JP2014112628A

JP2014112628A - 回路モジュール

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Publication number: JP2014112628A
Application number: JP2013023220A
Authority: JP
Inventors: Masaki Naganuma; 正樹長沼; Hiroshi Nakamura; 浩中村
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-11-05
Filing date: 2013-02-08
Publication date: 2014-06-19
Anticipated expiration: 2033-02-08
Also published as: JP5261624B1; US20140126156A1; CN103811470B; CN103811470A

Abstract

【課題】フィルタデバイスと発熱性電子部品との信号伝送経路にノイズ混入等の不具合を生じ難く、しかも、発熱性電子部品からの熱伝達によってフィルタデバイスに誤作動等の不具合を生じ難い回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュールは、多層基板１１が金属製コア層１１ａを有し、フィルタデバイス１２が該コア層１１ａの収容部１１ａ１内に収容されており、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３がフィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の全部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有しており、パワーアンプＩＣ１３が多層基板１１に設けた複数のサーマルビア１１ｔ１を介してコア層１１ａの上面（厚さ方向一面）に接続されている構造を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、フィルタデバイスとパワーアンプＩＣ等の発熱性電子部品を含む回路が構築された回路モジュールに関する。

この種の回路モジュールにおけるフィルタデバイスとパワーアンプＩＣ等の発熱性電子部品の配置形態には、多層基板の厚さ方向一面にフィルタデバイスと発熱性電子部品を並べて実装した形態（例えば下記特許文献１の図３を参照）と、多層基板にフィルタデバイスを内蔵し多層基板の厚さ方向一面の該フィルタデバイスの真上に当たる位置に発熱性電子部品を実装した形態（例えば下記特許文献２の図１〜図４を参照）が知られている。

前者の形態にあっては、発熱性電子部品で発生した熱を多層基板に設けられた複数のサーマルビアを介して該多層基板の厚さ方向他面側から外部に放出できるものの、発熱性電子部品からフィルタデバイスへの熱伝達を緩和するには該フィルタデバイスと発熱性電子部品との間に十分な距離を確保する必要があり、これによりフィルタデバイスと発熱性電子部品との信号伝送経路が長くなって該信号伝送経路にノイズ混入等の不具合を生じる恐れがある。

後者の形態にあっては、多層基板に内蔵されたフィルタデバイスと発熱性電子部品との信号伝送経路を前者の形態に比べて短くできるものの、前者のようなサーマルビアを使用できないことも相俟って、発熱性電子部品からの熱伝達によってフィルタデバイスに誤作動等の不具合を生じる恐れがある。

特開２００６−２０３６５２号公報特開２００７−３１２１０８号公報

本発明の目的は、フィルタデバイスと発熱性電子部品との信号伝送経路にノイズ混入等の不具合を生じ難く、しかも、発熱性電子部品からの熱伝達によってフィルタデバイスに誤作動等の不具合を生じ難い回路モジュールを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明は、多層基板にフィルタデバイスが内蔵され該多層基板の厚さ方向一面に発熱性電子部品が実装された構造を備え、前記フィルタデバイスと前記発熱性電子部品を含む回路が構築された回路モジュールであって、前記多層基板は金属製のコア層を有し、前記フィルタデバイスは該コア層に形成された収容部内に収納されており、前記フィルタデバイスと前記発熱性電子部品は前記フィルタデバイスの平行投影領域の少なくとも一部が前記発熱性電子部品の平行投影領域に重なる位置関係を有しており、前記発熱性電子部品は前記多層基板に設けた複数のサーマルビアを介して前記コア層の厚さ方向一面に接続されている、ことをその特徴とする。

本発明によれば、フィルタデバイスと発熱性電子部品との信号伝送経路にノイズ混入等の不具合を生じ難く、しかも、発熱性電子部品からの熱伝達によってフィルタデバイスに誤作動等の不具合を生じ難い回路モジュールを提供することができる。

