JP2013546182A - マイクロ波プラズマを用いる誘電膜堆積方法 - Google Patents
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Abstract
Description
408では、前記基板が、前記プラズマに暴露されて、前記基板上にシリコン−ドープ炭素−窒素(Si−ドープCN)膜を堆積する。
Claims (20)
- 半導体装置を製造する方法であり、前記方法は:
マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し、
前記プラズマチャンバ内に、炭素−窒素分子内結合を持つ堆積ガスを含む、非−金属−含有プロセスガスを導入し;
前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び
前記基板を前記プラズマに暴露して、炭素−窒素−含有膜を前記基板上に形成する、ことを含む方法。 - 請求項1に記載の方法であり、前記炭素−窒素−含有膜が炭素−窒素(CM)膜を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記非−金属−含有プロセスガスがさらに、酸素−含有ガスを含み、及び前記炭素−窒素−含有膜が炭素−窒素−酸素(CNO)膜を含む、方法。
- 請求項3に記載の方法であり、前記酸素−含有ガスが、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O又はNO2又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記非−金属−含有プロセスガスがさらに、シリコン−含有ガスを含み、及び前記炭素−窒素−含有膜が、シリコンドープ炭素−窒素(Si−ドープCN)膜を含む、方法。
- 請求項5に記載の方法であり、前記シリコン−含有ガスが、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)及びSiaHbXc(ここでXはハロゲンであり、a、b、cは1以上の整数を表す)化合物から選択される、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記非−金属−含有プロセスガスがさらに、シリコン−含有ガス及び酸素−含有ガスを含み、及び前記炭素−窒素−含有膜が、シリコン−ドープ炭素−窒素−酸素(Si−ドープCNO)膜を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記マイクロ波プラズマ源がラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記炭素−窒素分子内結合を持つ堆積ガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得るアルキルアミンを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記炭素−窒素−分子内結合を持つ堆積ガスが、HCN、CH3CN、NCCN又はX−CN(Xは、ハロゲン)、又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、さらに、前記基板を支持する基板ホルダーに高周波(RF)バイアス電圧を提供することを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、前記プラズマの電子温度が、前記堆積ガス内のC−H結合エネルギーよりも小さい、方法。
- 半導体装置の製造方法であり、前記方法は:
ラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)を含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し;
前記プロセスチャンバ内に、アルキルアミンガス又はR−CNガス(ここでRは、H、CH3、又はNCを表す)、及び場合によりアルゴン(Ar)ガス又はヘリウム(He)ガスを含む非−金属−含有プロセスガスを導入し;
前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び
前記基板に前記プラズマを暴露して炭素−窒素−含有膜を基板上に形成する、方法。 - 請求項13に記載の方法であり、前記アルキルアミンガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得るアルキルアミンを含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であり、前記炭素−窒素−含有膜が、炭素−窒素(CN)膜を含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であり、前記非−金属−含有プロセスガスがさらに、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)及びSiaHbXc(ここでXはハロゲン、a、b、cは1以上の整数)から選択されるシリコン−含有ガスを含み、前記炭素−窒素−含有膜がシリコン−ドープ炭素−窒素(Si−ドープCN)膜を含む、方法。
- 半導体装置の製造方法であり、前記方法は:
ラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)を含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し;
前記プロセスチャンバ内に、酸素−含有ガス、アルキルアミンガス又はR−CNガス(ここでRは、H、CH3、又はNCを表す)、及び場合によりアルゴン(Ar)ガス又はヘリウム(He)ガスを含む非−金属−含有プロセスガスを導入し;
前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び
前記基板に前記プラズマを暴露して炭素−窒素−酸素(CNO)含有膜を基板上に形成する、方法。 - 請求項17に記載の方法であり、前記アルキルアミンガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得る、方法。
- 請求項17に記載の方法であり、前記酸素−含有ガスが、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O又はNO2又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。
- 請求項17に記載の方法であり、前記非−金属−含有プロセスガスがさらに、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)及びSiaHbXc(ここでXはハロゲンであり、a、b、cは1以上の整数である)から選択されるシリコン−含有ガスを含み、前記炭素−窒素−酸素膜がシリコンドープ炭素−窒素−酸素(SiドープCNO)膜を含む、方法。
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