JP2014056106A - 電荷輸送性膜、光電変換装置、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】繰り返し使用による移動度の低下が抑制された電荷輸送性膜を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される１種を含む組成物の硬化膜で構成された電荷輸送性膜である。この電荷輸送性膜は、電子写真感光体の最表面層（保護層）に適用される。なお、一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示す。Ｄは一般式（IIａ）で示される基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。一般式（IIａ）中、Ｅは、一般式（IIｂ）で示される基を示す。Ｌは、２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。一般式（IIｂ）中、Ｒ^０は、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコキシ基を示す。ｎ０は、０以上３以下の整数を示す。ｎ０が２又は３の整数を示すとき、Ｒ^０は同じ基を示してもよいし、異なる基を示してもよい。

【選択図】なし

Description

本発明は、電荷輸送性膜、光電変換装置、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。

電荷輸送性を有する硬化膜は、種々の分野、例えば、電子写真感光体、有機電界発光（
エレクトロルミネッセンス）素子、メモリー素子、波長変換素子等の光電変換装置で利用
されている。

例えば、電子写真方式の画像形成装置は、電子写真感光体の表面を帯電装置で定められた極性及び電位に帯電させ、帯電後の電子写真感光体表面を、像露光により選択的に除電することにより静電潜像を形成させる。次いで、現像装置で該静電潜像にトナーを付着させることにより、潜像をトナー像として現像し、トナー像を転写手段で記録媒体に転写させることにより、画像形成物として排出する。

電子写真感光体としては、強度を向上させる観点から、表面に保護層を設けることが提案されている。保護層を形成する材料系としては、例えば、導電粉をフェノール樹脂に分散したもの（例えば特許文献１参照）、有機−無機ハイブリッド材料によるもの（例えば特許文献２参照）、アルコール可溶性電荷輸送材料とフェノール樹脂によるもの（例えば特許文献３参照）等が開示されている。また、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド樹脂と、電子受容性カルボン酸又は電子受容性ポリカルボン酸無水物との硬化膜（例えば特許文献４参照）、ベンゾグアナミン樹脂にヨウ素、有機スルホン酸化合物又は塩化第二鉄などをドーピングした硬化膜（例えば特許文献５参照）、特定の添加剤と、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シロキサン樹脂又はウレタン樹脂との硬化膜（例えば特許文献６参照）等が開示されている。

また、近年ではアクリル系材料による保護層が注目されている。例えば、光硬化型アクリル系モノマーを含有する液を塗布し硬化した膜（例えば特許文献７参照）、炭素−炭素二重結合を有するモノマー、炭素−炭素二重結合を有する電荷移動材及び結着樹脂の混合物を熱又は光のエネルギーによって前記モノマーの炭素−炭素二重結合と前記電荷移動材の炭素−炭素二重結合とを反応させることにより形成された膜（例えば特許文献８参照）が開示されている。

さらに、同一分子内に二つ以上の連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を重合した化合物からなる膜が開示されている（例えば特許文献９参照）。また、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送物質の重合物を保護層に使用する技術が開示されている（例えば特許文献１０参照）。
これらアクリル系材料は、硬化条件、硬化雰囲気等の影響を強く受け、例えば真空中又は不活性ガス中で放射線照射後に加熱されることによって形成された膜（例えば特許文献１１参照）や、不活性ガス中で加熱硬化された膜（例えば特許文献１２参照）が開示されている。
また、連鎖重合性基としてスチレン骨格がエーテル基で連結されている電荷輸送性化合物の架橋体が開示されている（特許文献１３、特許文献１４）。

特許第３２８７６７８号公報 特開２０００−０１９７４９号公報 特開２００２−８２４６９号公報 特開昭６２−２５１７５７号公報 特開平７−１４６５６４号公報 特開平２００６−８４７１１号公報 特開平５−４０３６０号公報 特開平５−２１６２４９号公報 特開２０００−２０６７１５号公報 特開２００１−１７５０１６号公報 特開２００４−１２９８６号公報 特開平７−７２６４０号公報 特許第２５４６７３９号公報 特許第２８５２４６４号公報

本発明の課題は、繰り返し使用による移動度の低下が抑制された電荷輸送性膜を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
下記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成された電荷輸送性膜。

（一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示す。Ｄは一般式（IIａ）で示される基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。
一般式（IIａ）中、Ｅは、一般式（IIｂ）で示される基を示す。Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｏ−、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。
一般式（IIｂ）中、Ｒ^０は、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコキシ基を示す。ｎ０は、０以上３以下の整数を示す。ｎ０が２又は３の整数を示すとき、Ｒ^０は同じ基を示してもよいし、異なる基を示してもよい。）

請求項２に係る発明は、
前記一般式（IIａ）中のＬが、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す請求項１に記載の電荷輸送性膜。

請求項３に係る発明は、
前記一般式（IIａ）で示される基が、下記一般式（IIIａ）又は一般式（IVａ）で示される基である請求項１又は２に記載の電荷輸送性膜。

（一般式（IIIａ）中、Ｌ^１は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ１＋１）価の連結基を示す。ｎ１は、１以上３以下の整数を示す。Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。
一般式（IVａ）中、Ｌ^２は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ２＋１）価の連結基を示す。ｎ２は、１以上３以下の整数を示す。Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。

請求項４に係る発明は、
前記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物が、下記一般式（Ｖ）で示される反応性化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。

（一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄは、一般式（IIａ）で示される基を示す。ｃ１〜ｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋは、０又は１を示す。但し、Ｄの総数は、１個以上８個以下である。）

請求項５に係る発明は、
前記一般式（IIIａ）で示される基が、下記一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）で示される基から選択される基である請求項３又は４に記載の電荷輸送性膜。

（一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）中、Ｘ^ｐ１３〜Ｘ^ｐ１６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。ｒ１１〜ｒ１２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ１３〜ｑ１６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。）

請求項６に係る発明は、
前記（IVａ）で示される基が、下記一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）で示される基から選択される基である請求項３又は４に記載の電荷輸送性膜。

（一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）中、Ｘ^ｐ２３〜Ｘ^ｐ２６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。ｒ２１〜ｒ２２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ２３〜ｑ２６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。）

請求項７に係る発明は、
前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、２個以上６個以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。

請求項８に係る発明は、
前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、３個以上６個以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。

請求項９に係る発明は、
前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、４個以上６個以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。

請求項１０に係る発明は、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜を有する光電変換装置。

請求項１１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
最表面層が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜で構成される電子写真感光体。

請求項１２に係る発明は、
請求項１１に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

請求項１３に係る発明は、
請求項１１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

請求項１、２、３，４，５，６，７、８又は９に係る発明によれば、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成されない場合に比べ、繰り返し使用による移動度の低下が抑制された電荷輸送性膜が提供される。

請求項１０に係る発明によれば、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成されない電荷輸送性膜を有する場合に比べ、繰り返し使用しても輝度の低下及び駆動電圧の上昇が抑制される光電変換装置が提供される。

請求項１１に係る発明によれば、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成されない電荷輸送性膜を最表面層として有する場合に比べ、初期の電気特性、電気特性の安定性、及び表面の機械的強度に優れた電子写真感光体が提供される。
請求項１２に係る発明によれば、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成されない電荷輸送性膜を最表面層として有する電子写真感光体を備えた場合に比べ、電子写真感光体の電気特性及び表面の機械的強度に起因した画像欠陥が抑制された画像が得られる電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ、
請求項１３に係る発明によれば、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成されない電荷輸送性膜を最表面層として有する電子写真感光体を備えた場合に比べ、電子写真感光体の電気特性及び表面の機械的強度に起因した画像欠陥が抑制された画像が得られる画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。 図６に示す画像形成装置における現像装置を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。 図８に示す画像形成装置において、現像装置の記録電極の周囲に形成される液体現像剤のメニカス及び画像部への液体移行の状態を示す模式図である。 図６及び図８に示す画像形成装置における現像装置の他の一例を示す概略構成図である。 （Ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ画像評価に用いた画像パターンを示す図である。

以下、本発明の一例である本実施形態について説明する。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、最表面層が、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物（以下、「特定の反応性基含有電荷輸送材料」と称する）から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜（電荷輸送性膜）で構成される。

ここで、電子写真感光体の最表面層を、反応性基を持つ電荷輸送材料を用いた硬化膜で構成することにより、表面の械強度は向上するものの、初期の電気特性や電気特性のに関しては十分ではない。その要因は明らかになっていないが、反応性基（連鎖重合性基）を持つ電荷輸送材料は、硬化することにより、電荷輸送性を担う化学構造（電荷輸送性骨格）の分子間距離やコンホメーションが、硬化前の状態から変化することや、硬化することで反応性基周辺の化学構造と電荷輸送性を担う化学構造がそれぞれ凝集し、硬化前の膜状態が変化することなどが要因として考えられる。特に、電子写真感光体の表面の機械的強度をより向上させようとして、分子中の反応性基の数を増やすほど、電荷輸送性骨格（電荷輸送性を担う化学構造）と反応性基を結ぶ連結点が増え、硬化による電荷輸送性骨格の自由度がより低減してしまい、初期の電気特性や電気特性の安定性がより悪化すると考えられる。
また、反応性基を持つ電荷輸送材料に加え、さらに樹脂を含む組成物を硬化させる場合は、硬化することで電荷輸送材料の構造と樹脂の相溶性が低下することなども要因として考えられる。
このように、電子写真感光体の初期の電気特性、電気特性の安定性、及び表面の機械的強度については、未だ十分ではなく、改善が望まれているのが現状である。

そこで、本実施形態に係る電子写真感光体では、特定の反応性基含有電荷輸送材料から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜（電荷輸送性膜）で最表面層を構成することにより、初期の電気特性、電気特性の安定性、及び表面の機械的強度に優れたものとなる。
この理由は、定かではないが、以下に示す理由によるものと考えられる。

まず、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、同一分子内に１つ以上の電荷輸送性骨格と、１つ以上のジビニルベンゼン骨格と、が連結されている反応性の化合物である。

つまり、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、反応性基（連鎖重合性基）としてジビニルベンゼン骨格を有しており、主骨格である電荷輸送性骨格（アリール基）と相溶性が良く、硬化による電荷輸送性を担う化学構造（電荷輸送性骨格）と反応性基周辺構造との凝集が抑制されることで、電子写真感光体として初期の電気特性が良好となると考えられる。
また、硬化による電荷輸送性を担う化学構造と反応性基周辺構造との凝集が抑制されることで、繰り返し使用して電子感光体の表面が機械的負荷を受けても、電荷輸送性を担う化学構造の分子間距離やコンホメーションが大きく変化することがないため、電気特性が維持され易く、安定性が増すと考えられる。

特に、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、反応性基（連鎖重合性基）としてジビニルベンゼン骨格を有することから、電荷輸送性骨格（電荷輸送性を担う化学構造）と反応性基を結ぶ連結点を増やすことなく、分子中の反応性基の数を増やすことが実現されるため、スチレン骨格（モノビニルベンゼン骨格）を有する場合に比べ、機械強度と電気特性が共に向上し易くなると考えられる。
また、反応性基（連鎖重合性基）としてスチレン骨格（モノビニルベンゼン骨格）を同一分子内で増やそうとすると、ベンゼン環による分子量増大による影響が大きく、質量あたりの電荷輸送性骨格の比率が下がってしまったり、質量あたりのビニル基（ＣＨ_２＝ＣＨ−）の比率を効果的に上げ難いが、ジビニルベンゼン骨格では同一分子内のビニル基のみを増やし、ベンゼン環による分子量増大が少ないため、機械強度と電気特性が共に向上し易くなると考えられる。
また、電荷輸送性骨格と反応性基を結ぶ連結点を増やすことなく、分子中の反応性基の数を増やす考えを、反応性基として（メタ）アクリル基により実現する場合と比較しても、ジビニルベンゼン骨格の方が、機械強度と電気特性が共に向上し易くなると考えられる。これは、（メタ）アクリル基は、同一の分子内の（メタ）アクリル基同士の重合が可能なコンホメーションを取れるため、分子間の架橋が効率的に進行し難くなるためと考えられるためである。加えて、ジビニルベンゼン骨格では、同一分子内のビニル基が剛直なベンゼン環に直結しているため、同一分子内での重合はほとんど起こり難いと考えられるためである。

