JP2013516749A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013516749A5
JP2013516749A5 JP2012546412A JP2012546412A JP2013516749A5 JP 2013516749 A5 JP2013516749 A5 JP 2013516749A5 JP 2012546412 A JP2012546412 A JP 2012546412A JP 2012546412 A JP2012546412 A JP 2012546412A JP 2013516749 A5 JP2013516749 A5 JP 2013516749A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate layer
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
layer
active zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012546412A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013516749A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102009060749.8A external-priority patent/DE102009060749B4/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2013516749A publication Critical patent/JP2013516749A/ja
Publication of JP2013516749A5 publication Critical patent/JP2013516749A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2012546412A 2009-12-30 2010-12-20 オプトエレクトロニクス半導体チップおよびＡｌＧａＮをベースとする中間層の使用 Pending JP2013516749A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009060749.8 2009-12-30
DE102009060749.8A DE102009060749B4 (de) 2009-12-30 2009-12-30 Optoelektronischer Halbleiterchip
PCT/EP2010/070274 WO2011080144A2 (de) 2009-12-30 2010-12-20 Optoelektronischer halbleiterchip und verwendung einer auf algan basierenden zwischenschicht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013516749A JP2013516749A (ja) 2013-05-13
JP2013516749A5 true JP2013516749A5 (enExample) 2013-10-10

Family

ID=43640034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012546412A Pending JP2013516749A (ja) 2009-12-30 2010-12-20 オプトエレクトロニクス半導体チップおよびＡｌＧａＮをベースとする中間層の使用

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8592840B2 (enExample)
EP (1) EP2519979B1 (enExample)
JP (1) JP2013516749A (enExample)
KR (1) KR101759273B1 (enExample)
CN (1) CN102687289B (enExample)
DE (1) DE102009060749B4 (enExample)
TW (1) TWI442600B (enExample)
WO (1) WO2011080144A2 (enExample)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9419182B2 (en) 2012-01-05 2016-08-16 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods
CN108615725A (zh) 2012-07-11 2018-10-02 亮锐控股有限公司 降低或者消除ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷
DE102012111245A1 (de) * 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013104192A1 (de) 2013-04-25 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit einer Zwischenschicht
DE102018126936A1 (de) * 2018-10-29 2020-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121638A (en) * 1995-09-12 2000-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layer structured nitride-based semiconductor devices
US5903017A (en) * 1996-02-26 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN
DE69835216T2 (de) * 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
JP4166885B2 (ja) * 1998-05-18 2008-10-15 富士通株式会社 光半導体装置およびその製造方法
JP3786544B2 (ja) * 1999-06-10 2006-06-14 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
DE10042947A1 (de) * 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6504183B1 (en) 2000-09-08 2003-01-07 United Epitaxy Company Epitaxial growth of nitride semiconductor device
DE10056475B4 (de) * 2000-11-15 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US6828596B2 (en) * 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
KR100580623B1 (ko) * 2003-08-04 2006-05-16 삼성전자주식회사 초격자 구조의 반도체층을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
WO2005036658A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-21 Showa Denko K.K. Group-iii nitride semiconductor device
JP4423969B2 (ja) * 2003-12-25 2010-03-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子
KR101386192B1 (ko) 2004-01-26 2014-04-17 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 전류 분산 구조물을 갖는 박막 ｌｅｄ
DE102005003460A1 (de) * 2004-01-26 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Stromaufweitungsstruktur
WO2005106972A1 (de) * 2004-04-29 2005-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
JP2007201195A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JPWO2007129773A1 (ja) 2006-05-10 2009-09-17 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体
EP1883141B1 (de) 2006-07-27 2017-05-24 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht
DE102006046237A1 (de) * 2006-07-27 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter
DE102007046027A1 (de) 2007-09-26 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Mehrfachquantentopfstruktur
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
DE102007057241A1 (de) 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtenstapels auf einem kristallinen Substrat und Anordnung umfassend einen auf einem Substrat angeordneten Schichtenstapel
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008032318A1 (de) 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen
KR101055090B1 (ko) * 2009-03-02 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013516749A5 (enExample)
JP2011505070A (ja) 電流拡散層を有するｌｅｄ
JP2010525585A5 (enExample)
EP2736130A3 (en) Nitride semiconductor laser element
JP5799354B2 (ja) Ｇａ２Ｏ３系半導体素子
JP2001036134A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体超格子をベースとした単極発光装置
JP2014131019A5 (enExample)
JP2010541223A5 (enExample)
JP2014067893A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
TW201029236A (en) Semiconductor light-emitting device
CN102623595B (zh) 一种发光二极管外延材料结构
JP2013516751A5 (enExample)
JP2017201655A (ja) 深紫外発光素子および深紫外発光素子の製造方法
CN101390224A (zh) 氮化物半导体元件
EP2533309A3 (en) Light emitting diode with a multi-layer contact structure
JP2012231000A (ja) 半導体発光装置
WO2008084834A1 (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
CN102725870A (zh) 发光二极管、发光二极管灯和照明装置
JP5148885B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP6136624B2 (ja) 発光素子
TW201135976A (en) Optoelectronic semiconductor chip and use of an AlGaN-based interlayer
CN102007611B (zh) 氮化物系半导体元件及其制造方法
US11114588B2 (en) Semiconductor light emitting element
JP2017152543A (ja) 光スイッチング素子
JP2015084453A5 (enExample)