JP2013236546A

JP2013236546A - 受電装置

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Publication number: JP2013236546A
Application number: JP2013176400A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Shionoiri; 豊塩野入; Jun Koyama; 潤小山; Yoshimoto Kurokawa; 義元黒川; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Takayuki Ikeda; 隆之池田; Takeshi Nagata; 剛長多; Tomoaki Atami; 知昭熱海; Masahito Ishii; 将人石井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2006-03-15
Filing date: 2013-08-28
Publication date: 2013-11-21
Also published as: US8712481B2; KR101433306B1; JP6031546B2; KR20080113237A; US20100289331A1; CN101385218A; HK1184915A1; JP2017153367A; JP2012019689A; JP2016146743A; TWI422117B; TW200818660A; WO2007105663A1; JP2015109805A; CN103078368A; US20070216348A1; CN103078368B; JP6298200B2

Abstract

【課題】移動型の電子機器において、バッテリーへの充電をする際に給電手段である給電
器からの充電を簡便にし、かつバッテリーと給電器を直接接続するために生じる外部端子
の外的要因に伴う故障、または外部端子そのものの破損の可能性のない受電装置並びに当
該受電装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】移動型電子機器に電力を供給するためのアンテナ回路及びブースターアンテ
ナを設ける。そしてブースターアンテナを介して当該アンテナ回路が電磁波等の無線信号
を受信し、当該無線信号を受信することで得られる電力が信号処理回路を介してバッテリ
ーに供給され、充電が行われる。
【選択図】図１

Description

本発明は受電装置に関する。特に、電波を介した電力の受信を行う受電装置に関する。更
に、電波を介した電力の受信を行うためのアンテナを具備する受電装置及び当該受電装置
に電波により電力を供給するためのアンテナを具備する給電器を用いた電力供給システム
に関する。

なお、本明細書でいう受電装置とは、外部に設置された電力供給装置より、無線信号によ
る電力の供給をうける装置全般を指すものとする。

様々な電化製品の普及が進み、多種多様な製品が市場に出荷されている。特に近年、携帯
型の電子機器の普及は顕著である。一例として、携帯電話、デジタルビデオカメラ等は、
表示部の高精細化並びに電池の耐久性及び低消費電力化が向上し、利便性に富んだものと
なってきている。携帯型の電子機器を駆動するための電源としては、充電手段であるバッ
テリーを内蔵している。バッテリーとしてリチウムイオン電池等の２次電池（以下、バッ
テリーという）が用いられており、バッテリーの充電には、給電手段である家庭用交流電
源にコンセントを挿入したＡＣアダプターより行われているのが現状である（特許文献１
を参照）。

なお、バッテリーを具備する電子機器をしては、移動手段である自転車、自動車（電気自
動車、または４輪車、２輪車を問わず電力より推進する移動手段を含む）等も含まれる。
そのため本明細書においては、バッテリーを具備する携帯型の電子機器及び移動手段を総
称して、移動型電子機器（移動機）と呼称する。

特開２００５−１５００２２号公報

しかしながら、携帯電話、デジタルビデオカメラ等の移動型電子機器の使用頻度は増加の
一途をたどり、使用時間に対応するための電池の耐久性及び低消費電力化の向上には限界
がある。さらには、携帯電話、デジタルビデオカメラ等に内蔵された電源であるバッテリ
ーの充電には、家庭用交流電源を介したＡＣアダプターによる充電器からの充電または市
販の一次電池からの充電の他に方法が無かった。そのため、使用者にとって充電の作業は
煩雑であり、給電手段であるＡＣアダプターまたは一次電池そのものをもって屋外を移動
する必要があり負担になるといった課題があった。

また、移動型電子機器である自動車においては、燃焼機関によるバッテリーの充電が行わ
れるが、燃焼機関を始動させるにはバッテリーに充電された電力によるプラグ点火が必要
となる。そのため、一定期間自動車の使用をしないことによる所謂バッテリー上がりの際
には、プラグ点火することができず、燃焼機関の始動を行うには、有線による外部からの
直接的な電力供給を行う必要があり、安全性・利便性の面で課題があった。

さらには、家庭用交流電源からのＡＣアダプターによる充電または市販の一次電池からの
充電においては、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける
必要があった。そのため、外部端子が剥き出しになる構成、若しくは保護部を介して外部
端子が剥き出しになる構成となっていた。そのため外部端子の破損や外部端子の不良に伴
う故障が起こってしまうといった課題があった。

そこで本発明は、移動型電子機器において、充電手段であるバッテリーに対する給電手段
である給電器からの充電を簡便にし、かつバッテリーと給電手段を直接接続するための外
部端子の外的要因に伴う故障、または外部端子そのものの破損の可能性のない受電装置及
び当該受電装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。

上述の諸問題を解決するため、本発明は移動型電子機器に電力を供給するためのアンテナ
回路を設けることを特徴とする。そして本発明は、当該アンテナ回路に電磁波等の無線信
号による電力の供給をし、当該無線信号について信号処理回路を介してバッテリーに電力
として供給し充電することを特徴とする。以下、本発明の具体的な構成について示す。

本発明の一は、アンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と、バッテリーと
、を有し、アンテナ回路は、ブースターアンテナを介して、無線信号を受信し、無線信号
が、信号処理回路を介してバッテリーに入力され、バッテリーの充電が行われる構成とす
る。

また別の構成の本発明の一は、アンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と
、バッテリーと、を有し、アンテナ回路は、ブースターアンテナを介して、給電器から供
給される無線信号を受信し、無線信号が、信号処理回路を介してバッテリーに入力され、
バッテリーの充電が行われる構成とする。

また本発明におけるバッテリーは、信号処理回路が有する電源回路に電力を供給するもの
でであってもよい。

また本発明におけるアンテナ回路は、電磁誘導方式により無線信号を受信するものであっ
てもよい。

また本発明におけるバッテリーはリチウム電池、リチウムポリマー電池、リチウムイオン
電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニ
ッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池または、コンデンサーでであってもよい。

また本発明は、受電装置を備えた電子機器であってもよい。

また本発明における電子機器は、携帯電話、ノート型コンピュータ、デジタルカメラ、携
帯型画像再生装置、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末、テレビ受像器、自動車、また
は自転車のいずれかであってもよい。

本発明の受電装置は、アンテナ回路を有することを特徴とする。そのため、移動型電子機
器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外部端子の破損や
外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信号による給電を
行うことができる。加えて、充電装置であるバッテリーを有する移動型電子機器に対し、
給電を行う給電手段が無線信号により給電を行うことにより、充電器や充電のための一次
電池を携帯することなく、常に充電を行うことが可能になる。

実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。実施の形態２の受電装置の構成を示す図。実施の形態２の受電装置の構成を示す図。実施の形態２の受電装置の構成を示す図。実施の形態２の受電装置の構成を示す図。実施の形態３の受電装置の構成を示す図。実施の形態３の受電装置の構成を示す図。実施の形態３の受電装置の構成を示す図。実施の形態３の受電装置の構成を示す図。実施の形態３の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を示す図。実施の形態４の受電装置の構成を説明する図。実施例の形態について示す図。実施例の形態について示す図。実施例の形態について示す図。実施例の形態について示す図。実施の形態１の受電装置の構成を示す図。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本
発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
（実施の形態１）

本発明の受電装置を具備する移動型電子機器の構成について、図１、図２に示すブロック
図を用いて説明する。

図１の移動型電子機器１００は、受電装置部１０１、電源負荷部１０５を具備する。受電
装置部１０１は、アンテナ回路１０２、信号処理回路１０３、及びバッテリー１０４によ
って構成されている。信号処理回路１０３は、整流回路１０６、電源回路１０８によって
構成される。

なお図１における電源回路１０８は、電源負荷部１０５に電力を供給するが、電源負荷部
１０５の構成は移動型電子機器毎に異なるため、本実施の形態においては、携帯電話やデ
ジタルビデオカメラにおける構成を想定して説明する。よって電源回路１０８は、表示部
１０９と集積回路部１１０に電源を供給する。なお集積回路部１１０は表示部以外の信号
を処理する回路部であり、移動型電子機器毎に異なる構成を有するため本明細書では詳し
い説明については割愛する。表示部１０９は画素部１１１と画素部１１１を制御するため
の表示制御部１１２を有する。表示制御部１１２は信号処理回路１０３と電気的に接続さ
れる。勿論、表示部１０９における画素に設けられる表示素子については、種類を問わず
エレクトロルミネッセンス素子や液晶素子等を用いればよく、移動型電子機器の用途等に
応じて適宜選択される。

また、図２には、アンテナ回路１０２が給電器２０１からの信号を受信するブロック図に
ついて示す。図２において、アンテナ回路１０２で受信した電力は整流回路１０６を介し
てバッテリー１０４に入力され、バッテリー１０４より適宜電源回路１０８に電力が供給
される。