以上から、本実施形態に係る電子写真感光体では、初期の電気特性、電気特性の安定性、及び表面の機械的強度に優れたものになると考えられる。そして、本実施形態に係る電子写真感光体では、長寿命化が実現され易くなる。
そして、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、電子写真感光体の電気特性及び表面の機械的強度に起因した画像欠陥（例えば、前サイクルの履歴が残る残像現象（ゴースト）、画像劣化）が抑制された画像が得られる

以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。図２〜図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す概略断面図である。

図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。

図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により感光層が構成される。

図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６、保護層５が順次形成された構造を有するものである。

そして、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体７Ａ、７Ｂ及び７Ｃにおいて、保護層５が、導電性基体２から最も遠い側に配置される最表面層となっており、当該最表面層が、上記の構成となっている。
なお、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。

以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａの各要素について説明する。なお。符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、及びアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けた樹脂フィルム、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、導電性付与剤を塗布又は含浸させた樹脂フィルム等が挙げられる。基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
なお、導電性基体は、例えば体積抵抗率が１０^７Ω・ｃｍ未満の導電性を有するものがよい。

導電性基体として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、湿式ホーニングなどの処理が行われていてもよい。

（下引層）
下引層は、導電性基体表面における光反射の防止、導電性基体から有機感光層への不要なキャリアの流入の防止などの目的で、必要に応じて設けられる。

下引層は、例えば、結着樹脂と、必要に応じてその他添加物とを含んで構成される。
下引層に含まれる結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、不飽和ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、結着樹脂としては、上層（電荷発生層）の塗布溶剤に不溶な樹脂が望ましく、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、シリコーン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機チタン化合物、有機アルミニウム化合物等の金属化合物等を含有してもよい。

金属化合物と結着樹脂との比率は、特に制限されず、所望する電子写真感光体特性を得られる範囲で設定される。

下引層には、表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子を添加してもよい。樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）樹脂粒子等が挙げられる。なお、表面粗さ調整のために下引層を形成後、その表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が用いられる。

ここで、下引層の構成として、結着樹脂と導電性粒子とを少なくとも含有する構成が挙げられる。なお、導電性粒子は、例えば体積抵抗率が１０^７Ω・ｃｍ未満の導電性を有するものがよい。

導電性粒子としては、例えば、金属粒子（アルミニウム、銅、ニッケル、銀などの粒子）、導電性金属酸化物粒子（酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛などの粒子）、導電性物質粒子（カーボンファイバ、カーボンブラック、グラファイト粉末の粒子）等が挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物粒子が好適である。導電性粒子は、２種以上混合して用いてもよい。
また、導電性粒子は、疎水化処理剤（例えばカップリング剤）等により表面処理を施して、抵抗調整して用いてもよい。
導電性粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが望ましく、より望ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。

なお、下引層形成用塗布液中に粒子を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。ここで、高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、望ましくは１５μｍ以上、より望ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

ここで、図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。中間層に用いられる結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。これらの化合物は、単独に若しくは複数の化合物の混合物又は重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウムもしくはケイ素を含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど点から好適である。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行われる。

中間層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロッキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引起こすことがある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定することがよい。また、この場合の中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含んで構成される。なお、電荷発生層は、例えば、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。

電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜及び２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜及び２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。また、これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。

電荷発生層を構成する結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（例えば、ビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、例えば１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。

なお、電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送性材料と、必要に応じて結着樹脂と、を含んで構成される。

電荷輸送性材料としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロモアントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、及び上記した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

電荷発生層を構成する結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（例えば、ビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
これらの結着樹脂の中でも、ポリカーボネートがよく、特に、Ｆｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメーターが１１．４０以上１１．７５以下であるポリカーボネート共重合体であることがよい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。

なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、望ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

（保護層）
保護層は、電子写真感光体における最表面層であり、特定の反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成されてる。
つまり、保護層は、特定の反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含んで構成されている。

なお、硬化膜の硬化方法としては、熱、光、又は放射線などによるラジカル重合が行なわれる。反応が早く進行しすぎないよう調整すると、保護層（最表面層）の機械的強度及び電気特性が向上し、また膜のムラやシワの発生も抑制されるため、ラジカル発生が比較的ゆっくりと起こる条件下で重合させることが望ましい。この点からは、重合速度を調整しやすい熱重合が好適である。つまり、保護層（最表面層）を構成する硬化膜を形成するための組成物には、熱ラジカル発生剤又はその誘導体を含むことがよい。

−特定の反応性基含有電荷輸送材料−
特定の反応性基含有電荷輸送材料は、一般式（I）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種である。

一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示す。Ｄは一般式（IIａ）で示される基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。
一般式（IIａ）中、Ｅは、一般式（IIｂ）で示される基を示す。Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｏ−、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。
一般式（IIｂ）中、Ｒ^０は、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコキシ基を示す。ｎ０は、０以上３以下の整数を示す。ｎ０が２又は３の整数を示すとき、Ｒ^０は同じ基を示してもよいし、異なる基を示してもよい。

なお、一般式（IIａ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IIａ）で示される基が「＊」の位置で一般式（Ｉ）中のＦと結合していることを示す。
一般式（IIｂ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IIｂ）で示される基が「＊」の位置で一般式（IIａ）中のＬと結合していることを示す。

ここで、一般式（Ｉ）において、一般式（IIａ）のＥ（ジビニルベンゼン骨格）の総数は、ｍ×ｎ（一般式（Ｉ）のｍ×一般式（IIａ）のｎ）に相当する。ｍ又はｎが１以外の場合、複数存在するｎは互いに異なっていてもよい。なお、一般式（Ｉ）中のｍは、１以上６以下の整数を示すことが望ましい。一方、一般式（IIａ）のｎは、１又は２を示すことが望ましい。
また、一般式（Ｖ）のＥ（ジビニルベンゼン骨格）の総数は、ｃ１×ｎ＋ｃ２×ｎ＋ｋ×（ｃ３×ｎ＋ｃ４×ｎ）＋ｃ５×ｎの値に相当する。複数存在するｎは互いに異なっていてもよい。
Ｅ（ジビニルベンゼン骨格）の総数の下限としては、より強度の高い硬化膜（架橋膜）を得る観点から、２個以上が望ましく、３個以上がより望ましく、４個以上がさらに望ましい。また上限としては、一般に一分子中の反応性基（連鎖重合性基）の数が多すぎると、特定の反応性含有電荷輸送材料の重合（架橋）反応が進むにつれ、分子が動きにくくなり反応性基（連鎖重合性基）が低下し易く、未反応の反応性基（連鎖重合性基）の割合が増加し易くなる場合があることから、６個以下が望ましい。
つまり、一般式（Ｉ）中のＥの総数は、２個以上６個以下であることが望ましく、３個以上６個以下であることがよ望ましく、４個以上６個以下であることがさらに望ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｆは、電荷輸送性骨格、つまり電荷輸送性を有する構造を示し、具体的には、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、アゾベンゼン系化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物、キノン系化合物、フルオレノン系化合物、などの電荷輸送性を有する構造が挙げられる。

一般式（IIａ）中、Ｌで示される（ｎ＋１）価の連結基は、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、及び−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ＋１）価の連結基が挙げられる。
Ｌで示される（ｎ＋１）価の連結基としては、塗布液への溶解性や硬化性などの観点から、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ＋１）価の連結基がよい。

Ｌで示される（ｎ＋１）価の連結基に含まれる炭素原子の総数としては、特定の反応性基含有電荷輸送剤中（その分子中）のジビニルベンゼン骨格の密度と反応性（連鎖重合反応）、塗布液への溶解性の観点から、例えば、１以上１５以下がよく、２以上１０以下が望ましい。
ここで、Ｌで示される（ｎ＋１）価の連結基中に含まれる炭化水素基（アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上で構成される基）は、直鎖状、分岐状、環状いずれもよいが、塗布液への溶解性や硬化性などの観点から、直鎖状、分岐状がよく、直鎖状が望ましい。
なお、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基とは、アルカン又はアルケンから水素原子を３つ又は４つ取り除いた基を意味する。以下、同様である。

一般式（IIａ）中、ｎ＝１の場合、Ｌは２価の連結基を示す。Ｌで示される２価の連結基としては、例えば、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｓ−が介在した２価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌで示される連結基は、アルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（IIａ）中、Ｌで示される２価の連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌで示される２価の連結基中、ｐは、０、又は１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。ｑは、１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。ｒは、１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。
なお、Ｌで示される２価の連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

一般式（IIａ）中、ｎ＝２又は３の場合、Ｌは３価又は４価の連結基を示す。Ｌで示される３価又は４価の連結基としては、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した３価又は４価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した３価又は４価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した３価又は４価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｏ−が介在した３価又は４価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した３価又は４価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｓ−が介在した３価又は４価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌで示される３価又は４価の連結基は、分枝状に連結したアルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（IIａ）中、Ｌで示される３価又は４価の連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、

＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
等が挙げられる。
ここで、Ｌで示される３価又は４価の連結基中、ｐは、０、又は１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。ｑは、１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。ｒは、１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。ｓは、１以上１０以下（望ましくは１以上６以下、望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す。
なお、Ｌで示される３価又は４価の連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

一般式（IIａ）中、Ｌで示される（ｎ＋１）連結基において、「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアルキル基としては、炭素数１以上５以下（望ましくは１以上４以下）の直鎖状、分枝状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアリール基としては、炭素数６以上１５以下（望ましくは６以上１２以下）のアリール基が挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基、キシリジル基、ナフチル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数７以上１５以下（望ましくは７以上１４以下）のアラルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ビフェニルメチレン基等が挙げられる。

一般式（IIａ）中、Ｅで示される一般式（IIｂ）で示される基は、ベンゼン環にビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ_２）が２つ直結した構造のジビニルベンゼン骨格を持つ基である。２つのビニル基のベンゼン骨格に対する置換位置としてはオルト置換、メタ置換、パラ置換の３種類がある。この置換位置の中でも、反応性基含有電荷輸送材料の効率的な硬化（連鎖重合による硬化）を実現する観点から、メタ置換、又はパラ置換が望ましい。
また、同様の観点から、ジビニルベンゼン骨格に置換する置換基（Ｒ^０で示される基）としては、炭素数１以上３以下のアルキル基、炭素数１以上３以下のアルコキシ基がよく、最も望ましくは無置換である。つまり、一般式（IIｂ）中、ｎ０が０を示すことが最も望ましく、ｎ０が１以上３以下の整数を示す場合、Ｒ^０は炭素数１以上３以下のアルキル基、又は炭素数１以上３以下のアルコキシ基を示すことがよい。

次に、一般式（IIａ）で示される基の好適な基について説明する。
一般式（IIａ）で示される基としては、一般式（IIIａ）又は一般式（IVａ）で示される基が好適に挙げられる。

一般式（IIIａ）中、Ｌ^１は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ１＋１）価の連結基を示す。
ｎ１は、１以上３以下の整数を示す。
Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。
なお、一般式（IIIａ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IIIａ）で示される基が「＊」の位置で一般式（Ｉ）中のＦと結合していることを示す。
一般式（IVｂ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IVｂ）で示される基が「＊」の位置で一般式（IIIａ）中のＬ^１と結合していることを示す。

一般式（IVａ）中、Ｌ^２は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ２＋１）価の連結基を示す。
ｎ２は、１以上３以下の整数を示す。
Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。
なお、一般式（IVａ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IVａ）で示される基が「＊」の位置で一般式（Ｉ）中のＦと結合していることを示す。
一般式（IVｂ）中の「＊」は単結合を示し、一般式（IVｂ）で示される基が「＊」の位置で一般式（IVａ）中のＬ^２と結合していることを示す。

一般式（IIIａ）及び一般式（IVａ）中、Ｌ^１で示される（ｎ１＋１）価の連結基、及びＬ^２で示される（ｎ２＋１）価の連結基としては、一般式（IIａ）中、Ｌで示される（ｎ＋１）価の連結基として例示した２価、３価又は４価の連結基が好適に挙げられる。
ｎ１、及びｎ２は、それぞれ１又は２の整数を示すことがよい。

