JP2013236546A - 受電装置 - Google Patents
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Abstract
器からの充電を簡便にし、かつバッテリーと給電器を直接接続するために生じる外部端子
の外的要因に伴う故障、または外部端子そのものの破損の可能性のない受電装置並びに当
該受電装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】移動型電子機器に電力を供給するためのアンテナ回路及びブースターアンテ
ナを設ける。そしてブースターアンテナを介して当該アンテナ回路が電磁波等の無線信号
を受信し、当該無線信号を受信することで得られる電力が信号処理回路を介してバッテリ
ーに供給され、充電が行われる。
【選択図】図1
Description
に、電波を介した電力の受信を行うためのアンテナを具備する受電装置及び当該受電装置
に電波により電力を供給するためのアンテナを具備する給電器を用いた電力供給システム
に関する。
る電力の供給をうける装置全般を指すものとする。
型の電子機器の普及は顕著である。一例として、携帯電話、デジタルビデオカメラ等は、
表示部の高精細化並びに電池の耐久性及び低消費電力化が向上し、利便性に富んだものと
なってきている。携帯型の電子機器を駆動するための電源としては、充電手段であるバッ
テリーを内蔵している。バッテリーとしてリチウムイオン電池等の2次電池(以下、バッ
テリーという)が用いられており、バッテリーの充電には、給電手段である家庭用交流電
源にコンセントを挿入したACアダプターより行われているのが現状である(特許文献1
を参照)。
動車、または4輪車、2輪車を問わず電力より推進する移動手段を含む)等も含まれる。
そのため本明細書においては、バッテリーを具備する携帯型の電子機器及び移動手段を総
称して、移動型電子機器(移動機)と呼称する。
一途をたどり、使用時間に対応するための電池の耐久性及び低消費電力化の向上には限界
がある。さらには、携帯電話、デジタルビデオカメラ等に内蔵された電源であるバッテリ
ーの充電には、家庭用交流電源を介したACアダプターによる充電器からの充電または市
販の一次電池からの充電の他に方法が無かった。そのため、使用者にとって充電の作業は
煩雑であり、給電手段であるACアダプターまたは一次電池そのものをもって屋外を移動
する必要があり負担になるといった課題があった。
れるが、燃焼機関を始動させるにはバッテリーに充電された電力によるプラグ点火が必要
となる。そのため、一定期間自動車の使用をしないことによる所謂バッテリー上がりの際
には、プラグ点火することができず、燃焼機関の始動を行うには、有線による外部からの
直接的な電力供給を行う必要があり、安全性・利便性の面で課題があった。
充電においては、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける
必要があった。そのため、外部端子が剥き出しになる構成、若しくは保護部を介して外部
端子が剥き出しになる構成となっていた。そのため外部端子の破損や外部端子の不良に伴
う故障が起こってしまうといった課題があった。
である給電器からの充電を簡便にし、かつバッテリーと給電手段を直接接続するための外
部端子の外的要因に伴う故障、または外部端子そのものの破損の可能性のない受電装置及
び当該受電装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
回路を設けることを特徴とする。そして本発明は、当該アンテナ回路に電磁波等の無線信
号による電力の供給をし、当該無線信号について信号処理回路を介してバッテリーに電力
として供給し充電することを特徴とする。以下、本発明の具体的な構成について示す。
、を有し、アンテナ回路は、ブースターアンテナを介して、無線信号を受信し、無線信号
が、信号処理回路を介してバッテリーに入力され、バッテリーの充電が行われる構成とす
る。
、バッテリーと、を有し、アンテナ回路は、ブースターアンテナを介して、給電器から供
給される無線信号を受信し、無線信号が、信号処理回路を介してバッテリーに入力され、
バッテリーの充電が行われる構成とする。
でであってもよい。
てもよい。
電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニ
ッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池または、コンデンサーでであってもよい。
帯型画像再生装置、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末、テレビ受像器、自動車、また
は自転車のいずれかであってもよい。
器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外部端子の破損や
外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信号による給電を
行うことができる。加えて、充電装置であるバッテリーを有する移動型電子機器に対し、
給電を行う給電手段が無線信号により給電を行うことにより、充電器や充電のための一次
電池を携帯することなく、常に充電を行うことが可能になる。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本
発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
(実施の形態1)
図を用いて説明する。