なおアンテナ回路１０２におけるアンテナの形状については、特に限定されない。例えば
図３（Ａ）のように信号処理回路１０３の周りに一面のアンテナ回路１０２を配した構造
を取っても良い。また、図３（Ｂ）のように、環状に形成されたアンテナ回路１０２に重
畳するように信号処理回路１０３を配した構造をとってもよい。また、図３（Ｃ）のよう
に信号処理回路１０３を配し、高周波数の電磁波を受信するためのアンテナ回路１０２の
形状をとってもよい。また、図３（Ｄ）にように信号処理回路１０３を配し、１８０度無
指向性（どの方向からでも同じく受信可能）なアンテナ回路１０２での形状をとってもよ
い。また、図３（Ｅ）のように、信号処理回路１０３を配し、棒状に長く伸ばし、折り返
す形状のアンテナ回路１０２の形状をとってもよい。また、図示しないがパッチアンテナ
であってもよい。また、信号処理回路１０３とアンテナ回路１０２におけるアンテナの接
続については特に図示した構成には限定されない。例えばアンテナ回路１０２と信号処理
回路１０３を離して配置し、配線により接続されていてもよいし、近接して接続されてい
てもよい。本実施の形態においてはアンテナ回路１０２の形状について、図３（Ｂ）の形
状を採用し、電磁波をアンテナ回路で受信し、電磁誘導により電力を得るものとして説明
する。また、アンテナ回路１０２は、図４（Ａ）に示すようにアンテナ４０１、共振容量
４０２によって構成されるものとして説明し、アンテナ４０１及び共振容量４０２を併せ
てアンテナ回路４０３ということにする。

また、整流回路１０６は、アンテナ回路１０２が受信する電磁波により誘導される交流信
号を直流信号に変換する回路であればよい。例えば、図４（Ｂ）に示すように、ダイオー
ド４０４、ダイオード４０５、平滑容量４０６によって整流回路４０７を構成すればよい
。

なお、図２における給電器２０１について、図５を用いて説明する。図５における給電器
６００は、送電制御部６０１、アンテナ回路６０２によって構成されている。送電制御部
６０１は、移動型電子機器における受電装置部１０１に送信する送電用の電気信号を変調
し、アンテナ回路６０２から送電用の電磁波を出力する。

本実施の形態において、図５に示す給電器６００のアンテナ回路６０２は、受電装置部１
０１におけるアンテナ回路１０２と同様に、送電制御部６０１に接続され、ＬＣ並列共振
回路を構成するアンテナ６０３及び共振容量６０４を有する。送電制御部６０１は、送電
時にアンテナ回路６０２に電流が流れ、アンテナ６０３より受電装置部１０１に送電用の
電磁波を出力する。

なお、上述したように本実施の形態においては、アンテナ回路におけるアンテナの形状に
伴い、アンテナ回路１０２回路が受信するための無線信号は、電磁誘導方式により信号の
交信を行う。そのため、図１及び図２における受電装置部１０１は、コイル状のアンテナ
回路１０２を有する構成となる。例えば図６に、受電装置部を有する移動型電子機器にお
けるアンテナ回路の位置関係並びにアンテナの形状について示す。図６では、受電装置部
におけるアンテナ回路が、給電器のアンテナからの送電用の電磁波を受信する構成につい
て示す。

図６において、送電制御部７０３に接続された給電器のアンテナ回路７０４に接続された
コイル状のアンテナ７０５と受電装置部７００のアンテナ回路７０２を近づけると、給電
器におけるアンテナ回路７０４のコイル状のアンテナ７０５から交流磁界が発生する。交
流磁界が受電装置部７００内のアンテナ回路７０２を貫き、電磁誘導により受電装置部７
００内のアンテナ回路７０２の端子間（アンテナの一端と他端の間）に起電力が発生する
。当該起電力により受電装置部７００内のバッテリーに充電することができる。なお、図
７に示すように、受電装置部７００におけるアンテナ回路７０２は、重畳的に存在する場
合であっても、交流磁界内に複数存在する場合であっても給電器からの充電を行うことが
できる。

なお、アンテナ回路１０２に給電器２０１より送電される信号の周波数は、例えばサブミ
リ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ
波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である
３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ＫＨｚ
〜３ＭＨｚ、長波である３０ＫＨｚ〜３００ＫＨｚ、及び超長波である３ＫＨｚ〜３０Ｋ
Ｈｚのいずれの周波数も用いることができる。

図１、図２における電源回路の例について図８を用いて説明する。電源回路は基準電圧
回路とバッファアンプで構成される。基準電圧回路は抵抗１００１、ダイオード接続のト
ランジスタ１００２、１００３によって構成され、トランジスタ１００２のＶ_ＧＳ（ゲー
トとソースの間の電圧）及びトランジスタ１００３のＶ_ＧＳの合計にあたる基準電圧を発
生させる。バッファアンプはトランジスタ１００５、１００６で構成される差動回路、ト
ランジスタ１００７、１００８によって構成されるカレントミラー回路、電流供給用抵抗
１００４、トランジスタ１００９、抵抗１０１０によって構成されるソース接地アンプよ
り構成される。

図８に示す電源回路において、出力端子より流れる電流が大きいときはトランジスタ１
００９に流れる電流が少なくなり、また、出力端子より流れる電流が小さいときはトラン
ジスタ１００９に流れる電流が多くなり、抵抗１０１０に流れる電流はほぼ一定となるよ
うに動作する。また出力端子の電位は基準電圧回路とほぼ同じ値となる。ここでは基準電
圧回路とバッファアンプを有する電源回路を示したが、本発明に用いる電源回路は図８に
限定されず、他の形式の電源回路であっても良い。

なお、本明細書において、バッテリーとは、充電することで連続使用時間を回復すること
ができる電池のことをいう。なおバッテリーとしては、その用途により異なるが、シート
状に形成された電池を用いることが好ましく、例えばリチウム電池、好ましくはゲル状電
解質を用いるリチウムポリマー電池や、リチウムイオン電池等を用いることで、小型化が
可能である。勿論、充電可能な電池であればなんでもよく、ニッケル水素電池、ニカド電
池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などの
充電放電可能な電池であってもよいし、また大容量のコンデンサーなどを用いても良い。

次に、図１、図２に示す移動型電子機器１００に、給電器２０１より無線信号で電力を
充電する際の動作を以下に説明する。アンテナ回路で受信した無線信号は、整流回路１０
６により、半波整流され、そして平滑化される。整流回路１０６により半波整流、平滑化
された電圧は、バッテリー１０４に一旦保持される。バッテリー１０４に保持された電力
は、電源回路１０８に供給する電力として用いられる。

なお、本実施の形態において、バッテリーに蓄電される電力は、給電器２０１より出力さ
れる無線信号に限らずに、別途移動型電子機器の一部に発電素子を設け補う構成としても
よい。図２９に発電素子を設けた構成について示す。図２９における構成は図１と異なる
点としてバッテリーに電力を供給するための発電素子８５１を設ける点にある。発電素子
８５１を設ける構成とすることによって、バッテリー１０４に蓄電される電力の供給量を
増やし、また充電速度を速めることができるため好適である。なお、図２９における発電
素子８５１としては、例えば太陽電池を用いた発電素子であってもよいし、圧電素子を用
いた発電素子であってもよいし、微小構造体（ＭＥＭＳ：ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏ
ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍ）を用いた発電素子であってもよい。勿論、発電素
子からの電力の供給の代わりに自動車のエンジン等の燃焼機関の動力による発電機からの
電力の供給であってもよい。受電用アンテナと発電機との両方を設けることによって、バ
ッテリーに蓄電される電力の供給量を増やし、また充電速度を速めることができるため好
適である。また、図２９における発電素子の構成は、前述の列挙した構成に限定されない
ことを付記する。

次にバッテリー１０４より電源回路１０８に供給された電力は、図１、図２に示す構成に
おいて電源負荷部１０５における表示部１０９の画素部１１１、表示制御部１１２及び集
積回路部１１０に供給される。そして、移動型電子機器を動作させることができる。

以上のように、本発明の受電装置は、アンテナ回路を有することを特徴とする。そのため
、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外
部端子の破損や外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信
号による給電を行うことができる。加えて、充電装置であるバッテリーを有する移動型電
子機器に対し、給電を行う給電手段が無線により給電を行うことにより、無線の受信状況
が良好であれば、充電器や充電のための一次電池を携帯することなく、常に充電を行うこ
とが可能になる。

なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態の記載と組み合わせて実施するこ
とが可能である。
（実施の形態２）

本実施の形態では、上記実施の形態１で示した受電装置を具備する移動型電子機器の構
成において、ブースターアンテナ回路（以下、ブースターアンテナという）を有する構成
に関して、図面を参照して説明する。なお、本実施の形態において使用する図面に関し、
実施の形態１と同じ部分は同じ符号を用いて示す。

なお、本実施の形態において述べるブースターアンテナとは、受電装置に設けられた給電
器からの信号を受信するアンテナよりも、サイズの大きいアンテナのことをいう。ブース
ターアンテナは、使用する周波数帯域で、給電器からの信号を共振させ、受電装置に設け
られたアンテナ回路と、ブースターアンテナとを磁界結合させることで、給電器より供給
された信号を、効率よく目的の受電装置へ伝達させることができるものをいう。ブースタ
ーアンテナは磁界を介してアンテナ回路と結合しているため、直接アンテナ回路及び信号
処理回路とは接続する必要が無いため好適である。

本実施の形態における受電装置を具備する移動型電子機器の構成について、図９、図１０
に示すブロック図を用いて説明する。

図９の移動型電子機器１００は、受電装置部１０１、電源負荷部１０５を具備する。受電
装置部は、アンテナ回路１０２Ａ、ブースターアンテナ１０２Ｂ、信号処理回路１０３、
及びバッテリー１０４によって構成されている。信号処理回路１０３は、整流回路１０６
、電源回路１０８によって構成される。