そして、一般式（IIIａ）で示される基としては、一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）で示される基から選択される基であることがよい。
一方、一般式（IVａ）で示される基としては、一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）で示される基から選択される基であることがよい。

一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）中、Ｘ^ｐ１３〜Ｘ^ｐ１６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。ｒ１１〜ｒ１２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ１３〜ｑ１６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。

一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）中、Ｘ^ｐ２３〜Ｘ^ｐ２６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。ｒ２１〜ｒ２２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ２３〜ｑ２６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。

一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）及び一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）中、Ｘ^ｐ１３〜Ｘ^ｐ１６、Ｘ^ｐ２３〜Ｘ^ｐ２６で示される２価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基が挙げられる。なお、この２価の連結基として挙げられる「−Ｎ（Ｒ）−」は、一般式（IIａ）中のＬで示される「−Ｎ（Ｒ）−」と同義である。
これら２価の連結基としては、反応性基含有電荷輸送材料の塗布液への溶解性や硬化性などの観点から、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基がよく、具体的には、アルキレン基、アルキルオキシキ基が望ましく、より望ましくは、アルキレン基（−（ＣＨ_２）_ｐ−：但しｐは１以上６以下（望ましくは１以上５以下、より望ましくは１以上４以下）の整数を示す）である。

一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）及び一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）中、
ｒ１１〜ｒ１２、及びｒ２１〜ｒ２２は、それぞれ、１以上４以下の整数を示すことが望ましく、２以上４以下の整数を示すことがより望ましい。
ｑ１３〜ｑ１６、及びｑ２３〜ｑ２６は、それぞれ、１の整数を示すことが望ましい。

次に、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物の好適な化合物について説明する。
一般式（Ｉ）で示される反応性化合物としては、Ｆとしてトリアリールアミン系化合物に由来する電荷輸送性骨格（電荷輸送性を有する構造）を有する反応性化合物がよい。
具体的には、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物としては、一般式（Ｖ）で示される反応性化合物が好適である。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄは、一般式（IIａ）で示される基を示す。ｃ１〜ｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋは、０又は１を示す。但し、Ｄの総数は、１個以上８個以下である。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、それぞれ、同一でもあってもよいし、異なっていてもよい。
ここで、置換アリール基における置換基としては、「Ｄ」以外のものとして、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４としては、下記構造式（１）〜（７）のうちのいずれかであることが望ましい。
なお、下記構造式（１）〜（７）は、Ａｒ^１〜Ａｒ^ａ４の各々に連結され得る「−（Ｄ）_ｃ１」〜「−（Ｄ）_ｃ４」を総括的に示した「−（Ｄ）_Ｃ」と共に示す。

構造式（１）〜（７）中、Ｒ^１１は、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、及び炭素数７以上１０以下のアラルキル基からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１２、及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１４は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ａｒは、置換又は未置換のアリーレン基を示す。ｓは、０又は１を示す。ｔは、０以上３以下の整数を示す。Ｚ’は、２価の有機連結基を示す。

ここで、式（７）中、Ａｒとしては、下記構造式（８）又は（９）で示されるものが望ましい。

構造式（８）及び（９）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、ｔ１及びｔ２はそれぞれ０以上３以下の整数を示す。

また、式（７）中、Ｚ’は、下記構造式（１０）〜（１７）のうちのいずれかで示されるものが望ましい。

構造式（１０）〜（１７）中、Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｗは、２価の基を示す。ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に１以上１０以下の整数を示す。ｔ３及びｔ４は、それぞれ０以上３以下の整数を示す。

構造式（１６）〜（１７）中、Ｗとしては、下記構造式（１８）〜（２６）で示される２価の基のうちのいずれかであることが望ましい。但し、式（２５）中、ｕは、０以上３以下の整数を示す。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^５は、ｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、Ａｒ^１〜Ａｒ^４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^５は、ｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、Ａｒ^１〜Ａｒ^４で示される置換若しくは未置換のアリール基から目的とする位置の水素原子を１つ除いたアリーレン基が挙げられる。
なお、置換アリーレン基における置換基としては、Ａｒ^１〜Ａｒ^４の説明で、置換アリール基における「Ｄ」以外の置換基として挙げられているものと同様である。

以下に、特定の反応性基含有電荷輸送材料（一般式（Ｉ）で示される化合物）の具体例を示す。なお、一般式（Ｉ）で示される化合物は、これらにより何ら限定されるものではない。

まず、一般式（Ｉ）におけるＤの総数が１の場合の電荷輸送性骨格Ｆの具体例として、「（１）−１」から「（１）−２５」を示すが、これらに限られるものではない。なお、各構造中の＊の部分が、一般式（Ｉ）中のＤと連結することを示す。

次に、一般式（Ｉ）におけるＤの総数が２の場合の電荷輸送性骨格Ｆの具体例として、「（２）−１」から「（２）−２９」を示すが、これらに限られるものではない。
なお、各構造中の＊の部分が、一般式（Ｉ）中のＤと連結することを示す。

次に、一般式（Ｉ）におけるＤの総数が３の場合の電荷輸送性骨格Ｆの具体例として、「（３）−１」から「（３）−２９」を示すが、これらに限られるものではない。
なお、各構造中の＊の部分が、一般式（Ｉ）中のＤと連結することを示す。

次に、一般式（Ｉ）におけるＤの総数が４以上の場合の電荷輸送性骨格Ｆの具体例として、「（４）−１」から「（４）−３１」を示すが、これらに限られるものではない。なお、各構造中の＊の部分が、一般式（Ｉ）中のＤと連結することを示す。

次に、一般式（Ｉ）又は一般式（Ｖ）中のＤ、すなわち一般式（ＩＩａ）で示される基の具体例として「Ｄ１−１」から「Ｄ１−８８」および「Ｄ２−１」から「Ｄ２−６９」を示す。なお、各構造中の＊の部分が、一般式（Ｉ）中の電荷輸送性骨格Ｆまたは一般式（Ｖ）中のＡｒ^１乃至Ａｒ^５と連結することを示す。

次に、特定の反応性基含有電荷輸送材料（一般式（Ｉ）で示される反応性化合物）の具体例を以下に示すが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
下記一覧中の「ＣＴＭ骨格構造」とは、一般式（Ｉ）中の電荷輸送性骨格Ｆに相当する。

特定の反応性基含有電荷輸送材料（一般式（Ｉ）で示される反応性化合物）の合成は、一般的な合成反応を用いて行う。例えば、カルボン酸、アルコール、１級または２級アミン、チオールといった活性水素を有するトリアリールアミンと、ハロゲン、ｐ−トルエンスルホネートなどの脱離基を有するジビニルベンゼンとの求核置換反応や、ハロゲン、ｐ−トルエンスルホネートなどの脱離基を有するトリアリールアミンとカルボン酸、アルコール、１級または２級アミン、チオールといった活性水素を有するジビニルベンゼンとの求核置換反応によって合成を行う。また、カルボン酸、カルボン酸エステル、カルボン酸ハライドなどの求核付加性を有するトリアリールアミンと、アルコール、１級または２級アミン、チオールといった活性水素を有するジビニルベンゼンとの、水、アルコール、または酸の脱離を伴う付加反応や、アルコール、１級または２級アミン、チオールといった活性水素を有するトリアリールアミンとカルボン酸、カルボン酸エステル、カルボン酸ハライドなどの求核付加性を有するジビニルベンゼンとの、水、アルコール、または酸の脱離を伴う付加反応などによって合成してもよい。

反応活性基を有するトリアリールアミンの合成は、該反応活性基を必要に応じて保護した状態で、対応する１級または２級の芳香族アミンとハロゲン化芳香族を用い、銅やパラジウムなどの金属触媒によりカップリングさせ、その後、必要に応じて脱保護して該反応活性基に戻して得ることより合成する方法が挙げられる。
反応活性基を有するジビニルベンゼンの合成は、該反応活性基を必要に応じて保護したベンゼン誘導体からビニル基を導入し、その後、必要に応じて脱保護して該反応活性基に戻して得ることができる。ビニル基の導入方法としては、上記ベンゼン誘導体に対してビルスマイヤー反応をはじめとするホルミル化を行った後、Ｗｉｔｔｉｇ反応を行うことにより導入する方法、ハロゲンなどの脱離基が直結したベンゼン誘導体に対し、遷移金属触媒を用いてビニル金属種やビニルハライドとカップリングさせることにより導入する方法、ハロゲン、ｐ−トルエンスルホネートなどの脱離基を有するエチル基を有するベンゼン誘導体に塩基を作用させて脱離反応によりビニル基に変換する方法などが挙げられる。

特定の反応性基含有電荷輸送材料（一般式（Ｉ）で示される反応性化合物）は、２種以上併用してもよい。例えば、特定の反応性基含有電荷輸送材料のうち、一分子中のジビニルベンゼン骨格の総数が４以上である反応性化合物と、一分子中のジビニルベンゼン骨格の総数が１以上３以下である反応性化合物とを併用すると、電荷輸送性能の低下を抑制しつつ、硬化膜の強度の調整が実現され易くなる。その場合、電荷輸送性材料の総含有量に対して、特定の反応性基含有電荷輸送材料のうち、一分子中のジビニルベンゼン骨格の総数が４以上である化合物が５質量％以上とすることが望ましく、２０質量％以上とすることがより望ましい。

特定の反応性基含有電荷輸送材料の含有量は、例えば、層形成のための組成物中の全固形分に対して４０質量％以上９５質量％以下がよく、望ましくは５０質量％以上９５質量％以下、より望ましくは６０質量％以上９５質量％以下である。

−不飽和結合を有する化合物−
保護層（最表面層）を構成する膜は、不飽和結合を有する化合物を併用してもよい。
不飽和結合を有する化合物としては、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよく、また、電荷輸送性骨格を有していてもよい。

不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送性骨格を有さないものとしては以下のようなものが挙げられる。
１官能のモノマーは、例えば、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノールアクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテルアクリレート、スチレン、などが挙げられる。

２官能のモノマーは、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート等が挙げられる。
３官能のモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、脂肪族トリ（メタ）アクリレート、トリビニルシクロヘキサン等が挙げられる。
４官能のモノマーは、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、脂肪族テトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
５官能以上のモノマーは、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の他、ポリエステル骨格、ウレタン骨格、フォスファゼン骨格を有する（メタ）アクリレート等が挙げられる。

また、反応性のポリマーとしては、例えば、特開平５−２１６２４９号公報、特開平５−３２３６３０号公報、特開平１１―５２６０３号公報、特開２０００−２６４９６１号公報、特開２００５−２２９１号公報などに開示されたものが挙げられる。

電荷輸送成分を有さない不飽和結合を有する化合物を用いる場合には、単独又は２種以上の混合物として使用される。
電荷輸送成分を有さない不飽和結合を有する化合物の含有量は、保護層（最表面層）を形成する際に用いられる組成物の全固形分に対して、例えば、望ましくは６０質量％以下がよく、望ましくは５５質量％以下、より望ましくは５０質量％以下である。

一方、不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送骨格を有するものとしては、次のものが挙げられる。
・連鎖重合性官能基（スチリル基を除く連鎖重合性官能基）及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物
連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における連鎖重合性官能基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性官能基としては、ビニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくも一つを含有する基であることが望ましい。
また、連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における電荷輸送性骨格としては電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が望ましい。

連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物として具体的には、特開２０００−２０６７１５号公報の段落［００６０］乃至［００９９］に記載の化合物、特開２０１１−７００２３号公報の段落[００６６]及至[００８０]に記載の化合物などが挙げられる。

不飽和結合及び電荷輸送骨格を有する化合物他の電荷輸送剤の含有量は、保護層（最表面層）を形成する際に用いられる組成物の全固形分に対して、例えば、望ましくは４０質量％以下がよく、３０質量％以下が望ましく、２０質量％以下が更に望ましい。

