JP2013538190A - 金属錯体 - Google Patents

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Abstract

本発明は、重合可能な基を有する金属錯体に関するものであり、また、本発明は、これらの金属錯体から得られるポリマー、並びに、これらのポリマーを含む電子デバイス、より詳細にはエレクトロルミネッセンスデバイスに関するものである。金属錯体は、式(2)または式(3)の部分構造M(L)nを含有する式(1)の化合物である。
【化1】
Figure 2013538190

【選択図】 なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光材料として、特に、青色および緑色発光材料として、しかしまた黄色、オレンジ色または赤色発光のための使用に適した、重合可能な基を有する金属錯体、およびこれらのモノマーから得た相当するポリマーに関する。
有機半導体が機能性材料として用いられる有機エレクトロルミネッセンスデバイス(OLED)の構造は、たとえば、US4539507、US5151629、EP0676461およびWO98/27136に記載されている。ここで用いられる発光材料は、蛍光の代わりにリン光を呈する有機金属錯体であることが多い(M.A.Baldo et al.,Appl.Phys.Lett.1999,75,4〜6)。量子力学的理由から、有機金属化合物をリン光エミッターとして使用することで、エネルギー効率および電力効率の4倍までの増加が可能である。しかしながら、一般に特に、効率性、作動電圧および寿命に関して、三重項発光を呈するOLEDにおいて改善がまだ求められている。これは、特に、比較的短波領域において、すなわち、緑色、特に、青色を発光するOLEDに当てはまる。
従来技術によると、イリジウム錯体は、特に、リン光OLEDにおける三重項エミッターとして用いられる。しかし、青色リン光について特に、飽和した濃い青色発光について、大幅な改善が求められ続けている。これはまた特に、溶液から処理される材料に当てはまる。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、下記の一般の層構造を有することが多い。
(1)基板、
(2)電極(金属または無機であることが多いが、また有機またはポリマー伝導性材料を含む)、
(3)電荷注入層(複数可)または中間層(複数可)(たとえば、電極の不均一さの均等化のため(「平坦化層」)、伝導性のドープしたポリマーを含むことが多い)、
(4)少なくとも1種のエミッターおよび少なくとも1種のマトリックス材料、またはエミッターとしておよびマトリックス材料として同時に作用する材料を通常含む発光層、
(5)任意にさらなる電荷輸送、電荷注入または電荷遮断層、
(6)対電極((2)で言及したような材料)、
(7)カプセル封入。
上記の構成は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの一般構造を表し、ここで、様々な層を合わせて、最も単純な場合では、その間に有機層が位置する2つの電極を含む構成をもたらすことができる。この場合、有機層は、光の発光を含めて全ての機能を行う。このタイプの系は、たとえば、WO90/13148A1に記載されている(ポリ−(p−フェニレン)に基づく)。
しかし、このタイプの「3層系」において生じる問題は、たとえば、多層構造に起因して低分子量化合物をベースとするOLEDにおいて、可能な限り、電荷分離の制御の欠如、および異なる層の特性に関してこれらの層における個々の構成物を最適化する方法の欠如である。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、真空蒸発によって、または溶液からの何れかによって生産される。たとえば、印刷工程による溶液からの処理は産業的にあまり複雑ではなく、したがって、より大きな領域を有機半導体でコーティングすることがまた可能である。しかし、溶液から生産された有機エレクトロルミネッセンスデバイスは現在まだ、効率性、寿命および作動電圧に関して、真空蒸発によって得た有機エレクトロルミネッセンスデバイスよりも特性が劣っている。
低分子量化合物をベースとするOLEDは、たとえば、1つ以上の有機正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子または励起子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層および/または電子注入層、ならびにアノードおよびカソードを含む。このタイプの多層構造の利点は、電荷注入、電荷輸送および発光の異なる機能を異なる層に分割することができ、各々の層の特性をしたがって別々に最適化することができることにある。
低分子量化合物をベースとするOLEDにおいて層の適用は通常、真空チャンバーにおける蒸着によって実施される。しかし、この工程は産業的に複雑であり、大分子、たとえば、ポリマーに適していない。したがって、ポリマーOLED材料は通常、溶液からのコーティングによって適用する。しかし、溶液からのコーティングによる多層有機構造を生成することは、適用する層の溶媒が、各々の先行する層を再溶解、膨潤またはさらには破壊しないことを必要とする。溶媒を選択することは困難であることが判明することが多い。なぜなら、用いられる有機ポリマーは通常、同様の化学構造および特性、特に、同様の溶液特性を有するからである。相応して、従来技術によるポリマーOLED(PLED)は通常、単一層または2層の半導体構造から構築され、たとえば、層の1つは、正孔注入および正孔輸送のために使用され、第2の層は、たとえば、電子の注入および輸送のため、ならびに発光のために使用される。特に、架橋層を使用することによって、さらなる層がまたOLEDにおいて存在してもよい。
しかし、多層構造はまた、低分子量化合物をベースとするOLEDにおいて通常使用されるように、ポリマーOLEDの場合有利である。この目的のために、様々なアプローチが従来技術において記載されている。このようにたとえば、EP0637899は、1つ以上の有機層を含むエレクトロルミネッセンスの構成を開示しており、ここで、層の1つ以上は、熱的または放射線誘発によって架橋している。さらに、WO96/20253は、ルミネッセンス、フィルム形成、架橋ポリマーを開示しており、ここで、ポリマー主鎖に結合しているアジド基は熱的に架橋している。US6,107,452は、多層デバイス形成のための方法を開示しており、ここで、末端ビニル基を有するオリゴマーを溶液から蒸着および架橋し、不溶性ポリマーを生じさせ、この上にさらなる層を蒸着させることができる。K.Meerholzら(Nature 2003,421,829〜832)は、多層の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの生産を開示しており、ここで、架橋は、ポリマーへのオキセタン官能化スピロビフルオレン基本単位の組込みによって達成される。
溶液から処理することができる、可溶性化合物、特に、ポリマーに対する需要が依然として存在し、架橋に適した官能基を有し、したがって架橋させ、不溶性ポリマーを生じさせることができる化合物に対する需要が依然として存在する。
したがって、本発明の目的は、OLEDにおける使用のためのエミッターとして適し、かつポリマーへの組込みに適した金属錯体を提供することである。特に目的は、青色リン光OLEDにまた適したエミッターを提供することである。本発明の目的はさらに、これらの官能化金属錯体の重合によって得られるポリマーを提供することである。
驚くべきことに、下記でより詳細に記載する特定の金属キレート錯体は、この目的を達成することが見出された。これらの金属錯体は、重合可能な基によってポリマーに容易に組み込むことができる。このように得られたポリマーは、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける使用において、特に、効率性、寿命および作動電圧に関して良好な特性を示す。したがって、本発明は、これらの金属錯体、これらの金属錯体を含有するポリマー、およびこれらのポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
従来技術は、イミダゾフェナントリジン誘導体またはジイミダゾキナゾリン誘導体を配位子として含有するイリジウム錯体を開示している(WO2007/095118)。これらの錯体は、配位子の正確な構造によって、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける使用において青色リン光をもたらすことができる。ここで、さらなる改善を行うことが、効率性、作動電圧および寿命に関してやはり望ましい。特に、濃い青色発光を達成できるように、色座標に関してここでまた改善がまだ求められている。
WO2010/086089はさらに、イミダゾイソキノリン誘導体を配位子として含有するイリジウム錯体を開示している。ここでまた特に、溶液から処理される錯体の場合において、改善が求められ続けている。
本発明は、式(2)または式(3)の部分M(L)nを含有する式(1)の化合物に関する:
M(L)n(L’)m 式(1)
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:
Mは、金属であり、
Xは、出現する毎に、同じくまたは異なって、CおよびNからなる群から選択され、ここでの全てのXは一緒になって、14個のπ電子系を表し、
1〜R7は、出現する毎に、同じくまたは異なって、重合可能な基PGまたはH、D、F、Cl、Br、I、N(R82、CN、NO2、Si(R83、B(OR82、C(=O)R8、P(=O)(R82、S(=O)R8、S(=O)28、OSO28、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2〜40個のC原子を有するアルケニル、アルキニルもしくはイミン基、または3〜40個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、ここで、上記のアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アルケニル、アルキニルおよびイミン基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよく、ここで、1個以上の隣接していないCH2基は、R8C=CR8、C≡C、Si(R82、Ge(R82、Sn(R82、C=O、C=S、C=Se、C=NR8、P(=O)(R8)、SO、SO2、NR8、O、SまたはCONR8によって置きかえられていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNもしくはNO2、または5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または10〜40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)によって置きかえられていてもよく、ここでのR1およびR2ならびに/またはR2およびR3ならびに/またはR4およびR5ならびに/またはR5およびR6ならびに/またはR6およびR7はまた、単環式または多環式の脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成してもよく、さらに、R3およびR4は、各場合において単環式または多環式の、脂肪族環系を互いに形成してもよく、
ただし、R1、R2、R3、R4、R5、R6またはR7は、このラジカルR1、R2、R3、R4、R5、R6またはR7が結合している基Xが、飽和原子価を有する窒素原子である場合、自由電子対を表し、
8は、出現する毎に、同じくまたは異なって、H、D、F、Cl、Br、I、N(R92、CN、NO2、Si(R93、B(OR92、C(=O)R9、P(=O)(R92、S(=O)R9、S(=O)29、OSO29、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2〜40個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3〜40個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基(これらの各々は、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)であり、ここで、1個以上の隣接していないCH2基は、R9C=CR9、C≡C、Si(R92、Ge(R92、Sn(R92、C=O、C=S、C=Se、C=NR9、P(=O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、SまたはCONR9によって置きかえられていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNもしくはNO2、または5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基(これらは、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または10〜40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基(これらは、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)によって置きかえられていてもよく、ここでの2個以上の隣接しているラジカルR8は、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を互いに形成してもよく、
9は、出現する毎に、同じくまたは異なって、H、D、F、CN、または1〜20個のC原子を有する脂肪族、芳香族および/もしくはヘテロ芳香族炭化水素ラジカルであり、ここでさらに、1個以上のH原子は、DまたはFによって置きかえられていてもよく、ここでの2個以上の置換基R9はまた、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を互いに形成してもよく、
PGは、重合可能な基であり、ただし、重合可能な基は、Cl、Br、IおよびB(OR82から選択されず、さらにただし、重合可能な基PGとしてのラジカルR1〜R7の1個以上が、アルケニルまたはアルキニル基から選択される場合、これは3〜40個のC原子を有する末端アルケニルまたはアルキニル基であり、ここで、個々のCH2基または個々のH原子はまた、R1〜R7の場合において言及した基によって置きかえられていてもよく、さらにただし、重合可能な基PGとしてのラジカルR1〜R7の1個以上が、基Si(R83から選択される場合、R8は、Clまたは1〜40個のC原子を有するアルコキシ基の何れかを表し、
L’は、同じくまたは異なって、出現する毎に、任意の所望の共配位子であり、
nは、1、2または3であり、
mは、0、1、2、3または4であり、
ここでの複数の配位子Lはまた、互いに連結していてもよく、またはLは、単結合または任意の所望の架橋Vを介してL’に連結していてもよく、したがって三座、四座、五座または六座の配位子系を形成し、
ラジカルR1〜R7の少なくとも1個および/または配位子L’上の少なくとも1個のラジカルは、重合可能な基PGを表すことを特徴とする]。
全体としての配位子Lと、また配位子L中の個々の原子Xの両方は荷電していてもよい。
ここで、金属M上の配位数は、全体的に金属によって、この金属についての通常の配位数に相当するように、添え字nおよびmが選択される。これは通常、金属によって遷移金属について、4、5または6の配位数である。金属配位化合物は異なる配位数を有し、すなわち、金属および金属の酸化状態によって、異なる数の配位子を結合することが一般に公知である。様々な酸化状態の金属および金属イオンの好ましい配位数は、有機金属化学または配位化学の領域における当業者の一般の専門知識に属するため、金属およびその酸化状態によって、ならびに配位子LおよびL’の正確な構造によって、当業者が適切な数の配位子を使用し、したがって添え字nおよびmを適切に選択することは容易に可能である。