なお図９における電源回路１０８は、電源負荷部１０５に電力を供給するが、電源負荷部
１０５の構成は移動型電子機器毎に異なるため、本実施の形態においては、自動車（自動
二輪車等を含む）における構成を想定して説明する。よって電源回路１０８は、駆動部９
０９と周辺動力部９１０に電源を供給する。なお周辺動力部９１０は駆動部以外の信号を
処理する回路部であり、移動型電子機器である自動車毎に異なる構成を有するため本明細
書では詳しい説明については割愛する。駆動部９０９は燃焼機関部９１１と燃焼機関部９
１１を制御するための駆動制御部９１２を有する。燃焼機関部９１１は、始動するための
点火プラグを含んでいる。この点火プラグは信号処理回路１０３と電気的に接続される。

また、図１０には、アンテナ回路１０２Ａが給電器２０１からの無線信号を受信するブロ
ック図について示す。図１０において、給電器からの無線信号をブースターアンテナ１０
２Ｂが受信し電磁誘導を起こすことに伴うアンテナ回路１０２Ａとの磁界結合により、ア
ンテナ回路１０２Ａで受信した電力は整流回路１０６を介してバッテリー１０４に入力さ
れ、バッテリー１０４より適宜電源回路１０８に電力が供給される。図１０の構成により
、給電器２０１と受電装置部１０１間の無線信号による電力の送電についての距離を伸ば
すことができるため好適である。

なお、アンテナ回路１０２Ａ及びブースターアンテナ１０２Ｂにおけるアンテナの形状に
ついては、特に限定されない。例えば実施の形態１で説明した図３の形状のアンテナを採
用することができる。但し、ブースターアンテナはその機能上、磁界結合するアンテナ回
路より大きな形状のアンテナを採用することが好ましい。また、アンテナ回路１０２Ａ及
びブースターアンテナ１０２Ｂは、実施の形態１で説明した図４（Ａ）の如く、アンテナ
４０１、共振容量４０２によって構成されるものとして説明し、アンテナ４０１及び共振
容量４０２を併せてアンテナ回路４０３ということにする。

また、図９、図１０における整流回路１０６は、実施の形態１で示したのと同様であり、
図４（Ｂ）に示すように、ダイオード４０４、ダイオード４０５、平滑容量４０６によっ
て整流回路４０７を構成すればよい。

なお、図９、図１０における給電器２０１は、実施の形態１で示したものと同様であり、
図５に示す構成をとればよい。

また、本実施の形態においては、アンテナ回路１０２Ａ、ブースターアンテナ１０２Ｂが
受信するための無線信号は、電磁誘導方式により信号の交信を行う。そのため、図９及び
図１０における受電装置部１０１は、コイル状のアンテナ回路１０２Ａ、ブースターアン
テナ１０２Ｂを有する構成となる。例えば図１１に、アンテナ回路及びブースターアンテ
ナを有する受電装置部と給電器との位置関係並びにアンテナの形状について示す。図１１
において、受電装置部におけるブースターアンテナが給電器からの無線信号を受信し、ア
ンテナ回路がブースターアンテナからの磁界結合による電磁波を受信する構成について示
す。

図１１において、送電制御部７０３に接続された給電器のアンテナ回路７０４に接続され
たコイル状のアンテナ７０５と受電装置部１６００のブースターアンテナ１６０２を近づ
けると、給電器におけるアンテナ回路７０４のコイル状のアンテナ７０５から交流磁界が
発生する。交流磁界が受電装置部１６００内のコイル状のブースターアンテナ１６０２を
貫き、電磁誘導により受電装置部１６００内のコイル状のブースターアンテナ１６０２の
端子間（アンテナの一端と他端の間）に起電力が発生する。コイル状のブースターアンテ
ナ１６０２において電磁誘導による起電力が発生すると共にコイル状のブースターコイル
自体から交流磁界が発生する。そして、ブースターアンテナ１６０２から発生する交流磁
界が受電装置部１６００内のアンテナ回路１６０３に接続されたコイル状のアンテナ１６
０１を貫き、電磁誘導により受電装置部１６００内のコイル状のアンテナ１６０１の端子
間（アンテナの一端と他端の間）に起電力が発生する。当該起電力により受電装置部１６
００内のバッテリーに充電することができる。

また図９及び図１０に示した受電装置部１０１は、実施の形態１における図７で示したよ
うに、受電装置部が重畳的に存在する場合であっても充電器からの充電を行うことができ
る。

なお、アンテナ回路１０２に給電器２０１より供給される信号の周波数は、実施の形態１
と同様であるためここでは省略する。

図９、図１０における電源回路１０８については、実施の形態１における図８で示した
例と同様であるため、ここでは省略する。

次に、図９、図１０に示す移動型電子機器１００のバッテリー１０４に、給電器２０１
からの無線信号により電力を充電する際の動作を以下に説明する。アンテナ回路１０２で
受信した信号は、整流回路１０６により、半波整流され、そして平滑化される。整流回路
１０６により半波整流、平滑化された電圧は、バッテリー１０４に一旦保持される。バッ
テリー１０４に保持された電力は、電源回路１０８に供給する電力として用いられる。

なお、本実施の形態において、バッテリーに蓄電される電力は、給電器２０１より出力さ
れる信号に限らずに、別に移動型電子機器の一部に発電素子を設け補う構成としてもよい
。図１２に発電素子を設けた構成について示す。図１２における構成は図９と異なる点と
してバッテリー１０４に電力を供給するための発電素子８５１を設ける点にある。発電素
子８５１を設ける構成とすることによって、バッテリー１０４に蓄電される電力の供給量
を増やし、また充電速度を速めることができるため好適である。

なお、図１２における発電素子８５１としては、例えば太陽電池を用いた発電素子であっ
てもよいし、圧電素子を用いた発電素子であってもよいし、微小構造体（ＭＥＭＳ：Ｍｉ
ｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍ）を用いた発電素子であ
ってもよい。勿論、発電素子からの電極供給の代わりに自動車のエンジン等の燃焼機関の
動力による発電機からの電力の供給であってもよい。受電用アンテナと発電機との両方を
設けることによって、バッテリーに蓄電される電力の供給量を増やし、また充電速度を速
めることができるため好適である。また、図１２における発電素子の構成は、前述の列挙
した構成に限定されないことを付記する。

次にバッテリー１０４より電源回路１０８に供給された電力は、図９、図１０に示す構成
において電源負荷部１０５における駆動部９０９の燃焼機関部９１１、駆動制御部９１２
及び周辺動力部９１０に供給される。燃焼機関部９１１は点火プラグを含む。この点火プ
ラグは電源回路１０８と電気的に接続される。バッテリー１０４に充電された電力による
点火プラグの点火によって燃焼機関の始動を行う。

以上のように、本発明の受電装置は、アンテナ回路を有することを特徴とする。そのため
、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外
部端子の破損や外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信
号による給電を行うことができる。

また、本実施の形態の構成においては、実施の形態１の構成に加えて、ブースターアンテ
ナを有することを特徴とする。そのため、給電器から受電装置への電力の供給をより確実
に行うことが可能となるといった利点を有する。

本実施の形態の構成は、受電装置である自動車等のバッテリーの充電の際に、無線による
給電を行うことができるため、バッテリー同士を有線で接続することがない。そのため、
受電装置である自動車等のバッテリーの充電について、安全性及び利便性を高めることが
できる。

なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態の記載と組み合わせて実施するこ
とが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した受電装置部の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施の形態においては、実施の形態１で述べた移動型電子機器
として携帯電話やデジタルビデオカメラを想定し、アンテナ回路、信号処理回路、及びバ
ッテリーを同じ基板上に設ける構成について説明する。なお、基板上に一度にアンテナ回
路、信号処理回路、及びバッテリーを形成し、信号処理回路を構成するトランジスタを薄
膜トランジスタとすることで、小型化を図ることができるため好適である。

なお、本実施の形態においては、上記実施の形態１、実施の形態２で述べたアンテナ回
路について、その形状及び取り付け位置について述べるに留まるため、単にアンテナと称
することにする。

まず、基板１３０１の一表面に絶縁膜１３０２を介して剥離層１３０３を形成し、続け
て下地膜として機能する絶縁膜１３０４と半導体膜１３０５（例えば、非晶質珪素を含む
膜）を積層して形成する（図１３（Ａ）参照）。なお、絶縁膜１３０２、剥離層１３０３
、絶縁膜１３０４および非晶質半導体膜１３０５は、連続して形成することができる。

基板１３０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板（例えばステンレス基板など）、セ
ラミック基板、Ｓｉ基板等の半導体基板、など、から選択されるものである。他にもプラ
スチック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリルなどの基板を選択すること
もできる。なお、本工程では、剥離層１３０３は、絶縁膜１３０２を介して基板１３０１
の全面に設けているが、必要に応じて、基板１３０１の全面に剥離層を設けた後に、フォ
トリソグラフィ法により選択的に設けてもよい。

絶縁膜１３０２、絶縁膜１３０４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シ
リコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜
１３０２、１３０４を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜
を形成し、第２層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層
目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として酸化シリコン膜を形
成してもよい。絶縁膜１３０２は、基板１３０１から剥離層１３０３又はその上に形成さ
れる素子に不純物元素が混入するのを防ぐブロッキング層として機能し、絶縁膜１３０４
は基板１３０１、剥離層１３０３からその上に形成される素子に不純物元素が混入するの
を防ぐブロッキング層として機能する。このように、ブロッキング層として機能する絶縁
膜１３０２、１３０４を形成することによって、基板１３０１からＮａなどのアルカリ金
属やアルカリ土類金属が、剥離層１３０３から剥離層に含まれる不純物元素がこの上に形
成する素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板１３０１として石英を
用いるような場合には絶縁膜１３０２、１３０４を省略してもよい。