−非反応性の電荷輸送材料−
保護層（最表面層）を構成する膜は、非反応性の電荷輸送材料を併用してもよい。非反応性の電荷輸送材料は電荷輸送を担っていない反応性基を有さないため、非反応性の電荷輸送材料を保護層（最表面層）に用いた場合には電荷輸送成分の濃度が高まり、電気特性を更に改善するのに有効である。また、非反応性の電荷輸送材料を添加して架橋密度を減じ、強度を調整してもよい。

非反応性の電荷輸送材料としては、公知の電荷輸送材料を用いてもよく、具体的には、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等が用いられる。
中でも、電荷移動度、相溶性など点から、トリフェニルアミン骨格を有するものが望ましい。

非反応性の電荷輸送材料は、層形成のための塗布液中の全固形分に対して０質量％以上３０質量％以下で用いられることが望ましく、より望ましくは１質量％以上２５質量％以下であり、更に望ましくは５質量％以上２５質量％以下である。

−その他の添加剤−
保護層（最表面層）を構成する膜は、更に成膜性、可とう性、潤滑性、接着性を調整するなどの目的から、他のカップリング剤、特にフッ素含有のカップリング剤と混合して用いてもよい。このような化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。また、ラジカル重合性基を有するシリコン化合物、フッ素含有化合物を用いてもよい。

シランカップリング剤としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、等が挙げられる。
市販のハードコート剤としては、ＫＰ−８５、Ｘ−４０−９７４０、Ｘ−８２３９（以上、信越化学工業社製）、ＡＹ４２−４４０、ＡＹ４２−４４１、ＡＹ４９−２０８（以上、東レダウコーニング社製）等が挙げられる。

また、撥水性等の付与のために、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトシキシラン、等の含フッ素化合物を加えてもよい。

シランカップリング剤は任意の量で使用されるが、含フッ素化合物の量は、架橋膜の成膜性の観点から、フッ素を含まない化合物に対して質量で０．２５倍以下とすることが望ましい。更に、特開２００１−１６６５１０号公報などに開示されている反応性のフッ素化合物などを混合してもよい。
ラジカル重合性基を有するシリコン化合物、フッ素含有化合物としては、特開２００７−１１００５号公報に記載の化合物などが挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、劣化防止剤を添加することが望ましい。劣化防止剤としては、ヒンダードフェノール系、ヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤、などの公知の酸化防止剤を用いてもよい。
劣化防止剤の添加量としては２０質量％以下が望ましく、１０質量％以下がより望ましい。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０１０、イルガノックス１０９８、イルガノックス２４５、イルガノックス１３３０、イルガノックス３１１４、イルガノックス１０７６（以上、チバ・ジャパン社製）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシビフェニル等が挙げられる。
ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、サノールＬＳ２６２６、サノールＬＳ７６５、サノールＬＳ７７０、サノールＬＳ７４４（以上、三共ライフテック社製）、チヌビン１４４、チヌビン６２２ＬＤ（以上、チバ・ジャパン社製）、マークＬＡ５７、マークＬＡ６７、マークＬＡ６２、マークＬＡ６８、マークＬＡ６３（以上、アデカ社製）が挙げられ、チオエーテル系として、スミライザーＴＰＳ、スミライザーＴＰ−Ｄ（以上、住友化学社製）が挙げられ、ホスファイト系として、マーク２１１２、マークＰＥＰ−８、マークＰＥＰ−２４Ｇ、マークＰＥＰ−３６、マーク３２９Ｋ、マークＨＰ−１０（以上、アデカ社製）等が挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、導電性粒子や、有機、無機粒子を添加してもよい。
この粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ及びシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、望ましくは平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、酸性若しくはアルカリ性の水分散液、アルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれる。該粒子としては一般に市販されているものを使用してもよい。

保護層中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、保護層の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上５０質量％以下、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下の範囲で用いられる。

ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、シリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものを使用してもよい。
これらのシリコーン粒子は球状で、その平均粒径は望ましくは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
表面層中のシリコーン粒子の含有量は、保護層の全固形分全量を基準として、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、より望ましくは０．５質量％以上１０質量％以下である。

また、その他の粒子としては、四フッ化エチレン、三フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のフッ素系粒子や、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂で構成される粒子、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、Iｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｎＯ_２−ＴｉＯ_２、ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＦｅＯ−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Iｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。さらに、粒子を分散させるために公知の種々の分散材を用いてもよい。

保護層（最表面層）を構成する膜には、シリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。
シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１．３．５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；３−（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等が挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、塗膜の濡れ性改善のため、シリコーン含有オリゴマー、フッ素含有アクリルポリマー、シリコーン含有ポリマー等を添加してもよい。

保護層（最表面層）を構成する膜には、金属、金属酸化物及びカーボンブラック等を添加してもよい。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀及びステンレス等、又はこれらの金属を樹脂の粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウム等が挙げられる。
これらは単独で、又は２種以上を組み合わせて用いる。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固溶体や融着での混合でもよい。導電性粒子の平均粒径は０．３μｍ以下、特に０．１μｍ以下が望ましい。

−組成物−
保護層を形成するために用いる組成物は、各成分を溶媒中に溶解又は分散してなる保護層形成用塗布液として調製されることが望ましい。
この保護層形成用塗布液は、無溶媒であってもよいし、必要に応じて、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類；、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類；、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル類；、酢酸エチル、酢酸ｎプロピル、酢酸ｎブチル、乳酸エチル等のエステル類等の単独溶媒又は混合溶媒を用いて調製される。

また、前述の成分を反応させて保護層形成用塗布液を得るときには、各成分を単純に混合、溶解させるだけでもよいが、望ましくは室温（２０℃）以上１００℃以下、より望ましくは３０℃以上８０℃以下で、望ましくは１０分以上１００時間以下、より望ましくは１時間以上５０時間以下の条件で加温する。また、この際に超音波を照射することも望ましい。

−保護層の形成−
保護層形成用塗布液は、被塗布面（電荷輸送層）の上に、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法、インクジェット塗布法等の通常の方法により塗布される。
その後、得られた塗膜に対して、光、電子線又は熱を付与してラジカル重合を生起させて、該塗膜を硬化させる。

硬化の方法は、熱、光、放射線などが用いられる。熱、光で硬化を行う場合、重合開始剤は必ずしも必要ではないが、光硬化触媒又は熱重合開始剤を用いてもよい。この光硬化触媒及び熱重合開始剤としては、公知の光硬化触媒や熱重合開始剤が用いられる。放射線としては電子線が望ましい。

・電子線硬化
電子線を用いる場合、加速電圧は３００ＫＶ以下が望ましく、最適には１５０ＫＶ以下である。また、線量は望ましくは１Ｍｒａｄ以上１００Ｍｒａｄ以下の範囲、より望ましくは３Ｍｒａｄ以上５０Ｍｒａｄ以下の範囲である。加速電圧が３００ＫＶ以下であることにより感光体特性に対する電子線照射のダメージが抑制される。また、線量が１Ｍｒａｄ以上であることにより架橋が十分に行なわれ、１００Ｍｒａｄ以下であることにより感光体の劣化が抑制される。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が１０００ｐｐｍ、望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

・光硬化
光源としては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプなどが用いられ、バンドパスフィルター等のフィルターを用いて好適な波長を選択してもよい。照射時間、光強度は自由に選択されるが、例えば照度（３６５ｎｍ）は３００ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下が望ましく、例えば６００ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射する場合、５秒以上３６０秒以下照射すればよい。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が望ましくは１０００ｐｐｍ以下、より望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

光硬化触媒として、分子内開裂型としては、ベンジルケタール系、アルキルフェノン系、アミノアルキルフェノン系、ホスフィンオキサイド系、チタノセン系、オキシム系などが挙げられる。
より具体的には、ベンジルケタール系として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンが挙げられる。

また、アルキルフェノン系としては、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、アセトフェノン、２−フェニル−２−（ｐ−トルエンスルフォニルオキシ）アセトフェノンが挙げられる。
アミノアルキルフェノン系としては、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モリホニル）フェニル］−１−ブタノンなどが挙げられる。
ホスフィノキサイド系としては、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンキサイドなどが挙げられる。
チタノセン系としては、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウムなどが挙げられる。
オキシム系としては、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）などが挙げられる。

水素引抜型としては、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、ベンジル系、ミヒラーケトン系などが挙げられる。
より具体的には、ベンゾフェノン系として、２−ベンゾイル安息香酸、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド、ｐ，ｐ’−ビスジエチルアミノベンゾフェノンなどが挙げられる。
チオキサントン系としては、２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。
ベンジル系としては、ベンジル、（±）−カンファーキノン、ｐ−アニシルなどが挙げられる。

これらの光重合開始剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用られる。

・熱硬化
熱重合開始剤としては、熱ラジカル発生剤又はその誘導体が挙げられ、具体的には、例えば、Ｖ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ６０１、Ｖ６５、Ｖ−７０、ＶＦ−０９６、ＶＥ−０７３、Ｖａｍ−１１０、Ｖａｍ−１１１（和光純薬工業製）、ＯＴａｚｏ−１５、ＯＴａｚｏ−３０、ＡＩＢＮ、ＡＭＢＮ、ＡＤＶＮ、ＡＣＶＡ（大塚化学）等のアゾ系開始剤；パーテトラＡ、パーヘキサＨＣ、パーヘキサＣ、パーヘキサＶ、パーヘキサ２２、パーヘキサＭＣ、パーブチルＨ、パークミルＨ、パークミルＰ、パーメンタＨ、パーオクタＨ、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーヘキシルＤ、パーロイルＩＢ、パーロイル３５５、パーロイルＬ、パーロイルＳＡ、ナイパーＢＷ、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０／Ｍ、パーロイルＩＰＰ、パーロイルＮＰＰ、パーロイルＴＣＰ、パーロイルＯＰＰ、パーロイルＳＢＰ、パークミルＮＤ、パーオクタＮＤ、パーヘキシルＮＤ、パーブチルＮＤ、パーブチルＮＨＰ、パーヘキシルＰＶ、パーブチルＰＶ、パーヘキサ２５０、パーオクタＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＯ、パーブチルＬ、パーブチル３５５、パーヘキシルＩ、パーブチルＩ、パーブチルＥ、パーヘキサ２５Ｚ、パーブチルＡ、パーヘキシルＺ、パーブチルＺＴ、パーブチルＺ（日油化学社製）、カヤケタールＡＭ−Ｃ５５、トリゴノックス３６−Ｃ７５、ラウロックス、パーカドックスＬ−Ｗ７５、パーカドックスＣＨ−５０Ｌ、トリゴノックスＴＭＢＨ、カヤクメンＨ、カヤブチルＨ−７０、ペルカドックスＢＣ−ＦＦ、カヤヘキサＡＤ、パーカドックス１４、カヤブチルＣ、カヤブチルＤ、カヤヘキサＹＤ−Ｅ８５、パーカドックス１２−ＸＬ２５、パーカドックス１２−ＥＢ２０、トリゴノックス２２−Ｎ７０、トリゴノックス２２−７０Ｅ、トリゴノックスＤ−Ｔ５０、トリゴノックス４２３−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｗ５０、トリゴノックス２３−Ｃ７０、トリゴノックス２３−Ｗ５０Ｎ、トリゴノックス２５７−Ｃ７０、カヤエステルＰ−７０、カヤエステルＴＭＰＯ−７０、トリゴノックス１２１、カヤエステルＯ、カヤエステルＨＴＰ−６５Ｗ、カヤエステルＡＮ、トリゴノックス４２、トリゴノックスＦ−Ｃ５０、カヤブチルＢ、カヤカルボンＥＨ−Ｃ７０、カヤカルボンＥＨ−Ｗ６０、カヤカルボンＩ−２０、カヤカルボンＢＩＣ−７５、トリゴノックス１１７、カヤレン６−７０（化薬アクゾ社製）、ルペロックス６１０、ルペロックス１８８、ルペロックス８４４、ルペロックス２５９、ルペロックス１０、ルペロックス７０１、ルペロックス１１、ルペロックス２６、ルペロックス８０、ルペロックス７、ルペロックス２７０、ルペロックスＰ、ルペロックス５４６、ルペロックス５５４、ルペロックス５７５、ルペロックスＴＡＮＰＯ、ルペロックス５５５、ルペロックス５７０、ルペロックスＴＡＰ、ルペロックスＴＢＩＣ、ルペロックスＴＢＥＣ、ルペロックスＪＷ、ルペロックスＴＡＩＣ、ルペロックスＴＡＥＣ、ルペロックスＤＣ、ルペロックス１０１、ルペロックスＦ、ルペロックスＤＩ、ルペロックス１３０、ルペロックス２２０、ルペロックス２３０、ルペロックス２３３、ルペロックス５３１（アルケマ吉富社製）などが挙げられる。