配位子Lは、1個の炭素原子および1個の窒素原子を介して、または2個の炭素原子を介して、または2個の窒素原子を介して金属Mに結合し、かつ中性、モノアニオン性またはジアニオン性、好ましくはモノアニオン性であることができる二座配位子である。配位子が、2個の炭素原子を介して金属に結合している場合、配位原子は好ましくはカルベン炭素原子であり、配位子は好ましくは、配位カルベン環中に正確に2個の窒素原子を含有する。本発明の好ましい態様において、配位子Lは、1個の炭素原子および1個の窒素原子を介して金属Mに結合している。
全ての原子Xは一緒になって、14個のπ電子系を形成する。ここで、各炭素原子は、1個のπ電子を電子系全体に与える。6員環においてのみ結合する各窒素原子は同様に、1個のπ電子を電子系全体に与える。5員環および6員環において同時に結合する各窒素原子は、2個のπ電子を電子系全体に与える。5員環においてのみ結合する各窒素原子は、1個または2個のπ電子を電子系全体に与える。この窒素原子が1個または2個のπ電子を電子系全体に与えるかは、5員環における窒素の結合に依存する。式(2)および(3)における環中の円は、有機化学において芳香族またはヘテロ芳香族構造の表示のために通常使用されているように、6個のπ電子系を表す。下記の構造は再び、いつ窒素が、1個または2個のπ電子(スキームにおいて電子としてのみ示す)をπ電子系全体に与えるかを説明する。
Figure 2013538190
本発明の意味における飽和原子価を有する窒素原子は、芳香族骨格内で1つの単結合および1つの二重結合、または3つの単結合の何れかを形式上形成する窒素原子を意味する。これらの場合、この窒素原子に結合しているラジカルR1〜R7は、自由電子対を表す。本発明の目的のために、不飽和原子価を有する窒素原子は、対照的に、芳香族骨格内で2つの単結合のみを形式上形成する窒素原子を意味する。これらの場合、この窒素原子に結合しているR1〜R7からのラジカルは、上記定義のラジカルを表し、自由電子対を表さない。下記の構造は再び、飽和原子価を有する窒素原子とは何かを説明する。
Figure 2013538190
アリール基は、本発明の意味において、6〜40個のC原子を含有する。ヘテロアリール基は、本発明の意味において、2〜40個のC原子および少なくとも1個のヘテロ原子を含有するが、ただしC原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも5である。ヘテロ原子は好ましくは、N、Oおよび/またはSから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリンなどの何れかを意味する。
配位子はまた、カルベン炭素原子を介して金属に結合していてもよい。環状カルベンは、本発明の意味において、中性C原子を介して金属に結合している環式基である。ここで、Arduengoカルベン、すなわち、2個の窒素原子がカルベンC原子に結合しているカルベンが好ましい。5員のArduengoカルベン環または別の不飽和5員カルベン環は、同様に本発明の意味においてアリール基と見なされる。本発明の好ましい態様において、金属に配位している環状カルベンは、カルベンC原子に結合している正確に2個の窒素原子を含有するが、さらなる窒素原子を含有しない。
芳香族環系は、本発明の意味において、環系において6〜60個のC原子を含有する。ヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、環系において1〜60個のC原子および少なくとも1個のヘテロ原子を含有するが、ただしC原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも5である。ヘテロ原子は好ましくは、N、Oおよび/またはSから選択される。芳香族またはヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、アリールまたはヘテロアリール基のみを必ずしも含有しないが、代わりにさらに、複数のアリールまたはヘテロアリール基は、非芳香族単位(好ましくはH以外の原子の10%未満)、たとえば、C、N、OもしくはSi原子またはカルボニル基によって中断されていてもよい系を意味することを意図する。したがって、たとえば、系、たとえば、9,9’−スピロビフルオレン、9,9−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどはまた、2個以上のアリール基が、たとえば、線状もしくは環状アルキル基によって、またはシリル基によって中断されている系のように、本発明の意味において芳香族環系を意味することを意図する。
環状アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、本発明の意味において、単環式、二環式または多環式基を意味する。
本発明の目的のために、C1〜C40−アルキル基(ここでさらに、個々のH原子またはCH2基は、上記の基で置換されていてもよい)は、たとえば、ラジカルメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、s−ペンチル、tert−ペンチル、2−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、n−ヘキシル、s−ヘキシル、tert−ヘキシル、2−ヘキシル、3−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、2−メチルペンチル、n−ヘプチル、2−ヘプチル、3−ヘプチル、4−ヘプチル、シクロヘプチル、1−メチルシクロヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、シクロオクチル、1−ビシクロ[2.2.2]オクチル、2−ビシクロ[2.2.2]オクチル、2−(2,6−ジメチル)オクチル、3−(3,7−ジメチル)オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは2,2,2−トリフルオロエチルを意味する。アルケニル基は、たとえば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味する。アルキニル基は、たとえば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味する。C1〜C40−アルコキシ基は、たとえば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキシ、n−ブトキシ、i−ブトキシ、s−ブトキシ、t−ブトキシまたは2−メチルブトキシを意味する。
5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、また上記のラジカルRで置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に連結していてもよい)は、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、cis−またはtrans−インデノフルオレン、cis−またはtrans−モノベンゾインデノフルオレン、cis−またはtrans−ジベンゾインデノフルオレン、cis−またはtrans−インデノカルバゾール、cis−またはtrans−インドロカルバゾール、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−5,6−キノリン、ベンゾ−6,7−キノリン、ベンゾ−7,8−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントリミダゾール(phenanthrimidazole)、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール(quinoxalinimidazole)、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロキサゾール(anthroxazole)、フェナントロキサゾール(phenanthroxazole)、イソオキサゾール、1,2−チアゾール、1,3−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5−ジアザアントラセン、2,7−ジアザピレン、2,3−ジアザピレン、1,6−ジアザピレン、1,8−ジアザピレン、4,5−ジアザピレン、4,5,9,10−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3−オキサジアゾール、1,2,4−オキサジアゾール、1,2,5−オキサジアゾール、1,3,4−オキサジアゾール、1,2,3−チアジアゾール、1,2,4−チアジアゾール、1,2,5−チアジアゾール、1,3,4−チアジアゾール、1,3,5−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,2,3−トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5−テトラジン、1,2,3,4−テトラジン、1,2,3,5−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールに由来する基を意味する。
式(1)の化合物は、荷電していても、または荷電していなくてもよい。式(1)の化合物が荷電している場合、これらはまた、1つ以上の対イオンを有する。カチオン性対イオンの例は、アルカリ金属イオン、たとえば、リチウム、ナトリウムまたはカリウム、テトラアルキルアンモニウムまたはテトラアルキルホスホニウムイオンであり、ここで、アルキル基は各々好ましくは、1〜4個のC原子を含有する。アニオン性対イオンの例は、クロリド、ブロミド、ヨージド、スルフェート、ホスフェート、テトラフルオロボレートまたはヘキサフルオロホスフェートである。
荷電していない、すなわち、電気的に中性であることを特徴とする式(1)の化合物が好ましい。これは、配位子LおよびL’の電荷が錯化金属原子Mの電荷を補うように、配位子LおよびL’の電荷を選択することによって単純な様式で達成される。
金属原子の周りの価電子の合計が、4配位錯体において16であり、5配位錯体において16または18であり、6配位錯体において18であることを特徴とする式(1)の化合物がさらに好ましい。この好ましさは、これらの金属錯体の特別の安定性のためである。
本発明の好ましい態様において、Mは、ランタニドおよびアクチニドではない遷移金属、または主族の金属を表す。Mが主族の金属を表す場合、好ましくは3族、4族、5族もしくは6族の主族からの金属、特に、スズ、鉛、ビスマスまたはテルルを表す。
Mが、ランタニドおよびアクチニドではない遷移金属、特に、4配位、5配位または6配位遷移金属(特に好ましくはクロム、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀および金、特に、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、銅、白金および金からなる群から選択される)を表す式(1)の化合物が好ましい。イリジウムおよび白金が非常に特に好ましい。ここで、金属は、様々な酸化状態でよい。上記の金属は、好ましくは酸化状態のCr(0)、Cr(II)、Cr(III)、Cr(IV)、Cr(VI)、Mo(0)、Mo(II)、Mo(III)、Mo(IV)、Mo(VI)、W(0)、W(II)、W(III)、W(IV)、W(VI)、Re(I)、Re(II)、Re(III)、Re(IV)、Ru(II)、Ru(III)、Os(II)、Os(III)、Os(IV)、Rh(I)、Rh(III)、Ir(I)、Ir(III)、Ir(IV)、Ni(0)、Ni(II)、Ni(IV)、Pd(II)、Pt(II)、Pt(IV)、Cu(I)、Cu(II)、Cu(III)、Ag(I)、Ag(II)、Au(I)、Au(III)およびAu(V)であり、Mo(0)、W(0)、Re(I)、Ru(II)、Os(II)、Rh(III)、Cu(I)、Ir(III)およびPt(II)が特に好ましい。
本発明の好ましい態様において、Mは、4配位金属であり、指数nは、1または2を表す。指数n=1である場合、1つの二座、または2つの単座配位子L’、好ましくは1つの二座配位子L’がまた、金属Mに配位している。指数n=2である場合、添え字m=0である。
本発明のさらなる好ましい態様において、Mは、6配位金属であり、指数nは、1、2または3、好ましくは2または3を表す。指数n=1である場合、4つの単座、または2つの二座、または1つの二座および2つの単座、または1つの三座および1つの単座、または1つの四座配位子L’、好ましくは2つの二座配位子L’がまた、金属に配位している。指数n=2である場合、1つの二座、または2つの単座配位子L’、好ましくは1つの二座配位子L’がまた、金属に配位している。指数n=3である場合、添え字m=0である。
本発明の好ましい態様において、配位子Lの中心環は、少なくとも1個の窒素原子を含有する。したがって、式(2)および式(3)の好ましい部分は、下記の式(2a)および(3a)の構造である
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記の意味を有し、さらに、
1は、同じくまたは異なって、出現する毎に、CまたはNであり、ただし、少なくとも1個の基X1は、Nを表す]。
本発明の特に好ましい態様において、配位子Lの中心環は、2つの環において結合している少なくとも1個の窒素原子を含有する。したがって、式(2a)および式(3a)の好ましい部分は、下記の式(2b)および(3b)の構造である
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記の意味を有する]。
本発明の好ましい態様において、式(2)の部分は、下記の式(4)、(5)および(6)の構造から選択され、式(3)の部分は、下記の式(7)および(8)の構造から選択される
Figure 2013538190
[式中、記号および添え字は、上記に示した意味を有する]。
本発明の特に好ましい態様において、式(4)〜(8)の部分は、配位子の中心環が、2つの環において結合している少なくとも1個の窒素原子を有する下記の式(4a)〜(8a)の構造から選択される
Figure 2013538190
[式中、記号および添え字は、上記に示した意味を有する]。
式(4)〜(8)および(4a)〜(8a)の部分の特に好ましい態様は、下記の式(9)〜(77)の構造である
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記に示した意味を有する]。
本発明の好ましい態様において、置換基R1、R2、R3および/またはR4、特に好ましくはR2、R3および/またはR4の少なくとも1個は、水素もしくは重水素と等しくない。置換基R2は非常に特に好ましくは、水素もしくは重水素と等しくない。本発明の非常に特に好ましい態様において、置換基R2は、水素もしくは重水素と等しくなく、置換基R3およびR4は、水素もしくは重水素と等しく、または置換基R3は、水素もしくは重水素と等しく、置換基R4は、水素もしくは重水素と等しくなく、または置換基R3は、水素もしくは重水素と等しくなく、置換基R4は、水素もしくは重水素と等しい。この好ましさは、相当する金属錯体のより高い安定性による。
さらに、より大きな縮合構造が、置換基の環形成によって可能であり、好ましい。本発明の好ましい態様において、置換基R1およびR2は、互いに芳香族環系を形成する。このような構造の好ましい態様は、下記の式(78)および(79)の構造である
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記の意味を有し、さらに、
Yは、同じくまたは異なって、出現する毎に、CR8またはNであり、ただし、最大で2つの記号Yは、Nを表し、
2は、同じくまたは異なって、出現する毎に、CまたはNであり、ただし、正確に2つの記号X2は、Nを表し、残りの記号X2は、Cを表す]。
式(78)および(79)の好ましい態様は、下記の式(78a)〜(78d)および(79a)〜(79d)である
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記の意味を有する]。
