JP2016009771A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
を特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置10を示す図である。半導体装置10は、例えばエポキシ樹脂層などの誘電体層が複数形成された多層基板12を備えている。多層基板12の厚さは例えば200μmである。図1では、多層基板12の内部が表示されている。なお、図1の半導体装置10は、x正負方向及びy正負方向に大きく広がる半導体装置の一部を示すものである。
図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。第1放熱金属60は、第1端子20bの直下にだけ形成されている。第1放熱金属60は、4つの第1平坦金属60aと4つの第1ビア金属60bを有している。第2放熱金属62は、第2端子20cの直下にだけ形成されている。第2放熱金属62は、4つの第2平坦金属62aと4つの第2ビア金属62bを有している。
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す図である。多層基板12の上面に放熱パッド100、102が形成されている。放熱パッド100、102は、第1パッド16と第2パッド18に接触せず、平面視で素子20と重ならないように形成されている。放熱パッド100、102は平面視で素子20を挟むように設けられている。放熱パッド100、102は素子20の長手方向と平行に素子20よりも長くなるように形成されている。
図11は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置は多層基板12の上に接続部120を備えている。接続部120は、本体部20aと多層基板12の間をとおって、2つの放熱パッド100、102を接続している。接続部120は、本体部20aと多層基板12の間をとおるので、放熱パッド100、102よりも素子20に近い。よって、素子20の熱は効率的に接続部120に伝わり、接続部120から放熱パッド100、102に熱を逃がすことができる。
Claims (12)
- 多層基板と、
前記多層基板の下面に形成された金属パターンと、
前記多層基板の上面に形成された第1パッドと、
前記多層基板の上面に前記第1パッドと離れて形成された第2パッドと、
本体部、前記本体部の一端につながる第1端子、及び前記本体部の他端につながる第2端子を有し、前記第1端子が前記第1パッドに固定され、前記第2端子が前記第2パッドに固定された素子と、
前記多層基板の中の、前記第1パッドの直下に、前記第1パッドとはつながらず前記金属パターンとつながるように設けられた第1放熱金属と、
前記多層基板の中の、前記第2パッドの直下に、前記第2パッドとはつながらず前記金属パターンとつながるように設けられた第2放熱金属と、を備え、
前記第1放熱金属と前記第2放熱金属は、前記本体部の直下で接触しないことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1放熱金属は、前記第1パッドの直下にだけ形成され、
前記第2放熱金属は、前記第2パッドの直下にだけ形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1放熱金属は、前記第1端子の直下にだけ形成され、
前記第2放熱金属は、前記第2端子の直下にだけ形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1放熱金属は、第1平坦金属と、前記第1平坦金属の下面と接する第1ビア金属と、を有し、
前記第2放熱金属は、第2平坦金属と、前記第2平坦金属の下面と接する第2ビア金属と、を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 多層基板と、
前記多層基板の下面に形成された金属パターンと、
前記多層基板の上面に形成された第1パッドと、
前記多層基板の上面に前記第1パッドと離れて形成された第2パッドと、
本体部、前記本体部の一端につながる第1端子、及び前記本体部の他端につながる第2端子を有し、前記第1端子が前記第1パッドに固定され、前記第2端子が前記第2パッドに固定された素子と、
前記多層基板の上面に、前記第1パッドと前記第2パッドに接触せず、平面視で前記素子と重ならないように形成された放熱パッドと、
前記多層基板の中の、前記放熱パッドの直下で、前記放熱パッドと前記金属パターンをつなぐ放熱金属と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記放熱パッドは、平面視で前記素子を挟むように2つ設けられたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記放熱パッドは、前記素子の長手方向と平行に前記素子よりも長く形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置。
- 前記本体部と前記多層基板の間をとおって、2つの前記放熱パッドを接続する接続部を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記接続部と前記素子をつなぐ、前記多層基板よりも高い熱伝導率を有する放熱樹脂を備えたことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記放熱パッドと前記素子をつなぐ、前記多層基板よりも高い熱伝導率を有する放熱樹脂を備えたことを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記放熱金属は前記放熱パッドの直下にだけ形成されたことを特徴とする請求項5〜10のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記素子は、インダクタが形成された表面実装部品であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置。
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