これらのうち、分子量２５０以上のアゾ系重合開始剤を用いると、低い温度でムラなく反応が進行することから、ムラの抑制された高強度の膜の形成が図られる。より好適には、アゾ系重合開始剤の分子量は、２５０以上であり、３００以上が更に好適である。

加熱は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が望ましくは１０００ｐｐｍ以下、より望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、望ましくは５０℃以上１７０℃以下、より望ましくは７０℃以上１５０℃以下で、望ましくは１０分以上１２０分以下、より望ましくは１５分以上１００分以下加熱する。

光硬化触媒又は熱重合開始剤の総含有量は、層形成のための溶解液中の全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下が望ましく、更には０．１質量％以上８質量％以下がより望ましく、０．１質量％以上５質量％以下の範囲が特に望ましい。

なお、本実施態様では、反応が早く進行しすぎると架橋により塗膜の構造緩和ができ難くなり、膜のムラやシワを発生しやすくなるといった理由から、ラジカルの発生が比較的ゆっくりと起こる熱による硬化方法が採用される。
特に、特定の反応性基含有電荷輸送材料と熱による硬化とを組み合わせることで、塗膜の構造緩和の促進が図られ、表面性状に優れた高い保護層（最表面層）が得られ易くなる。

保護層の膜厚は、例えば、望ましくは３μｍ以上４０μｍ以下、より望ましくは５μｍ以上３５μｍ以下の範囲内に設定される。

以上、図１に示される電子写真感光体を参照し、機能分離型の感光層における各層の構成を説明したが、図２に示される機能分離型の電子写真感光体における各層においてもこの構成が採用しうる。また、図３に示される電子写真感光体の単層型感光層の場合、以下の態様であることが望ましい。

即ち、単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含んで構成されることがよい。なお、これら材料は、電荷発生材料及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、望ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、望ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体では、最表面層が保護層である形態を説明したが、保護層がない層構成であってもよい。
保護層がない層構成の場合、図１に示される電子写真感光体では、その層構成において最表面に位置する電荷輸送層が最表面層となる。そして、当該最表面層となる電荷輸送層が、上記特定の組成物の硬化膜で構成される。
また、保護層がない層構成の場合、図３に示される電子写真感光体では、その層構成において最表面に位置する単層型感光層が最表面層となる。そして、当該最表面層となる単層型感光層が、上記特定の組成物の硬化膜で構成される。但し、上記組成物には、電荷発生材料が配合される。
これら最表面層となる電荷輸送層及び単層型感光層の膜厚は、例えば、７μｍ以上７０μｍ以下がよく、望ましくは１０μｍ以上６０μｍ以下である。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
以下、本実施形態に係る画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）について詳細に説明する。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように。電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。なお、図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を被転写体に転写する二次転写装置も有している。

図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８、現像装置１１、及びクリーニング装置１３を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材）を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。

また、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、クリーニングをアシストする繊維状部材１３３（平ブラシ状）を用いた例を示してあるが、これらは使用しても、使用しなくてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

なお、図示しないが、電子写真感光体７の周囲には、電子写真感光体７の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための感光体加熱部材を設けてもよい。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は感光体の分光感度領域にあるものが使用される。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、磁性若しくは非磁性の一成分系現像剤又は二成分系現像剤等を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置を用いて行ってもよい。その現像装置としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、上記一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが望ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分現像剤であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等のベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

以上説明した画像形成装置１００は、上述した各装置の他に、例えば、公知の装置を備えてもよい。

図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

なお、本実施形態に係るプロセスカートリッジは、電子写真感光体を備え、画像形成装置に着脱し得るプロセスカートリッジであればよい。

以上説明した本実施形態に係る画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、乾式の現像剤を適用する画像形成装置について説明したが、液体現像剤を適用した画像形成装置（プロセスカートリッジ）であってもよい。特に、液体現像剤を適用する画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、当該液体現像剤の液体成分によって、電子写真感光体の最表面層が膨潤したりして割れ（クラック）や、クリーニングによるクリーニング傷が生じ易いが、上記本実施形態に係る電子写真感光体を適用することで、これらが改善され、結果、長期に亘り安定した画像が得られる。

図６は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。図７は、図６に示す画像形成装置における画像形成ユニットを示す概略構成図である。
図６に示す画像形成装置１３０は、主に、ベルト状中間転写体４０１と、各色画像形成ユニット４８１，４８２，４８３，４８４と、加熱部４５０（層状化手段の一例）と、転写定着部４６０と、から構成されている。

画像形成ユニット４８１は、図７に示すように、電子写真感光体４１０と、電子写真感光体４１０を帯電させる帯電装置４１１と、帯電した電子写真感光体４１０表面に画像情報に従って静電潜像を形成するために画像露光を行うＬＥＤアレイヘッド４１２（静電潜像形成手段の一例）と、電子写真感光体４１０上に形成された静電潜像を液体現像剤を用いて現像する現像装置４１４と、感光体面をクリーニングするクリーナ４１５と、除電器４１６と、ベルト状中間転写体４０１を介して電子写真感光体４１０と対向配置され電子写真感光体４１０上に形成された液体現像剤による現像画像をベルト状中間転写体４０１に転写する転写バイアスが印加される転写ロール４１７（一次転写手段の一例）と、から構成されている。

現像装置４１４には、図７に示すように、現像ロール４１４１と、液切りロール４１４２と、現像剤クリーニングロール４１４３と、現像剤クリーニングブレード４１４４と、現像剤クリーニングブラシ４１４５と、循環ポンプ（図示せず）と、液体現像剤供給路４１４６と、現像剤カートリッジ４１４７と、が配設されている。

ここで用いられる液体現像剤としては、ポリエステル、ポリスチレン等の加熱溶融定着型樹脂を主成分とする粒子が分散した液体現像剤や、余剰な分散媒（キャリア液）を除去し液体現像剤中の固形分比率を上げることで層状化（以下、フィルムフォーム化と称する）する液体現像剤が用いられる。具体的なフィルムフォーム化する材料については、ＵＳＰ５，６５０，２５３号公報（Ｃｏｌｕｍｎ １０ Ｌｉｎｅ ８からＣｏｌｕｍｎ １３ Ｌｉｎｅ １４まで）およびＵＳＰ５，６９８，６１６号公報にその詳細が示されている。
フィルムフォーム化する現像剤とは、室温（例えば２５℃）より低いガラス転移温度を有する微小物質（微小トナーのようなもの）がキャリア液中に分散されている液体現像剤であり、通常は互いに接触凝集することはないが、キャリア液を除去するとその物質だけになり、膜状に付着されると室温（例えば２５℃）で結合しフィルム化するものをいう。この物質は、エチルアルコールとメチルメタアクリレートとを配合することにより得られ、その配合比によってガラス転移温度が設定されるものである。

なお、他の画像形成ユニット４８２，４８３，４８４も同様の構成である。各画像形成ユニットの現像装置には、異なる色（イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック）の液体現像剤が入っている。また、各画像形成ユニット４８１，４８２，４８３，４８４においては、電子写真感光体や現像装置などがカートリッジ化されている。

以上の構成において、ベルト状中間転写体４０１の材料としては、例えば、シリコンラバーコート又はフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。

電子写真感光体４１０は、その上方表面でベルト状中間転写体４０１と接触し、ベルト状中間転写体４０１と同速移動する。

帯電装置４１１としては、例えば、コロナ帯電器が用いられている。画像形成ユニット４８１，４８２，４８３，４８４における電子写真感光体４１０には、同一周長の電子写真感光体４１０が用いられ、さらに、各転写ロール４１７の互いの配設間隔は、電子写真感光体４１０の周長と同じ、又はその周長の整数倍となるよう構成されている。

加熱部４５０は、ベルト状中間転写体４０１の内面と接触回転するように配設された加熱ロール４５１と、加熱ロール４５１と対向しベルト状中間転写体４０１の外面を囲うように配設された貯留槽４５２と、貯留槽４５２からのキャリア液蒸気およびキャリア液を回収するキャリア液回収部４５３と、から構成されている。キャリア液回収部４５３には、貯留槽４５２内キャリア液蒸気を吸引する吸引羽根４５４と、キャリア液蒸気を液状とする凝縮部４５５と、凝縮部４５５からのキャリア液を回収する回収カートリッジ４５６と、が装着されている。

転写定着部４６０（二次転写手段の一例）は、ベルト状中間転写体４０１を回転支持する転写支持ロール４６１と、転写定着部４６０を通過する記録媒体をベルト状中間転写体４０１側へ押し付けながら回転する転写定着ロール４６２と、から構成され、共に内部に発熱体を有している。

これ以外には、ベルト状中間転写体４０１上へのカラー画像形成に先立って、ベルト状中間転写体４０１上をクリーニングするクリーニングロール４７０およびクリーニングウェッブ４７１と、ベルト状中間転写体４０１の回転駆動を支持する支持ロール４４１〜４４４と、支持シュー４４５〜４４７と、が設けられている。

ベルト状中間転写体４０１は、各色画像形成ユニットの転写ロール４１７と、加熱ロール４５１と、転写支持ロール４６１と、支持ロール４４１〜４４４と、支持シュー４４５〜４４７と、クリーニングロール４７０およびクリーニングウェッブ４７１とで中間体ユニット４０２を構成し、加熱ロール４５１付近を支点に、一体的に支持ロール４４１付近が上下するようになっている。

以下、図６に示す液体現像剤を用いた画像形成装置の動作を説明する。
まず、画像形成ユニット４８１では、帯電装置４１１によりその表面を帯電された電子写真感光体４１０は、ＬＥＤアレイヘッド４１２によりイエロー画像情報に従った画像露光がなされて静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像装置４１４にてイエロー液体現像剤で現像される。

ここでの現像は、次のようなステップで行われる。現像剤カートリッジ４１４７から循環ポンプによりイエロー液体現像剤が液体現像剤供給路４１４６を通って、現像ロール４１４１と電子写真感光体４１０が接近する付近に供給される。電子写真感光体４１０上の静電潜像と現像ロール４１４１間で形成される現像電界により、供給された液体現像剤中の電荷を有した着色固形分が電子写真感光体４１０上の画像分となる静電潜像部側に移行する。

続いて、液切りロール４１４２により、次なる転写工程において必要とされるキャリア液比率となるよう電子写真感光体４１０上からキャリア液が除去される。こうして現像装置４１４を通過した電子写真感光体４１０面にはイエロー液体現像剤によるイエロー画像が形成される。

現像装置４１４内では、現像剤クリーニングロール４１４３が、現像動作後の現像ロール４１４１上の液体現像剤とスクイズ動作によりスクイズロール上に付着した液体現像剤の除去を行い、現像剤クリーニングブレード４１４４および現像剤クリーニングブラシ４１４５が、現像剤クリーニングロール４１４３のクリーニングを行って、常に安定した現像動作がなされる。この現像装置の構成および動作などについては、特開平１１−２４９４４４号公報に詳細に説明されている。

なお、現像ロール４１４１に対しては、一定固形分比率の液体現像剤が供給されるように現像装置４１４および現像剤カートリッジ４１４７の少なくとも一方にて液体現像剤中の固形分比率濃度の自動制御が行われている。

電子写真感光体４１０上に形成されたイエロー現像画像は、電子写真感光体４１０の回転により、その上方表面でベルト状中間転写体４０１と接触し、ベルト状中間転写体４０１を介して電子写真感光体４１０に圧接対向配置され転写バイアスが印加された転写ロール４１７により、ベルト状中間転写体４０１に接触静電転写される。