式(78a)〜(79d)の好ましい態様において、全ての記号Xは、Cを表し、全ての記号Yは、CR8を表し、または正確に1つの記号XもしくはYは、Nを表し、または記号XもしくはYの正確に2つは、Nを表す。特に好ましくは、正確に1つの記号XもしくはY、または記号XもしくはYの正確に2つは、Nを表す。
式(78a)および(79a)の特に好ましい態様は、下記の式(80)〜(85)の構造であり、式(78b)の好ましい態様は、下記の式(151)〜(157)の構造であり、式(78c)の好ましい態様は、下記の式(158)〜(164)の構造であり、式(78d)の好ましい態様は、下記の式(165)〜(171)の構造である。式(172)および(173)がさらに好ましい
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
[式中、使用された記号および添え字は、上記の意味を有する]。
式(80)〜(85)および(151)〜(173)の構造において、6員環においてのみ結合している窒素に隣接している置換基の少なくとも1個、好ましくは正確に1個が、HまたはD以外の置換基であることが好ましい。これらは、式(81)におけるラジカルR3またはR5、式(82)におけるR4またはR6、式(83)における窒素に隣接したラジカルR8、式(84)における窒素に隣接したラジカルR8、およびラジカルR4またはR6、ならびに式(85)における窒素に隣接したラジカルR8、およびラジカルR3またはR5である。相当する状況は、式(151)〜(173)に当てはまる。同じことは、記号XまたはYの少なくとも1つが、Nを表す場合、式(78)および(79)、または(78a)〜(78d)および(79a)〜(79d)に当てはまる。
本発明の好ましい態様において、各場合において、6員環においてのみ結合している窒素に隣接している置換基の1つは、出現する毎に、同じくまたは異なって、CF3、OCF3、3〜20個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよく、ここで、配位子の芳香族炭素原子に直接結合していない1個以上の隣接していないCH2基は、R8C=CR8、C≡C、Si(R82、C=O、NR8、O、SもしくはCONR8によって置きかえられていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、IまたはCNによって置きかえられていてもよい)、またはSi(R83(ここで、R8は、HもしくはD以外である)、ジアルキルアミノ基(ここで、アルキル基は各々、1〜10個のC原子を有し、線状、分枝もしくは環状でよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または5〜40個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)である。
金属配位に対してオルト位にある式(2)における置換基R7または式(3)における置換基R6が、金属Mに同様に配位する配位基を表すことがさらに可能である。好ましい配位基R6またはR7は、アリールおよびヘテロアリール基、たとえば、フェニルまたはピリジル、シアン化アリールまたはシアン化アルキル、イソシアン化アリールまたはイソシアン化アルキル、アミンまたはアミド、アルコールまたはアルコラート、チオアルコールまたはチオアルコラート、ホスフィン、ホスフィット、カルボニル官能基、カルボキシレート、カルバミドまたはアリールもしくはアルキルアセチリドである。ここで、下記の式(86)〜(93)の部分MLが、たとえば、利用可能である
Figure 2013538190
Figure 2013538190
[式中、使用された記号は、上記の意味を有する。上記の好ましさは、配位子に当てはまる]。
式(86)〜(93)は、単に例示として、どのように置換基R6またはR7が金属にさらに配位することができるかを示す。金属に配位する他の基R6およびR7がまた、さらなる進歩性を伴わずに全体的に類似して可能である。
上記のように、単結合または架橋単位V(この配位子Lを1つ以上のさらなる配位子LまたはL’に連結する)はまた、ラジカルR1〜R7の1つの代わりに存在してもよい。本発明の好ましい態様において、架橋単位Vが、ラジカルR1〜R7の1つの代わりに、特に、R1、R2、R6またはR7の代わりに存在し、その結果、配位子は、三座または多座または多脚型(polypodal)の特徴を有する。式(2)は好ましくは、R1またはR7の代わりに架橋単位Vを含有し、式(3)は好ましくは、R1またはR6の代わりに架橋単位Vを含有する。2つのこのような架橋単位Vが存在することがまた可能である。これによって、大環状配位子の形成、またはクリプテートの形成がもたらされる。
多座配位子を含有する好ましい構造は、下記の式(94)〜(101)の金属錯体である
Figure 2013538190
Figure 2013538190
[式中、使用された記号は、上記の意味を有し、Vは好ましくは、単結合、あるいは3族、4族、5族および/もしくは6族の主族(IUPAC、第13族、第14族、第15族もしくは第16族)の1〜80個の原子、または部分配位子Lを互いに共有結合させ、もしくはLをL’に共有結合させる3〜6員のホモもしくはヘテロ環を含有する架橋単位を表す]。ここでの架橋単位Vはまた、上記の基R8で置換されていてもよい。架橋単位Vはまたさらに非対称的構造を有してもよく、すなわち、LおよびL’へのVの連結は、同一である必要はない。架橋単位Vは、中性、1重、2重もしくは3重に負に帯電、または1重、2重もしくは3重に正に帯電していてもよい。Vは好ましくは、中性または1重に負に帯電、または1重に正に帯電している。全体的に中性錯体が形成されるように、Vの電荷は好ましくは選択される。部分MLnについて上記の好ましさは、配位子に当てはまる。
基Vの正確な構造および化学組成は、錯体の電子特性に対して有意な影響を有さない。なぜなら、特に、Lを互いに架橋し、またはL’に架橋することによって、錯体の化学的および熱安定性を増加させることが、この基の課題であるからである。
Vが三価基である、すなわち、3つの配位子Lを互いに架橋し、または2つの配位子LをL’に架橋し、または1つの配位子Lを2つの配位子L’に架橋する場合、Vは好ましくは、同じくまたは異なって、出現する毎に、B、B(R8-、B(C(R823、(R8)B(C(R823 -、B(O)3、(R8)B(O)3 -、B(C(R82C(R823、(R8)B(C(R82C(R823 -、B(C(R82O)3、(R8)B(C(R82O)3 -、B(OC(R823、(R8)B(OC(R823 -、C(R8)、CO-、CN(R82、(R8)C(C(R823、(R8)C(O)3、(R8)C(C(R82C(R823、(R8)C(C(R82O)3、(R8)C(OC(R823、(R8)C(Si(R823、(R8)C(Si(R82C(R823、(R8)C(C(R82Si(R823、(R8)C(Si(R82Si(R823、Si(R8)、(R8)Si(C(R823、(R8)Si(O)3、(R8)Si(C(R82C(R823、(R8)Si(OC(R823、(R8)Si(C(R82O)3、(R8)Si(Si(R823、(R8)Si(Si(R82C(R823、(R8)Si(C(R82Si(R823、(R8)Si(Si(R82Si(R823、N、NO、N(R8+、N(C(R823、(R8)N(C(R823 +、N(C=O)3、N(C(R82C(R823、(R8)N(C(R82C(R82+、P、P(R8+、PO、PS、PSe、PTe、P(O)3、PO(O)3、P(OC(R823、PO(OC(R823、P(C(R823、P(R8)(C(R823 +、PO(C(R823、P(C(R82C(R823、P(R8)(C(R82C(R823 +、PO(C(R82C(R823、S+、S(C(R823 +、S(C(R82C(R823 +、または式(102)、(103)、(104)もしくは(105)
Figure 2013538190
[式中、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子LまたはL’への結合を示し、Zは、同じくまたは異なって、出現する毎に、単結合、O、S、S(=O)、S(=O)2、NR8、PR8、P(=O)R8、P(=NR8)、C(R82、C(=O)、C(=NR8)、C(=C(R82)、Si(R82およびBR8からなる群から選択される]の単位からなる群から選択される。使用される他の記号は、上記の意味を有する。
Vが二価基であり、すなわち、2つの配位子Lを互いに架橋し、または1つの配位子LをL’に架橋する場合、Vは好ましくは、同じくまたは異なって、出現する毎に、BR8、B(R82 -、C(R82、C(=O)、Si(R82、NR8、PR8、P(R82 +、P(=O)(R8)、P(=S)(R8)、AsR8、As(=O)(R8)、As(=S)(R8)、O、S、Se、または式(106)〜(115)
Figure 2013538190
[式中、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子LまたはL’への結合を示し、Yは、出現する毎に、同じくまたは異なって、C(R82、N(R8)、OまたはSを表し、使用される他の記号の各々は、上記の意味を有する]の単位からなる群から選択される。
式(1)において生じるような好ましい配位子L’を、下記に記載する。配位子基L’が、式(94)〜(101)において示されているように、架橋単位Vを介してLに結合している場合、配位子基L’はまた、相応して選択することができる。
配位子L’は好ましくは、中性、モノアニオン性、ジアニオン性またはトリアニオン性配位子であり、特に好ましくは、中性またはモノアニオン性配位子である。配位子L’は、単座、二座、三座または四座でよく、好ましくは二座であり、すなわち好ましくは2つの配位部位を有する。上記のように、配位子L’はまた、架橋基Vを介してLに結合することができる。
さらに、配位子L’はまた、1個以上の重合可能な基PGを有す。
好ましい中性単座配位子L’は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、たとえば、アセトニトリル、シアン化アリール、たとえば、ベンゾニトリル、イソシアン化アルキル、たとえば、メチルイソニトリル、イソシアン化アリール、たとえば、ベンゾイソニトリル、アミン、たとえば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン、ホスフィン、特に、ハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンまたはアルキルアリールホスフィン、たとえば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ビス(tert−ブチル)フェニルホスフィン、ホスフィット、たとえば、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、アルシン、たとえば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−tert−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス(ペンタフルオロフェニル)アルシン、スチビン、たとえば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−tert−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス(ペンタフルオロフェニル)スチビン、窒素含有ヘテロ環、たとえば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、およびカルベン、特に、Arduengoカルベンからなる群から選択される。
好ましいモノアニオン性単座配位子L’は、ヒドリド、ジューテリド、ハライドであるF-、Cl-、Br-およびI-、アルキルアセチリド、たとえば、メチル−C≡C-、tert−ブチル−C≡C-、アリールアセチリド、たとえば、フェニル−C≡C-、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコラート、たとえば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソ−プロパノレート、tert−ブチレート、フェノレート、脂肪族または芳香族チオアルコラート、たとえば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソ−プロパンチオレート、tert−チオブチレート、チオフェノレート、アミド、たとえば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジ−イソ−プロピルアミド、モルホリド、カルボキシレート、たとえば、アセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエート、アリール基、たとえば、フェニル、ナフチル、およびアニオン性窒素含有ヘテロ環、たとえば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドから選択される。これらの基におけるアルキル基は、好ましくはC1〜C20−アルキル基、特に好ましくはC1〜C10−アルキル基、非常に特に好ましくはC1〜C4−アルキル基である。アリール基はまた、ヘテロアリール基を意味する。これらの基は、上記のように定義される。
好ましいジアニオン性またはトリアニオン性配位子は、O2-、S2-、カーバイド(形態R−C≡Mにおける配位をもたらす)、およびニトレン(形態R−N=Mにおける配位をもたらす(Rは一般に、置換基を表す))、またはN3-である。
好ましい中性またはモノアニオン性もしくはジアニオン性の二座または多座配位子L’は、ジアミン、たとえば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルプロピレンジアミン、cis−またはtrans−ジアミノシクロヘキサン、cis−またはtrans−N,N,N’,N’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、たとえば、2−[1−(フェニルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(2−メチルフェニルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(2,6−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(メチルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(エチルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(イソ−プロピルイミノ)エチル]ピリジン、2−[1−(tert−ブチルイミノ)エチル]ピリジン、ジイミン、たとえば、1,2−ビス(メチルイミノ)エタン、1,2−ビス(エチルイミノ)エタン、1,2−ビス(イソ−プロピルイミノ)エタン、1,2−ビス(tert−ブチルイミノ)エタン、2,3−ビス(メチルイミノ)ブタン、2,3−ビス(エチルイミノ)ブタン、2,3−ビス(イソ−プロピルイミノ)ブタン、2,3−ビス(tert−ブチルイミノ)ブタン、1,2−ビス(フェニルイミノ)エタン、1,2−ビス(2−メチルフェニルイミノ)エタン、1,2−ビス(2,6−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ)エタン、1,2−ビス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニルイミノ)エタン、2,3−ビス(フェニルイミノ)ブタン、2,3−ビス(2−メチルフェニルイミノ)ブタン、2,3−ビス(2,6−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ)ブタン、2,3−ビス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニルイミノ)ブタン、2個の窒素原子を含有するヘテロ環、たとえば、2,2’−ビピリジン、o−フェナントロリン、ジホスフィン、たとえば、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、ビス(ジメチルホスフィノ)メタン、ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、ビス(ジメチルホスフィノ)プロパン、ビス(ジエチルホスフィノ)メタン、ビス(ジエチルホスフィノ)エタン、ビス(ジエチルホスフィノ)プロパン、ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)メタン、ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)エタン、ビス(tert−ブチルホスフィノ)プロパン、1,3−ジケトンに由来する1,3−ジケトネート、たとえば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、1,5−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス(1,1,1−トリフルオロアセチル)メタン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、3−ケトエステルに由来する3−ケトネート、たとえば、アセト酢酸エチル、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、たとえば、ピリジン−2−カルボン酸、キノリン−2−カルボン酸、グリシン、N,N−ジメチルグリシン、アラニン、N,N−ジメチルアミノアラニン、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート(salicyliminates)、たとえば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン、ジアルコールに由来するジアルコラート、たとえば、エチレングリコール、1,3−プロピレングリコール、およびジチオールに由来するジチオレート、たとえば、1,2−エチレンジチオール、1,3−プロピレンジチオールから選択される。