装置部101は、アンテナ回路102、信号処理回路103、及びバッテリー104によ
って構成されている。信号処理回路103は、整流回路106、電源回路108によって
構成される。
105の構成は移動型電子機器毎に異なるため、本実施の形態においては、携帯電話やデ
ジタルビデオカメラにおける構成を想定して説明する。よって電源回路108は、表示部
109と集積回路部110に電源を供給する。なお集積回路部110は表示部以外の信号
を処理する回路部であり、移動型電子機器毎に異なる構成を有するため本明細書では詳し
い説明については割愛する。表示部109は画素部111と画素部111を制御するため
の表示制御部112を有する。表示制御部112は信号処理回路103と電気的に接続さ
れる。勿論、表示部109における画素に設けられる表示素子については、種類を問わず
エレクトロルミネッセンス素子や液晶素子等を用いればよく、移動型電子機器の用途等に
応じて適宜選択される。
ついて示す。図2において、アンテナ回路102で受信した電力は整流回路106を介し
てバッテリー104に入力され、バッテリー104より適宜電源回路108に電力が供給
される。
図3(A)のように信号処理回路103の周りに一面のアンテナ回路102を配した構造
を取っても良い。また、図3(B)のように、環状に形成されたアンテナ回路102に重
畳するように信号処理回路103を配した構造をとってもよい。また、図3(C)のよう
に信号処理回路103を配し、高周波数の電磁波を受信するためのアンテナ回路102の
形状をとってもよい。また、図3(D)にように信号処理回路103を配し、180度無
指向性(どの方向からでも同じく受信可能)なアンテナ回路102での形状をとってもよ
い。また、図3(E)のように、信号処理回路103を配し、棒状に長く伸ばし、折り返
す形状のアンテナ回路102の形状をとってもよい。また、図示しないがパッチアンテナ
であってもよい。また、信号処理回路103とアンテナ回路102におけるアンテナの接
続については特に図示した構成には限定されない。例えばアンテナ回路102と信号処理
回路103を離して配置し、配線により接続されていてもよいし、近接して接続されてい
てもよい。本実施の形態においてはアンテナ回路102の形状について、図3(B)の形
状を採用し、電磁波をアンテナ回路で受信し、電磁誘導により電力を得るものとして説明
する。また、アンテナ回路102は、図4(A)に示すようにアンテナ401、共振容量
402によって構成されるものとして説明し、アンテナ401及び共振容量402を併せ
てアンテナ回路403ということにする。
号を直流信号に変換する回路であればよい。例えば、図4(B)に示すように、ダイオー
ド404、ダイオード405、平滑容量406によって整流回路407を構成すればよい
。
600は、送電制御部601、アンテナ回路602によって構成されている。送電制御部
601は、移動型電子機器における受電装置部101に送信する送電用の電気信号を変調
し、アンテナ回路602から送電用の電磁波を出力する。
01におけるアンテナ回路102と同様に、送電制御部601に接続され、LC並列共振
回路を構成するアンテナ603及び共振容量604を有する。送電制御部601は、送電
時にアンテナ回路602に電流が流れ、アンテナ603より受電装置部101に送電用の
電磁波を出力する。
伴い、アンテナ回路102回路が受信するための無線信号は、電磁誘導方式により信号の
交信を行う。そのため、図1及び図2における受電装置部101は、コイル状のアンテナ
回路102を有する構成となる。例えば図6に、受電装置部を有する移動型電子機器にお
けるアンテナ回路の位置関係並びにアンテナの形状について示す。図6では、受電装置部
におけるアンテナ回路が、給電器のアンテナからの送電用の電磁波を受信する構成につい
て示す。
コイル状のアンテナ705と受電装置部700のアンテナ回路702を近づけると、給電
器におけるアンテナ回路704のコイル状のアンテナ705から交流磁界が発生する。交
流磁界が受電装置部700内のアンテナ回路702を貫き、電磁誘導により受電装置部7
00内のアンテナ回路702の端子間(アンテナの一端と他端の間)に起電力が発生する
。当該起電力により受電装置部700内のバッテリーに充電することができる。なお、図
7に示すように、受電装置部700におけるアンテナ回路702は、重畳的に存在する場
合であっても、交流磁界内に複数存在する場合であっても給電器からの充電を行うことが
できる。
リ波である300GHz〜3THz、ミリ波である30GHz〜300GHz、マイクロ
波である3GHz〜30GHz、極超短波である300MHz〜3GHz、超短波である
30MHz〜300MHz、短波である3MHz〜30MHz、中波である300KHz
〜3MHz、長波である30KHz〜300KHz、及び超長波である3KHz〜30K
Hzのいずれの周波数も用いることができる。
回路とバッファアンプで構成される。基準電圧回路は抵抗1001、ダイオード接続のト
ランジスタ1002、1003によって構成され、トランジスタ1002のVGS(ゲー
トとソースの間の電圧)及びトランジスタ1003のVGSの合計にあたる基準電圧を発
生させる。バッファアンプはトランジスタ1005、1006で構成される差動回路、ト
ランジスタ1007、1008によって構成されるカレントミラー回路、電流供給用抵抗
1004、トランジスタ1009、抵抗1010によって構成されるソース接地アンプよ
り構成される。
009に流れる電流が少なくなり、また、出力端子より流れる電流が小さいときはトラン