接触静電転写を終えた電子写真感光体４１０は、クリーナ４１５により転写残の液体現像剤が除去され、除電器４１６により除電されて、次なる画像形成に使用される。

他の画像形成ユニット４８２，４８３，４８４においても同様の動作が行われる。各画像形成ユニットにおける電子写真感光体としては、同一周長の電子写真感光体４１０が使用されており、かつ、各感光体上に形成された各色現像画像は、感光体の周長と同じ、又はその整数倍間隔で配設された転写ロールによって、ベルト状中間転写体４０１上に順次静電転写されていくため、ベルト状中間転写体４０１上での重なり位置を考慮して各電子写真感光体４１０上に形成されたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各現像画像は、電子写真感光体４１０の偏芯があっても、ベルト状中間転写体４０１上に、順次高精度に位置ズレなく重なり合いながら接触静電転写されて行き、画像形成ユニット４８４を通過したベルト状中間転写体４０１上には、各色液体現像剤による現像画像が形成される。

ベルト状中間転写体４０１上に形成された現像画像は、加熱部４５０にて、ベルト状中間転写体４０１の裏面から加熱ロール４５１により加熱され、分散媒であるキャリア液がほとんど蒸発され、フィルムフォーム化された画像となる。これは液体現像剤が、加熱溶融定着型樹脂を主成分とする粒子が分散した液体現像剤では、余剰な分散媒の除去と加熱ロール４５１による加熱で分散粒子が溶融されフィルムフォーム化するからである。又は、余剰な分散媒（キャリア液）を除去し液体現像剤中の固形分比率を上げることでフィルムフォーム化する液体現像剤であるからである。

加熱部４５０においては、加熱ロール４５１により加熱蒸発させられ発生した貯留槽４５２内のキャリア液蒸気がキャリア液回収部４５３内の吸引羽根４５４により凝縮部４５５に導入され液化され、再液化したキャリア液は、回収カートリッジ４５６へと導かれ回収される。

加熱部４５０を通過しその上にフィルム状（層状）の画像が形成されたベルト状中間転写体４０１は、転写定着部４６０において、装置下部の用紙収納部４９０からタイミングを合わせて搬送されてきた被転写体（例えば、普通紙）に対して、回転支持ロール４６１と転写定着ロール４６２により加熱加圧転写され、被転写体上に画像が形成され、排出ロール４９１，４９２により装置外へ出力排出される。ここでの転写においては、ベルト状中間転写体４０１上に形成されたフィルムフォーム化された画像のベルト状中間転写体４０１に対する付着力は、フィルムフォーム化された画像の被転写体に対する付着力より弱く、この付着力の差により被転写体に転写が行われるもので、転写時には静電気力は付与されない。なお、フィルムフォーム化した画像のフィルムとしての結合力は、被転写体への付着力より大きい。

転写定着部４６０を通過したベルト状中間転写体４０１は、内部に発熱源を配したクリーニングロール４７０とクリーニングウェッブ４７１により、転写残の固形分や固形分に含まれベルト状中間転写体４０１の機能を阻害する物質が回収除去される。その後、ベルト状中間転写体４０１は、次なる画像形成に使用される。

以上のような画像形成が行われた後、中間体ユニット４０２は加熱ロール４５１付近を支点に、一体的に支持ロール４４１付近が上方に移動し、ベルト状中間転写体４０１は、各画像形成ユニットの電子写真感光体４１０から離れる。また、転写定着ロール４６２も同じく、ベルト状中間転写体４０１から離される。

再び画像形成要求があった場合には、ベルト状中間転写体４０１が、各画像形成ユニットの電子写真感光体４１０に接触するように中間体ユニット４０２が動作し、転写定着ロール４６２も同じくベルト状中間転写体４０１と接触するように動作する。転写定着ロール４６２のこの動作については、記録媒体への画像転写タイミングに合わせて行ってもよい。

一方、液体現像剤を用いた画像形成装置は、上記図６に示す画像形成装置１３０に限られるわけではなく、例えば、図８に示す画像形成装置であってもよい。
図８は、実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。

図８に示す画像形成装置１４０は、図６示す画像形成装置１３０の構成と同じように、主に、ベルト状中間転写体４０１と、各色画像形成ユニット４８５，４８６，４８７，４８８と、加熱部４５０と、転写定着部４６０と、から構成される。

図８に示す画像形成装置１４０は、図６示す画像形成装置１３０に対して、ベルト状中間転写体４０１を略三角形で走行するようにした点と、各色画像形成ユニット４８５，４８６，４８７，４８８における現像装置４２０の構成が異なる。加熱部４５０および転写定着部４６０は、図６に示す画像形成装置１３０と同様である。なお、クリーニングロール４７０およびクリーニングウェッブ４７１は図示を省略した。

ベルト状中間転写体４０１の回転走行に伴いベルト状中間転写体４０１が屈曲動作することになるが、この屈曲動作がベルト状中間転写体４０１の安定走行と寿命に影響を与えることから、極力屈曲動作が少ない略三角形の走行形態としてある。

現像装置４２０には、現像ロールや液切りロール等はなく、電子写真感光体４１０上に形成された静電潜像に対して選択的に液体現像剤を飛翔付着する記録ヘッド４２１が複数列配列されている。

また、記録ヘッド４２１のそれぞれの列には、記録電極４２２が電子写真感光体４１０の長手方向に多数個均等に配設されており、電子写真感光体４１０上に形成された静電潜像電位と記録電極４２２に印加された飛翔バイアス電位との間で飛翔電界が形成され、記録電極４２２に供給された液体現像剤中の電荷を有した着色固形分が電子写真感光体４１０上の画像部となる静電潜像部側に移行し現像するようになっている。

記録電極４２２の周囲には、液体現像剤のメニスカス（液体の粘性、表面張力、接触部材表面の表面エネルギーによって、液体が接触した部材上や部材間で形成される液体保持形態）４２４が形成される。図９はその状態を示す図である。液体現像剤の液粒４２３の飛翔先である電子写真感光体４１０Ａ上には画像部となる静電潜像が形成されている。このとき、画像部４１０Ｂは例えば５０Ｖ以上１００Ｖ以下の静電潜像電位が印加された状態であり、非画像部４１０Ｃは例えば５００Ｖ以上６００Ｖ以下の電位が印加された状態である。ここで、バイアス電圧供給部４２５を介して記録電極４２２に約１０００Ｖの飛翔バイアス電位が印加されると、電界集中により記録電極４２２の先端に供給液体現像剤中の固形分比率よりその比率が高い、即ち、高濃度の液体現像剤が供給され、電子写真感光体４１０Ａ上の画像部４１０Ｃの静電潜像電位と記録電極４２２の飛翔バイアス電位との電位差（例えば７００Ｖ以上８００Ｖ以下が飛翔のための電位差のしきい値）により、この高濃度の液体現像剤による液粒４２３が電子写真感光体４１０Ａ上の静電潜像部（画像部）に飛翔付着する。また、この現像装置４２０では、現像装置そのものが現像剤カートリッジの役割を有している。

図８に示す画像形成装置１４０の動作については、ベルト状中間転写体４０１の走行形態と現像装置４２０の動作が図６に示す画像形成装置１３０と異なるのみであり、他の動作は同じであるので、説明は省略する。

ここで、液体現像剤を用いた画像形成装置において、現像装置は上記構成に限られず、例えば、図１０に示す現像装置であってもよい。
図１０は、図６又は図８に示す画像形成装置における他の現像装置を示す概略構成図である。

図１０示す現像装置４１５０は、図６又は図８に示す画像形成装置１３０，１４０において、電子写真感光体４１０上に形成された静電潜像を現像ロール４１５１にて現像するにあたり、現像剤カートリッジ４１５５から供給される液体現像剤中の固形分比率より高固形分比率を有する液体現像剤層を現像ロール４１５１上に形成し、この高濃度化された液体現像剤層により現像するものである。

現像ロール４１５１上への固形分比率を高くした液体現像剤層形成は、供給ロール４１５２と現像ロール４１５１間に電位差を設けて電界形成することで、現像ロール４１５１上に現像剤カートリッジ４１５５からの液体現像剤の固形分比率より高めの固形分比率の液体現像剤層が形成される。現像ロール４１５１および供給ロール４１５２に対しては、それぞれのロール表面をクリーニングするクリーニングブレード４１５３および４１５４が配設されている。

なお、以上説明した本実施形態に係る画像形成装置（プロセスカートリッジ）は、上記構成に限られず、周知の構成を適用してもよい。

［電荷輸送性膜（及びそれを備えた光電変換装置）］
本実施形態に係る電荷輸送性膜は、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成された電荷輸送性膜である。
本実施形態に係る電荷輸送性膜は、繰り返し使用による移動度の低下が抑制される。この理由も定かではないが、本実施形態に係る電子写真感光体で説明した理由と同じであると考えられる。

そして、本実施形態に係る電荷輸送性膜を備える光電変換装置は、繰り返し使用しても輝度の低下及び駆動電圧の上昇が抑制される。
また、本実施形態に係る電荷輸送性膜は機械的強度にも優れることから、これを最表面層として備える光電変換装置は、表面の機械的強度にも優れたものとなる。
なお、光電変換装置としては、電子写真感光体の他、例えば、有機電界発光(エレクトロルミネッセンス、ＥＬ)素子、メモリー素子、波長変換素子等が挙げられる。

以下実施例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例１］
（電子写真感光体の作製）
−下引層の作製−
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ^２／ｇ）１００質量部をトルエン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理を施した酸化亜鉛を得た。表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン０．６質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、更に６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリンを付与させた酸化亜鉛を得た。

このアリザリンを付与させた酸化亜鉛：６０質量部と、硬化剤（ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）：１５質量部と、をメチルエチルケトン８５質量部に混合した液３８質量部とメチルエチルケトン：２５質量部とを混合し、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。 得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、及びシリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）：４０質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にてアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い、厚さ２０μｍの下引層を得た。

−電荷発生層の作製−
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン（ＣＧＭ−１）１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、及びｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。

−電荷輸送層の作製−
下記組成の電荷輸送層形成用塗布液を作製した。
・電荷輸送材料： Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＣＴＭ−１）：４５質量部
・樹脂： ビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（以下、「ＰＣＺ５００」と標記、粘度平均分子量：５万）：５５質量部
・溶剤： クロロベンゼン：８００質量部
この塗布液を電荷発生層上に塗布し、１３０℃、４５分の乾燥を行って膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。

−保護層の作製−
下記組成の保護層形成用塗布液を調製した。
・反応性基含有電荷輸送材料： 例示化合物（Ｉａ）−２：１００質量部
・開始剤： ＯＴａｚｏ１５（大塚化学社製）：２質量部
・溶剤： テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／トルエン混合溶剤（質量比６０／４０）：１５０質量部
この塗布液を前記電荷輸送層２Ｂ−１上に塗布し、酸素濃度約１００ｐｐｍの雰囲気下で１５０℃、４０分加熱し、７μｍの保護層を形成した。
以上のような方法で、電子写真感光体を得た。この感光体を感光体１とする。

［実施例２〜３２、比較例１〜２］
（電子写真感光体の作製）
実施例１における保護層形成用塗布液中の電荷輸送材料を表１〜表２のように変更する以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体を得た。この感光体を感光体２〜３０、比較感光体１〜２とする。

［評価］
〔初期の電気特性評価〕
得られた電子写真感光体を、高温、高湿下（２８℃、６７％ＲＨ）で下記工程（Ａ）〜（Ｃ）に供した。
（Ａ）：グリッド印加電圧−７００Ｖのスコロトロン帯電器で電子写真感光体を帯電させる工程
（Ｂ）：工程（Ａ）の１秒後に波長７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて１０．０ｅｒｇ／ｃｍ^２の光を照射する露光工程
（Ｃ）：工程（Ａ）の３秒後に５０．０ｅｒｇ／ｃｍ２の赤色ＬＥＤ光を照射する除電工程