好ましい三座配位子は、窒素含有ヘテロ環のボレート、たとえば、テトラキス(1−イミダゾリル)ボレートおよびテトラキス(1−ピラゾリル)ボレートである。
二座のモノアニオン性、中性またはジアニオン性の配位子L’、特に、モノアニオン性配位子がさらに好ましく、これは、金属と共に、少なくとも1つの金属−炭素結合を有する環状金属化5員または6員環、特に、環状金属化5員環を形成する。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスのためのリン光金属錯体の領域において一般に使用されるような配位子であり、すなわち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリンなど(これらの各々は、1個以上のラジカルR1〜R6で置換されていてもよい)のタイプの配位子である。数多くのこのような配位子は、リン光エレクトロルミネッセンスデバイスの領域における当業者には知られており、当業者であれば、進歩性を伴わずに、式(1)の化合物のための配位子L’としてこのタイプのさらなる配位子を選択することができるであろう。下記の式(116)〜(143)によって示す2個の基の組合せは一般に、この目的に特に適しており、ここで、1つの基は、好ましくは中性窒素原子またはカルベン原子を介して結合しており、他の基は、好ましくは負に帯電している炭素原子または負に帯電している窒素原子を介して結合している。さらに、配位子L’は、各場合において、#によって表示される位置において互いに結合している式(116)〜(143)の基によって、これらの基から形成することができる。基が金属に配位する位置は、*によって表示される。これらの基はまた、1つまたは2つの架橋単位Vを介して配位子Lに結合していてもよい。
Figure 2013538190
Figure 2013538190
ここで使用される記号は、上記と同じ意味を有し、ここで、R3およびR4はまた、芳香族環系を互いに形成してもよく、各基において好ましくは最大で3つの記号Xは、Nを表し、各基において特に好ましくは最大で2つの記号Xは、Nを表し、各基において非常に特に好ましくは最大で1つの記号Xは、Nを表し、特に好ましくは全ての記号Xは、Cを表す。さらに、Aは、OまたはSを表す。
同様に好ましい配位子L’は、η5−シクロペンタジエニル、η5−ペンタメチルシクロペンタジエニル、η6−ベンゼンまたはη7−シクロヘプタトリエニルであり、これらの各々は、1個以上のラジカルR1で置換されていてもよい。
同様に好ましい配位子L’は、特に式(144)の1,3,5−cis,cis−シクロヘキサン誘導体、特に式(145)の1,1,1−トリ(メチレン)メタン誘導体、ならびに特に式(146)および(147)の1,1,1−三置換メタンである
Figure 2013538190
[式中、金属Mへの配位は、式の各々において示され、R1は、上記に示した意味を有し、Aは、同じくまたは異なって、出現する毎に、O-、S-、COO-、P(R12またはN(R12を表す]。
上記で示した構造における好ましいラジカルR1〜R7は、出現する毎に、同じくまたは異なって、重合可能な基PGまたはH、D、F、Br、N(R82、CN、B(OR82、C(=O)R8、P(=O)(R82、1〜10個のC原子を有する直鎖アルキル基、または2〜10個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3〜10個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル基(これらの各々は、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、DもしくはFによって置きかえられていてもよい)、または5〜14個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)からなる群から選択され、ここでのR1およびR2ならびに/またはR2およびR3ならびに/またはR4およびR5ならびに/またはR5およびR6ならびに/またはR6およびR7はまた、単環式または多環式の脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成してもよく、さらに、R3およびR4は、単環式または多環式の脂肪族環系を互いに形成してもよい。特に好ましいラジカルR1〜R7は、出現する毎に、同じくまたは異なって、H、D、F、Br、CN、B(OR82、1〜5個のC原子を有する直鎖アルキル基、特に、メチル、または3〜5個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル基、特に、イソプロピルもしくはtert−ブチル(ここで、1個以上のH原子は、DもしくはFによって置きかえられていてもよい)、または5〜12個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)からなる群から選択され、ここでのR1およびR2ならびに/またはR2およびR3ならびに/またはR4およびR5ならびに/またはR5およびR6ならびに/またはR6およびR7はまた、単環式または多環式の脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成してもよく、さらに、R3およびR4は、単環式または多環式の脂肪族環系を互いに形成してもよく、また式(116)〜(143)における芳香族環系を形成してもよい。さらに、式(78)〜(85)の構造において窒素に隣接している好ましいラジカルは、上記で詳細に既に言及してきた。
本発明による錯体は、facialもしくは擬facialでよく、またはmeridionalもしくは擬meridionalでよい。したがって、キラル錯体がまた生じてもよい。置換基R1〜R8はまた、正確な構造によって、1つ以上の立体中心を有してもよい。したがって、ジアステレオマーの形成が可能である。この場合には、本発明による錯体は、様々なジアステレオマーまたは相当するラセミ化合物の混合物と、また個々の単離したジアステレオマーまたはエナンチオマーの両方を包含する。
上記の好ましい態様は、所望のように互いに合わせることができる。本発明の特に好ましい態様において、上記の好ましい態様が、同時に当てはまる。
上記のように、置換基R1〜R7の少なくとも1個および/またはL’上の置換基の1つは、重合可能な基PGを表す。重合可能な基PGとしてラジカルR1〜R7の1個以上がアルケニルまたはアルキニル基から選択される場合、これは3〜40個のC原子を有する末端アルケニルまたはアルキニル基であり、ここで、個々のCH2基はまた、上記の基によって置きかえられていてもよい。重合可能な基PGとしてのラジカルR1〜R7の1個以上が、基Si(R83から選択される場合、R8は、Clまたは1〜40個のC原子を有するアルコキシ基の何れかを表す。さらに、重合可能な基PGは、Cl、Br、IまたはB(OR82から選択されない。重合可能な基PGがN(R82、を表す場合、1個のラジカルR8は、Hと等しく、他のラジカルR8は好ましくは、HまたはDと等しくない。
重合可能な基PGの正確な構造は、錯体の特性に対して有意な影響を有さない。この基の仕事は、特に、錯体を互いに連結し、重合反応によってさらなるモノマーに任意に連結し、したがってポリマーまたは任意に架橋層をもたらすことである。
重合可能な基は、本発明の意味において、選択した反応条件下で不可逆的または本質的に不可逆的に反応し、したがってポリマー材料(可溶性でよく、またはまたたとえば、架橋によって不溶性でよい)を形成することができる官能基である。ポリマー材料はまた、本発明の意味において、オリゴマーまたはデンドリマー材料を意味する。反応は、古典的な意味の重合反応、すなわち、ポリマーが形成される連鎖反応、しかしまたたとえば、重縮合反応、多重環化付加またはメタセシス反応でよい。重縮合反応または多重環化付加について、式(1)の化合物の組込みのために、少なくとも2個の重合可能な基が、式(1)の化合物中に存在することが必要である。重合が下記に記載される場合、これは、ポリマーをもたらす全てのタイプの反応を意味する。重合は一般に、熱によって、ならびに/またはUV、マイクロ波、X線もしくは電子線によって、ならびに/またはフリーラジカル形成剤、アニオン、カチオン、酸および/もしくは光酸の使用によって支援することができる。式(1)の化合物の重合可能な基と反応するさらなるモノマーの存在はまた、重縮合または多重環化付加のために必要でもよい。したがってたとえば、カルボン酸基は、アミノ基と反応してポリアミドを形成することができ、またはアルコールと反応してポリエステルを形成することができる。触媒の存在は、たとえば、メタセシス反応のために、同様に理にかなっており、または必要でよい。
本発明によって好ましい重合可能な基PGの例は、下記の単位である。
a)アルケニルまたはアルキニル基:
2〜40個のC原子を有し、好ましくは2〜10個のC原子を有するアルケニルまたはアルキニル基(ここでさらに、個々のCH2基および/または個々のH原子は、R1〜R7の場合における上記の基によって置きかえられていてもよい)が適している。基R1〜R7の1個以上が、重合可能なアルケニルまたはアルキニル基として選択される場合、これらは、3〜40個のC原子を有し、好ましくは3〜10個のC原子を有するアルケニル基(末端二重結合を有する)、または3〜40個のC原子を有し、好ましくは3〜10個のC原子を有するアルキニル基(末端三重結合を有する)である。末端アルケニルまたはアルキニル基中の個々のCH2基はまた、ここでR1〜R7の場合における上記の基によって置きかえられていてもよい。
好ましい重合可能な基PGは、ビニル、プロペニル、ブテニル、C4~20−シクロアルケニルおよびエチニルを包含する。したがってたとえば、下記の基が適しており、ここで、錯体への連結は、これらの基の各々において、Rによって示され、これらの基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい。
Figure 2013538190
さらに、最も広い意味でのスチリル基は、このクラスの重合可能な基において適している。本出願の意味でのスチリル基は、ビニル基で置換されており、かつまた1個以上のさらなるラジカルを有してもよいアリールまたはヘテロアリール基を意味する。したがってたとえば、下記の基が適しており、ここで、錯体への連結は、これらの基の各々において、Rによって示され、これらの基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい。
Figure 2013538190
さらに、最も広い意味のアクリル酸誘導体、特に、アクリレート、アクリルアミド、メタクリレートおよびメタクリルアミドは、このクラスの重合可能な基において適している。C1~10−アルキルアクリレートおよびC1~10−アルキルメタクリレートが特に好ましい。したがってたとえば、下記の基が適しており、ここで、錯体への連結は、これらの基の各々において、Rによって示され、これらの基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい。
Figure 2013538190
さらに、アルケニルオキシまたはペルフルオロアルケニルオキシ誘導体、特に、エテニレンオキシまたはペルフルオロエテニレンオキシは、このクラスの重合可能な基において適している。したがってたとえば、下記の基が適しており、ここで、錯体への連結は、これらの基の各々において、Rによって示され、これらの基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい。
Figure 2013538190
上記の基の重合反応は、フリーラジカル、カチオン性またはアニオン性機序によって起こることができる。重合反応のために相当する開始剤を加えることは適当でもよい。
フリーラジカル重合のための適切な開始剤は、たとえば、過酸化ジベンゾイル、AIBNまたはTEMPOである。カチオン性重合のための適切な開始剤は、たとえば、AlCl3、BF3、過塩素酸トリフェニルメチル、トロピリウムヘキサクロロアンチモネートなどである。アニオン性重合のための適切な開始剤は、塩基、特に、ブチルリチウムである。
b)オキセタンおよびオキシラン
さらなる適切なクラスの重合可能な基は、開環によってカチオン的に重合するオキセタンおよびオキシランである。したがってたとえば、下記の基が適しており、ここで、錯体への連結は、これらの基の各々において、Rによって示され、これらの基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい。
Figure 2013538190
したがって、たとえば、オキセタン基とアセチルアセトネート共配位子とを連結することはまた可能であり、その結果、錯体中の共配位子L’は、このタイプの重合可能な基PGを有する。このタイプの共配位子L’の例は、下記の構造である。
Figure 2013538190
重合反応のために相当する開始剤を加えることは適切でもよい。適切な開始剤は、たとえば、AlCl3、BF3、過塩素酸トリフェニルメチル、トロピリウムヘキサクロロアンチモネートなどである。光酸を、開始剤として同様に加えることができる。
c)多重環化付加を受ける基
このクラスの重合可能な基において、適切な基は、たとえば、1,3−双極性付加反応を受けるものである。ここで、反応は、2つの相補的基の間に起こる(たとえば、アジドと末端アルケニルまたはアルキニル基との反応)。したがって、式(1)の化合物は、このタイプの反応を受けることができる少なくとも2個の基を有さなくてはならない。次いで、重合は、下記の一般スキームに従って進行し、ここで、Rは一般に、金属錯体を表し、*は、ポリマーにおける連結を示し、さらなるコモノマーをまた当然ながら用いてもよい。
Figure 2013538190