剥離層１３０３は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。
金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オス
ミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または元素を主成分とする合金
材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は
、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。金
属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気下ま
たはＮ_２Ｏ雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気下またはＮ_２Ｏ雰囲気下における
加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒化物を設け
ることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法やＣＶＤ法等によりタングステン膜を
設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面に
タングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合、タン
グステンの酸化物は、ＷＯｘで表され、Ｘは２〜３であり、Ｘが２の場合（ＷＯ_２）、Ｘ
が２．５の場合（Ｗ_２Ｏ_５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ_４Ｏ_１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ
_３）などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたＸの値に特に
制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい。他に
も、例えば、金属膜（例えば、タングステン）を形成した後に、当該金属膜上にスパッタ
法で酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の絶縁膜を設けると共に、金属膜上に金属酸化物（例えば、
タングステン上にタングステン酸化物）を形成してもよい。また、プラズマ処理として、
例えば上述した高密度プラズマ処理を行ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒
化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸
素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。

非晶質半導体膜１３０５は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に
より、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。

次に、非晶質半導体膜１３０５にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザー
光の照射と、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金
属元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により非晶質半導体膜１３０５の結晶
化を行ってもよい。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結
晶質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを形成し、当該半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを
覆うようにゲート絶縁膜１３０６を形成する（図１３（Ｂ）参照）。

ゲート絶縁膜１３０６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（Ｓ
ｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、ゲート絶縁膜１３
０６を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成し、第２
層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層目の絶縁膜とし
て酸化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成してもよい。

結晶質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、
まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次
に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させ
た後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５
０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザー光を照射し、フォ
トリソグラフィ法を用いることよって結晶質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを形成する
。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を行わずに、レーザー光の照射だけ
で非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。

結晶化に用いるレーザー発振器としては、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザー
ビーム）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができ
る。ここで用いることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシ
マレーザーなどの気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２
ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ
_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ
ー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイア
レーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振される
ものを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の
第２高調波から第４高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ること
ができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３
２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのパワー
密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ^２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ^２）が必
要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、
単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶ
Ｏ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、Ｇｄ
ＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１
種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、または
Ｔｉ：サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモ
ード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせること
も可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜
がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射され
る。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中におい
て固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長し
た結晶粒を得ることができる。

また、ゲート絶縁膜１３０６は、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに対し前述の高密度
プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ_２）、アンモニア、窒素、水素な
どの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイク
ロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この
高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジ
カル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化するこ
とができる。

このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎ
ｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁
膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プ
ラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しく
は窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくす
ることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないた
め、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の
表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均
一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。

ゲート絶縁膜は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし
、それにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シ
リコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形
成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性の
ばらつきを小さくすることができる。

また、半導体膜に対し、連続発振レーザービーム若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発
振するレーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜１
３０５ａ〜１３０５ｆは、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査
方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に
合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつき
が小さく、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる
。

次に、ゲート絶縁膜１３０６上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する
。ここでは、第１の導電膜は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０〜１００ｎｍ
の厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電
膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等
から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成
する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料
により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタ
ル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリ
ブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導
電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる
。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブ
デン膜の積層構造を採用するとよい。

次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極と
ゲート線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆの
上方にゲート電極１３０７を形成する。ここでは、ゲート電極１３０７として、第１の導
電膜１３０７ａと第２の導電膜１３０７ｂの積層構造で設けた例を示している。

次に、ゲート電極１３０７をマスクとして半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに、イオン
ドープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加し、その
後、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを選択的に形成して、ｐ型を付
与する不純物元素を高濃度に添加する。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ
素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やア
ルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、ｎ型を付与
する不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、１×１０^１５〜１×１０^１９／ｃｍ^３の濃度で
含まれるように半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに選択的に導入し、ｎ型を示す不純物領
域１３０８を形成する。また、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を用い、１
×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含まれるように選択的に半導体膜１３０５ｃ
、１３０５ｅに導入し、ｐ型を示す不純物領域１３０９を形成する（図１３（Ｃ）参照）
。

続いて、ゲート絶縁膜１３０６とゲート電極１３０７を覆うように、絶縁膜を形成する
。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪
素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層し
て形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエ
ッチングして、ゲート電極１３０７の側面に接する絶縁膜１３１０（サイドウォールとも
よばれる）を形成する。絶縁膜１３１０は、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄｄｒ
ａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。

続いて、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極
１３０７および絶縁膜１３１０をマスクとして用いて、半導体膜１３０５ａ、１３０５ｂ
、１３０５ｄ、１３０５ｆにｎ型を付与する不純物元素を高濃度に添加して、ｎ型を示す
不純物領域１３１１を形成する。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）
を用い、１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含まれるように半導体膜１３０５
ａ、１３０５ｂ、１３０５ｄ、１３０５ｆに選択的に導入し、不純物領域１３０８より高
濃度のｎ型を示す不純物領域１３１１を形成する。

以上の工程により、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１３００ａ、１３００ｂ、１３００
ｄ、１３００ｆとｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｃ、１３００ｅが形成される（
図１３（Ｄ）参照）。

ｎチャネル型薄膜トランジスタ１３００ａは、ゲート電極１３０７と重なる半導体膜１
３０５ａの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極１３０７及び絶縁膜１３１０
と重ならない半導体膜１３０５ａの領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物
領域１３１１が形成され、絶縁膜１３１０と重なる半導体膜１３０５ａの領域であってチ
ャネル形成領域と不純物領域１３１１の間に低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）が形成され
ている。また、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｂ、１３００ｄ、１３００ｆも同
様にチャネル形成領域、低濃度不純物領域及び不純物領域１３１１が形成されている。

ｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｃは、ゲート電極１３０７と重なる半導体膜１
３０５ｃの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極１３０７と重ならない半導体
膜１３０５ｃの領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１３０９が形成
されている。また、ｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｅも同様にチャネル形成領域
及び不純物領域１３０９が形成されている。なお、ここでは、ｐチャネル型薄膜トランジ
スタ１３００ｃ、１３００ｅには、ＬＤＤ領域を設けていないが、ｐチャネル型薄膜トラ
ンジスタにＬＤＤ領域を設けてもよいし、ｎチャネル型薄膜トランジスタにＬＤＤ領域を
設けない構成としてもよい。

次に、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆ、ゲート電極１３０７等を覆うように、絶縁膜
を単層または積層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタ１３００ａ〜１３００ｆ
のソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１３０９、１３１１と電気的に接続
する導電膜１３１３を形成する（図１４（Ａ）参照）。絶縁膜は、ＣＶＤ方、スパッタ法
、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の
無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機
材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、当該絶縁膜を２
層で設け、１層目の絶縁膜１３１２ａとして窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜１
３１２ｂとして酸化窒化珪素膜で形成する。また、導電膜１３１３は、薄膜トランジスタ
１３００ａ〜１３００ｆのソース電極又はドレイン電極を形成しうる。

なお、絶縁膜１３１２ａ、１３１２ｂを形成する前、または絶縁膜１３１２ａ、１３１
２ｂのうちの１つまたは複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜
に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい
。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい
。

導電膜１３１３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タ
ングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル
（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネ
オジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元
素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウ
ムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料
、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合
金材料に相当する。導電膜１３１３は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ
−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と
窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、
チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する
。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜１３１
３を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニ
ウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の
高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化
膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクト
をとることができる。

次に、導電膜１３１３を覆うように、絶縁膜１３１４を形成し、当該絶縁膜１３１４上
に、薄膜トランジスタ１３００ａ、１３００ｆのソース電極又はドレイン電極を形成する
導電膜１３１３とそれぞれ電気的に接続する導電膜１３１５ａ、１３１５ｂを形成する。
また、薄膜トランジスタ１３００ｂのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜１３
１３とそれぞれ電気的に接続する導電膜１３１６を形成する。なお、導電膜１３１５ａ、
１３１５ｂと導電膜１３１６は同一の材料で同時に形成してもよい。導電膜１３１５ａ、
１３１５ｂと導電膜１３１６は、上述した導電膜１３１３で示したいずれかの材料を用い
て形成することができる。

続いて、導電膜１３１６にアンテナとして機能する導電膜１３１７が電気的に接続され
るように形成する（図１４（Ｂ）参照）。

絶縁膜１３１４は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素
（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ
）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン
）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からな
る単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で
骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基
、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。ま
たは置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

導電膜１３１７は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の
印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する
。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金
（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モ
リブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しく
は化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。

例えば、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜１３１７を形成する
場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導
電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子として
は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか
一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができ
る。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤
および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる
。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成
にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性
のペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以
下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜
を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いても
よく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリー
のはんだは、低コストであるといった利点を有している。

また、導電膜１３１５ａ、１３１５ｂは、後の工程において本実施の形態の受電装置に
含まれるバッテリーと電気的に接続される配線として機能しうる。また、アンテナとして
機能する導電膜１３１７を形成する際に、導電膜１３１５ａ、１３１５ｂに電気的に接続
するように別途導電膜を形成し、当該導電膜をバッテリーに接続する配線として利用して
もよい。