本発明の前記目的及び他の目的と、各目的に応じた特徴と効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

図１は、本発明を適用した回路モジュールの要部縦断面図である。図２は、図１に示したフィルタデバイスとパワーアンプＩＣの位置関係を示す図である。

《回路モジュールの構造》
図１に示した回路モジュールは、多層基板１１と、多層基板１１に内蔵されたフィルタデバイス１２と、多層基板１１の上面（厚さ方向一面）に実装されたパワーアンプＩＣ（発熱性電子部品）を備え、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３を含む回路（高周波回路）を構築している。

図１に示した断面構造において、多層基板１１は、グランド配線を兼用する金属製のコア層１１ａと、コア層１１ａの上面（厚さ方向一面）に順に設けられた絶縁層１１ｂ、導体層１１ｃ、絶縁層１１ｄ、導体層１１ｅ、絶縁層１１ｆ、導体層１１ｇ及び絶縁層１１ｈと、コア層１１ａの下面（厚さ方向他面）に順に設けられた絶縁層１１ｉ、導体層１１ｊ、絶縁層１１ｋ、導体層１１ｌ、絶縁層１１ｍ、導体層１１ｎ及び絶縁層１１ｏと、最上位の絶縁層１１ｈの上面に設けられたシグナルパッド１１ｐ及びグランドパッド１１ｑと、最下位の絶縁層１１ｏの下面に設けられたシグナルパッド１１ｒ及びグランドパッド１１ｓを有している。

また、多層基板１１は、最上位の絶縁層１１ｈの上面からコア層１１ａの上面に至る複数（図１中は３個）のサーマルビア１１ｔ１と、最上位の絶縁層１１ｈの上面からコア層１１ａの上面に最も近い導体層１１ｃの上面に至る少なくも１個（図１中は１個）のサーマルビア１１ｔ２を略等間隔で有している。各サーマルビア１１ｔ１及び１１ｔ２は横断面が略円形の柱状を成しており、各々の上端はパッド部１１ｔ３と連続していて該パッド部１１ｔ３は最上位の絶縁層１１ｈの上面に設けられている。パッド部１１ｔ３はパワーアンプＩＣ１３のサーマルパッド１３ｂ（図２を参照）に接続され、各サーマルビア１１ｔ１の下端面はコア層１１ａの上面に接続され、サーマルビア１１ｔ２の下端面はグランド配線である導体層１１ｃの上面に接続されている。各サーマルビア１１ｔ１はコア層１１ａの上側に存する導体層１１ｃ、１１ｅ及び１１ｇに接触しておらず、サーマルビア１１ｔ２はコア層１１ａの上側に存する導体層１１ｅ及び１１ｇに接触していない。

さらに、多層基板１１は、最下位の絶縁層１１ｏの下面からコア層１１ａの下面に至る複数（図１中は４個）の第２のサーマルビア１１ｕを略等間隔で有している。各第２のサーマルビア１１ｕは横断面が略円形の柱状を成しており、各々の上端面はコア層１１ａの下面に接続され、各々の下端面はグランドパッド１１ｓに接続されている。各第２のサーマルビア１１ｕはコア層１１ａの下側に存する導体層１１ｊ、１１ｌ及び１１ｎは接触していない。複数の第２のサーマルビア１１ｕの位置（中心位置）は、一群を成す前記各サーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２の位置（中心位置）よりも左方向（多層基板１１の厚さ方向と直交する方向）にずれている。

さらに、多層基板１１は、コア層１１ａの上面に２番目に近い導体層１１ｅとフィルタデバイス１２の複数のパッド１２ａ（図２を参照）のうちの２個にその下端面を接続した２個の導体ビア１１ｅ１を有している。コア層１１ａには略直方体形状の収容部１１ａ１が貫通形成されていて該収容部１１ａ１内にはフィルタデバイス１２が収納されており、収容部１１ａ１の内壁とフィルタデバイス１２との隙間には絶縁材１１ｖが設けられている。