さらに、ディールズアルダー反応を受ける基は、このクラスの重合可能な基において適している。ここで、反応は、アルケニル基およびジエニル基の間で起こる。さらに、2個のジエニル基が互いに反応することもまた可能であり、この場合、2個のジエニル基の最初が、単純なアルケニル基として反応する。式(1)の化合物は、このタイプの反応を受けることができる少なくとも2個の基を有さなくてはならない。ここで、式(1)の化合物は、少なくとも2個のアルケニル基、または少なくとも1個のアルケニル基および少なくとも1個のジエニル基、または少なくとも2個のジエニル基の何れかを有することができる。次いで、下記の一般スキームに従って重合が進行し、式中、Rは一般に、金属錯体を表し、*は、ポリマーにおける連結を示し、さらなるコモノマーをまた当然ながら用いてもよい。
Figure 2013538190
d)カルボン酸誘導体、アミンおよびアルコール
さらに、互いに重縮合反応を受ける基は、重合可能な基のクラスとして適している。特に、アミンまたはアルコールと反応するカルボン酸誘導体は、ここで適している。適切なカルボン酸誘導体は、たとえば、カルボン酸、カルボン酸エステルまたはカルボン酸塩化物である。さらなる適切な反応物は、たとえば、ジチオール、ジオキシラン、塩化ジスルフリルまたはジイソシアネートである。したがって、たとえば、下記の基が適しており、ここで、金属錯体を、これらの基の各々において、Rによって示す。
Figure 2013538190
式(1)の化合物は、このタイプの反応を受けることができるこのタイプの少なくとも2個の基を有さなければならない。ここで、式(1)の化合物は、カルボン酸に由来する少なくとも2個の基、またはカルボン酸に由来する少なくとも1個の基および少なくとも1個のアルコールもしくはアミノ基、または少なくとも2個のアルコールもしくはアミノ基の何れかを有することができる。式(1)の化合物が、カルボン酸に由来する基のみを有する場合、重合可能なアルコールまたはアミノ基を有するさらなるモノマーの使用が必要である。式(1)の化合物が、重合可能な基としてアルコールまたはアミノ基のみを有する場合、カルボン酸に由来する重合可能な基を有するさらなるモノマーの使用が必要である。
e)シラン
さらに、シラン基Si(R83は、重合可能な基のクラスとして適しており、ここで、少なくとも2個の基R8、好ましくは3個の基R8の全ては、Clまたは1〜20個のC原子を有するアルコキシ基を表す。この基は、水の存在下で反応し、ポリシロキサンが得られる。2個または3個のこのような基R8がシラン基において結合しているかによって、そこから発生するポリマーは、線状ポリマーまたは架橋ポリマーである。
ここで、ポリマーの発生のための適切なさらなるコモノマーは、上記で示した構造であり、ここで、Rは、相当する金属錯体を表さないが、代わりに任意の所望のラジカル、特にラジカルR8を表す。
上記の重合可能な基PGは一般に、これらの基の重合のために使用される適切な反応条件のように、ポリマー化学の領域の当業者に知られている。
本発明による式(1)の錯体は、上記の重合可能な基PGの1個以上を含有することができる。本発明の好ましい態様において、式(1)の錯体は、1個、2個または3個の重合可能な基PGを含有する。
本発明による金属錯体は、原則的に様々な方法によって調製することができる。しかし、下記に記載した方法は、特に適切であることが証明されてきた。
したがって、本発明はさらに、相当する遊離配位子と、式(147)の金属アルコキシド、式(148)の金属ケトケトネート、式(149)のハロゲン化金属、または式(150)の二量体の金属錯体との反応による、式(1)の金属錯体化合物を調製する方法に関する
Figure 2013538190
[式中、記号M、L’、m、nおよびR8は、上記に示した意味を有し、Hal=F、Cl、BrまたはIである]。
金属化合物、特に、アルコキシドおよび/またはハライドおよび/またはヒドロキシルラジカルと、ケトケトネートラジカルの両方を有するイリジウム化合物を使用することは同様に可能である。これらの化合物はまた、荷電していてもよい。出発材料として特に適した相当するイリジウム化合物は、WO2004/085449に開示されている。特に適しているのは、[IrCl2(acac)2-、たとえば、Na[IrCl2(acac)2]である。特に好ましい出発材料は、さらにIr(acac)3およびIr(tBu−acac)3である。
適切な白金出発材料は、たとえば、PtCl2、K2[PtCl4]、PtCl2(DMSO)2、Pt(Me)2(DMSO)2またはPtCl2(ベンゾニトリル)2である。
さらに金属錯体の前駆体を第一に調製し、さらなるステップで2つの配位アリールまたはヘテロアリール環の間に架橋を導入することが可能である。これを、下記のスキームにおける錯体について例示として示す。
Figure 2013538190
重合可能な基PGを有さない式(1)の化合物を合成し、さらなる合成ステップにおいて完成した錯体上に重合可能な基を導入することがさらに可能である。
錯体の合成は好ましくは、WO2002/060910およびWO2004/085449に記載されているように行われる。ヘテロレプティック錯体はまた、たとえば、WO2005/042548によって合成することができる。ここで、合成はまた、たとえば、熱的に、光化学的におよび/またはマイクロ波放射によって活性化することができる。本発明の好ましい態様において、反応は、さらなる溶媒を使用しないで溶融物中で行われる。ここで、「溶融物」とは、配位子が溶融した形態であり、金属前駆体がこの溶融物に溶解または懸濁していることを意味する。
これらの方法によって、本発明による式(1)の化合物は、高純度、好ましくは99%超(1H−NMRおよび/またはHPLCによって決定する)で得ることができる。
ここで説明する合成法によって、とりわけ、下記で示す本発明による構造1〜96の合成が可能となる。
Figure 2013538190
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本発明による式(1)の化合物は、上記のように、ポリマーの調製のためのモノマーとして使用され、ここで、重合は、重合可能な基PGを介して起こる。
「ポリマー」という用語はまた、本発明の意味において、オリゴマーおよびデンドリマーを包含する。
オリゴマーという用語は、本発明の意味において、3〜9の繰返し単位を有する化合物に適用される。ポリマーは、本発明の意味において、10以上の繰返し単位を有する化合物を意味する。ここで、ポリマーの分枝因子は、0(線状ポリマー、分枝ポイントなし)〜1(完全分枝デンドリマー)である。
したがって、本発明はさらに、ポリマーの調製のための式(1)の化合物の使用に関する。
本発明はなおさらに、式(1)の化合物および任意にさらなるモノマーの重合によって得られるポリマーに関し、ここで、重合反応は重合可能な基PGを介して行われる。
式(1)の単位について、上記で既に記載したようなポリマーにおいて同じ好ましさが当てはまる。上記の単位とは別に、ポリマーは、たとえば、正孔輸送特性または電子輸送特性を有する繰返し単位から選択されるさらなる単位を含有してもよい。この目的に適しているのは、従来技術から知られている材料または繰返し単位である。
上記のホモポリマーおよびコポリマーは、エレクトロルミネッセンスデバイスにおける高い効率性および安定性によって、ならびにこれらが非架橋ポリマーである場合、有機溶媒におけるこれらの良好な溶解性によって識別される。
式(1)の単位は、主鎖において、または本発明によるポリマーにおける側鎖に結合していてもよい。本発明の好ましい態様において、式(1)の単位は、側鎖において結合している。式(1)の単位の構造によって、これらの単位はまた、分枝または架橋ポリマーの分枝ポイントを形成してもよい。
ポリマーにおける一般式(1)の構造単位の割合は、0.001〜100mol%の範囲、好ましくは0.01〜50mol%の範囲、特に好ましくは0.1〜40mol%、特に、0.5〜30mol%の範囲である。
全体的に白色発光が発生するように、式(1)の異なる構造単位が、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマー、たとえば、青色、緑色および赤色を発光する構造単位において存在することもまた可能である。全体的に白色発光が発生されるように、式(1)の構造単位および他の発光構造単位(蛍光またはリン光でよい)が、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマー、たとえば、青色、緑色および赤色を発光する構造単位において同様に存在していてもよい。
一般式(1)の1つ以上の構造単位に加えて、本発明によるポリマーはまた、さらなる構造単位を含有してもよい。これらは、とりわけ、たとえば、WO2002/077060およびWO2005/014689において広範に開示および一覧表示されているようなものである。これらは、参照により本発明に組み込まれている。さらなる構造単位は、たとえば、下記のクラスから生じることができる。
群1:正孔注入および/または正孔輸送特性を有する単位;
群2:電子注入および/または電子輸送特性を有する単位;
群3:電気リン光を示す単位;
群4:一重項から三重項状態への転移を改善する単位;
群5:生成したポリマーの発光色に影響を与える単位;
群6:ポリマー骨格として典型的には使用する単位;
群7:生成したポリマーのフィルム形態および/またはレオロジー特性に影響を与える単位。
本発明の好ましい態様において、リン光を示さないポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーにおいて使用される全ての構造単位の三重項レベルT1は、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーにおいて存在する最も短い波長(金属錯体)で発光する三重項エミッターの三重項レベルよりも高い。共役ポリマーにおける「構造単位」は、共役長であると見なされ、個々の繰返し単位の構造であると見なされない。
本発明による好ましいポリマーは、少なくとも1つの構造単位が電荷輸送特性を有し、すなわち、群1および/または2からの単位を含有するものである。
正孔注入および/または正孔輸送特性を有する群1の構造単位は、たとえば、トリアリールアミン、ベンジジン、テトラアリール−パラ−フェニレンジアミン、トリアリールホスフィン、フェノチアジン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、チアントレン、ジベンゾ−パラ−ダイオキシン、フェノキサチイン(phenoxathiyne)、カルバゾール、アズレン、チオフェン、ピロールおよびフラン誘導体、ならびに高いHOMO(HOMO=最高被占π分子軌道)を有するさらなるO、SまたはN含有ヘテロ環である。これらのアリールアミンおよびヘテロ環は好ましくは、ポリマーにおいて−5.8eV超(真空レベルに対して)、特に好ましくは−5.5eV超のHOMOをもたらす。
電子注入および/または電子輸送特性を有する群2の構造単位は、たとえば、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、トリフェニレン、ベンゾイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびフェナジン誘導体、しかしまたトリアリールボランおよび低いLUMO(LUMO=最低空π分子軌道)を有するさらなるO、SまたはN含有ヘテロ環である。ポリマーにおけるこれらの単位は好ましくは、−2.5eV未満(真空レベルに対して)、特に好ましくは−2.7eV未満のLUMOをもたらす。
群3の構造単位は、室温においてでさえ高い効率性で三重項状態から光を発することができ、すなわち、電子蛍光の代わりに電気リン光を示すことができるものである。この目的に適したのは第一に、36超の原子番号を有する重原子を含有する化合物である。上記の条件を満たすd−またはf−遷移金属を含有する化合物が好ましい。ここで、8〜10族からの元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)を含有する相当する構造単位が特に好ましい。本発明の目的のために、上記の金属を含有する全てのルミネッセンス金属錯体は、リン光性として見なされる。
群4の構造単位は、一重項状態から三重項状態への転移を改善し、かつこれらの構造要素のリン光特性を改善させるものである。この目的に適しているのは、たとえば、WO2004/070772およびWO2004/113468に記載されているような、特に、カルバゾールおよび架橋カルバゾール二量体単位である。またこの目的に適しているのは、たとえば、WO2005/040302に記載されているような、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、シラン誘導体および同様の化合物である。
群5の構造単位は、上記のものに加えて、少なくとも1つのさらなる芳香族構造または上記の基に該当しない別の共役構造を有するもの、すなわち、電荷キャリア移動度に対して僅かな影響のみを有し、有機金属錯体ではなく、または一重項−三重項転移に対して影響を有さない、もしくは有意な影響を有さないものである。このタイプの構造要素は、生成したポリマーの発光色に影響を与えることができる。したがって、単位によって、これらはまたエミッターとして用いることができる。ここで、6〜40個のC原子を有する芳香族構造、およびまたトラン、スチルベンまたはビススチリルアリーレン誘導体が好ましく、これらの各々は、1個以上のラジカルRで置換されていてもよい。ここで、1,4−フェニレン、1,4−ナフチレン、4,4’−ビフェニリレン、4,4’’−テルフェニリレン、4,4’−ビ−1,1’−ナフチリレン、4,4’−トラニレン(tolanylene)、4,4’−スチルベニレン、4,4’’−ビススチリルアリーレン、ベンゾチアジアゾールおよび相当する酸素誘導体、キノキサリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、ビス(チオフェニル)アリーレン、オリゴ(チオフェニレン)、またはフェナジン誘導体(飽和もしくは不飽和である)を組み込むことが特に好ましい。
群6の構造単位は、典型的にはポリマー骨格として使用される6〜40個のC原子を有する芳香族構造を含有する単位である。これらは、たとえば、4,5−ジヒドロピレン誘導体、4,5,9,10−テトラヒドロピレン誘導体、フルオレン誘導体、9,9’−スピロビフルオレン誘導体、フェナントレン誘導体、9,10−ジヒドロフェナントレン誘導体、5,7−ジヒドロジベンゾオキセピン誘導体ならびにcis−およびtrans−インデノフルオレン誘導体である。
群7の構造単位は、ポリマー、たとえば、シロキサン、アルキル長鎖またはフッ素化基、しかしまた特に剛性または可撓性単位、たとえば、液晶形成単位または架橋可能な基の、フィルム形態および/またはレオロジー特性に影響を与えるものである。
同時に、一般式(1)の構造単位に加えて、群1〜7から選択される1つ以上の単位(本発明による構造単位と異なってもよい)をさらに含有する本発明によるポリマーが好ましい。1つの群からの複数の構造単位が同時に存在することが同様に好ましくてもよい。
本発明によるポリマーが、電荷輸送または電荷注入を改善する単位、すなわち群1および/または群2からの単位を含有することが特に好ましい。0.5〜30mol%の割合のこれらの単位が、特に好ましい。1〜10mol%の割合のこれらの単位が、非常に特に好ましい。
上記の好ましさはまた、ポリマー中の式(1)の単位に当てはまる。
本発明はさらに、本発明による少なくとも1種のポリマーおよび少なくとも1種の溶媒を含む、配合物、特に、溶液、分散液またはミニエマルションに関する。
本発明によるポリマーは、電子デバイスにおける使用に適している。
本発明の一態様において、重合可能な基PG、および任意にさらなるモノマーをまだ含有する式(1)の化合物を含む電子デバイスを生産する。次いで、式(1)のこの化合物および任意にさらなるモノマーを、電子デバイスの層に重合または架橋する。重合反応によって得られるポリマーが、不溶性ポリマー、たとえば、架橋ポリマーである場合、この方法は特に適している。
本発明のさらなる態様において、第一に本発明によるポリマーを、式(1)の化合物および任意にさらなるモノマーから調製し、次いで電子デバイスの生産のために用いる。重合反応によって得られるポリマーが、溶液から処理される適切な溶媒において十分な溶解性を有するポリマーである場合、この方法は特に適している。