ジスタ1009に流れる電流が多くなり、抵抗1010に流れる電流はほぼ一定となるよ
うに動作する。また出力端子の電位は基準電圧回路とほぼ同じ値となる。ここでは基準電
圧回路とバッファアンプを有する電源回路を示したが、本発明に用いる電源回路は図8に
限定されず、他の形式の電源回路であっても良い。
ができる電池のことをいう。なおバッテリーとしては、その用途により異なるが、シート
状に形成された電池を用いることが好ましく、例えばリチウム電池、好ましくはゲル状電
解質を用いるリチウムポリマー電池や、リチウムイオン電池等を用いることで、小型化が
可能である。勿論、充電可能な電池であればなんでもよく、ニッケル水素電池、ニカド電
池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などの
充電放電可能な電池であってもよいし、また大容量のコンデンサーなどを用いても良い。
充電する際の動作を以下に説明する。アンテナ回路で受信した無線信号は、整流回路10
6により、半波整流され、そして平滑化される。整流回路106により半波整流、平滑化
された電圧は、バッテリー104に一旦保持される。バッテリー104に保持された電力
は、電源回路108に供給する電力として用いられる。
れる無線信号に限らずに、別途移動型電子機器の一部に発電素子を設け補う構成としても
よい。図29に発電素子を設けた構成について示す。図29における構成は図1と異なる
点としてバッテリーに電力を供給するための発電素子851を設ける点にある。発電素子
851を設ける構成とすることによって、バッテリー104に蓄電される電力の供給量を
増やし、また充電速度を速めることができるため好適である。なお、図29における発電
素子851としては、例えば太陽電池を用いた発電素子であってもよいし、圧電素子を用
いた発電素子であってもよいし、微小構造体(MEMS:Micro Electro
Mechanical System)を用いた発電素子であってもよい。勿論、発電素
子からの電力の供給の代わりに自動車のエンジン等の燃焼機関の動力による発電機からの
電力の供給であってもよい。受電用アンテナと発電機との両方を設けることによって、バ
ッテリーに蓄電される電力の供給量を増やし、また充電速度を速めることができるため好
適である。また、図29における発電素子の構成は、前述の列挙した構成に限定されない
ことを付記する。
おいて電源負荷部105における表示部109の画素部111、表示制御部112及び集
積回路部110に供給される。そして、移動型電子機器を動作させることができる。
、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外
部端子の破損や外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信
号による給電を行うことができる。加えて、充電装置であるバッテリーを有する移動型電
子機器に対し、給電を行う給電手段が無線により給電を行うことにより、無線の受信状況
が良好であれば、充電器や充電のための一次電池を携帯することなく、常に充電を行うこ
とが可能になる。
とが可能である。
(実施の形態2)
成において、ブースターアンテナ回路(以下、ブースターアンテナという)を有する構成
に関して、図面を参照して説明する。なお、本実施の形態において使用する図面に関し、
実施の形態1と同じ部分は同じ符号を用いて示す。
器からの信号を受信するアンテナよりも、サイズの大きいアンテナのことをいう。ブース
ターアンテナは、使用する周波数帯域で、給電器からの信号を共振させ、受電装置に設け
られたアンテナ回路と、ブースターアンテナとを磁界結合させることで、給電器より供給
された信号を、効率よく目的の受電装置へ伝達させることができるものをいう。ブースタ
ーアンテナは磁界を介してアンテナ回路と結合しているため、直接アンテナ回路及び信号
処理回路とは接続する必要が無いため好適である。
に示すブロック図を用いて説明する。
装置部は、アンテナ回路102A、ブースターアンテナ102B、信号処理回路103、
及びバッテリー104によって構成されている。信号処理回路103は、整流回路106
、電源回路108によって構成される。
105の構成は移動型電子機器毎に異なるため、本実施の形態においては、自動車(自動
二輪車等を含む)における構成を想定して説明する。よって電源回路108は、駆動部9
09と周辺動力部910に電源を供給する。なお周辺動力部910は駆動部以外の信号を
処理する回路部であり、移動型電子機器である自動車毎に異なる構成を有するため本明細
書では詳しい説明については割愛する。駆動部909は燃焼機関部911と燃焼機関部9
11を制御するための駆動制御部912を有する。燃焼機関部911は、始動するための
点火プラグを含んでいる。この点火プラグは信号処理回路103と電気的に接続される。
ック図について示す。図10において、給電器からの無線信号をブースターアンテナ10
2Bが受信し電磁誘導を起こすことに伴うアンテナ回路102Aとの磁界結合により、ア
ンテナ回路102Aで受信した電力は整流回路106を介してバッテリー104に入力さ
れ、バッテリー104より適宜電源回路108に電力が供給される。図10の構成により
、給電器201と受電装置部101間の無線信号による電力の送電についての距離を伸ば
すことができるため好適である。
ついては、特に限定されない。例えば実施の形態1で説明した図3の形状のアンテナを採
用することができる。但し、ブースターアンテナはその機能上、磁界結合するアンテナ回
路より大きな形状のアンテナを採用することが好ましい。また、アンテナ回路102A及
