JP2017201655A - 深紫外発光素子および深紫外発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図10および図11は、変形例に係る深紫外発光素子10の製造工程を概略的に示す断面図であり、上述の図7および図8の工程に対応する。本変形例では、マスク層46の上にn型半導体材料の層48を形成するのではなく、n型クラッド層18の上面18aにn型半導体材料の層58を形成してからマスク層56を設ける点で上述の実施の形態と異なる。
上述の実施の形態では、ベース基板12をレーザリフトオフにより除去し、n型クラッド層18の上に残る第1ベース層14および第2ベース層16を除去した後に、n型クラッド層18を露出させてからn型コンタクト層34を形成する場合を示した。変形例においては、レーザリフトオフにより露出する第1ベース層14または第2ベース層16の上にn型コンタクト層34を形成してもよい。つまり、n型AlGaN系半導体材料(n型クラッド層18)の上に設けられるu−AlGaN層またはAlN層の上にn型コンタクト層34を形成してもよい。この場合であっても、u−AlGaN層またはAlN層の直上にn側電極36を形成する場合と比べてn側電極36の接触抵抗を下げることができる。
上述の実施の形態では、ベース基板12、第1ベース層14および第2ベース層16の積層構造上にn型クラッド層18を含む積層体50を形成する場合を示した。変形例においては、異なる材料の成長基板上にn型クラッド層18を含む積層体50を形成してもよい。例えば、第2ベース層16を省略し、AlN層である第1ベース層14の上にn型クラッド層18を形成してもよい。また、サファイア基板とは異なる材料の成長基板の上にAlN層を形成し、その上に第2ベース層16およびn型クラッド層18、または、n型クラッド層18を形成してもよい。
変形例においては、p型クラッド層24にp型のAlGaN系半導体材料で構成される超格子構造が形成されてもよい。超格子構造は、例えば、AlNモル比率が相対的に大きいAlGaN層と小さいAlGaN層を積層させることにより形成できる。具体的には、AlNモル比率が60%のAlGaN層と、AlNモル比率が40%のAlGaN層を積層させることで形成される。
Claims (10)
- 支持基板上に設けられるp型AlGaN系半導体材料またはp型AlN系半導体材料の電子ブロック層と、
前記電子ブロック層上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、
前記活性層上に設けられるn型AlGaN系半導体材料のn型クラッド層と、
前記n型クラッド層上の一部領域に設けられ、窒化ガリウム(GaN)を含むn型半導体材料のn型コンタクト層と、
前記n型コンタクト層上に形成されるn側電極と、を備え、
前記n型コンタクト層は、前記n型クラッド層よりもバンドギャップが小さいことを特徴とする深紫外発光素子。 - 前記n型コンタクト層は、前記n型クラッド層よりも窒化アルミニウム(AlN)の含有率が低いことを特徴とする請求項1に記載の深紫外発光素子。
- 前記n型クラッド層は、前記活性層が発する深紫外光の波長よりも大きいバンドギャップを有し、
前記n型コンタクト層は、前記活性層が発する深紫外光の波長よりも小さいバンドギャップを有することを特徴とする請求項1または2に記載の深紫外発光素子。 - 前記n型クラッド層は、4.3eV以上のバンドギャップを有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の深紫外発光素子。
- ベース基板上に、n型AlGaN系半導体材料のn型クラッド層と、AlGaN系半導体材料の活性層と、p型AlGaN系半導体材料またはp型AlN系半導体材料の電子ブロック層とを順に積層させた積層体を形成するステップと、
前記積層体から前記ベース基板を除去するステップと、
前記ベース基板の除去により露出する前記n型クラッド層上の一部領域にGaNを含むn型半導体材料のn型コンタクト層を形成するステップと、
前記n型コンタクト層上にn側電極を形成するステップと、を備え、
前記n型コンタクト層は、前記n型クラッド層よりもバンドギャップが小さいことを特徴とする深紫外発光素子の製造方法。 - 前記n型コンタクト層を形成するステップは、前記ベース基板の除去により露出する前記n型クラッド層上の前記一部領域を避けてマスクを形成するステップと、前記マスクの上から前記n型半導体材料の層を形成するステップと、前記マスクを除去して前記n型クラッド層上に開口領域を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項5に記載の深紫外発光素子の製造方法。
- 前記n型コンタクト層を形成するステップは、前記ベース基板の除去により露出する前記n型クラッド層上に前記n型半導体材料の層を形成するステップと、前記n型半導体材料の層の一部を除去して前記n型クラッド層上に開口領域を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項5に記載の深紫外発光素子の製造方法。
- 前記n型コンタクト層上の開口領域にテクスチャ構造を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の深紫外発光素子の製造方法。
- 前記ベース基板は、レーザリフトオフにより前記積層体から除去されることを特徴とする請求項5から8のいずれか一項に記載の深紫外発光素子の製造方法。
- 前記積層体を形成するステップは、前記ベース基板と前記n型クラッド層の間に窒化アルミニウム(AlN)を含むベース層を形成するステップを含み、
前記ベース基板を除去するステップは、前記ベース層の少なくとも一部を除去して前記n型クラッド層を露出させるステップを含むことを特徴とする請求項5から9のいずれか一項に記載の深紫外発光素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169680A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
US11923401B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
US11923398B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
JP7450122B2 (ja) | 2020-11-12 | 2024-03-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | エッチング停止層を有するiii族-窒化物マルチ波長ledアレイ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6431013B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-11-28 | シャープ株式会社 | 窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子 |
CN110993750B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-04-09 | 深圳第三代半导体研究院 | 垂直型发光二极管及其制造方法 |
KR102381519B1 (ko) * | 2020-06-05 | 2022-04-04 | 웨이브로드 주식회사 | 자외선 발광 반도체 소자 |
CN112652691A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-13 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管及其制造方法 |
CN114093989B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-11-14 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制造方法 |
Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006038665A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006245162A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Osaka Gas Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2006104063A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Tokyo Institute Of Technology | 窒化物系深紫外発光素子およびその製造方法 |
JP2006278554A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Institute Of Technology | AlGaN系深紫外発光素子およびその製造方法 |
KR20060131325A (ko) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 질화규소(SiN)층을 이용한 발광 다이오드 제조방법 |
CN101212011A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
JP2008171941A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Ngk Insulators Ltd | 発光素子 |
JP2009123754A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2009267418A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法 |
JP2010507262A (ja) * | 2006-10-18 | 2010-03-04 | ナイテック インコーポレイテッド | 垂直深紫外線発光ダイオード |
JP2010161311A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
JP2012028547A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2012089754A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Uv Craftory Co Ltd | 窒化物半導体紫外線発光素子 |
