JP2013546182A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：
   マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し、
   前記プラズマチャンバ内に、炭素−窒素分子内結合を持つガスを含む、非−金属−含有プロセスガスを導入し；
   前記プロセスガスからプラズマを形成し；及び
   前記基板を前記プラズマに暴露して、主成分として炭素及び窒素を持つ炭素−窒素（ＣＮ）膜を形成する、ことを含む方法。
2. 前記マイクロ波プラズマ源がラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記炭素−窒素分子内結合を持つガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択されるアルキルアミンを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記炭素−窒素分子内結合を持つガスが、ＨＣＮ、ＣＨ_３ＣＮ、ＮＣＣＮ又はＸ−ＣＮ（Ｘは、ハロゲンである）、又はこれらの２以上の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
5. さらに、前記基板を支持する基板ホルダーに高周波（ＲＦ）バイアス電圧を提供することを含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記プラズマの電子温度が、炭素−窒素分子内結合を持つ前記ガス内のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーよりも小さい、請求項１に記載の方法。
7. 半導体装置の製造方法であり、前記方法は：
   マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し；
   前記プロセスチャンバ内に、シリコン含有ガス及び炭素−窒素分子内結合を持つガスを含む非−金属−含有プロセスガスを導入し；
   前記プロセスガスからプラズマを形成し；及び
   前記基板を前記プラズマに暴露して主成分として炭素及び窒素を持ち、０．１から１０原子％のＳｉを持つシリコンドープ炭素−窒素（Ｓｉ−ドープＣＮ）膜を形成する、ことを含む方法。
8. 前記炭素−窒素分子内結合を持つガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
9. 前記シリコン−含有ガスが、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びＳｉ_ａＨ_ｂＸ_ｃ（ここでＸはハロゲンであり、ａ、ｂ、ｃは１以上の整数である）化合物からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
10. 半導体装置の製造方法であり、前記方法は：
    マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し；
    前記プロセスチャンバ内に、酸素−含有ガス、炭素−窒素分子内結合を持つガス、及びシリコン−含有ガスを含む非−金属−含有プロセスガスを導入し；
    前記プロセスガスからプラズマを形成し；及び
    前記基板を前記プラズマに暴露して主成分として炭素、窒素及び酸素を持ち、０．１から１０原子％のＳｉを持つシリコンドープ炭素−窒素−酸素（Ｓｉ−ドープＣＮＯ）膜を形成する、ことを含む方法。
11. 前記炭素−窒素分子内結合を持つガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択される、請求項１０に記載の方法。
12. 前記酸素−含有ガスが、Ｏ_２、ＣＯ、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ又はＮＯ_２又はこれらの２以上の組合せを含む、請求項１０に記載の方法。
13. 前記シリコン−含有ガスが、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）及びＳｉ_ａＨ_ｂＸ_ｃ（ここでＸはハロゲンであり、ａ、ｂ、ｃは１以上の整数である）化合物からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
14. 前記炭素−窒素分子内結合が、単結合（Ｃ−Ｎ）である、請求項１に記載の方法。
15. 前記炭素−窒素分子内結合が、二重結合（Ｃ＝Ｎ）である、請求項１に記載の方法。
16. 前記炭素−窒素分子内結合が、三重結合（Ｃ≡Ｎ）である、請求項１に記載の方法。
17. 前記炭素−窒素分子内結合が、単結合（Ｃ−Ｎ）である、請求項７に記載の方法。
18. 前記炭素−窒素分子内結合が、二重結合（Ｃ＝Ｎ）又は三重結合（Ｃ≡Ｎ）である、請求項７に記載の方法。
19. 前記炭素−窒素分子内結合が、単結合（Ｃ−Ｎ）である、請求項１０に記載の方法。