びブースターアンテナ102Bは、実施の形態1で説明した図4(A)の如く、アンテナ
401、共振容量402によって構成されるものとして説明し、アンテナ401及び共振
容量402を併せてアンテナ回路403ということにする。
図4(B)に示すように、ダイオード404、ダイオード405、平滑容量406によっ
て整流回路407を構成すればよい。
図5に示す構成をとればよい。
受信するための無線信号は、電磁誘導方式により信号の交信を行う。そのため、図9及び
図10における受電装置部101は、コイル状のアンテナ回路102A、ブースターアン
テナ102Bを有する構成となる。例えば図11に、アンテナ回路及びブースターアンテ
ナを有する受電装置部と給電器との位置関係並びにアンテナの形状について示す。図11
において、受電装置部におけるブースターアンテナが給電器からの無線信号を受信し、ア
ンテナ回路がブースターアンテナからの磁界結合による電磁波を受信する構成について示
す。
たコイル状のアンテナ705と受電装置部1600のブースターアンテナ1602を近づ
けると、給電器におけるアンテナ回路704のコイル状のアンテナ705から交流磁界が
発生する。交流磁界が受電装置部1600内のコイル状のブースターアンテナ1602を
貫き、電磁誘導により受電装置部1600内のコイル状のブースターアンテナ1602の
端子間(アンテナの一端と他端の間)に起電力が発生する。コイル状のブースターアンテ
ナ1602において電磁誘導による起電力が発生すると共にコイル状のブースターコイル
自体から交流磁界が発生する。そして、ブースターアンテナ1602から発生する交流磁
界が受電装置部1600内のアンテナ回路1603に接続されたコイル状のアンテナ16
01を貫き、電磁誘導により受電装置部1600内のコイル状のアンテナ1601の端子
間(アンテナの一端と他端の間)に起電力が発生する。当該起電力により受電装置部16
00内のバッテリーに充電することができる。
うに、受電装置部が重畳的に存在する場合であっても充電器からの充電を行うことができ
る。
と同様であるためここでは省略する。
例と同様であるため、ここでは省略する。
からの無線信号により電力を充電する際の動作を以下に説明する。アンテナ回路102で
受信した信号は、整流回路106により、半波整流され、そして平滑化される。整流回路
106により半波整流、平滑化された電圧は、バッテリー104に一旦保持される。バッ
テリー104に保持された電力は、電源回路108に供給する電力として用いられる。
れる信号に限らずに、別に移動型電子機器の一部に発電素子を設け補う構成としてもよい
。図12に発電素子を設けた構成について示す。図12における構成は図9と異なる点と
してバッテリー104に電力を供給するための発電素子851を設ける点にある。発電素
子851を設ける構成とすることによって、バッテリー104に蓄電される電力の供給量
を増やし、また充電速度を速めることができるため好適である。
てもよいし、圧電素子を用いた発電素子であってもよいし、微小構造体(MEMS:Mi
cro Electro Mechanical System)を用いた発電素子であ
ってもよい。勿論、発電素子からの電極供給の代わりに自動車のエンジン等の燃焼機関の
動力による発電機からの電力の供給であってもよい。受電用アンテナと発電機との両方を
設けることによって、バッテリーに蓄電される電力の供給量を増やし、また充電速度を速
めることができるため好適である。また、図12における発電素子の構成は、前述の列挙
した構成に限定されないことを付記する。
において電源負荷部105における駆動部909の燃焼機関部911、駆動制御部912
及び周辺動力部910に供給される。燃焼機関部911は点火プラグを含む。この点火プ
ラグは電源回路108と電気的に接続される。バッテリー104に充電された電力による
点火プラグの点火によって燃焼機関の始動を行う。
、移動型電子機器におけるバッテリーへの導電部として外部端子を設ける必要がなく、外
部端子の破損や外部端子の不良に伴う故障が起こることなく、バッテリーに対して無線信
号による給電を行うことができる。
ナを有することを特徴とする。そのため、給電器から受電装置への電力の供給をより確実
に行うことが可能となるといった利点を有する。
給電を行うことができるため、バッテリー同士を有線で接続することがない。そのため、
受電装置である自動車等のバッテリーの充電について、安全性及び利便性を高めることが
できる。
とが可能である。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した受電装置部の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施の形態においては、実施の形態1で述べた移動型電子機器
として携帯電話やデジタルビデオカメラを想定し、アンテナ回路、信号処理回路、及びバ
ッテリーを同じ基板上に設ける構成について説明する。なお、基板上に一度にアンテナ回
路、信号処理回路、及びバッテリーを形成し、信号処理回路を構成するトランジスタを薄
膜トランジスタとすることで、小型化を図ることができるため好適である。
路について、その形状及び取り付け位置について述べるに留まるため、単にアンテナと称
することにする。
て下地膜として機能する絶縁膜1304と半導体膜1305(例えば、非晶質珪素を含む
膜)を積層して形成する(図13(A)参照)。なお、絶縁膜1302、剥離層1303
、絶縁膜1304および非晶質半導体膜1305は、連続して形成することができる。
ラミック基板、Si基板等の半導体基板、など、から選択されるものである。他にもプラ