ＶＨ（工程（Ａ）にて帯電された後の感光体の表面電位）、ＶＬ（工程（Ｂ）にて露光された後の感光体の表面電位）、及びＶＲＰ（工程（Ｃ）にて除電された後の感光体の表面電位（残留電位））を測定した。
なお、表面電位（残留電位）の測定には、表面電位計 ＭＯＤＥＬ３４４ (トレックジャパン社製)を用いた。Ａ＋が最も良好な特性であることを示す。

評価指標は以下の通りである。
（ＶＬの評価指標）
Ａ＋：−２３０Ｖ以上
Ａ ：−２４０Ｖ以上
Ｂ ：−２８０Ｖ以上−２４０Ｖ未満
Ｃ ：−３００Ｖ以上−２８０Ｖ未満
Ｄ ：−３００Ｖ未満
（ＶＲＰの評価指標）
Ａ＋：−１２０Ｖ以上
Ａ ：−１３０Ｖ以上
Ｂ ：−１５０Ｖ以上−１３０Ｖ未満
Ｃ ：−１７０Ｖ以上−１５０Ｖ未満
Ｄ ：−１７０Ｖ未満

〔感光体ランニング評価１〕
上記実施例１〜３２及び比較例１〜２にて作製した電子写真感光体を、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｃｏｌｏｒ ４００ＣＰ（富士ゼロックス社製）に装着し、通常環境（２０℃、５０％ＲＨ）下で図１１（Ａ）に示す画像評価パターンを出力した。その後、連続して５００００枚の黒ベタパターンを出力した後、再び画像評価パターンを出力した。なお、光量は、電荷発生材料の感度によって、フィルターを用いて調整した。

＜画像安定性＞
感光体ランニング評価１の前後で出力した画像評価パターンを比較し、画質の劣化度合いを目視にて下記に示すように評価した。Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋＋：最も良好（出力した画像パターン全てにおいて劣化がほとんど見られない）
Ａ＋ ：出力した複数の画像パターンのうち一部において、拡大画像で変化を確認
Ａ ：良好（目視では変化は確認できないが、拡大画像では変化を確認）
Ｂ ：画質劣化は確認し得るが、許容レベル
Ｃ ：画質劣化が生じており、問題となるレベル

＜電気特性安定性＞
前記感光体ランニング評価１の実施する前後で、各感光体を通常環境（２０℃、５０％ＲＨ）環境下、グリッド印加電圧−７００Ｖのスコロトロン帯電器で感光体をマイナス帯電させ、次いで帯電させた感光体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、１０ｍＪ／ｍ^２の光量にてフラッシュ露光をした。露光後、１０秒後の感光体表面の電位（Ｖ）を測定し、この値を残留電位の値とした。いずれの感光体においても、残留電位は負の値を示した。それぞれの感光体において、（ランニング評価１実施前の残留電位）−（ランニング評価１実施後の残留電位）の値を算出し、電気特性安定性を評価した。Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋＋：１０Ｖ未満
Ａ＋ ：１０Ｖ以上 ２０Ｖ未満
Ａ ：２０Ｖ以上 ３０Ｖ未満
Ｂ ：３０Ｖ以上 ５０Ｖ未満
Ｃ ：５０Ｖ以上

＜機械的強度＞
感光体ランニング評価１を行った後の感光体表面の傷発生度合いを以下のように評価した。その後、感光体ランニング評価１と同じ条件でさらに１０００００枚の黒ベタパターンを出力した後、感光体表面の傷発生度合いを以下のように評価した。Ａ＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋：顕微鏡観察でもキズが確認されない。
Ａ ：目視でキズが確認されないが、顕微鏡観察で小さなキズが確認される。
Ｂ ：部分的にキズが発生。
Ｃ ：全面にキズ発生。

〔感光体ランニング評価２〕
実施例１〜３２及び比較例１〜２にて作製した電子写真感光体を、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｃｏｌｏｒ ４００ＣＰ（富士ゼロックス社製）に装着し、まず、低温低湿（２０℃、３０％ＲＨ）環境下において図１１（Ａ）に示す画像評価パターンを出力し〔評価画像１〕とした。
引き続き、低温低湿（２０℃、３０％ＲＨ）環境下において、連続して１００００枚の黒ベタパターンを出力した後、図１１（Ａ）に示す画像評価パターンを出力し〔評価画像２〕とした。
次いで、低温低湿（２０℃、３０％ＲＨ）環境下のまま２４時間放置した後、図１１（Ａ）に示す画像評価パターンを出力し〔評価画像３〕とした。
次いで、高温、高湿下（２８℃、６７％ＲＨ）環境下にて５０００枚の黒ベタパターンを出力した後、図１１（Ａ）に示す画像評価パターンを出力し〔評価画像４〕とした。
次いで、高温、高湿下（２８℃、６７％ＲＨ）環境下のまま２４時間放置した後、画像評価パターンを出力し〔評価画像５〕とした。
次いで、再度、低温低湿（２０℃、３０％ＲＨ）環境下に戻し、更に２００００枚の黒ベタパターンを出力し、画像評価パターンを出力し〔評価画像６〕とした。

＜ゴースト評価＞
〔評価画像３〕及び〔評価画像５〕をそれぞれ〔評価画像２〕及び〔評価画像４〕と比較し画質上の劣化度合いを目視にて評価した。Ａ＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋：図１１（Ａ）のごとく良好な状態
Ａ ：図１１（Ａ）のごとく良好であるが、僅かに発生している状態
Ｂ ：図１１（Ｂ）のごとく若干目立つ程度の状態
Ｃ ：図１１（Ｃ）のごとくはっきり確認し得る状態

上記結果から、本実施例では、比較例では、初期の電気特性（ＶＬ。ＶＲＰ）、画像安定性、電気特性安定性、機械的強度、ゴーストの評価について良好な結果が得られたことがわかる。

［実施例３３〜４８］
（電子写真感光体の作製）
実施例１における電荷発生層中の電荷発生物質、電荷輸送層の電荷輸送剤、及び保護層の各成分及び塗布溶剤の種類を表３のように変更する以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体を得た。この感光体を感光体３３〜４８とする。
感光体３３〜４８について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。

上記結果から、本実施例では、比較例では、初期の電気特性（ＶＬ。ＶＲＰ）、画像安定性、電気特性安定性、機械的強度、ゴーストの評価について良好な結果が得られたことがわかる。

［実施例４９］
−電荷輸送性膜形成用塗布液を調製−
下記組成の電荷輸送性膜形成用塗布液を調製した。
・反応性基含有電荷輸送剤材料： 例示化合物（Ｉａ）−２：１００質量部
・開始剤： ＯＴａｚｏ１５（大塚化学社製）：２質量部
・溶剤： テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／トルエン混合溶剤（質量比４０／６０）：１５０質量部

−電荷輸送性膜の作製−
ガラス基板上にＩＴＯ膜を備えるＩＴＯガラス基板を用意し、そのＩＴＯ膜を２ｍｍ幅
の短冊状にエッチングしてＩＴＯ電極（陽極）を形成した。このＩＴＯガラス基板を、イ
ソプロパノール（電子工業用、関東化学社製）で超音波洗浄した後、スピンコーターで乾
燥させた。
上記ＩＴＯガラス基板のＩＴＯ電極が形成されている面上に、上記電荷輸送性膜形成用
塗布液を塗布し、酸素濃度約１００ｐｐｍの雰囲気下で１５０℃、４０分加熱し、５μｍ
の電荷輸送性膜４９を形成した。

−有機電界発光素子の作製−
ガラス基板上にＩＴＯ膜を備えるＩＴＯガラス基板を用意し、そのＩＴＯ膜を２ｍｍ幅の短冊状にエッチングしてＩＴＯ電極（陽極）を形成した。このＩＴＯガラス基板を、イソプロパノール（電子工業用、関東化学社製）で超音波洗浄した後、スピンコーターで乾燥させた。
次に、ＩＴＯガラス基板のＩＴＯ電極が形成されている面上に、昇華精製した銅フタロシアニンを真空蒸着することにより厚さ０．０１５μｍの薄膜を形成した。
上記の電荷輸送性膜形成用塗布液を上記銅フタロシアニン膜上に塗布し、酸素濃度約１００ｐｐｍの雰囲気下で１４５℃、４０分加熱し、０．０５μｍの薄膜を形成した。これにより、ＩＴＯ電極上に２層構造の正孔輸送層を形成した。
次に、上記正孔輸送層上に、発光材料としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ）を蒸着することにより厚さ０．０６０μｍの発光層を形成した。
更に、上記発光層上に、Ｍｇ−Ａｇ合金を共蒸着により蒸着して、２ｍｍ幅、０．１３μｍ厚の短冊状のＭｇ−Ａｇ電極（陰極）を形成し、有機電界発光素子４９を得た。なお、ＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極とは、それぞれの延在方向が直交するように形成した。得られた有機電界発光素子４９の有効面積は０．０４ｃｍ^２であった。

［比較例３、４］
反応性基含有電荷輸送剤材料としての例示化合物（Ｉａ）−２を、比較用の反応性基含有電荷輸送剤材料（Ｃａ−１）、（Ｃａ−２）に各々変更する以外は実施例４９と同様にして、それぞれ比較電荷輸送性膜３、４及び比較有機電界発光素子３，４を得た。

［実施例５０〜７８］
実施例４９において、反応性基含有電荷輸送材料を表５に記載したものに変更する以外は実施例４９と同様にして、電荷輸送性膜５０〜７８及び有機電界発光素子５０〜７８を得た。

［評価］
（移動度の安定性の測定）
実施例４９〜７８、比較例３〜４にて得られた電荷輸送性膜に対し、ＴＯＦ−４０１（住友重機械工業製）を用いて３０Ｖ／μｍの電界をかけて移動度を１００回繰り返し測定し、下記式から移動度の安定性を評価した。それらの結果を表５に示す。
なお、「｜｜」は、絶対値を指す。Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
・移動度の安定性＝｜（１回目測定の移動度）−（１００回目測定の移動度）｜／（１回目測定の移動度）
Ａ＋＋：０．０５未満
Ａ＋ ：０．０５以上 ０．０８未満
Ａ ：０．０８以上 ０．１未満
Ｂ ：０．１以上 ０．２未満
Ｃ ：０．２以上

（素子特性の評価）
実施例４９〜７８、比較例３〜４にて得られた有機電界発光素子について、以下のようにして素子特性を評価した。それらの結果を表５に示す。

−最高輝度−
真空中（０．１２５Ｐａ）で、ＩＴＯ電極をプラス（陽極）、Ｍｇ−Ａｇ電極をマイナス（陰極）とし、これらの間に直流電圧を印加して発光させ、そのときの最高輝度を評価した。
なお、最高輝度の評価基準は以下の通りである（数値の単位はｃｄ／ｍ^２）。Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋＋：８００以上
Ａ＋ ：７５０以上 ８００未満
Ａ ：７００以上 ７５０未満
Ｂ ：６５０以上 ７００未満
Ｃ ：６５０未満

−素子寿命−
乾燥窒素中で有機電界発光素子の発光寿命の測定を以下のようにして行った。室温において直流駆動方式（ＤＣ駆動）で初期輝度を５００ｃｄ／ｍ^２とし、比較例４の素子の輝度（初期輝度Ｌ０：５００ｃｄ／ｍ^２）が（輝度Ｌ／初期輝度Ｌ０）＝０．５となった時点の駆動時間を１．０とした場合の相対時間、及び、素子の輝度が（輝度Ｌ／初期輝度Ｌ０）＝０．５となった時点での電圧上昇分(＝電圧／初期駆動電圧)により評価した。
なお、相対時間（Ｌ／Ｌ０＝０．５）及び電圧上昇（Ｌ／Ｌ０＝０．５となるとき）の評価基準は以下の通りである。

・相対時間（Ｌ／Ｌ０＝０．５）Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋＋：１．６以上
Ａ＋：１．４以上 １．６未満
Ａ ：１．２以上 １．４未満
Ｂ ：１．０以上 １．２未満
Ｃ ：１．０未満

・電圧上昇（Ｌ／Ｌ０＝０．５となるとき）Ａ＋＋が最も良好な特性であることを示す。
Ａ＋＋：１．０以上１．１未満
Ａ＋：１．１以上 １．２未満
Ａ ：１．２以上 １．３未満
Ｂ ：１．３以上 １．４未満
Ｃ ：１．４以上