電子デバイスは、アノード、カソードおよび少なくとも1つの層を含むデバイスを意味し、ここでこの層は、少なくとも1種の有機化合物または有機金属化合物を含む。したがって、本発明による電子デバイスは、アノード、カソードおよび少なくとも1つの層(上記に示した式(1)の単位を含有する本発明による少なくとも1種のポリマーを含む)を含む。ここで、好ましい電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンスデバイス(OLED、PLED)、有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(O−FET)、有機薄膜トランジスタ(O−TFT)、有機発光トランジスタ(O−LET)、有機太陽電池(O−SC)、有機光学検波器、有機光受容体、有機電場消光デバイス(O−FQD)、発光電気化学セル(LEC)または有機レーザーダイオード(O−レーザー)(少なくとも1つの層において上記の式(1)の少なくとも1種の化合物を含む)からなる群から選択される。有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に好ましい。電子デバイス中の活性成分は一般に、アノードおよびカソードの間に導入されている有機または無機材料である(たとえば、電荷注入、電荷輸送または電荷遮断材料、しかし特に、発光材料およびマトリックス材料)。本発明によるポリマーは、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて発光材料として特に良好な特性を示す。したがって、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、本発明の好ましい態様である。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソード、アノードおよび少なくとも1つの発光層を含む。これらの層とは別に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスはまた、さらなる層、たとえば、各場合において、1つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、励起子遮断層、電子遮断層、電荷発生層および/または有機もしくは無機p/n接合を含んでもよい。たとえば、励起子遮断機能を有し、かつ/またはエレクトロルミネッセンスデバイスにおける電荷バランスを制御する中間層を、2つの発光層の間に同様に導入してもよい。しかし、これらの層の各々は、必ずしも存在しなくてはならないことはないことを指摘すべきである。特に、本発明によるポリマーが、式(1)の単位とは別に、正孔輸送および/または電子輸送のための単位を有する場合、別々の正孔輸送または電子輸送層を省略することができる。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、1つの発光層を含んでいてもよく、または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは好ましくは、全体で複数の発光最大380nm〜750nmを有し、全体的に白色発光をもたらし、すなわち、蛍光を発し、またはリン光を発することができる様々な発光化合物が、発光層において使用される。3層が青色、緑色およびオレンジ色もしくは赤色発光を示す3層系(基本構造について、たとえば、WO2005/011013を参照されたい)、または3超の発光層を有する系が特に好ましい。これはまた、1つ以上の層が蛍光を発し、1つ以上の他の層がリン光を発するハイブリッド系でもよい。複数の発光層が層中に存在し、または、たとえば、またポリマー、オリゴマーもしくはデンドリマー中で結合していることが同様に可能であり、そのため、単一の層からの白色発光の発生がまた可能である。
架橋、したがって不溶性ポリマーが本発明によるポリマーについて適切な場合、これらは、複数の発光層を有するエレクトロルミネッセンスデバイスの生産に特に適している。なぜなら、既に存在している発光層を部分的に溶解することなく、既に架橋形態にあり、したがって不溶性である発光層へ、溶液からのさらなる層を適用することが可能であるからである。
本発明の好ましい態様において、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、1つ以上の発光層において本発明によるポリマーを含む。
本発明によるポリマーが発光層における発光材料として用いられる場合、組成物によって、純粋な物質として、または1種以上のさらなるポリマーもしくは低分子量化合物との混合物中で用いることができる。
本発明の好ましい態様において、本発明によるポリマーは、1種以上のマトリックス材料との混合物として用いられる。特に、ポリマー自体が、リン光性化合物のためのマトリックス材料としての役割を通常果たすことができる単位を含有しない場合、これが当てはまる。層における電荷輸送を選択的に調節するために、たとえば、正孔輸送材料および/または電子輸送材料とポリマーとを混合することが同様に適当であってもよい。
用いられるマトリックス材料は一般に、従来技術によってこの目的のために知られている全ての材料でよい。マトリックス材料の三重項レベルは好ましくは、エミッター、すなわち、本発明によるポリマーにおける式(1)の単位の三重項レベルより高い。
本発明による化合物のために適切なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン(たとえば、WO2004/013080、WO2004/093207、WO2006/005627またはWO2010/006680による)、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体(たとえば、CBP(N,N−ビスカルバゾリルビフェニル)、m−CBPまたはカルバゾール誘導体(WO2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527、WO2008/086851またはUS2009/0134784に開示されている)、インドロカルバゾール誘導体(たとえば、WO2007/063754またはWO2008/056746による)、インデノカルバゾール誘導体(たとえば、WO2010/136109およびWO2011/000455による)、アザカルバゾール(たとえば、EP1617710、EP1617711、EP1731584、JP2005/347160による)、双極性マトリックス材料(たとえば、WO2007/137725による)、シラン(たとえば、WO2005/111172による)、アザボロールまたはボロン酸エステル(たとえば、WO2006/117052による)、ジアザシロール誘導体(たとえば、WO2010/054729による)、ジアザホスホール誘導体(たとえば、WO2010/054730による)、トリアジン誘導体(たとえば、WO2010/015306、WO2007/063754またはWO2008/056746による)、亜鉛錯体(たとえば、EP652273またはWO2009/062578による)、ジベンゾフラン誘導体(たとえば、WO2009/148015による)、あるいは架橋カルバゾール誘導体(たとえば、US2009/0136779、WO2010/050778または出願公開されていない出願DE102009048791.3およびDE102010005697.9による)である。
混合物として複数の異なるマトリックス材料、特に、少なくとも1種の電子伝導マトリックス材料および少なくとも1種の正孔伝導マトリックス材料を用いることがまた好ましくてもよい。好ましい組合せは、本発明による金属錯体のための混合マトリックスとして、たとえば、芳香族ケトン、トリアジン誘導体またはホスフィンオキシド誘導体と、トリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体との使用である。電荷輸送マトリックス材料、および電荷輸送に関与していない、もしくは有意に関与していない電気的に不活性なマトリックス材料の混合物の使用が同様に好ましい(たとえば、WO2010/108579に記載されているような)。
2種以上の三重項エミッターをマトリックスと一緒に用いることがさらに好ましく、ここで、三重項エミッターの少なくとも1つは、式(1)の単位を含有するポリマーである。ここで、さらなる三重項エミッターは、本発明による同じポリマーに同様に重合してもよく、またはさらなるポリマーと共に混合してもよく、または低分子量化合物として混合してもよい。より短波の発光スペクトルを有する三重項エミッターは、より長波の発光スペクトルを有する三重項エミッターのための共マトリックスとしてここでは役割を果たす。したがって、たとえば、式(1)の単位を含有する本発明によるポリマーは、比較的長波長で発光する三重項エミッター、たとえば、緑色または赤色を発光する三重項エミッターのための共マトリックスとして用いることができる。白色発光の発生は、このようにさらに可能である。
カソードは好ましくは、様々な金属、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属またはランタノイド(たとえば、Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Smなど)を含有する、低仕事関数を有する金属、金属合金または多層構造を含む。アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀を含有する合金、たとえば、マグネシウムおよび銀を含有する合金がまた適している。多層構造の場合、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえば、前記金属に加えてAgをまた使用してもよく、この場合、金属の組合せ、たとえば、Mg/Ag、Ca/AgまたはBa/Agを一般に使用する。金属カソードおよび有機半導体の間に高い誘電率を有する材料の薄い中間層を導入することがまた好ましくてもよい。この目的に適しているのは、たとえば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物、しかしまた相当する酸化物またはカーボネート(たとえば、LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3など)である。有機アルカリ−金属錯体、たとえば、Liq(キノリン酸リチウム)は同様に、この目的に適している。この層の層厚さは好ましくは、0.5〜5nmである。
アノードは好ましくは、高い仕事関数を有する材料を含む。アノードは好ましくは、真空に対して4.5eV超の仕事関数を有する。この目的に適しているのは、一方では、高い酸化還元電位を有する金属、たとえば、Ag、PtまたはAuである。他方、金属/金属酸化物電極(たとえば、Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)がまた好ましくてもよい。いくつかの用途のために、電極の少なくとも1つは、有機材料の照射(O−SC)または光のカップリングアウト(coupling-out of light)(OLED/PLED、O−LASER)の何れかを促進するために、透明または部分的に透明でなくてはならない。ここで、好ましいアノード材料は、伝導性混合金属酸化物である。酸化インジウムスズ(ITO)または酸化インジウム亜鉛(IZO)が特に好ましい。伝導性のドープした有機材料、特に、伝導性のドープしたポリマー、たとえば、PEDOT、PANIまたはこれらのポリマーの誘導体がさらに好ましい。
さらなる層が本発明によるポリマーを含む発光層とは別に存在する場合、層について従来技術に従って使用されるような全ての材料を、一般にこれらのさらなる層において使用することができ、当業者は、電子デバイスにおいてこれらの材料の各々と本発明による材料とを進歩性を伴わずに合わせることができる。
本発明の好ましい態様において、ポリマー正孔注入層を使用する。正孔注入層のための適切な材料の例は、コポリマートリアリールアミンおよび芳香族またはヘテロ芳香族基、たとえば、トリアリールアミンとインデノフルオレン、またはトリアリールアミンとカルバゾールのコポリマーである。
デバイスは(用途によって)相応して構築され、コンタクトが提供され、最終的に密封される。なぜなら、このようなデバイスの寿命は水および/または空気の存在下で劇的に短くなるからである。
1つ以上の層、特に、本発明によるポリマーを含む層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングによって、または任意の所望の印刷工程、たとえば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷もしくはノズル印刷、しかし特に好ましくはLITI(光誘起熱画像化、熱転写印刷)もしくはインクジェット印刷を用いて生産されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスがさらに好ましい。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスはまた、1つ以上の層を溶液から適用することによって、1つ以上の他の層を蒸着によって適用することによってハイブリッド系として生産してもよい。したがって、たとえば、式(1)の単位を含有する本発明によるポリマーを含む発光層を溶液から適用し、上に正孔遮断層および/または電子輸送層を蒸着によって適用することが可能である。
これらの方法は当業者に一般に知られており、式(1)の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスまたは上記で示した好ましい態様に対する問題を伴わずに当業者は適用することができる。
本発明による電子デバイス、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、下記の従来技術を超える驚くべき利点によって識別される。
1.式(1)の化合物を使用して得たポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、非常に良好な寿命を有する。
2.式(1)の化合物を使用して得たポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、非常に良好な効率性を有する。
3.本発明によるポリマーを使用して、青色、緑色、オレンジ色または赤色領域においてリン光を発する有機エレクトロルミネッセンスデバイスが利用可能である。特に、青色リン光は、従来技術に従うと良好な効率性および寿命に困難を伴ってのみ達成することができる。
4.本発明によるポリマーが非架橋ポリマーである場合、高い溶解性を有し、これは、本発明によるポリマーが溶液から、たとえば、印刷工程によって容易に処理することができることを意味する。
5.架橋ポリマーはまた、本発明による金属錯体から単純に利用可能である。これによって、溶液からの多層エレクトロルミネッセンスデバイスの単純な構造が可能になる。
上記のこれらの利点は、他の電子特性の欠陥を伴わない。
本発明を下記の例においてより詳細に説明するが、それによって本発明を制限することを望むものではない。当業者であれば、本発明によるさらなる電子デバイスを、進歩性を伴わずに記載に基づいて生産することができ、したがって特許請求した範囲に亘って本発明を実施することができる。
[実施例]
下記の合成は、他に示さない限り、保護ガス雰囲気下にて乾燥溶媒中で行う。金属錯体を、光を排除してさらに処理する。溶媒および試薬は、たとえば、Sigma−ALDRICHまたはABCRから購入することができる。配位子L1からL7の合成は、まだ出願公開されていない出願EP10006208.2に記載されている。ナフト[1’,2’:4,5]イミダゾ[1,2−a]ピリジン、[239−25−8]、L9は、G.Morganら、J.Chem.Soc.、1057、1939によって調製する。
1)配位子の合成
1.1)配位子L8:
Figure 2013538190