尚、コア層１１ａと、各導体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ、１１ｊ、１１ｌ及び１１ｎと、シグナルパッド１１ｐ及び１１ｒと、グランドパッド１１ｑ及び１１ｓと、各サーマルビア１１ｔ１及び１１ｔ２とそのパッド部１１ｔ３と、各第２のサーマルビア１１ｕは、銅や銅合金等の金属から成る。コア層１１ａの厚さは例えば１００〜４００μｍの範囲内にあり、各導体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ、１１ｊ、１１ｌ及び１１ｎの厚さとシグナルパッド１１ｐ及び１１ｒの厚さとグランドパッド１１ｑ及び１１ｓの厚さとパッド部１１ｔ３の厚さは、例えば５〜２５μｍの範囲内にある。各サーマルビア１１ｔ１及び１１ｔ２の直径と各第２のサーマルビア１１ｕの直径と各導体ビア１１ｅ１の直径は、例えば１０〜８０μｍの範囲内にある。

また、各絶縁層１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ、１１ｉ、１１ｋ、１１ｍ及び１１ｏと、絶縁材１１ｖは、エポキシ樹脂やポリイミドやビスマレイミドトリアジン樹脂やこれらにガラス繊維等の補強フィラーを含有させたもの等の合成樹脂から成る。各絶縁層１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ、１１ｉ、１１ｋ、１１ｍ及び１１ｏの厚さは、例えば１０〜３０μｍの範囲内にある。

図１には現れていないが、各導体層１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ、１１ｊ、１１ｌ及び１１ｎにはシグナル配線とグランド配線が２次元的にパターニングされている。また、最上位の絶縁層１１ｈの上面にはシグナルパッド１１ｐ及びグランドパッド１１ｑ以外のシグナルパッド及びグランドパッドが２次元的に設けられており、最下位の絶縁層１１ｏの下面にもシグナルパッド１１ｒ及びグランドパッド１１ｓ以外のシグナルパッド及びグランドパッドが２次元的に設けられている。

図１に示した断面構造において、フィルタデバイス１２は、入力された信号から特定周波数帯域の信号を取り出して出力する機能を有する電子部品、例えば表面弾性波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）を利用したＳＡＷフィルタやバルク弾性波（ＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）を利用したＢＡＷフィルタ等の弾性波フィルタであり、受信用と送信用の何れであっても良い。フィルタデバイス１２は略直方体形状を成しており、その上面に計５個のパッド１２ａを有している（図２を参照）。計５個のパッド１２ａは入力用パッド、出力用パッド及びグランド用パッドを含んでいて、図１にあってはそのうちの２個が前記各導体ビア１１ｅ１の下端面に接続されている。

図１に示した断面構造において、パワーアンプＩＣ１３は、フィルタデバイス１２から出力された信号又はフィルタデバイス１２に入力される信号を増幅する機能を果たす電子部品である。パワーアンプＩＣはフィルタデバイス１２よりも大きな略直方体形状を成していて、その下面両側に計１０個のパッド１３ａを有し、その中央部分にパッド１３ａよりも大きなサーマルパッド１３ｂを有している（図２を参照）。計１０個のパッド１３ａは入力用パッド、出力用パッド、グランド用パッド及び電源供給用パッドを含んでいて、図１にあってはそのうちの２個が前記シグナルパッド１１ｐ及びグランドパッド１１ｑに接続されている。また、サーマルパッド１３ｂは、各サーマルビア１１ｔ１及び１１ｔ２の上端に連続して設けられたパッド部１１ｔ３に接続されている。

ここで、図２を引用して、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３の位置関係について説明する。図２に示したＰＰＲ１２はフィルタデバイス１２の平行投影領域を示し、ＣＴ１２は該平行投影領域ＰＰＲ１２の中心を示し、ＰＰＲ１３はパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域を示し、ＣＴ１３は該平行投影領域ＰＰＲ１３の中心を示す。また、図２に示したＩ−Ｉ線は図１の断面位置を示す。

因みに、図２に示したフィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３の具体的な寸法例を挙げると、フィルタデバイス１２の長さは１．２ｍｍで幅は０．７ｍｍであり、パワーアンプＩＣ１３の長さは３．０ｍｍで幅は３．０ｍｍである。また、コア層１１ａの厚さは０．３４ｍｍであって、フィルタデバイス１２の厚さ（０．３２ｍｍ）よりも大きい。

