며 조립을 위한 사공간(Dead Volume)을 줄일 수 있는 이점이 있다.
이하 본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 샤워헤드를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 확산부형성플레이트부를 보여주는 평면도이고, 도 4a는 도 2의 샤워헤드 중 샤워헤드본체의 구조를 보여주는 개 념도이고, 도 4b는 도 2에서 IV-IV 방향의 단면도이고, 도 4c는 도 2에서 V-V 방향의 단면도이다.
본 발명에 따른 반도체처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 반응용기(10)에 의하여 형성되는 밀폐된 처리공간(S) 내에서 복수 개의 가스를 처리공간(S) 내에 주입하면서 플라즈마를 형성하여 기판지지대(100) 상에 안착된 웨이퍼 등의 기판(20)의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성하는 등 반도체처리공정을 수행하도록 구성된다.
상기 반응용기(10)는 서로 결합되어 밀폐된 처리공간을 형성하는 하우징(14) 및 상부커버(13)로 구성될 수 있다.
그리고 상기 반응용기(10)는 기판(20)의 입출을 위한 기판출입구(11)가 형성될 수 있으며, 상기 기판출입구(11)는 게이트(12)에 의하여 개폐된다.
그리고 상기 반응용기(10)는 도시하지는 않았지만 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기관(15)과 연결되는 배기를 위한 배기시스템이 설치된다.
상기 기판지지대(100)는 반응용기(10)의 내부에 상하로 이동가능하게 설치 될 수 있으며, 내부에는 기판(20)을 고정하기 위한 정전척, 가열을 위한 히터, 기판(20)을 기판지지대(100)로부터 들어올리기 위한 리프트핀(미도시) 등이 설치될 수 있다.
한편 상기 반응용기(10)의 처리공간(S)에는 플라즈마를 형성하기 위하여 가스를 공급하기 위한 가스공급시스템과 전원을 공급하는 전극이 설치된다.
상기 전극은 반도체공정에 따라서 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있으며, 일예로서 기판지지대(20)의 일부를 구성하는 하부전극과 기판지지대(20)의 상측에 설치되는 상부전극으로 구성될 수 있다.
그리고 상기 가스공급시스템은 기판지지대(100)의 상측에 설치되는 샤워헤드(40)와, 샤워헤드(40)와 연결되어 가스를 공급하는 가스공급관(50)에 의하여 연결되는 가스공급장치(미도시)를 포함하여 구성된다. 이때 상기 샤워헤드(40)는 고주파전원(30)에 의하여 전원이 인가되는 상부전극으로서의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
상기 샤워헤드(40)는 가스공급관(50; 51, 52, 53)에 의하여 공급되는 가스를 처리공간(S) 내로 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
특히 본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드(40)는 공급되는 가스의 성질에 따라서 처리공간(S) 내로 가스의 공급을 원활하게 할 수 있도록 유로를 통하여 가스를 처리공간(S) 내로 가스를 공급하는 가스유로부 및 가스를 확산시킨 후에 가스를 공급하는 가스확산부의 조합으로 구성됨을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드(40)는 유동성이 높은 가스의 경우 가스유로부를 통하여 처리공간(S) 내로 분사하고, 유동성이 낮은 가스의 경우 가스확산부를 통하여 확산 후에 가스를 처리공간(S) 내로 공급하게 된다.
한편 상기 가스유로부는 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로 및 처리공간내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공으로 구현되며, 상기 가스확산부는 외부로부터 가스를 공급받아 확산시킨 후 처리공간(S)으로 가스를 공급하는 확산공간으로 구현된다.
상기 가스유로부는 불활성 가스, 질소가스(N2), NH3와 같은 N계열가스 등과 같은 유동성이 높은 가스들을 주로 공급하게 되며, 상기 가스확산부는 불활성가스를 캐리어 가스로 하며 Al, Si, Ti, Ga, Ge 등과 같은 소스를 포함하는 가스들과 같이 유동성이 낮은 가스들을 주로 공급하게 된다.