1000mlのo−キシレン中の81.8g(500mmol)の1−クロロイソキノリン[19493−44−8]、75.7g(520mmol)の2−クロロ−3−フルオロアニリン[21397−08−0]、172.8g(1250mmol)の炭酸カリウム、200gのガラスビーズ(直径3mm)、2.6g(10mmol)のトリフェニルホスフィンおよび449mg(2mmol)の酢酸パラジウム(II)の激しく撹拌した混合物を、1−クロロイソキノリンが消費されるまで、還流させながら16時間加熱する。冷却後、シリカゲル床を通して混合物を濾過し、1000mlのTHFですすぎ、濾液を蒸発乾固させる。残渣を200mlの酢酸エチルに溶解し、100mlのn−ヘプタンを沸騰温度でゆっくりと加える。冷却後、結晶化した固体を吸引によって濾過し、毎回100mlのn−ヘプタンで2回洗浄し、真空中で乾燥させる。粗生成物をエタノールから2度再結晶化させ、次いで真空中で昇華する(p、約10-5ミリバール、T、約150℃)。収量:66.2g(280mmol)、56%。純度:99.5%(HPLC)。
1.2)配位子L10:
Figure 2013538190
ステップ1:2−ブロモ−3−メトキシメトキシフェニルアミン
Figure 2013538190
20.0g(500mmol)の水素化ナトリウム(鉱油中60重量%)を、3−アミノ−2−ブロモフェノール[100367−36−0](94.0g、500mmol)のTHF(1000ml)溶液に少しずつ加え、ガスの放出が完了するまで混合物を撹拌する。次いで、38.0ml(500mmol)のメトキシメチルクロリド[107−30−2]を滴下で添加し、混合物を60℃でさらに6時間撹拌する。冷却後、THFを真空中で除去し、残渣を1000mlのジクロロメタンに溶解し、有機相を毎回300mlのNaOH(0.1N)で2回、300mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、炭酸カリウム上で乾燥させ、溶媒を真空中で除去する。収量:112.6g(485mmol)、97%。純度:99.0%(NMR)。
ステップ2:
1000mlのo−キシレン中の81.8g(500mmol)の1−クロロイソキノリン[19493−44−8]、120.7g(520mmol)の2−ブロモ−3−メトキシメトキシフェニル−アミン、172.8g(1250mmol)の炭酸カリウム、200gのガラスビーズ(直径3mm)、2.6g(10mmol)のトリフェニルホスフィンおよび449mg(2mmol)の酢酸パラジウム(II)の激しく撹拌した混合物を、1−クロロイソキノリンが消費されるまで16時間加熱還流させる。冷却後、シリカゲル床を通して混合物を濾過し、1000mlのTHFですすぎ、濾液を蒸発乾固させる。残渣を500mlのTHFに溶解し、50mlの塩酸(0.1N)を加え、混合物を60℃で6時間撹拌する。冷却後、THFを真空中で除去し、残渣をエタノールから3回再結晶させる。収量:63.1g(269mmol)、54%。純度:99.5%(HPLC)。
2)ヘテロレプティックイリジウム錯体の合成
バリアントA:
ステップ1:
10mmolのナトリウムビスアセチルアセトナトジクロロイリデート(bisacetylacetonatodichloroiridate)(III)[770720−50−8]および24mmolの配位子Lの混合物を、50mlのガラス製アンプルに真空中(10-3ミリバール)で溶融する。アンプルを示された時間について示された温度で加熱し、その間に磁気撹拌機を活用して溶融した混合物を撹拌する。冷却後(注:アンプルは通常加圧下である!)、アンプルを開け、シンターケーキを100mlのジクロロメタン中で100gのガラスビーズ(直径3mm)と共に3時間撹拌し、工程において機械的に消化する。微細懸濁液をガラスビーズからデカントし、固体を吸引によって濾過し、真空中で乾燥させる。
ステップ2:
このようにして得た式[Ir(L)2Cl]2の粗クロロ架橋二量体を、300mlのアセトンに懸濁させ、4.4g(20mmol)の銀(I)トリフルオロアセテート[2966−50−9]を懸濁液に加え、混合物を2時間加熱還流させる。冷却後、塩化銀沈殿物を濾過し(P4)、4.8g(22mmol)の6−(4−ビニルフェニル)−2,4−ヘキサンジオン[59990−76−0]、CL1、または3.3g(22mmol)の5−ビニル−2−ピリジンカルボン酸[45946−64−3]、CL2、または5.9g(22mmol)の3−[(4−ブロモフェニル)メチル]−2,4−ペンタンジオン[204927−96−8]、CL3、または4.1g(22mmol)の2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン[1118−71−4]、CL4、および10mlのトリエチルアミンを濾液に加え、混合物を室温で20時間撹拌する。真空中でのアセトンの除去後、残渣を200mlのジクロロメタンに溶解し、約10cmの長さの酸化アルミニウムカラム(酸化アルミニウム、ベーシック、活性グレード1)を通して濾過する。濾液を蒸発させた後、残渣を、純度>99.5%、好ましくは99.9%超(HPLC)に達するまで、ジクロロメタンと共に酸化アルミニウム(酸化アルミニウム、ベーシック、活性グレード1)上でクロマトグラフにかける。
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
Figure 2013538190
バリアントB:例Ir(L1)2(CL5)
Figure 2013538190
10.1g(10mmol)のIr(L1)2(CL3)、3.7g(11mmol)の(2−[4−[[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル]フェニル]−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン[1083097−22−6]、2.8g(20mmol)の炭酸カリウム、183mg(0.6mmol)のトリ−o−トリルホスフィン、22mg(0.1mmol)の酢酸パラジウム(II)、150mlのトルエン、50mlのジオキサンおよび75mlの水の混合物を、12時間加熱還流させる。冷却後、有機相を分離し、毎回100mlの水で2回、100mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、次いで硫酸マグネシウム上で乾燥させる。混合物を短いセライト床を通して濾過し、濾液を真空中で蒸発させ、純度>99.5に達するまで、残渣を酸化アルミニウム(酸化アルミニウム、ベーシック、活性グレード1)上でクロマトグラフにかける。収量:3.7g(3.2mmol)、32%。純度:99.5%(HPLC)。
バリアントC:例Ir(L11)2(CL6)
Figure 2013538190
8.4g(10mmol)のIr(L10)2(CL4)、4.8g(25mmol)の3−エチル−3−メタンスルホニルオキシメチルオキセタン[3893−75−2]、2.8g(20mmol)の炭酸カリウム、332mg(2mmol)のヨウ化カリウムおよび100mlのDMFの混合物を、130℃で4時間加熱する。冷却後、500mlのジクロロメタンを加え、有機相を500mlの水で5回、500mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、炭酸カリウム上で乾燥させる。炭酸カリウムを短いセライト床を通して濾過し、残渣を真空中で蒸発させ、1重量%のトリエチルアミンを加えてジクロロメタンと共にシリカゲル上でクロマトグラフにかける。収量:3.3g(3.2mmol)、32%。純度:99.8%(HPLC)。
3)コモノマーの合成
3.1)コモノマーM1の合成
ステップ1:2,4−ビスビフェニル−3−イル−6−(3−ブロモフェニル)−1,3,5−トリアジン
Figure 2013538190
171g(954mmol)のビフェニル−3−カルボニトリル[24973−50−0]を、100℃で3−ブロモベンゾイルクロリド(60ml(454mmol))[1711−09−7]、塩化チオニル(10ml(137mmol))および塩化アルミニウム(60.6g(454mmol))のジクロロベンゼン(800ml)懸濁液にゆっくりと加える。温度が僅かに上昇し、反応溶液はオレンジ色となる。曇りが消えるまで反応物を115℃で撹拌する。反応混合物を100℃に冷却し、塩化アルミニウム(60.6g、454mmol)を加え、混合物を100℃で20時間撹拌する。溶液を室温に冷却し、3lのメタノールに注ぎ、さらに1時間撹拌し、形成された沈殿物を吸引によって濾過する。得られた沈殿物を熱いエタノール中で洗浄し、吸引により濾過し、真空中で乾燥させ、92g(170mmol)の白色の固体を得る。
ステップ2:2,4−ビスビフェニル−3−イル−6−(4’−ビニルビフェニル−3−イル)−1,3,5−トリアジン(コモノマーM1)
Figure 2013538190
50g(92.5mmol)の2,4−ビスビフェニル−3−イル−6−(3−ブロモフェニル)−1,3,5−トリアジンおよび13.8g(93.2mmol)のスチレンボロン酸[2156−04−9]を300mlのトルエンに溶解し、100mlの炭酸ナトリウム溶液(2M)を加える。反応混合物を注意深く脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを加え、混合物を20時間加熱還流させる。溶液を室温に冷却し、相を分離する。水相をトルエンで3回抽出し、合わせた有機相を続いて水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で取り除く。残渣をイソプロパノールから再結晶させ、18.8g(33.3mmol)(36%)の白色の固体を99.7%の純度で得る。
3.2)5’−p−ビニルフェニル−1,1’,3’,5’’−テルフェニル(コモノマーM2)の合成
Figure 2013538190
35g(113mmol)の5’−ブロモテルフェニル[103068−20−8]および16.7g(113mmol)のスチレンボロン酸[2156−04−9]を300mlのトルエンに溶解し、100mlの炭酸ナトリウム溶液(2M)を加える。反応混合物を注意深く脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを加え、混合物を20時間加熱還流させる。溶液を室温に冷却し、相を分離させる。水相をトルエンで3回抽出し、合わせた有機相を続いて水で2度洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で取り除く。残渣をイソプロパノールから再結晶させ、14g(42mmol)(37%)の99.5%の純度を有する白色の固体を得る。
3.3)[1,1’;3’,1’’]−テルフェニル−5’−イル4’−ビニルビフェニル−3−イルケトン(コモノマーM3)の合成
Figure 2013538190
25g(60.5mmol)の(3−ブロモフェニル)−[1,1’;3’,1’’]−テルフェニル−5’−イルメタノンおよび9g(60.5mmol)のスチレンボロン酸[2156−04−9]を300mlのトルエンに溶解し、100mlの炭酸ナトリウム溶液(2M)を加える。反応混合物を注意深く脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを加え、混合物を20時間加熱還流させる。溶液を室温に冷却し、相を分離する。水相をトルエンで3回抽出し、合わせた有機相を続いて水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で取り除く。残渣をヘプタン/アセトニトリル1:1から再結晶させ、12g(27mmol)(45%)の99.9%の純度を有する白色の固体を得る。
3.4)ジフェニル−(4−ビニルフェニル)アミン(コモノマーM4)の合成
Figure 2013538190
19g(53mmol)のメチルトリフェニルホスホニウムブロミド[1779−49−3]を、保護ガス下に乾燥THFに懸濁させ、6g(53mmol)のカリウムtert−ブトキシドを0℃で少しずつ加える。オレンジ色への色の変化が直ちに起こる。14g(51.2mmol)のN,N−ジフェニル−p−アミノベンズアルデヒド[4181−05−9]を、0℃で反応溶液に加える。混合物を室温に温め、さらに20時間撹拌する。溶媒を真空中で取り除き、残渣をジクロロメタンに溶解し、溶液を水で抽出し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で取り除く。得られた黄色の油をシリカゲル上でクロマトグラフにかけ、12g(44mmol)(86%)の99.5%の純度を有する白色の固体を得る。
3.5)2,4−ビス−ビフェニル−3−イル−6−{3−[2−(3−エチルオキセタン−3−イルメトキシ)エチル]フェニル}−1,3,5−トリアジン(コモノマーM5)の合成
Figure 2013538190
13.1g(92mmol)の3−エチル−3−ビニルオキシメチルオキセタンおよび11.3g(60.8mmol)の9−BBN二量体を、室温にて保護ガス下で200mlのトルエンに溶解し、20時間撹拌する。反応の間、9−BBNの懸濁液をゆっくりと溶解させる。50g(92mmol)の2,4−ビス−ビフェニル−3−イル−6−(3−ブロモフェニル)−1,3,5−トリアジンおよび50mlのNaOH溶液(1M)を、続いて反応溶液に加える。反応混合物を注意深く脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィノパラジウムを加え、混合物を20時間加熱還流させる。溶液を室温に冷却し、相を分離する。水相をトルエンで3回抽出し、合わせた有機相を続いて水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で取り除く。残渣をエタノール/トルエン3:1から再結晶させ、54g(89mmol)(97%)の白色の固体を99:8%の純度で得る。
4)重合手順
4.1)重合可能な基としてのスチリル基についての一般の重合手順
モノマーを、20mlのトルエン中の表1に示す組成物に1mol/lの濃度で80℃にて保護ガス下で溶解する。64mgのAlBNを続いて加え、混合物を80℃でさらに2時間撹拌する。反応溶液を室温に冷却し、ポリマーを、100mlのメタノール中での沈殿によって得る(パスツールピペットを使用してゆっくり)。沈殿物を吸引によって濾過し、続いてトルエンに再溶解し、メタノールに再び沈殿させ、吸引によって濾過する。ポリマーを、真空乾燥キャビネット中で乾燥させる。この重合手順を、ポリマーP1からP9について使用する。
4.2)重合可能な基としてのオキセタン基についての一般の重合手順
モノマーを、20mlのトルエン中の表1に示す組成物に1mol/lの濃度で室温にて保護ガス下で溶解する。31mgのトロピリウムヘキサクロロアンチモネートを続いて加え、混合物を40℃でさらに5時間撹拌する。反応溶液を室温に冷却し、ポリマーを、100mlのメタノール中での沈殿によって得る(パスツールピペットを使用してゆっくり)。沈殿物を吸引によって濾過し、続いてトルエンに再溶解し、メタノールに再び沈殿させ、吸引によって濾過する。ポリマーを真空乾燥キャビネット中で乾燥させる。この重合手順を、ポリマーP10からP13について使用する。
Figure 2013538190
Figure 2013538190
5)PLEDの生産
ポリマー有機発光ダイオード(PLED)の生産は、文献(たとえば、WO2004/037887)において既に多数記載されてきた。本発明を例示として説明するために、PLEDは、表2からのポリマーP1からP11でスピンコーティングすることによって生産される。
この目的のために、ITO構造(酸化インジウムスズ、透明、伝導性アノード)を適用するTechnoprintからの基板(ソーダ石灰ガラス)を使用する。
基板を、クリーンルーム中で脱イオン水および洗剤(Deconex15PF)で浄化し、次いでUV/オゾンプラズマ処理によって活性化させる。次いで、80nm層のPEDOT(PEDOTは、水性分散液として供給されるH.C.Starck、Goslarからのポリチオフェン誘導体(Baytron P VAI4083sp.)である)を、同様にクリーンルーム中で緩衝層としてスピンコーティングによって適用する。必要とされるスピン速度は、希釈の程度および特定のスピンコーターの形状によって決まる(80nmについて典型的には、4500rpm)。層から残留した水を除去するために、基板を、ホットプレート上で180℃にて10分間加熱することによって乾燥させる。次いで、第一に20nmの中間層(典型的には正孔が優勢なポリマー、ここで、MerckからのHIL−012)、次いで、65nmのポリマー層を、不活性ガス雰囲気(窒素またはアルゴン)下でトルエン溶液から適用する(中間層の濃度5g/l、ポリマーP1からP5について、各場合において、8g/l)。2つの層を、180℃で少なくとも10分間加熱することによって乾燥させる。次いで、Ba/Alカソードを、蒸着によって適用する(Aldrichからの高純度金属、特に、バリウム99.99%(製造番号474711);Leskerからの蒸着ユニット、とりわけ、典型的な蒸着圧力5×10-6ミリバール)。特に、カソードを空気および大気中の水分から保護するために、デバイスを、最終的にカプセル封入し、次いで特性決定する。