JP2012522388A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | 西安▲電▼子科技大学 | 紫外光発光ダイオード装置及びその製造方法 |
CN103730545A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-16 | 广州有色金属研究院 | 一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法 |
US20140170792A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Forming thin film vertical light emitting diodes |
WO2014123092A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
US20150048379A1 (en) * | 2012-01-09 | 2015-02-19 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode and Manufacturing Method Therefor |
WO2016004374A1 (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Trustees Of Boston University | Ultraviolet light emitting diodes |
US20160072015A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Vertical ultraviolet light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2016066691A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005090515A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Meijo University | 蛍光体および発光ダイオード |
JP5056799B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-10-24 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5725927B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-05-27 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード及びその製造方法 |
WO2012127660A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子 |
JP2017050439A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 豊田合成株式会社 | 紫外発光素子およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-05-02 JP JP2016092617A patent/JP6730082B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-05 KR KR1020187031727A patent/KR102112944B1/ko active IP Right Grant
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- 2017-04-14 TW TW106112671A patent/TWI711186B/zh active
-
2018
- 2018-11-01 US US16/177,945 patent/US20190074403A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-03-06 US US16/811,423 patent/US11563139B2/en active Active
Patent Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006038665A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006245162A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Osaka Gas Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2006104063A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Tokyo Institute Of Technology | 窒化物系深紫外発光素子およびその製造方法 |
JP2006278554A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Institute Of Technology | AlGaN系深紫外発光素子およびその製造方法 |
KR20060131325A (ko) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 질화규소(SiN)층을 이용한 발광 다이오드 제조방법 |
JP2010507262A (ja) * | 2006-10-18 | 2010-03-04 | ナイテック インコーポレイテッド | 垂直深紫外線発光ダイオード |
CN101212011A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
JP2008171941A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Ngk Insulators Ltd | 発光素子 |
JP2009123754A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2009267418A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法 |
JP2010161311A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012522388A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | 西安▲電▼子科技大学 | 紫外光発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
JP2012028547A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2012089754A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Uv Craftory Co Ltd | 窒化物半導体紫外線発光素子 |
US20150048379A1 (en) * | 2012-01-09 | 2015-02-19 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode and Manufacturing Method Therefor |
US20140170792A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Forming thin film vertical light emitting diodes |
WO2014123092A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
CN103730545A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-16 | 广州有色金属研究院 | 一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法 |
WO2016004374A1 (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Trustees Of Boston University | Ultraviolet light emitting diodes |
US20160072015A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Vertical ultraviolet light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2016066691A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169680A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
CN110364597A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 丰田合成株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
US11923401B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
US11923398B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
JP7450122B2 (ja) | 2020-11-12 | 2024-03-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | エッチング停止層を有するiii族-窒化物マルチ波長ledアレイ |
US11961941B2 (en) | 2020-11-12 | 2024-04-16 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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