次に、導電膜１３１７を覆うように絶縁膜１３１８を形成した後、薄膜トランジスタ１
３００ａ〜１３００ｆ、導電膜１３１７等を含む層（以下、「素子形成層１３１９」と記
す）を基板１３０１から剥離する。ここでは、レーザー光（例えばＵＶ光）を照射するこ
とによって、薄膜トランジスタ１３００ａ〜１３００ｆを避けた領域に開口部を形成後（
図１４（Ｃ）参照）、物理的な力を用いて基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離す
ることができる。また、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する前に、形成した
開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１３０３を選択的に除去してもよい。エッチン
グ剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用する。例えば
、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）を使用する。そうすると、
素子形成層１３１９は、基板１３０１から剥離された状態となる。なお、剥離層１３０３
は、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消
費量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層１
３０３の除去を行った後にも、基板１３０１上に素子形成層１３１９を保持しておくこと
が可能となる。また、素子形成層１３１９が剥離された基板１３０１を再利用することに
よって、コストの削減をすることができる。

絶縁膜１３１８は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素
（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ
）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン
）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からな
る単層または積層構造で設けることができる。

本実施の形態では、レーザー光の照射により素子形成層１３１９に開口部を形成した後
に、当該素子形成層１３１９の一方の面（絶縁膜１３１８の露出した面）に第１のシート
材１３２０を貼り合わせた後、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する（図１５
（Ａ）参照）。

次に、素子形成層１３１９の他方の面（剥離により露出した面）に、加熱処理と加圧処
理の一方又は両方を行って第２のシート材１３２１を貼り合わせる（図１５（Ｂ）参照）
。第１のシート材１３２０、第２のシート材１３２１として、ホットメルトフィルム等を
用いることができる。

また、第１のシート材１３２０、第２のシート材１３２１として、静電気等を防止する
帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる
。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び
帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設
けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両
面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能
な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側に
なるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。な
お、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの
帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性
剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤用いることができる。
また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基を
もつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィ
ルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布することによって帯電防止フィルムとすること
ができる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部
からの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。

なお、バッテリーは、導電膜１３１５ａ、１３１５ｂに接続して形成されるが、バッテ
リーとの接続は、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する前（図１４（Ｂ）又は
図１４（Ｃ）の段階）に行ってもよいし、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離し
た後（図１５（Ａ）の段階）に行ってもよいし、素子形成層１３１９を第１のシート材及
び第２のシート材で封止した後（図１５（Ｂ）の段階）に行ってもよい。以下に、素子形
成層１３１９とバッテリーを接続して形成する一例を図１６、図１７を用いて説明する。

図１４（Ｂ）において、アンテナとして機能する導電膜１３１７と同時に導電膜１３１
５ａ、１３１５ｂにそれぞれ電気的に接続する導電膜１３３１ａ、１３３１ｂを形成する
。続けて、導電膜１３１７、導電膜１３３１ａ、１３３１ｂを覆うように絶縁膜１３１８
を形成した後、導電膜１３３１ａ、１３３１ｂの表面が露出するように開口部１３３２ａ
、１３３２ｂを形成する。その後、レーザー光の照射により素子形成層１３１９に開口部
を形成した後に、当該素子形成層１３１９の一方の面（絶縁膜１３１８の露出した面）に
第１のシート材１３２０を貼り合わせた後、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離
する（図１６（Ａ）参照）。

次に、素子形成層１３１９の他方の面（剥離により露出した面）に、第２のシート材１
３２１を貼り合わせた後、素子形成層１３１９を第１のシート材１３２０から剥離する。
従って、ここでは第１のシート材１３２０として粘着力が弱いものを用いる。続けて、開
口部１３３２ａ、１３３２ｂを介して導電膜１３３１ａ、１３３１ｂとそれぞれ電気的に
接続する導電膜１３３４ａ、１３３４ｂを選択的に形成する（図１６（Ｂ）参照）。

導電膜１３３４ａ、１３３４ｂは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグ
ラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料
により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタ
ル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。

なお、ここでは、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離した後に導電膜１３３４
ａ、１３３４ｂを形成する例を示しているが、導電膜１３３４ａ、１３３４ｂを形成した
後に基板１３０１から素子形成層１３１９の剥離を行ってもよい。

次に、基板上に複数の素子を形成している場合には、素子形成層１３１９を素子ごとに
分断する（図１７（Ａ）参照）。分断は、レーザー照射装置、ダイシング装置、スクライ
ブ装置等を用いることができる。ここでは、レーザー光を照射することによって１枚の基
板に形成された複数の素子を各々分断する。

次に、分断された素子をバッテリーの接続端子と電気的に接続する（図１７（Ｂ）参照
）。ここでは、素子形成層１３１９に設けられた導電膜１３３４ａ、１３３４ｂと基板１
３３５上に設けられたバッテリーの接続端子となる導電膜１３３６ａ、１３３６ｂとをそ
れぞれ接続する。ここで、導電膜１３３４ａと導電膜１３３６ａとの接続、又は導電膜１
３３４ｂと導電膜１３３６ｂとの接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ））や異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ））等の接着性を有する材料を介
して圧着させることにより電気的に接続する場合を示している。ここでは、接着性を有す
る樹脂１３３７に含まれる導電性粒子１３３８を用いて接続する例を示している。また、
他にも、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等
を用いて接続を行うことも可能である。

バッテリーが素子より大きい場合には、図１６、図１７に示したように、一枚の基板上
に複数の素子を形成し、当該素子を分断後にバッテリーと接続することによって、一枚の
基板に作り込める素子の数を増やすことができるため、受電装置をより低コストで作製す
ることが可能となる。

その後、上記実施の形態２で示したように、ブースターアンテナを設けてもよい。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせて行
うことができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる受電装置部の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施の形態においては、実施の形態１で述べた移動型電子機器
として携帯電話やデジタルビデオカメラを想定し、アンテナ回路、信号処理回路、及びバ
ッテリーを同じ基板上に設ける構成について説明する。なお、基板上に一度にアンテナ回
路、信号処理回路、及びバッテリーを形成し、信号処理回路を構成するトランジスタを薄
膜トランジスタとすることで、小型化を計れるため好適である。

まず、基板１８０１の一表面に絶縁膜１８０２を介して剥離層１８０３を形成し、続け
て下地膜として機能する絶縁膜１８０４と導電膜１８０５を積層して形成する（図１８（
Ａ）参照）。なお、絶縁膜１８０２、剥離層１８０３、絶縁膜１８０４および導電膜１８
０５は、連続して形成することができる。

導電膜１８０５は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タン
タル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（
Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、
オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材
料は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる
。

基板１８０１、絶縁膜１８０２、剥離層１８０３、絶縁膜１８０４は、それぞれ上記実
施の形態で説明した基板１３０１、絶縁膜１３０２、剥離層１３０３、絶縁膜１３０４の
いずれかの材料を用いて形成することができる。

次に、導電膜１８０５を選択的にエッチングして導電膜１８０５ａ〜１８０５ｅを形成
し、当該導電膜１８０５ａ〜１８０５ｅを覆うように絶縁膜１８０６、１８０７を積層し
て形成する（図１８（Ｂ）参照）。

絶縁膜１８０６、１８０７は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン
、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン
（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜１８０
６として窒化酸化シリコンを用い、絶縁膜１８０７として酸化窒化シリコンを用いて形成
することができる。また、ここでは、絶縁膜を２層積層させて設けた例を示しているが、
絶縁膜１８０６又は１８０７の一方のみ設けてもよいし、３層以上の絶縁膜を積層させて
設けてもよい。

次に、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｄの上方に選択的に半導体膜１８０８ａ〜１８０８
ｄを形成する（図１８（Ｃ）参照）。ここでは、絶縁膜１８０７上にスパッタリング法、
ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、非晶質半導体膜（例えば、非晶質珪素膜）を
２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成し、当該非晶質半導体膜
を結晶化した後に選択的にエッチングして半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄを形成する。
半導体膜の材料や結晶化方法等は上記実施の形態で示した方法を用いることができる。ま
た、絶縁膜１８０６、１８０７及び非晶質半導体膜は、連続して形成することができる。

なお、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｄにより絶縁膜１８０７の表面凹凸となっている場
合には、絶縁膜１８０７上に非晶質半導体膜を形成する前に、絶縁膜１８０７に平坦化処
理を行い当該絶縁膜１８０７の表面を平らにしておくことが好ましい。平坦化処理として
は、ＣＭＰ法等の研磨処理を用いることができる。ＣＭＰ法等の研磨処理を行うことによ
り、図２１（Ａ）に示すように表面が平坦化された絶縁膜１８０７上に半導体膜を形成す
ることができるため、半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄを用いて素子を形成する際に当該
素子の特性へ及ぼす影響を低減することができる。

次に、半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄを覆うようにゲート絶縁膜１８０９を形成し、
半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｃの上方にゲート電極１８１０を選択的に形成した後、当
該ゲート電極１８１０をマスクとして、半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄに不純物元素を
添加し不純物領域１８１１を形成する（図１８（Ｄ）参照）。ここでは、ゲート電極１８
１０として、第１の導電膜１８１０ａと第２の導電膜１８１０ｂの積層構造で設けた例を
示している。不純物元素としては、ｎ型又はｐ型を付与する不純物元素を添加する。ｎ型
を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を
示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を
用いることができる。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素であるリン（Ｐ）を１×１０
^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含まれるように半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄに
導入し、ｎ型を示す不純物領域１８１１を形成する。なお、これに限られず、ｐ型を付与
する不純物元素を添加してｐ型を示す不純物領域を形成してもよいし、ｎ型及びｐ型を付
与する不純物元素を選択的に半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｄに導入してもよい。

以上の工程により、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃと容量とし
て機能する素子１８００ｄが形成される（図１８（Ｄ）参照）。