한편 상기 샤워헤드(40)에 형성되는 가스유로부 및 가스확산부의 위치, 숫자는 반도체공정에 따라서 필요한 가스들의 종류 및 숫자에 따라서 달라질 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 샤워헤드는 도 1 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 가스공급관(50; 51, 52, 53)과 연결되어 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로(211, 221)와 가스공급유로(211, 221)와 연결되어 처리공간(S) 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공(212, 222)들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부(210. 220)가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체(200)와; 외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간(311)을 형성하도록 샤워헤드본체(200)와 간격을 이루어 결합되는 하나 이상의 확산부형성플레이트(300)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 샤워헤드본체(200)는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로(211, 221)와, 가스공급유로(211, 221)와 연결되어 처리공간(S) 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공(212, 222)들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부(210. 220)가 형성되어 유동성이 높은 가스들을 처리공간(S) 내로 가스를 공급하도록 구성된다.
이때 상기 가스유로부(210, 220)를 구성하는 가스공급유로(211, 221) 및 분사공(212, 222)들은 하나의 플레이트에 드릴로 천공하여 다수개의 유로를 형성하고 천공된 홀에 대하여 외측으로 노출되는 부분을 브레이징에 의하여 밀폐함으로써 형성될 수 있다. 그리고 상기 가스유로부(210, 220)는 2개 이상으로 구성되어 각각의 가스유로부(210, 220)에 가스가 독립적으로 공급되는 것이 바람직하며, 상기 2개 이상의 가스유로부(210, 220)들은 서로 층을 이루어 형성될 수 있다.
상기 가스공급유로(211, 212)는 가스공급관(50; 51, 52)과 공급유로(51a, 52a)에 의하여 연결되어 가스를 공급하게 되는데 처리공간(S) 내에 골고루 분사될 수 있도록 공급유로(51a, 52a)와 연결되는 제 1 메인유로(211a, 221a)와, 제 1 메인유로(211a, 221a)와 수직 또는 경사를 이루어 연결되는 다수개의 제 2 메인유로(211b, 221b)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 상기 공급유로(51a, 52a)는 기판지지대(100)와 수직으로 형성되며, 제 1 메인유로(211a, 221a) 및 제 2 메인유로(211b, 221b)는 수평으로 형성된다. 이때 상기 가스유로부가 복수 개로 구성되는 경우 제 1 메인유로(211a) 및 제 2 메인유로(211b)는 다른 가스유로부(220)의 제 1 메인유로(221a) 및 제 2 메인유로(221b)와 분사공(212, 222)들과의 연결을 위하여 서로 엇갈리면서 층을 이루어 형성되는 것이 바람직하다.
상기 분사공(212, 222)은 제 2 메인유로(211b, 221b)와 샤워헤드본체(200)의 저면으로 연장되어 형성된다. 이때 상기 샤워헤드본체(200)의 하측에 확산부형성플레이트(300)가 설치된 경우에는 상기 분사공(212, 222)은 확산부형성플레이트(300) 에 형성된 관통공(341)과 관연결부(342)에 의하여 연결되어 처리공간(S)으로 가스가 공급되도록 한다.
한편 상기 확산부형성플레이트(300)는 확산공간(311)을 형성하도록 샤워헤드본체(200)의 저면과 간격을 이루면서 결합되며 다수개의 관통공(312, 341)들이 관통되어 형성된다.
이때 상기 관통공(312, 341)들의 일부는 샤워헤드본체(200)에 형성된 가스유로부(210, 220)의 분사공(212, 222)과 관연결부(342)에 의하여 연결되며, 상기 관통공(312, 341)들의 나머지는 확산공간(311)에서 확산된 가스를 처리공간(S) 내로 공급하도록 확산공간(311)과 연통된다.
상기 관연결부(342)는 확산부형성플레이트(300)의 상면으로부터 돌출되어 일체로 형성되거나 브레이징 등에 의하여 확산부형성플레이트(300)의 상면과 결합될 수 있다.
또한 상기 확산부형성플레이트(300)에는 후술하는 제 3 실시예에서와 같이, 하나 이상의 가스유로부(320)가 추가로 형성될 수 있다.
