JP2014078726A - 保持部材管理装置、積層半導体製造装置、及び、保持部材管理方法 - Google Patents
保持部材管理装置、積層半導体製造装置、及び、保持部材管理方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数の半導体基板を接合することにより積層半導体装置を製造する製造装置において半導体基板を保持する基板保持部材を管理する保持部材管理装置であって、前記基板保持部材を識別する識別情報に対応付けて、前記基板保持部材の使用履歴を格納する履歴格納部286と、前記履歴格納部に格納された前記使用履歴に基づいて、使用を中止すべき前記基板保持部材の識別情報を特定して出力する保持部材特定部290と、を備える。
【選択図】図13
Description
Claims (48)
- 基板保持部材に保持された半導体基板と他の半導体基板とを互いに積層する積層半導体製造装置であって、
前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを加熱する加熱部、及び、前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを加圧する加圧部の少なくとも一方と、
前記基板保持部材の加熱履歴および加圧履歴の少なくとも一方を格納する履歴格納部と、を備える積層半導体製造装置。 - 前記一方の履歴に基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する保持部材特定部を備える請求項1に記載の積層半導体製造装置。
- 前記基板保持部材が加熱される回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱された回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記加熱された回数と前記閾値とに基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材が加熱される加熱温度の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納し、
前記保持部材特定部は、前記加熱温度と前記閾値とに基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記回数と前記閾値とに基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記回数は、清掃が必要になる回数である請求項3または5に記載の積層半導体製造装置。
- 前記基板保持部材には磁石が取付けられており、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記加熱履歴に基づいて、前記磁石の使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記磁石の加熱温度の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納し、
前記保持部材特定部は、前記加熱温度と前記閾値とに基づいて、前記磁石の使用の継続の可否を特定する請求項7に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記回数と前記閾値とに基づいて、前記磁石の使用の継続の可否を特定する請求項7に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材には板バネが取付けられており、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記加熱履歴に基づいて、前記板バネの使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記板バネの加熱温度の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記加熱温度と前記閾値とに基づいて、前記板バネの使用の継続の可否を特定する請求項10に記載の積層半導体製造装置。 - 前記板バネの加熱温度が許容値を超える回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記回数が、前記板バネの加熱温度と前記閾値とに基づいて、前記板バネの使用の継続の可否を特定する請求項10に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材には電極が取付けられており、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記加熱履歴に基づいて、前記電極の使用の継続の可否を特定する請求項2に記載の積層半導体製造装置。 - 前記電極が加熱される雰囲気の圧力の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱される雰囲気の圧力を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記圧力と前記閾値とに基づいて、前記電極の使用の継続の可否を特定する請求項13に記載の積層半導体製造装置。 - 前記電極が加熱される雰囲気の圧力が許容上限値を超える回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱される雰囲気の圧力が許容上限値を超えた回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記履歴格納部に格納された前記回数と前記閾値とに基づいて、前記電極の使用の継続の可否を特定する請求項13に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材が加圧される回数の閾値を格納する劣化情報格納部を備え、
前記履歴格納部は、前記加圧履歴として前記基板保持部材が加圧された回数を格納し、
前記保持部材特定部は、前記回数と前記閾値とに基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する請求項2から15のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材について使用の継続の可否の判断のための条件を格納する条件格納部をさらに備え、
前記保持部材特定部は、前記条件格納部を参照して前記条件を満たす前記基板保持部材を、使用を中止すべき前記基板保持部材として特定する請求項2から16のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。 - 前記履歴格納部は、前記基板保持部材を識別する識別情報に対応付けて、前記基板保持部材の前記加熱履歴および前記加圧履歴の少なくとも一方を格納する請求項1から17のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。
- 前記基板保持部材に設けられた識別表示から前記識別情報を読み取る識別情報読取部を備え、
前記履歴格納部は、前記識別情報読取部により読み取られた前記識別情報に対応付けて、前記基板保持部材の前記加熱履歴および前記加圧履歴の少なくとも一方を格納する請求項18に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材を収容するウエハホルダラックを備え、
前記識別情報読取部は、前記ウエハホルダラック、前記加熱部、および、前記加圧部の少なくとも一つに設けられている請求項19に記載の積層半導体製造装置。 - 前記基板保持部材は、前記他の半導体基板を保持する他の基板保持部材と対で用いられ、
前記識別情報読取部は、前記基板保持部材および前記他の基板保持部材の識別情報を読み取る一対のリーダーを有する請求項19または20に記載の積層半導体製造装置。 - 前記加熱履歴および前記加圧履歴の少なくとも一方に基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する保持部材特定部と、
前記保持部材特定部から出力された識別情報により識別される前記基板保持部材以外の前記基板保持部材を前記加熱部または前記加圧部へ供給する保持部材供給部と、