ｎチャネル型薄膜トランジスタ１８００ａは、ゲート電極１８１０と重なる半導体膜１
８０８ａの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極１８１０と重ならない半導体
膜１８０８ａの領域に当該チャネル領域と隣接してソース領域又はドレイン領域を形成す
る不純物領域１８１１が形成されている。また、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１８００
ｂ、１８００ｃも同様にチャネル形成領域及びソース領域又はドレイン領域を形成する不
純物領域１８１１が形成されている。

素子１８００ｄは、導電膜１８０５ｄ、絶縁膜１８０６、１８０７及び不純物元素が導
入された不純物領域１８１１の半導体膜との積層構造によって容量が形成されている。

なお、ここでは、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃを設けた例を
示したが、ｐチャネル薄膜トランジスタを設けてもよいし、上記実施の形態で示したよう
に、ゲート電極１８１０の側面に接して絶縁膜を設け半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｃに
低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）を設けた構成とすることも可能である。

また、ここでは、半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｃより導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃ
を大きく形成した（薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃのチャネル形成領域及び不
純物領域１８１１と重なるように導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃを形成した）例を示して
いるが、これに限られない。例えば、薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの不純物
領域１８１１の一部及びチャネル形成領域全面と重なるように導電膜１８０５ａ〜１８０
５ｃを設けてもよいし（図２１（Ａ）参照）、不純物領域１８１１の一部及びチャネル形
成領域の一部と重なるように導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃを設けてもよいし（図２１（
Ｂ）参照）、チャネル形成領域の一部とだけ重なるように導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃ
を設けてもよい。このように設ける場合には、特にＣＭＰ等の研磨処理を行い絶縁膜１８
０７の平坦化することが好ましい。

なお、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃを設けることによって、薄膜トランジスタの破損
の防止、ＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）の防止
、ショートチャネル効果の抑制、しきい値制御、工程の削減などを行うことも可能となる
。

つまり、薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃを有する受電装置は、撓んでも薄膜ト
ランジスタ１８００ａ〜１８００ｃのチャネル形成領域や不純物領域と重なるように設け
られた導電膜によりチャネル形成領域や不純物領域での撓みを抑制することができるため
薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃも破損の防止を図ることができる。

また、受電装置の製造時において、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃが電荷の逃げ道若しく
は電荷の拡散領域となり、局所的な電荷の蓄積を低減し、電界集中を緩和することができ
るためＥＳＤを防止することができる。

また、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃによってそれぞれの薄膜トランジスタ１８００ａ〜
１８００ｃにおいて、ドレインからソースへの影響を遮断することによって、チャネル長
が短くなっても、ショートチャネル効果を抑制することができる。つまり、薄膜トランジ
スタ１８００ａ〜１８００ｃの微細化に伴って問題となる、チャネル長の減少によって生
じるショートチャネル効果（トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈが急激にシフトし、サブ
スレッショルド領域のドレイン電流の立ち上がりがなまるなどの現象）を抑制することが
できる。

また、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃに入力する電位によって、薄膜トランジスタ１８０
０ａ〜１８００ｃのしきい値を制御することができる。

図２４（Ｂ）はＮ型のＭＯＳトランジスタのドレイン電流とゲート電圧の関連を示したグ
ラフである。理想的にはゲート電圧Ｖｇが正の領域では、ドレイン電流Ｉｄが十分大きく
、ゲート電圧Ｖｇが０以下では、ドレイン電流Ｉｄは０であることが望ましい。ところが
実際にはドレイン電流Ｉｄはカーブ２４０４に示すようにゲート電圧Ｖｇが０であっても
、Ｉだけの漏れ電流が流れる。個々のトランジスタの電流は大きなものではないが、受電
装置には多くのトランジスタが設けられており、それらの漏れ電流をあわせると、決して
小さなものにはならない。このような漏れ電流は待機時の受電装置の消費電力を増加させ
るもとになる。つまり、バッテリーに蓄えられた電力の消費を増大させるものとなってし
まう。

トランジスタのチャネル領域に不純物を微量添加し、図２４（Ｂ）に示すカーブを右に
ずらすことによって、この漏れ電流を減らすことは可能である。しかし、その場合、Ｖｇ
が正の場合の電流も低下してしまい、回路の周波数特性を低下させるという問題があった
。

以上のような問題を解決するため、トランジスタを構成する半導体膜の上下側にそれぞ
れゲート電極を設ける。つまり、トランジスタを断面からみたとき、半導体膜は第１のゲ
ート電極と第２のゲート電極の間に位置する。そして、第１のゲート電極に論理信号を、
第二のゲート電極にしきい値制御信号を加え、受電装置を構成するトランジスタのしきい
値を第２のゲート電極の電位によって可変にする。本実施の形態においては、導電膜１８
０５ａ〜１８０５ｃをそれぞれ薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの第２のゲート
電極に用いることができる。

図２４（Ａ）に第１のゲート電極および第２のゲート電極を有するトランジスタのＩｄ
−Ｖｇ特性を示す。図２４（Ａ）では３種類のカーブ２４０１〜カーブ２４０３を示して
いるが、カーブ２４０２は第２のゲート電極に正の電圧を加えたときのカーブである。こ
のような場合にはカーブが左にシフトし、より電流が流れるようになる。またカーブ２４
０１は第２のゲート電極に０の電圧をかける場合である。このような場合は従来例と同じ
である。カーブ２４０３は第２のゲート電極に負の電圧を加えたときのカーブである。こ
のような場合にはカーブが右にシフトし、電流は流れにくくなり、漏れ電流も低減する。
このように本実施の形態に係る受電装置にしきい値制御機能を設け、トランジスタのＩｄ
−Ｖｇ特性のカーブをシフトさせることによって、漏れ電流を低減することが可能となる
。

また、導電膜１８０５ａ〜１８０５ｃを形成する際に同時に形成した導電膜１８０５ｅを
アンテナとして用いることにより、後述の説明において作製する導電膜１８１５や導電膜
１８１６を省略するすることもできる。

次に、薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃ、素子１８００ｄを覆うように絶縁膜
１８１２を形成し、当該絶縁膜１８１２上に薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの
ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１８１１と電気的に接続する導電膜１
８１３を形成する（図１９（Ａ）参照）。

絶縁膜１８１２は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法
等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾ
シクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または
積層で形成する。

導電膜１８１３は、上記実施の形態で説明した導電膜１３１３のいずれかの材料を用い
て形成することができる。

次に、導電膜１８１３を覆うように絶縁膜１８１４を形成し、当該絶縁膜１８１４上に
薄膜トランジスタ１８００ａ及び１８００ｃソース電極又はドレイン電極を形成する導電
膜１８１３とそれぞれ電気的に接続する導電膜１８１５を形成した後、当該導電膜１８１
５と電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜１８１６を形成する（図１９
（Ｂ）参照）。

続いて、導電膜１８１６を覆うように絶縁膜１８１７を形成した後、薄膜トランジスタ
１８００ａ〜１８００ｃ、素子１８００ｄ、導電膜１８１６等を含む層（以下、「素子形
成層１８２０」と記す）を基板１８０１から剥離する。剥離する方法は上記実施の形態で
示したいずれかの方法を用いることができる。

ここでは、レーザー光の照射により素子形成層１８２０に開口部を形成した後に、当該
素子形成層１８２０の一方の面（絶縁膜１８１７の露出した面）に第１のシート材１８１
８を貼り合わせた後、基板１８０１から素子形成層１８２０を剥離する（図２０（Ａ）参
照）。

次に、素子形成層１８２０の他方の面（剥離により露出した面）に、加熱処理と加圧処
理の一方又は両方を行って第２のシート材１８１９を貼り合わせる。第１のシート材１８
１８、第２のシート材１８１９として、ホットメルトフィルム等を用いることができる。

以上の工程によって、受電装置を作製することができる（図２０（Ｂ）参照）。なお、
本実施の形態では、容量を形成する素子１８００ｄをバッテリーとして用いることができ
る。また、素子１８００ｄとは別にバッテリーを設けてもよい。この場合、上記実施の形
態３で示した方法を用いてバッテリーを設けることができる。

なお、本実施の形態で示す受電装置はこれに限られない。例えば、バッテリー又はアン
テナとして機能する導電膜を薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの下方に設けた構
造としてもよい。

バッテリーを薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの下方に設けた例を図２２に示
す。ここでは、薄膜トランジスタ１８００ｂのソース電極又はドレイン電極として機能す
る導電膜１８１３に電気的に接続するように導電膜１８３１ａを設け、当該導電膜１８３
１ａとバッテリーの接続配線を形成する導電膜１８３３ａとの接続を素子形成層１８２０
の下方（基板１８０１から素子形成層１８２０を剥離して露出した面）で行っている例を
示している。また、ここでは、容量を形成する素子１８００ｄの代わりに薄膜トランジス
タを設け、当該薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜１
８１３に電気的に接続するように導電膜１８３３ａを設け、当該導電膜１８３１ｂとバッ
テリーの接続配線を形成する導電膜１８３３ｂとの接続を素子形成層１８２０の下方（基
板１８０１から素子形成層１８２０を剥離して露出した面）で行っている例を示している
。

このように設ける場合、上記図１９（Ａ）において、薄膜トランジスタ１８００ａ〜１
８００ｃの不純物領域１８１１を露出させるためにゲート絶縁膜１８０９及び絶縁膜１８
１２に第１の開口部を形成すると同時に、絶縁膜１８０６、１８０７、ゲート絶縁膜１８
０９、絶縁膜１８１２に第２の開口部を形成し、当該第１の開口部を充填するように導電
膜１８１３を設け、第２の開口部を充填するように導電膜１８３１ａ、１８３１ｂを形成
する。第１の開口部と第２の開口部は同時に形成することができ、第１の開口部を形成す
る場合には半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｃがストッパとして機能し、第２の開口部を形
成する際には剥離層１８０３がストッパとして機能する。その後、上述したようにアンテ
ナとして機能する導電膜１８１６を形成した後（図２２（Ａ）参照）、基板１８０１から
素子形成層１８２０を剥離する。