한편 상기 샤워헤드본체(200) 및 확산부형성플레이트(300)는 브레이징에 의하여 서로 결합되거나, 가장자리에 결합부(252, 352)를 각각 형성하고 볼트(351)와 같은 체결부재에 의하여 결합될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 샤워헤드(40)는 가스유로부가 형성된 샤워헤드본체(200)와 가스확산부를 형성하는 확산부형성플레이트(300)로 구성됨으로써 가스의 유동성에 따라 가스유로부 또는 가스확산부를 선택하여 가스를 처리공간(S) 내로 주입함으로써 보다 원활하게 처리공간(S) 내로 가스를 주입할 수 있게 되어 반도체처리장치가 안정적인 반도체처리공정을 수행할 수 있게 할 수 있다.
또한 상기와 같은 구성을 가지는 샤워헤드(40)는 유동성이 높은 가스가 실링상태가 양호한 샤워헤드본체(200)의 가스유로부에 주입되고 유동성이 낮은 가스가 확산부형성플레이트(300)의 가스확산부로 주입됨으로써 샤워헤드(40)의 조립부위를 통한 가스의 누설을 방지할 수 있게 된다.
특히 상기와 같은 구성을 가지는 샤워헤드(40)는 3종류 이상의 가스가 주입되는 반도체공정에 있어서 가스의 유동성에 따라서 2종류 이상의 가스가 주입될 수 있도록 2개 이상의 가스유로부가 일체로 형성된 샤워헤드본체(200)와 가스확산부의 형성을 위한 확산부형성플레이트(300)로 구성하게 되면 샤워헤드(40)를 구성하는 부재의 수가 감소하게 되어 볼팅 등 샤워헤드(40)의 조립에 필요한 부위를 줄여 불필요한 공간, 즉 사공간(Dead Volume)을 줄일 수 있게 된다.
한편 본 발명에 따른 반도체처리장치의 샤워헤드는 가스유로부 및 가스확산부의 위치에 따라서 다양한 변형이 가능하다.
도 5은 도 1의 샤워헤드의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 샤워헤드(40)는 도 5에 도시된 바와 같이, 가스확산부(310)가 형성되는 확산부형성플레이트(300)가 가스유로부(210, 220)가 형성되는 샤워헤드본체(200)의 상면과 그 사이에서 확산공간(311)을 형성하도록 간격을 이루면서 결합될 수 있다.
이때 샤워헤드본체(200)는 확산공간(311)에서 확산된 가스를 처리공간(S) 내 로 공급하도록 확산공간(S)과 연통되는 다수개의 관통공(341)들이 상하로 관통 형성된다.
또한 상기 확산부형성플레이트(300)는 샤워헤드본체(200)의 상측에 설치되므로 가스공급관(50; 51, 52, 53)과 연결되는 공급유로(51a, 52a, 53a)가 형성된다.
한편 상기 확산공간(311)이 샤워헤드본체(200)의 상측에 형성되므로 샤워헤드본체(200)에 형성되는 가스유로부(210, 220)를 연결하는 공급유로(51a, 52a)가 확산공간(311)과 연통되지 않도록 연결될 필요가 있다.
따라서 상기 확산공간(311)에는 가스유로부(210, 220)를 연결하는 공급유로(51a, 52a)들을 연결하는 관연결부(51b, 52b)들이 추가로 설치된다.
한편 상기 샤워헤드본체(200)의 저면에는 확산공간을 추가로 형성하기 위한 확산부형성성플레이트가 추가로 결합될 수 있다.
도 6은 도 1의 샤워헤드의 제3실시예를 보여주는 단면도이다.
한편 확산공간을 형성하는 확산부형성플레이트에 가스유로부가 추가로 형성될 수 있는바, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 샤워헤드(40)는 도 6에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 가스유로부(210)가 형성된 샤워헤드본체(200)의 저면에 간격을 두고 결합되어 확산공간(311)을 형성하는 확산부형성플레이트(300)가 결합되고, 확산부형성플레이트(300)에는 가스유로부(320)가 추가로 형성될 수 있다.