この目的のために、デバイスを、基板サイズのために特に製造したホルダーに固定し、バネ接点を設ける。アイレスポンスフィルター(eye response filter)を有するフォトダイオードは、外部光からの影響を排除するために測定ホルダー上に直接置くことができる。
電位を典型的には、0から最大20Vに増加(0.2Vステップ)させ、再び低下させる。各測定時点について、デバイスを通る電流および得られた光電流を、フォトダイオードによって測定する。このように、試験デバイスのIVLデータを得る。重要な特徴的な量は、測定した最高効率(「eff.」、cd/A)および1000cd/m2に必要な電圧である。
さらに、試験デバイスの色および正確なエレクトロルミネッセンススペクトルを知るために、1000cd/m2に必要とされる電圧を最初の測定の後に再び印加し、フォトダイオードをスペクトル測定ヘッドで置きかえる。これを、光ファイバーによって分光計(Ocean Optics)に接続する。色座標(CIE:Commission International de l’eclairage、1931標準観測者)は、測定したスペクトルに由来することができる。
Figure 2013538190

Claims (17)

  1. 式(2)または式(3)の部分M(L)nを含有する式(1)の化合物
    M(L)n(L’)m 式(1)
    Figure 2013538190
    [式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:
    Mは、金属であり、
    Xは、出現する毎に、同じくまたは異なって、CおよびNからなる群から選択され、ここでの全てのXは一緒になって、14個のπ電子系を表し、
    1〜R7は、出現する毎に、同じくまたは異なって、重合可能な基PGまたはH、D、F、Cl、Br、I、N(R82、CN、NO2、Si(R83、B(OR82、C(=O)R8、P(=O)(R82、S(=O)R8、S(=O)28、OSO28、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2〜40個のC原子を有するアルケニル、アルキニルもしくはイミン基、または3〜40個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、ここで、上記のアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アルケニル、アルキニルおよびイミン基は、各々、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよく、ここで、1個以上の隣接していないCH2基は、R8C=CR8、C≡C、Si(R82、Ge(R82、Sn(R82、C=O、C=S、C=Se、C=NR8、P(=O)(R8)、SO、SO2、NR8、O、SまたはCONR8によって置きかえられていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNもしくはNO2、または5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または10〜40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)によって置きかえられていてもよく、ここでのR1およびR2ならびに/またはR2およびR3ならびに/またはR4およびR5ならびに/またはR5およびR6ならびに/またはR6およびR7はまた、単環式または多環式の脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成してもよく、さらに、R3およびR4は、各場合において単環式または多環式の、脂肪族環系を互いに形成してもよく、
    ただし、R1、R2、R3、R4、R5、R6またはR7は、このラジカルR1、R2、R3、R4、R5、R6またはR7が結合している前記基Xが、飽和原子価を有する窒素原子である場合、自由電子対を表し、
    8は、出現する毎に、同じくまたは異なって、H、D、F、Cl、Br、I、N(R92、CN、NO2、Si(R93、B(OR92、C(=O)R9、P(=O)(R92、S(=O)R9、S(=O)29、OSO29、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2〜40個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3〜40個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基(これらの各々は、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)であり、ここで、1個以上の隣接していないCH2基は、R9C=CR9、C≡C、Si(R92、Ge(R92、Sn(R92、C=O、C=S、C=Se、C=NR9、P(=O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、SまたはCONR9によって置きかえられていてもよく、ここで、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNもしくはNO2、または5〜60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各場合において、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基(これらは、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)、または5〜60個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基(これらは、1個以上のラジカルR8で置換されていてもよい)、または10〜40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基(これらは、1個以上のラジカルR9で置換されていてもよい)によって置きかえられていてもよく、ここでの2個以上の隣接しているラジカルR8は、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を互いに形成してもよく、
    9は、出現する毎に、同じくまたは異なって、H、D、F、CN、または1〜20個のC原子を有する脂肪族、芳香族および/もしくはヘテロ芳香族炭化水素ラジカルであり、ここでさらに、1個以上のH原子は、DまたはFによって置きかえられていてもよく、ここでの2個以上の置換基R9はまた、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を互いに形成してもよく、
    PGは、重合可能な基であり、ただし、前記重合可能な基は、Cl、Br、IおよびB(OR82から選択されず、さらにただし、重合可能な基PGとしての前記ラジカルR1〜R7の1個以上が、アルケニルまたはアルキニル基から選択される場合、これは3〜40個のC原子を有する末端アルケニルまたはアルキニル基であり、ここで、個々のCH2基または個々のH原子はまた、R1〜R7の場合における上記の基によって置きかえられていてもよく、さらにただし、重合可能な基PGとしての前記ラジカルR1〜R7の1個以上が、基Si(R83から選択される場合、R8は、Clまたは1〜40個のC原子を有するアルコキシ基の何れかを表し、
    L’は、同じくまたは異なって、出現する毎に、共配位子であり、
    nは、1、2または3であり、
    mは、0、1、2、3または4であり、
    ここでの複数の配位子Lはまた、互いに連結していてもよく、またはLは、単結合または架橋Vを介してL’に連結していてもよく、したがって三座、四座、五座または六座の配位子系を形成し、
    前記ラジカルR1〜R7の少なくとも1個および/または前記配位子L’上の少なくとも1個のラジカルは、重合可能な基PGを表すことを特徴とする]。
  2. 式(2)の前記部分が、式(2a)から選択され、式(3)の前記部分が、式(3a)から選択される
    Figure 2013538190
    [式中、使用された記号および添え字は、請求項1において与えられた意味を有し、さらに、
    1は、同じくまたは異なって、出現する毎に、CまたはNであり、ただし、少なくとも1個の基X1は、Nを表す]
    ことを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
  3. 式(2)の前記部分が、式(4)、(5)および(6)から選択され、式(3)の前記部分が、式(7)および(8)から選択される
    Figure 2013538190
    [式中、記号および添え字は、請求項1において示される意味を有する]
    ことを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
  4. 式(2)または(3)の前記部分が、式(78)および(79)から選択される
    Figure 2013538190
    [式中、使用された記号および添え字は、請求項1において与えられた意味を有し、さらに、
    Yは、同じくまたは異なって、出現する毎に、CR8またはNであり、ただし、最大で2つの記号Yは、Nを表し、
    2は、同じくまたは異なって、出現する毎に、CまたはNであり、ただし、正確に2つの記号X2は、Nを表し、残りの記号X2は、Cを表す]、
    請求項1〜3の何れか1項に記載の化合物。
  5. 式(78)および(79)の前記部分が、式(78a)〜(78d)および(79a)〜(79d)から選択される
    Figure 2013538190
    [式中、使用された記号および添え字は、請求項1および4において与えられた意味を有する]、請求項4に記載の化合物。
  6. 式(94)〜(101)の化合物から選択される
    Figure 2013538190
    Figure 2013538190
    [式中、使用された記号は、請求項1において与えられた意味を有し、Vは、単結合、あるいは3族、4族、5族および/もしくは6族の主族の1〜80個の原子(これは、1個以上のラジカルR1で置換されていてもよい)、または部分配位子Lを互いに、もしくはLをL’に互いに共有結合させる3〜6員のホモもしくはヘテロ環を含有する架橋単位を表す]、請求項1〜5の何れか1項に記載の化合物。
  7. L’が、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、シアン化アリール、イソシアン化アルキル、イソシアン化アリール、アミン、ホスフィン、アルシン、スチビン、窒素含有ヘテロ環、カルベン、ヒドリド、ジューテリド、ハライドF-、Cl-、Br-およびI-、アルキルアセチリド、アリールアセチリド、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコラート、脂肪族または芳香族チオアルコラート、アミド、カルボキシレート、アリール基、O2-、S2-、カーバイド、ニトレン、N3-、ジアミン、イミン、ジイミン、ジホスフィン、1,3−ジケトネート、3−ケトエステルに由来する3−ケトネート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、サリチルイミネート、ジアルコラート、ジチオレート、窒素含有ヘテロ環のボレート、ならびに金属と共に、少なくとも1つの金属−炭素結合を有する環状金属化5員環または6員環を形成する配位子からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1〜6の何れか1項に記載の化合物。
  8. 前記重合可能な基PGが、2〜40個のC原子を有するアルケニルまたはアルキニル基(ここで、前記基R1〜R7の1個以上が、重合可能なアルケニルまたはアルキニル基として選択される場合、これらは、末端二重または三重結合を有する3〜40個のC原子を有するアルケニルまたはアルキニル基である)、オキセタン、オキシラン、多重環化付加を受ける基、カルボン酸誘導体、アミン、アルコール、シラン基Si(R83(ここで、少なくとも2個の基R8は、Clまたは1〜20個のC原子を有するアルコキシ基を表す)から選択されることを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載の化合物。
  9. 1個、2個または3個の重合可能な基PGを有することを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載の化合物。
  10. ポリマーの調製のための、請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物の使用。
  11. 重合反応が、前記重合可能な基PGを介して起こる、請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物、および任意にさらなるモノマーの重合によって得られるポリマー。
  12. 正孔注入および/または正孔輸送特性を有する単位、電子注入および/または電子輸送特性を有する単位、電気リン光を示す単位、一重項状態から三重項状態への転移を改善させる単位、生成したポリマーの発光色に影響を与える単位、骨格として使用される単位、ならびにポリマーのフィルム形態および/またはレオロジー特性に影響を与える単位から選択されるさらなる構造単位が存在することを特徴とする、請求項11に記載のポリマー。
  13. 請求項1〜9の何れか1項に記載の1種以上の化合物、および/または請求項11または12に記載の1種以上のポリマーを含む配合物。
  14. 電子デバイスにおける、請求項11または12に記載のポリマーの使用。
  15. 少なくとも1つの層において請求項11または12に記載の少なくとも1種のポリマーを含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス(OLED、PLED)、有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(O−FET)、有機薄膜トランジスタ(O−TFT)、有機発光トランジスタ(O−LET)、有機太陽電池(O−SC)、有機光学検波器、有機光受容体、有機電場消光デバイス(O−FQD)、発光電気化学セル(LEC)または有機レーザーダイオード(O−レーザー)からなる群から好ましくは選択される電子デバイス。
  16. 請求項11または12に記載のポリマーが、純粋な物質として、または1種以上のさらなるポリマーもしくは低分子量化合物との混合物中で、発光層において用いられることを特徴とする、請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  17. 請求項15または16に記載の電子デバイスの生産方法であって、請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物を、任意にさらなるモノマーと一緒に、層として適用し、前記電子デバイスの前記層において重合および/または架橋させること、または請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物を、任意にさらなるモノマーと一緒に、重合し、このポリマーを、層として溶液からまたは印刷工程によって適用することを特徴とする、方法。
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