その後、基板１８０１から剥離された素子形成層１８２０の露出した面に形成された導
電膜１８３１ａ、１８３１ｂと基板１８３２上に設けられたバッテリーの接続配線となる
導電膜１８３３ａ、１８３３ｂとをそれぞれ接続する（図２２（Ｂ）参照）。ここでは、
導電膜１８３１ａと導電膜１８３３ａとの接続、又は導電膜１８３１ｂと導電膜１８３３
ｂとの接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔ
ｉｖｅＦｉｌｍ））や異方導電性ペースト（ＡＣＰ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ））等の接着性を有する材料を介して圧着させることにより
電気的に接続する場合を示している。ここでは、接着性を有する樹脂１８３４に含まれる
導電性粒子１８３５を用いて接続する例を示している。また、他にも、銀ペースト、銅ペ
ーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも
可能である。

なお、本実施の形態では、バッテリーのみならずアンテナとして機能する導電膜を薄膜
トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの下方に設けた構造としてもよい。バッテリー及び
アンテナとして機能する導電膜１８１６ｂを薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃの
下方に設けた例を図２３に示す。

ここでは、薄膜トランジスタ１８００ｃのソース電極又はドレイン電極として機能する
導電膜１８１３に電気的に接続するように導電膜１８３１ｃを設け、当該導電膜１８３１
ｃとアンテナとして機能する導電膜１８１６ｂとの接続を素子形成層１８２０の下方（基
板１８０１から素子形成層１８２０を剥離して露出した面）で行っている例を示している
。また、バッテリーも上記図２２と同様に設けた例を示している。

このように設ける場合、上記図１９（Ａ）において、薄膜トランジスタ１８００ａ〜１
８００ｃの不純物領域１８１１を露出させるためにゲート絶縁膜１８０９及び絶縁膜１８
１２に第１の開口部を形成すると同時に、絶縁膜１８０６、１８０７、ゲート絶縁膜１８
０９、絶縁膜１８１２に第２の開口部を形成し、当該第１の開口部を充填するように導電
膜１８１３を設け、第２の開口部を充填するように導電膜１８３１ａ、１８３１ｂ、１８
３１ｃを形成する。第１の開口部と第２の開口部は同時に形成することができ、第１の開
口部を形成する場合には半導体膜１８０８ａ〜１８０８ｃがストッパとして機能し、第２
の開口部を形成する際には剥離層１８０３がストッパとして機能する。その後、上述した
ようにアンテナとして機能する導電膜１８１６を形成した後（図２３（Ａ）参照）、基板
１８０１から素子形成層１８２０を剥離する。

その後、基板１８０１から剥離された素子形成層１８２０の露出した面に形成された導
電膜１８３１ａ、１８３１ｂと基板１８３２上に設けられたバッテリーの接続配線となる
導電膜１８３３ａ、１８３３ｂとをそれぞれ接続する（図２３（Ｂ）参照）。また、基板
１８０１から剥離された素子形成層１８２０の露出した面に形成された導電膜１８３１ｃ
と基板１８３６上に設けられたアンテナとして機能する導電膜１８１６ｂとを接続する。

このように薄膜トランジスタ１８００ａ〜１８００ｃ等が設けられた素子よりバッテリ
ーやアンテナのサイズが大きい場合には、図２２、図２３に示したように、素子形成層と
バッテリー又はアンテナを貼り合わせて設けることが好ましい。素子より大きいバッテリ
ーやアンテナ用いる場合には、一枚の基板上に複数の素子を形成し、当該素子を分断した
後にバッテリーやアンテナを素子と貼り合わせて設けることによって、受電装置をより低
コストで作製することが可能となる。

なお、本実施の形態は、上記他の実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

本実施例では、本発明の受電装置を具備する移動型電子機器の用途について説明する。
本発明の受電装置を具備する移動型電子機器は、例えば、携帯電話、デジタルビデオカメ
ラ、コンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又
は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓ
ａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）などが挙げられる。以下、一例について図面を用いて説
明する。

なお、本実施例においては、上記実施の形態１、実施の形態２で述べたアンテナ回路に
ついて、その形状及び取り付け位置について述べるに留まるため、単にアンテナと称する
ことにする。

図２５（Ａ）は携帯電話の一例であり、本体２５０１、音声出力部２５０２、音声入力部
２５０３、表示部２５０４、操作スイッチ２５０５、アンテナ２５０６等によって構成さ
れている。本発明の受電装置は本体２５０１内部に信号処理回路及びバッテリーを具備し
、アンテナ２５０６で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することができる。
そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部２５０４の
表示等に電力を供給することが可能になる。

図２５（Ｂ）は携帯型コンピュータ（ノート型コンピュータともいう）の一例であり、
本体２５１１、筐体２５１２、表示部２５１３、キーボード２５１４、外部接続ポート２
５１５、ポインティングデバイス２５１６、アンテナ２５１７等によって構成されている
。本発明の受電装置は本体２５１１内部に信号処理回路及びバッテリーを具備し、アンテ
ナ２５１７で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することができる。そのため
バッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部２５１３の表示等に
電力を供給することが可能になる。

図２５（Ｃ）はデジタルカメラの一例であり、本体２５２１、表示部２５２２、操作キー
２５２３、スピーカー２５２４、シャッター２５２５、受像部２５２６、アンテナ２５２
７等によって構成されている。本発明の受電装置は本体２５２１内部に信号処理回路及び
バッテリーを具備し、アンテナ２５２７で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電
することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく
、表示部２５２２の表示等に電力を供給することが可能になる。

図２５（Ｄ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）の
一例であり、本体２５３１、筐体２５３２、第１の表示部２５３３、第２の表示部２５３
４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２５３５、操作キー２５３６、スピーカー部２５３
７、アンテナ２５３８等によって構成されている。本発明の受電装置は本体２５３１内部
に信号処理回路及びバッテリーを具備し、アンテナ２５３８で外部から無線信号を受信し
、バッテリーを充電することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器
で充電することなく、第１の表示部２５３３及び第２の表示部２５３４等に電力を供給す
ることが可能になる。

図２５（Ｅ）はデジタルビデオカメラであり、本体２５４１、表示部２５４２、音声入力
部２５４３、操作スイッチ２５４４、バッテリー２５４５、受像部２５４６、アンテナ２
５４７等によって構成されている。本発明の受電装置は本体２５４１内部に信号処理回路
及びバッテリーを具備し、アンテナ２５４７で外部から無線信号を受信し、バッテリーを
充電することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電すること
なく、表示部２５４２の表示等に電力を供給することが可能になる。

図２５（Ｆ）は携帯情報端末であり、本体２５５１、スタイラス２５５２、表示部２５５
３、操作ボタン２５５４、外部インターフェイス２５５５、アンテナ２５５６等によって
構成されている。本発明の受電装置は本体２５５１内部に信号処理回路及びバッテリーを
具備し、アンテナ２５５６で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することがで
きる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部２５
５３の表示等に電力を供給することが可能になる。

また図２６に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。
筐体２６０１には映像信号受信器、及び本発明の受電装置が内蔵されており、受電装置内
のバッテリーで表示部２６０２やスピーカー部２６０３を駆動させる。バッテリーは給電
器２６０４から無線信号を受電装置で受信することで充電が可能となっている。無線によ
り送電される信号は、ディスプレイ側に設けられたアンテナ２６０６Ａが給電器側に設け
られたアンテナ２６０６Ｂより供給されることで電力の供給が可能となる。

また、給電器２６０４は映像信号を送受信することが可能で、そのため図２６（Ｂ）に示
す構成にようにディスプレイを給電器から取り外したとしても、その映像信号をディスプ
レイの信号受信器に送信することができる。筐体２６０１は操作キー２６０５によって制
御する。また、図２６に示す装置は、操作キー２６０５を操作することによって、筐体２
６０１から給電器２６０４に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置と
も言える。また、操作キー２６０５を操作することによって、筐体２６０１から給電器２
６０４に信号を送り、さらに給電器２６０４が送信できる信号を他の電子機器に受信させ
ることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。

なお、給電器に表示部２６０２及びスピーカー部２６０３を装着することにより、据え置
き型のテレビ受像器として視聴することができる。据え置き型のテレビ受像器の形態にお
いては、給電器と表示部２６０２及びスピーカー部２６０３は直接接続されて電力の供給
を受ける構成であってもよい。

また、図２７（Ａ）に大型の給電器を用いた、バッテリーを有する自動車や自転車等の移
動型電子機器との電力供給システムについて説明する。

図２７（Ａ）給電器２７００は、放物曲面状の反射面を有するパラボラアンテナ２７０１
を用いて、アンテナ２７０２及びバッテリー２７０３を含む受電装置を具備する自動車、
自転車に電力を無線信号により送信する。そのため、自動車においては燃焼機関の動力を
利用した発電機による発電が困難な場合である所謂バッテリー上がりの際に、特に好適で
ある。また自転車においても人力では走行が困難な坂道などで電力を利用した動力による
走行が可能な自転車、所謂アシスト機能つきの自転車においても、バッテリーの充電が尽
きたとしても、一定期間経過することでバッテリーへの充電を完了することができる。ア
シスト機能つきの自転車は、電気モータとバッテリーを有している。バッテリーを有する
自転車においては、家庭用交流電源からの充電を用いることなく、バッテリーの充電を行
うことができるため、使用者は有線によるバッテリーの充電を行う負担が軽減されるため
好適である。

