JP2013537164A - グラフェンの成長のための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
グラフェンは、六角形のベンゼン環構造内に配置されたsp2結合した炭素原子の単層であり、よって、本質的には2次元のものである。それは、2003年になってようやく、通常のグラファイト中に存在することが見出された。グラフェンは、グラファイト中で、弱いファンデルワールス力を介して、その構造のc軸に沿って積み重なっている。面内の強い共有結合力と面間の弱い結合力とが、グラファイトの異方性の性質を決定する。グラファイト中のグラフェンの存在は、単純なスコッチテープ技術によるグラファイトからのグラフェンシートの剥離によって証明された。
本発明の目的は、炭化ケイ素基材上におけるグラフェンの成長に関するプロセスであって、大規模製造に適しており、グラフェンの成長の厚さの制御が可能なプロセスである。
以下、本発明は、種々の実施形態を参照しながらより詳細に説明する。当業者にとって、本発明は、記載された実施形態に限らず、特許請求の範囲内で異なり得ることは容易に明らかであろう。
I. HF溶液に浸すことにより完了される湿式洗浄を使用して、炭化ケイ素表面を洗浄すること。
Claims (15)
- 炭化ケイ素基材表面からのケイ素の昇華により、炭化ケイ素基材上においてグラフェンを成長させる方法であって、
るつぼ内に炭化ケイ素基材を配置し、前記るつぼを反応チャンバー内に配置することと、圧力を制御し、成長温度に加熱することと、1400℃超の温度で、及び600乃至1100barの不活性ガス圧力で、前記基材の表面上にグラフェンを成長させることとを含み、前記加熱は、少なくとも第1加熱段階及び第2加熱段階で行われ、前記第1加熱段階は少なくとも1200℃の温度まで第1加熱速度で行われ、前記第2加熱段階は前記第1加熱段階の後に、且つ前記第1加熱速度よりも速い第2加熱速度で行われる方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記第1加熱速度は、20乃至30℃/分であり、好ましくは、20乃至25℃/分である方法。
- 請求項1又は2に記載の方法であって、前記第2加熱速度は25乃至35℃/分であり、好ましくは28乃至32℃/分である方法。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法であって、前記加熱は、前記第2加熱段階の後に第3加熱段階を更に含み、前記第3加熱段階は、前記第2加熱速度よりも速い第3加熱速度で行われる方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記第3加熱速度は、30乃至40℃/分であり、好ましくは、32乃至37℃/分である方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法であって、前記第1加熱速度での加熱の後、且つ前記第2加熱速度での加熱の前に、前記反応チャンバーに不活性ガスが導入される方法。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、本質的に等温条件下で行われる方法。
- 請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法であって、前記第1加熱段階は、真空中で行われる方法。
- 請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法であって、前記第2加熱段階は、不活性ガス雰囲気で行われる方法。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載の方法であって、前記炭化ケイ素基材の表面は、ケイ素終端表面である方法。
- 請求項1乃至10の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、少なくとも1650℃の温度で行われる方法。
- 請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、少なくとも1900℃の温度で行われる方法。
- 請求項1乃至12の何れか1項に記載のプロセスであって、前記基材は、グラファイトるつぼ内に配置される方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記基材の作用表面は、グラフェンの成長の間、前記るつぼの底面から離れて、且つ該底面と向かい合って配置される方法。
- 請求項1乃至14の何れか1項に記載の方法であって、前記るつぼは、前記グラフェンの成長の間、閉じられている方法。
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