상기 확산부형성플레이트(300)에 형성되는 하나 이상의 가스유로부(320)는 샤워헤드본체(200)에 형성된 가스유로부(320)와 유사하게 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로(321)와 가스공급유로(321)와 연결되어 처리공간(S) 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공(322)들을 포함하여 구성될 수 있다.
물론 상기 가스공급유로(321)는 샤워헤드본체(200)에 형성된 가스공급유로(311)와 유사한 구성으로, 가스공급관(50; 52)과 공급유로(52a)에 의하여 연결되어 가스를 공급하게 되며 처리공간(S) 내에 골고루 분사될 수 있도록 공급유로(52a)와 연결되는 제 1 메인유로(321a)와, 제 1 메인유로(321a)와 수직 또는 경사를 이루어 연결되는 다수개의 제 2 메인유로(321b)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때 상기 가스공급유로(321)과 연결되는 공급유로(52a)는 확산공간(311)과 연통되지 않도록 확산공간(311)에 설치되는 관연결부재(52b)에 의하여 연결된다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 샤워헤드를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 확산부형성플레이트부를 보여주는 평면도이다.
도 4a는 도 2의 샤워헤드 중 샤워헤드본체의 구조를 보여주는 개념도이다.
도 4b는 도 2에서 IV-IV 방향의 단면도이다.
도 4c는 도 2에서 V-V 방향의 단면도이다.
도 5은 도 1의 샤워헤드의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 샤워헤드의 제3실시예를 보여주는 단면도이다.
***** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *****
S : 처리공간
40 : 샤워헤드
200 : 샤워헤드본체 210, 220, 320 : 가스유로부
300 : 확산부형성플레이트 311 : 확산공간

Claims (8)

  1. 반도체공정을 수행하기 위한 처리공간을 가지는 반도체처리장치의 내부에 설치되는 샤워헤드로서,
    외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체와;
    외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간을 형성하도록 상기 샤워헤드본체의 저면과 간격을 이루고 결합되며 다수개의 관통공들이 관통되어 형성된 하나 이상의 확산부형성플레이트를 포함하며,
    상기 관통공들의 일부는 상기 샤워헤드본체에 형성된 상기 가스유로부의 상기 분사공과 관연결부에 의하여 연결되며, 상기 관통공들의 나머지는 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간 내로 공급하도록 상기 확산공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  2. 반도체공정을 수행하기 위한 처리공간을 가지는 반도체처리장치의 내부에 설치되는 샤워헤드로서,
    외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 형성된 하나 이상의 샤워헤드본체와;
    외부로부터 가스를 공급받아 확산시키기 위한 확산공간을 형성하도록 상기 샤워헤드본체의 상면과 간격을 이루면서 결합되고 외부에서 가스를 공급하는 가스공급관과 연결되는 복수개의 공급유로들이 형성되는 하나 이상의 확산부형성플레이트를 포함하며,
    상기 샤워헤드본체는 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간 내로 공급하도록 상기 확산공간과 연통되는 다수개의 관통공들이 상하로 관통 형성된 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 샤워헤드본체는
    상기 가스유로부가 2개 이상으로 구성되고 상기 각각의 가스유로부는 각각 독립적으로 가스를 공급받는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 2개 이상의 상기 가스유로부는 층을 이루어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 확산부형성플레이트에는 외부로부터 가스를 공급받는 가스공급유로와 상기 가스공급유로와 연결되어 상기 처리공간 내로 가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공들을 포함하는 하나 이상의 가스유로부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  6. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 샤워헤드본체 및 확산부형성플레이트는 볼트에 의하여 결합되거나 브래이징되는 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 관연결부는 상기 확산부형성플레이트의 상면으로부터 돌출형성된 것을 특징으로 하는 반도체처리장치의 샤워헤드.
  8. 제 1항 내지 제 4항 및 제 7항 중 어느 하나의 항에 따른 샤워헤드를 가지는 반도체처리장치.
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