スチック基板として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレー
ト(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、アクリルなどの基板を選択すること
もできる。なお、本工程では、剥離層1303は、絶縁膜1302を介して基板1301
の全面に設けているが、必要に応じて、基板1301の全面に剥離層を設けた後に、フォ
トリソグラフィ法により選択的に設けてもよい。
リコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン(SiOxNy)(x>y>0)、窒化酸化シ
リコン(SiNxOy)(x>y>0)等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜
1302、1304を2層構造とする場合、第1層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜
を形成し、第2層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成するとよい。また、第1層
目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成し、第2層目の絶縁膜として酸化シリコン膜を形
成してもよい。絶縁膜1302は、基板1301から剥離層1303又はその上に形成さ
れる素子に不純物元素が混入するのを防ぐブロッキング層として機能し、絶縁膜1304
は基板1301、剥離層1303からその上に形成される素子に不純物元素が混入するの
を防ぐブロッキング層として機能する。このように、ブロッキング層として機能する絶縁
膜1302、1304を形成することによって、基板1301からNaなどのアルカリ金
属やアルカリ土類金属が、剥離層1303から剥離層に含まれる不純物元素がこの上に形
成する素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板1301として石英を
用いるような場合には絶縁膜1302、1304を省略してもよい。
金属膜としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル
(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr
)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オス
ミウム(Os)、イリジウム(Ir)から選択された元素または元素を主成分とする合金
材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は
、スパッタ法やプラズマCVD法等の各種CVD法等を用いて形成することができる。金
属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気下ま
たはN2O雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気下またはN2O雰囲気下における
加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒化物を設け
ることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法やCVD法等によりタングステン膜を
設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面に
タングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合、タン
グステンの酸化物は、WOxで表され、Xは2〜3であり、Xが2の場合(WO2)、X
が2.5の場合(W2O5)、Xが2.75の場合(W4O11)、Xが3の場合(WO
3)などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたXの値に特に
制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい。他に
も、例えば、金属膜(例えば、タングステン)を形成した後に、当該金属膜上にスパッタ
法で酸化珪素(SiO2)等の絶縁膜を設けると共に、金属膜上に金属酸化物(例えば、
タングステン上にタングステン酸化物)を形成してもよい。また、プラズマ処理として、
例えば上述した高密度プラズマ処理を行ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒
化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸
素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。
より、25〜200nm(好ましくは30〜150nm)の厚さで形成する。
光の照射と、RTA又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金
属元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により非晶質半導体膜1305の結晶
化を行ってもよい。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結
晶質半導体膜1305a〜1305fを形成し、当該半導体膜1305a〜1305fを