図２から分かるように、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３は、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の全部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有している。

詳しくは、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさはパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の大きさよりも小さく、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の中心ＣＴ１２はパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の中心ＣＴ１３からずれている。また、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２とパワーアンプＩＣ１３のサーマルパッド１３ｂの平行投影領域ＰＰＲ１３ｂとを比較すると、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさはサーマルパッド１３ｂの平行投影領域ＰＰＲ１３ｂの大きさよりも小さく、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の一部がサーマルパッド１３ｂの平行投影領域ＰＰＲ１３ｂに重なっている。

《前記回路モジュールによって得られる効果》
（効果１）前記回路モジュールは、多層基板１１が金属製コア層１１ａを有し、フィルタデバイス１２が該コア層１１ａの収容部１１ａ１内に収容されており、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３がフィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の全部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有しており、パワーアンプＩＣ１３が多層基板１１に設けた複数のサーマルビア１１ｔ１を介してコア層１１ａの上面（厚さ方向一面）に接続されている構造を備えている。

即ち、多層基板１１の金属製コア層１１ａの収容部１１ａ１内にフィルタデバイス１２が収納されていることから該フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３との信号伝送経路を極力短くできると共に、パワーアンプＩＣ１３で発生した熱を多層基板１１に設けた複数のサーマルビア１１ｔ１を介して金属製コア層１１ａに効率的に伝達して該コア層１１ａの端面等から外部に効果的に放出できる。従って、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３との信号伝送経路にノイズ混入等の不具合を生じ難く、しかも、パワーアンプＩＣ１３からの熱伝達によってフィルタデバイス１２に誤作動等の不具合を生じ難い。

（効果２）前記回路モジュールは、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の中心ＣＴ１２がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の中心ＣＴ１３からずれていて、しかも、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさがパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の大きさよりも小さい構造を備えている。

即ち、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２をパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の縁に寄せることによって、パワーアンプＩＣ１３から金属製コア層１１ａに熱伝達するためのサーマルビア１１ｔ１を数を極力増加できる。要するに、サーマルビア１１ｔ１によるコア層１１ａへの熱伝達をより一層効率的に行って、パワーアンプＩＣ１３からフィルタデバイス１２への熱伝達をより確実に緩和できる。

（効果３）前記回路モジュールは、多層基板１１の上面（厚さ方向一面）とコア層１１ａの上面（厚さ方向一面）との間にグランド配線である導体層１１ｃを有しており、複数のサーマルビア１１ｔ１と一群を成すサーマルビア１１ｔ２が該グランド配線である導体層１１ｃに接続されている構造を備えている。

即ち、パワーアンプＩＣ１３で発生した熱を複数のサーマルビア１１ｔ１を介して多層基板１１の金属製コア層１１ａに効率的に伝達して該コア層１１ａの端面等から外部に放出できると共に、パワーアンプＩＣ１３で発生した熱をサーマルビア１１ｔ２を介してグランド配線である導体層１１ｃに効率的に伝達して該導体層１１ｃの端面等から外部に放出できる。要するに、パワーアンプＩＣ１３で発生した熱を金属製コア層１１ａ及び導体層１１ｃの両方に伝達することによって、トータル的な熱放出効率を向上できる。

（効果４）前記回路モジュールは、パワーアンプＩＣ１３がその下面（多層基板１１の厚さ方向一面と向き合う面）の中央部分にサーマルパッド１３ｂを有し、該サーマルパッド１３ｂに複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２が接続されている構造を備えている。

即ち、パワーアンプＩＣ１３で発生した熱をその下面中央部分に設けられたサーマルパッド１３ｂに効率的に誘導し、誘導した熱を複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２に伝達できるため、パワーアンプＩＣ１３から金属製コア層１１ａへの熱伝達をより一層効率的に行える。

（効果５）前記回路モジュールは、コア層１１ａの下面（厚さ方向他面）と多層基板１１の下面（厚さ方向他面）に設けたグランドパッド１１ｓとが該多層基板１１に設けた複数の第２のサーマルビア１１ｕを介して接続されている構造を備えている。