また図２７（Ａ）における自動車において、上記実施の形態において説明したブースタ
ーアンテナを設ける構成をすることは好適である。図２７（Ｂ）に受電装置を備え、且つ
ブースターアンテナを具備する自動車の構成について示す。図２７（Ｂ）において、ブー
スターアンテナ２７０６を設ける箇所については、自動車に設けられたバッテリー２７０
５に接続されるアンテナ２７０４にブースターアンテナとの磁界結合による電磁誘導がお
こる構成であれば、特に限定されない。ただし、ブースターアンテナはその機能上、アン
テナよりも大きい形状を有することが求められる。そのため、例えば図２７（Ｂ）に示す
ように自動車の外周部にそって設けられていてもよいし、フロントガラスやリアガラスな
ど複数箇所に設ける構成であってもよい。

また、給電器と移動型電子機器に設けられる受電装置の構成は、多種多様な形態に及ぶ。
その一例として、図２８を用いて説明する。

図２８（Ａ）に示す構成においては、自動車間における給電器と移動手段を有する受電装
置の電力供給システムについて示したものである。図２８（Ａ）において、双方の自動車
が共にバッテリー及びアンテナを具備する構成について示す。ここでは、一方の自動車の
アンテナがバッテリー２８０１を有し、アンテナが受電用アンテナ２８０２と機能するも
のとする。また他方の自動車がバッテリー２８０３を有し、アンテナが給電用アンテナ２
８０４として機能するものとする。

図２８（Ａ）において、一方の自動車のバッテリー２８０１の充電が切れた場合であって
も、他方の車のバッテリー２８０３に充電された電力を給電用アンテナ２８０４から無線
信号として受電用アンテナ２８０２に出力することにより、バッテリー２８０１の充電を
行うことができる。なお、受電用アンテナ２８０２と給電用アンテナ２８０４の距離を近
接して電力供給用の無線信号を出力することにより、磁界結合に伴う電磁誘導によって充
電時間を短縮することができる。図２８（Ａ）の構成においては、従来行われていた、電
力を供給するための有線によるバッテリー同士の接続を行う必要がないため、使用者は自
動車内に待機したままであっても、アンテナでの信号の受信に伴う充電作業を行うことが
できるため本実施例は非常に好適である。また、本発明は、上記他方の車を複数配し、複
数の給電用アンテナよりバッテリーの充電を行うことも出来るため、バッテリーの充電時
間の短縮を図ることもできる。

また、図２８（Ｂ）に図２８（Ａ）で示した構成とは別の構成について図示して説明する
。図２８（Ｂ）に示す構成は、特に電力によって動力を得る所謂電気自動車において特に
好適である。電気自動車は電気モータを利用して駆動される。

図２８（Ｂ）に示す構成においては、自動車は圧電センサー２８０６上にきた際に、給電
器２８０５からの無線信号による電力の供給を行う。給電器２８０５からの無線信号によ
る電力供給に伴い、自動車内における受電装置が有するアンテナ２８０７で無線信号を受
信し、バッテリー２８０８は充電される。そのため、バッテリー２８０８を充電のための
有線による家庭用交流電源との接続の必要はなく、利用者は車内に居ながらにして、バッ
テリーの充電を行うことができ、利便性を向上させることができる。

以上、本発明の受電装置は電力をもって駆動させる物品であればどのようなものにでも
設けて使用することができる。

なお、本実施例で示した移動型電子機器の形態において、アンテナの形状は図示した形状
に限定されず、適宜他の実施の形態で示したアンテナの形状に置き換えて構成することが
可能である。

本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

１００移動型電子機器
１０１受電装置部
１０２アンテナ回路
１０３信号処理回路
１０４バッテリー
１０５電源負荷部
１０６整流回路
１０８電源回路
１０９表示部
１１０集積回路部
１１１画素部
１１２表示制御部
２０１給電器
４０１アンテナ
４０２共振容量
４０３アンテナ回路
４０４ダイオード
４０５ダイオード
４０６平滑容量
４０７整流回路
６００給電器
６０１送電制御部
６０２アンテナ回路
６０３アンテナ
６０４共振容量
７００受電装置部
７０２アンテナ回路
７０３送電制御部
７０４アンテナ回路
７０５アンテナ
１６００受電装置部
１６０１アンテナ
１６０２ブースターアンテナ
１６０３アンテナ回路
８５１発電素子
９０９駆動部
９１０周辺動力部
９１１燃焼機関部
９１２駆動制御部
１００１抵抗
１００２トランジスタ
１００３トランジスタ
１００４電流供給用抵抗
１００５トランジスタ
１００６トランジスタ
１００７トランジスタ
１００８トランジスタ
１００９トランジスタ
１０１０抵抗
１０２Ａアンテナ回路
１０２Ｂブースターアンテナ
１３０１基板
１３０２絶縁膜
１３０３剥離層
１３０４絶縁膜
１３０５半導体膜
１３０６ゲート絶縁膜
１３０７ゲート電極
１３０８不純物領域
１３０９不純物領域
１３１０絶縁膜
１３１１不純物領域
１３１３導電膜
１３１４絶縁膜
１３１６導電膜
１３１７導電膜
１３１８絶縁膜
１３１９素子形成層
１３２０シート材
１３２１シート材
１３３５基板
１３３７樹脂
１３３８導電性粒子
１８０１基板
１８０２絶縁膜
１８０３剥離層
１８０４絶縁膜
１８０５導電膜
１８０６絶縁膜
１８０７絶縁膜
１８０９ゲート絶縁膜
１８１０ゲート電極
１８１０ａ導電膜
１８１０ｂ導電膜
１８１１不純物領域
１８１２絶縁膜
１８１３導電膜
１８１４絶縁膜
１８１５導電膜
１８１６導電膜
１８１７絶縁膜
１８１８シート材
１８１９シート材
１８２０素子形成層
１８３２基板
１８３４樹脂
１８３５導電性粒子
１８３６基板
２４０１カーブ
２４０２カーブ
２４０３カーブ
２４０４カーブ
２５０１本体
２５０２音声出力部
２５０３音声入力部
２５０４表示部
２５０５操作スイッチ
２５０６アンテナ
２５１１本体
２５１２筐体
２５１３表示部
２５１４キーボード
２５１５外部接続ポート
２５１６ポインティングデバイス
２５１７アンテナ
２５２１本体
２５２２表示部
２５２３操作キー
２５２４スピーカー
２５２５シャッター
２５２６受像部
２５２７アンテナ
２５３１本体
２５３２筐体
２５３３表示部
２５３４表示部
２５３５記録媒体読み込み部
２５３６操作キー
２５３７スピーカー部
２５３８アンテナ
２５４１本体
２５４２表示部
２５４３音声入力部
２５４４操作スイッチ
２５４５バッテリー
２５４６受像部
２５４７アンテナ
２５５１本体
２５５２スタイラス
２５５３表示部
２５５４操作ボタン
２５５５外部インターフェイス
２５５６アンテナ
２６０１筐体
２６０２表示部
２６０３スピーカー部
２６０４給電器
２６０５操作キー
２７００給電器
２７０１パラボラアンテナ
２７０２アンテナ
２７０３バッテリー
２７０４アンテナ
２７０５バッテリー
２７０６ブースターアンテナ
２８０１バッテリー
２８０２受電用アンテナ
２８０３バッテリー
２８０４給電用アンテナ
２８０５給電器
２８０６圧電センサー
２８０７アンテナ
２８０８バッテリー
１３００ａ薄膜トランジスタ
１３００ｂ薄膜トランジスタ
１３００ｃ薄膜トランジスタ
１３００ｄ薄膜トランジスタ
１３００ｅ薄膜トランジスタ
１３００ｆ薄膜トランジスタ
１３０５ａ半導体膜
１３０５ｂ半導体膜
１３０５ｃ半導体膜
１３０５ｄ半導体膜
１３０５ｅ半導体膜
１３０５ｆ半導体膜
１３０７ａ導電膜
１３０７ｂ導電膜
１３１２ａ絶縁膜
１３１２ｂ絶縁膜
１３１５ａ導電膜
１３１５ｂ導電膜
１３３１ａ導電膜
１３３１ｂ導電膜
１３３２ａ開口部
１３３２ｂ開口部
１３３４ａ導電膜
１３３４ｂ導電膜
１３３６ａ導電膜
１３３６ｂ導電膜
１８００ａ薄膜トランジスタ
１８００ｂ薄膜トランジスタ
１８００ｃ薄膜トランジスタ
１８００ｄ素子
１８０５ａ導電膜
１８０５ｂ導電膜
１８０５ｃ導電膜
１８０５ｄ導電膜
１８０５ｅ導電膜
１８０８ａ半導体膜
１８０８ｂ半導体膜
１８０８ｃ半導体膜
１８０８ｄ半導体膜
１８１６ｂ導電膜
１８３１ａ導電膜
１８３１ｂ導電膜
１８３１ｃ導電膜
１８３３ａ導電膜
１８３３ｂ導電膜
２６０６Ａアンテナ
２６０６Ｂアンテナ

Claims

アンテナ回路と、
信号処理回路と、
バッテリーと、を有し、
前記アンテナ回路は、前記信号処理回路を介して、前記バッテリーに充電するための無線信号を受電するものであることを特徴とする受電装置。