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、電荷輸送膜の移動度の安定性、有機電界発光素子の特性の評価について、共に良好な結果が得られたことがわかる。

以下、表中の略称の詳細について示す。
［電荷発生材料］
・ＣＧＭ−１： Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン
・ＣＧＭ−２： Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも９.６゜，４２.１゜，及び２７.２゜の位置に回折ピークを有するチタニルフタロシアニン

［電荷輸送材料（非反応性の電荷輸送材料）］
・ＣＴＭ−１： Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン
・ＣＴＭ−２： 下記構造式で示される電荷輸送材料
・ＣＴＭ−３： 下記構造式で示される電荷輸送材料

［反応性基含有電荷輸送材料］
・（Ｉａ）−２ ： 例示化合物（Ｉａ）−２
・（Ｉａ）−１５ ： 例示化合物（Ｉａ）−１５（下記合成法参照）
・（Ｉａ）−２２ ： 例示化合物（Ｉａ）−２２
・（Ｉａ）−２７ ： 例示化合物（Ｉａ）−２７
・（Ｉａ）−３０ ： 例示化合物（Ｉａ）−３０
・（Ｉａ）−３１ ： 例示化合物（Ｉａ）−３１
・（Ｉａ）−３５ ： 例示化合物（Ｉａ）−３５
・（Ｉａ）−３６ ： 例示化合物（Ｉａ）−３６
・（Ｉａ）−４０ ： 例示化合物（Ｉａ）−４０
・（Ｉａ）−４３ ： 例示化合物（Ｉａ）−４３（下記合成法参照）
・（Ｉａ）−４４ ： 例示化合物（Ｉａ）−４４
・（Ｉａ）−４５ ： 例示化合物（Ｉａ）−４５
・（Ｉａ）−４６ ： 例示化合物（Ｉａ）−４６
・（Ｉａ）−４７ ： 例示化合物（Ｉａ）−４７
・（Ｉａ）−４８ ： 例示化合物（Ｉａ）−４８
・（Ｉａ）−５３ ： 例示化合物（Ｉａ）−５３
・（Ｉａ）−５４ ： 例示化合物（Ｉａ）−５４
・（Ｉａ）−５５ ： 例示化合物（Ｉａ）−５５
・（Ｉａ）−５６ ： 例示化合物（Ｉａ）−５６
・（Ｉａ）−５８ ： 例示化合物（Ｉａ）−５８
・（Ｉａ）−１０３： 例示化合物（Ｉａ）−１０３
・（Ｉａ）−１０４： 例示化合物（Ｉａ）−１０４
・（Ｉａ）−１０５： 例示化合物（Ｉａ）−１０５
・（Ｉａ）−１０６： 例示化合物（Ｉａ）−１０６
・（Ｉｂ）−１４ ： 例示化合物（Ｉｂ）−１４
・（Ｉｂ）−２３ ： 例示化合物（Ｉｂ）−２３
・（Ｉｂ）−２８ ： 例示化合物（Ｉｂ）−２８
・（Ｉｂ）−３０ ： 例示化合物（Ｉｂ）−３０
・（Ｉｂ）−４７ ： 例示化合物（Ｉｂ）−４７
・（Ｉｂ）−８７ ： 例示化合物（Ｉｂ）−８７
・Ｃａ−１ ： 下記構造式（Ｃａ−１）で示されるは反応性基含有電荷輸送材料
・Ｃａ−２ ： 下記構造式（Ｃａ−２）で示される反応性基含有電荷輸送材料

（例示化合物（Ｉａ）−１５の合成）
下記合成経路に従って、例示化合物（Ｉａ）−１５を合成した。
５００ｍｌ三口フラスコに４，４’−ビス（２−メトキシカルボニルエチル）ジフェニルアミン６８．３ｇ、４−ヨードキシレン４６．４ｇ、炭酸カリウム３０．４ｇ、硫酸銅５水和物１．５ｇ、ｎ−トリデカン５０ｍｌを添加し、系中を窒素フローしながら２２０℃で加熱しながら２０時間撹拌した。その後温度を室温まで下げ、トルエン２００ｍｌ、水１５０ｍｌを加えて分液操作を行った。トルエン層を採取し、硫酸ナトリウム２０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。トルエンを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物（Ｉａ）−１５ａを６５．１ｇ得た（収率７３％）。
３Ｌ三口フラスコに化合物（Ｉａ）−１５ａを５９．４ｇ、テトラヒドロフラン４５０ｍｌを添加し、そこに水酸化ナトリウム１１．７ｇを水４５０ｍｌに溶解した水溶液を添加し、６０℃で３時間撹拌した。その後、反応液を水１Ｌ／濃塩酸６０ｍｌ水溶液に滴下し、析出した固体を吸引ろ過により採取した。さらにこの固体にアセトン／水混合溶剤（体積比４０／６０）５０ｍｌを加えて懸濁状態で撹拌した後、吸引ろ過により採取し、１０時間真空乾燥した後、化合物（Ｉａ）−１５ｂを４６．２ｇ得た（収率８３％）。
５００ｍｌ三口フラスコに化合物（Ｉａ）−１５ｂを２９．２ｇ、１−クロロメチルー３，５−ジビニルベンゼン２７．５１ｇ、炭酸カリウム２１．３ｇ、ニトロベンゼン０．１７ｇ、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）１７５ｍｌを添加し、系中を窒素フローして７５℃に加熱しながら３時間撹拌した。その後、温度を室温まで下げ、反応溶液に酢酸エチル２００ｍｌ／水２００ｍｌを加えて分液操作を行った。酢酸エチル層を採取し、硫酸ナトリウム１０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。酢酸エチルを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、例示化合物（Ｉａ）−１５を３６．４ｇ得た（収率７４％）。

（例示化合物（Ｉａ）−４３の合成）
下記合成経路に従って、例示化合物（Ｉａ）−４３を合成した。
５００ｍｌ三口フラスコに４，４’−ビス（２−メトキシカルボニルエチル）ジフェニルアミン６８．３ｇ、４，４’−ジヨードー３，３’−ジメチルー１，１’−ビフェニル４３．４ｇ、炭酸カリウム３０．４ｇ、硫酸銅５水和物１．５ｇ、ｎ−トリデカン５０ｍｌを添加し、系中を窒素フローしながら２２０℃で加熱しながら２０時間撹拌した。その後温度を室温まで下げ、トルエン２００ｍｌ、水１５０ｍｌを加えて分液操作を行った。トルエン層を採取し、硫酸ナトリウム１０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。トルエンを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物（Ｉａ）−４３ａを５６．０ｇ得た（収率６５％）。
３Ｌ三口フラスコに化合物（Ｉａ）−４３ａを４３．１ｇ、テトラヒドロフラン３５０ｍｌを添加し、そこに水酸化ナトリウム８．８ｇを水３５０ｍｌに溶解した水溶液を添加し、６０℃に加熱しながら５時間撹拌した。その後、反応液を水１Ｌ／濃塩酸４０ｍｌ水溶液に滴下し、析出した固体を吸引ろ過により採取した。この固体をさらにアセトン／水混合溶剤（体積比４０／６０）５０ｍｌを加えて懸濁状態で撹拌した後、吸引ろ過により採取し、１０時間真空乾燥した後、化合物（Ｉａ）−４３ｂを３６．６ｇ得た（収率９１％）。
５００ｍｌ三口フラスコに化合物（Ｉａ）−４３ｂを２８．２ｇ、１−クロロメチルー３，５−ジビニルベンゼン２７．５１ｇ、炭酸カリウム２１．３ｇ、ニトロベンゼン０．０９ｇ、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）１７５ｍｌを添加し、系中を窒素フローして７５℃に加熱しながら５時間撹拌した。その後、温度を室温まで下げ、反応溶液に酢酸エチル２００ｍｌ／水２００ｍｌを加えて分液操作を行った。酢酸エチル層を採取し、硫酸ナトリウム１０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。酢酸エチルを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、例示化合物（Ｉａ）−４３を３７．５ｇ得た（収率７８％）。

なお、他の例示化合物も、上記合成に準じて合成した。

［電荷輸送能を持たないラジカル重合性モノマー（電荷輸送成分を有さない不飽和結合を有する化合物）］
・モノマーー１： Ａ−ＤＣＰ（新中村化学工業製の２官能アクリレートモノマー）
・モノマーー２： Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業製の６官能アクリレートモノマー）
・モノマーー３： ＢＰＥ−２００（新中村化学工業製の２官能メタクリレートモノマー）

［樹脂］
・ＢＸ−Ｌ： エスレックＢ ＢＸ−Ｌ：積水化学工業製のポリビニルブチラール樹脂
・ＰＣＺ５００： ビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：５万）

［開始剤］
・Ｖ−４０： 和光純薬工業製の開始剤（熱ラジカル発生剤）
・ＶＥ−０７３： 和光純薬工業製の開始剤（熱ラジカル発生剤）
・Ｖ−６０１： 和光純薬工業製の開始剤（熱ラジカル発生剤）
・パーヘキシルＯ： 日油製の開始剤（熱ラジカル発生剤）
・ＯＴａｚｏ１５： （大塚化学社製の開始剤（熱ラジカル発生剤）

１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性支持体、５ 保護層、６ 単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００、１２０、１３０、１４０ 画像形成装置、３００ プロセスカートリッジ

Claims (13)

1. 下記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜で構成された電荷輸送性膜。
   
   （一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示す。Ｄは一般式（IIａ）で示される基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。
   一般式（IIａ）中、Ｅは、一般式（IIｂ）で示される基を示す。Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｏ−、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。
   一般式（IIｂ）中、Ｒ^０は、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコキシ基を示す。ｎ０は、０以上３以下の整数を示す。ｎ０が２又は３の整数を示すとき、Ｒ^０は同じ基を示してもよいし、異なる基を示してもよい。）
2. 前記一般式（IIａ）中のＬが、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す請求項１に記載の電荷輸送性膜。
3. 前記一般式（IIａ）で示される基が、下記一般式（IIIａ）又は一般式（IVａ）で示される基である請求項１又は２に記載の電荷輸送性膜。
   
   （一般式（IIIａ）中、Ｌ^１は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ１＋１）価の連結基を示す。ｎ１は、１以上３以下の整数を示す。Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。
   一般式（IVａ）中、Ｌ^２は、−Ｏ−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−からなる群より選択される１種と、アルキレン基、アルケニレン基、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される１種以上と、を組み合わせた基を含む（ｎ２＋１）価の連結基を示す。ｎ２は、１以上３以下の整数を示す。Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。
4. 前記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物が、下記一般式（Ｖ）で示される反応性化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。
   
   （一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄは、一般式（IIａ）で示される基を示す。ｃ１〜ｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋは、０又は１を示す。但し、Ｄの総数は、１個以上８個以下である。）
5. 前記一般式（IIIａ）で示される基が、下記一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）で示される基から選択される基である請求項３又は４に記載の電荷輸送性膜。
   
   （一般式（IIIａ−１）〜（IIIａ−６）中、Ｘ^ｐ１３〜Ｘ^ｐ１６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^１は、一般式（IIIｂ）で示される基を示す。ｒ１１〜ｒ１２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ１３〜ｑ１６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。）
6. 前記（IVａ）で示される基が、下記一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）で示される基から選択される基である請求項３又は４に記載の電荷輸送性膜。
   
   （一般式（IVａ−１）〜（IVａ−６）中、Ｘ^ｐ２３〜Ｘ^ｐ２６は、それぞれ独立に２価の連結基を示す。Ｅ^２は、一般式（IVｂ）で示される基を示す。ｒ２１〜ｒ２２は、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。ｑ２３〜ｑ２６は、それぞれ独立に０又は１の整数を示す。）
7. 前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、２個以上６個以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。
8. 前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、３個以上６個以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。
9. 前記一般式（Ｉ）中のＥの総数が、４個以上６個以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜を有する光電変換装置。
11. 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
    最表面層が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送性膜で構成される電子写真感光体。
12. 請求項１１に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
13. 請求項１１に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
    を備える画像形成装置。