即ち、パワーアンプＩＣ１３から複数のサーマルビア１１ｔ１を介して金属性のコア層１１ａに伝達された熱を複数の第２のサーマルビア１１ｕに伝達してグランドパッド１１ｓから外部に放出できるので、トータル的な熱放出効率を向上できる。

（効果６）前記回路モジュールは、複数の第２のサーマルビア１１ｕの位置が一群を成す複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２の位置よりも左方向（多層基板の厚さ方向と直交する方向）にずれている構造を備えている。

即ち、複数の第２のサーマルビア１１ｕの位置がずれていても、金属性のコア層１１ａに伝達された熱を複数の第２のサーマルビア１１ｕに介してグランドパッド１１ｓに伝達できるため、グランドパッド１１ｓの位置に係わる設計自由度が向上する。しかも、グランドパッド１１ｓの位置制約が無くなることから、多層基板１１の下面（厚さ方向他面）におけるパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３内にシグナルパッド１１ｒを配置することも可能になり、無駄な空きスペースを有しないコンパクトな回路モジュールを得ることができる。

《前記回路モジュールの構造変形例》
（変形例１）前記《回路モジュールの構造》では、多層基板１１の金属製コア層１１ａの収容部１１ａ１に受信用又は送信用のフィルタデバイス１２を収容した構造を示したが、パッド１２ａの数及び位置等が異なる同様のフィルタデバイス１２をコア層１１ａの収容部１１ａ１に収納した場合や、他種類のフィルタデバイス、例えば受信用フィルタ部と送信用フィルタ部を併せ持つデュプレクサをコア層１１ａの収容部１１ａ１に収納した場合でも、前記効果１〜効果６を同様に得ることができる。また、コア層１１ａの収容部１１ａ１として貫通孔型の収容部１１ａ１を示したが、収容部１１ａ１を非貫通孔型の凹状のものとした場合でも、前記効果１〜前記効果６を同様に得ることができる。さらに、多層基板１１の上面（厚さ方向一面）にパワーアンプＩＣを実装した構造を示したが、パッド１３ａ及び１３ｂの数及び位置等が異なる同様のパワーアンプＩＣを多層基板１１の上面（厚さ方向一面）に実装した場合や、パワーアンプＩＣ以外の発熱性電子部品、例えばＲＦＩＣ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）を多層基板１１の上面（厚さ方向一面）に実装した場合でも、前記効果１〜効果６を同様に得ることができる。

（変形例２）前記《回路モジュールの構造》では、フィルタデバイス１２とパワーアンプＩＣ１３の位置関係としてフィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の全部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる構造を示したが、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の一部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有する場合でも、前記効果１〜効果６を同様に得ることができる。

（変形例３）前記《回路モジュールの構造》では、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の中心ＣＴ１２がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の中心ＣＴ１３からずれていて、しかも、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさがパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の大きさよりも小さい構造を示したが、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさに拘わらず、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の中心ＣＴ１２がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の中心ＣＴ１３からずれていて、且つ、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の少なくとも一部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有していれば、前記効果１〜前記効果６を同様に得ることができる。

（変形例４）前記《回路モジュールの構造》では、多層基板１１の上面（厚さ方向一面）とコア層１１ａの上面（厚さ方向一面）との間にグランド配線である導体層１１ｃを有しており、複数のサーマルビア１１ｔ１と一群を成すサーマルビア１１ｔ２が該グランド配線である導体層１１ｃに接続されている構造を示したが、一群を成す複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２から該サーマルビア１１ｔ２を除外した構造を採用しても、前記効果１、前記効果２、前記効果４〜前記効果６を同様に得ることができる。

（変形例５）前記《回路モジュールの構造》では、パワーアンプＩＣ１３がその下面（多層基板１１の厚さ方向一面と向き合う面）の中央部分にサーマルパッド１３ｂを有し、該サーマルパッド１３ｂに複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２が接続されている構造を示したが、パワーアンプＩＣ１３からサーマルパッド１３ｂを除外して複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２をパワーアンプＩＣ１３の本体に直接接続した構造を採用しても、前記効果１〜前記効果６を同様に得ることができる。