を備える請求項18から21のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。 - 基板保持部材に保持された半導体基板と他の半導体基板とを加熱する加熱部、及び、前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを加圧する加圧部の少なくとも一方によって、基板保持部材に保持された半導体基板を他の半導体基板に接合する積層半導体製造装置であって、前記基板保持部材の使用回数を格納する履歴格納部と、前記使用回数の閾値を格納する劣化情報格納部と、前記使用回数及び前記閾値に基づいて前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する保持部材特定部とを備え、前記閾値は、前記基板保持部材の清掃が必要となる回数である積層半導体製造装置。
- 前記基板保持部材を前記加熱部および前記加圧部の少なくとも一方に搬送する搬送部を備える請求項1から23のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。
- 前記基板保持部材の使用を中止すべき旨を表示するモニタを備える請求項1から24のいずれか一項に記載の積層半導体製造装置。
- 基板保持部材に保持された半導体基板を他の半導体基板に積層する積層半導体製造方法であって、
前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを加熱する加熱段階、及び、前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを加圧する加圧段階の少なくとも一方と、
前記基板保持部材の加熱履歴および加圧履歴の少なくとも一方を格納する履歴格納段階と、を備える積層半導体製造方法。 - 前記一方の履歴に基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する保持部材特定段階を備える請求項26に記載の積層半導体製造方法。
- 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱された回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階では、前記履歴格納段階で格納された前記加熱の回数が閾値を超えた場合に、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱温度が閾値を超えた場合に、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記回数が閾値を超えた場合に、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記基板保持部材には磁石が取付けられており、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱履歴に基づいて、前記磁石の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱温度が前記磁石の加熱温度の閾値を超えた場合に、前記磁石の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項31に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記回数が、前記磁石の加熱温度が許容値を超える回数の閾値を超えた場合に、前記磁石の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項31に記載の積層半導体製造方法。 - 前記基板保持部材には板バネが取付けられており、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱履歴に基づいて、前記板バネの使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱温度が前記板バネの加熱温度の閾値を超えた場合に、前記板バネの使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項34に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材の加熱温度が許容値を超えた回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記回数が、前記板バネの加熱温度が許容値を超える回数の閾値を超えた場合に、前記板バネの使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項34に記載の積層半導体製造方法。 - 前記基板保持部材には電極が取付けられており、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱履歴に基づいて、前記電極の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱される雰囲気の圧力を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記圧力が、前記電極が加熱される雰囲気の圧力の閾値を超えた場合に、前記電極の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項37に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加熱履歴として前記基板保持部材が加熱される雰囲気の圧力が許容上限値を超えた回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記回数が、前記電極が加熱される雰囲気の圧力が許容上限値を超える回数の閾値を超えた場合に、前記電極の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項37に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記基板保持部材の加圧履歴を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加熱履歴及び前記加圧履歴に基づいて、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27から39のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記加圧履歴として前記基板保持部材が加圧された回数を格納する段階を含み、
前記保持部材特定段階は、前記履歴格納段階で格納された前記加圧された回数が閾値を超えた場合に、前記基板保持部材の使用の継続の可否を特定する段階を含む請求項27から40のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。 - 前記閾値を格納する劣化情報格納段階を備える請求項28から30、32、33、35、36、38、39、及び41のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。
- 前記基板保持部材について使用の継続の可否の判断のための条件を格納する条件格納段階をさらに備え、
前記保持部材特定段階は、前記条件格納段階で格納された前記条件を満たす前記基板保持部材を、使用中止すべき前記基板保持部材とする段階を含む請求項28から42のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。 - 前記履歴格納段階は、前記基板保持部材を識別する識別情報に対応付けて、前記基板保持部材の前記加熱履歴および前記加圧履歴を格納する段階を含む請求項28から43のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。
- 前記基板保持部材に設けられた識別表示から前記識別情報を読み取る識別情報読取段階を備え、
前記履歴格納段階は、前記識別情報読取段階で読み取られた前記識別情報に対応付けて、前記基板保持部材の前記加熱履歴および前記加圧履歴を格納する段階を含む請求項44に記載の積層半導体製造方法。 - 前記保持部材特定段階は、前記識別情報に基づいて前記基板保持部材を特定する段階を含む請求項44または45に記載の積層半導体製造方法。
- 前記保持部材特定段階は、複数の半導体基板を接合することにより積層半導体装置を製造する製造装置において前記半導体基板を保持する前記基板保持部材を管理する請求項28から46のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。
- 前記基板保持部材の使用を中止すべき旨を表示する表示段階を備える請求項28から47のいずれか一項に記載の積層半導体製造方法。
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