（変形例６）前記《回路モジュールの構造》では、コア層１１ａの下面（厚さ方向他面）と多層基板１１の下面（厚さ方向他面）に設けたグランドパッド１１ｓとが該多層基板１１に設けた複数の第２のサーマルビア１１ｕを介して接続されている構造を示したが、複数の第２のサーマルビア１１ｕを除外した構造を採用しても、前記効果１〜前記効果４、前記効果６を同様に得ることができる。

（変形例７）前記《回路モジュールの構造》では、複数の第２のサーマルビア１１ｕの位置が一群を成す複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２の位置よりも左方向（多層基板の厚さ方向と直交する方向）にずれている構造を示したが、多層基板１１の厚さ方向と直交する方向において複数の第２のサーマルビア１１ｕの位置が一群を成す複数のサーマルビア１１ｔ１及びサーマルビア１１ｔ２の位置と略一致する構造を採用しても、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の大きさがパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３の大きさよりも小さく、且つ、フィルタデバイス１２の平行投影領域ＰＰＲ１２の少なくとも一部がパワーアンプＩＣ１３の平行投影領域ＰＰＲ１３に重なる位置関係を有していれば、前記効果１〜効果６を同様に得ることができる。

１１…多層基板、１１ａ…コア層、１１ａ１…収容部、１１ｒ…シグナルパッド、１１ｓ…グランドパッド、１１ｔ１，１１ｔ２…サーマルビア、１１ｕ…第２のサーマルビア、１２…フィルタデバイス、ＰＰＲ１２…フィルタデバイスの平行投影領域、ＣＴ１２…フィルタデバイスの平行投影領域の中心、１３…パワーアンプＩＣ、１３ｂ…サーマルパッド、ＰＰＲ１３…パワーアンプＩＣの平行投影領域、ＣＴ１３…パワーアンプＩＣの平行投影領域の中心。

Claims

多層基板にフィルタデバイスが内蔵され該多層基板の厚さ方向一面に発熱性電子部品が実装された構造を備え、前記フィルタデバイスと前記発熱性電子部品を含む回路が構築された回路モジュールであって、
前記多層基板は金属製のコア層を有し、前記フィルタデバイスは該コア層に形成された収容部内に収納されており、
前記フィルタデバイスと前記発熱性電子部品は前記フィルタデバイスの平行投影領域の少なくとも一部が前記発熱性電子部品の平行投影領域に重なる位置関係を有しており、
前記発熱性電子部品は前記多層基板に設けた複数のサーマルビアを介して前記コア層の厚さ方向一面に接続されている、
ことを特徴とする回路モジュール。
前記フィルタデバイスの平行投影領域の中心は前記発熱性電子部品の平行投影領域の中心からずれている、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
前記フィルタデバイスの平行投影領域の大きさは前記発熱性電子部品の平行投影領域の大きさよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路モジュール。
前記多層基板はその厚さ方向一面と前記コア層の厚さ方向一面との間にグランド配線を有しており、
前記複数のサーマルビアは前記グランド配線に接続された少なくとも１つのサーマルビアを含んでいる、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の回路モジュール。
前記発熱性電子部品は前記多層基板の厚さ方向一面と向き合う面の中央部分にサーマルパッドを有し、該サーマルパッドに前記複数のサーマルビアが接続されている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の回路モジュール。
前記コア層の厚さ方向他面と前記多層基板の厚さ方向他面に設けたグランドパッドとが前記多層基板に設けた複数の第２のサーマルビアを介して接続されている、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の回路モジュール。
前記複数の第２のサーマルビアの位置が前記複数のサーマルビアの位置と前記多層基板の厚さ方向と直交する方向にずれている、
ことを特徴とする請求項６に記載の回路モジュール。
前記多層基板はその厚さ方向他面における前記発熱性電子部品の平行投影領域内にシグナルパッドを有している、
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の回路モジュール。
前記発熱性電子部品は、パワーアンプＩＣである、
ことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の回路モジュール。