覆うようにゲート絶縁膜1306を形成する(図13(B)参照)。
化シリコン、酸化窒化シリコン(SiOxNy)(x>y>0)、窒化酸化シリコン(S
iNxOy)(x>y>0)等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、ゲート絶縁膜13
06を2層構造とする場合、第1層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成し、第2
層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を形成するとよい。また、第1層目の絶縁膜とし
て酸化シリコン膜を形成し、第2層目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成してもよい。
まず、プラズマCVD法を用いて、膜厚50〜60nmの非晶質半導体膜を形成する。次
に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させ
た後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理(500℃、1時間)と、熱結晶化の処理(55
0℃、4時間)を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザー光を照射し、フォ
トリソグラフィ法を用いることよって結晶質半導体膜1305a〜1305fを形成する
。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を行わずに、レーザー光の照射だけ
で非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。
ビーム)やパルス発振型のレーザービーム(パルスレーザービーム)を用いることができ
る。ここで用いることができるレーザービームは、Arレーザー、Krレーザー、エキシ
マレーザーなどの気体レーザー、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライト(Mg2
SiO4)、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、Y2O
3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、
Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ
ー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ti:サファイア
レーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振される
ものを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の
第2高調波から第4高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ること
ができる。例えば、Nd:YVO4レーザー(基本波1064nm)の第2高調波(53
2nm)や第3高調波(355nm)を用いることができる。このときレーザーのパワー
密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10MW/cm2)が必
要である。そして、走査速度を10〜2000cm/sec程度として照射する。なお、
単結晶のYAG、YVO4、フォルステライト(Mg2SiO4)、YAlO3、GdV
O4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、Gd
VO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1
種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Arイオンレーザー、または
Ti:サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Qスイッチ動作やモ
ード同期などを行うことによって10MHz以上の発振周波数でパルス発振をさせること
も可能である。10MHz以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜
がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射され
る。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中におい
て固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長し
た結晶粒を得ることができる。
プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、He、A
r、Kr、Xeなどの希ガスと、酸素、酸化窒素(NO2)、アンモニア、窒素、水素な
どの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイク
ロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この
高密度プラズマで生成された酸素ラジカル(OHラジカルを含む場合もある)や窒素ラジ
カル(NHラジカルを含む場合もある)によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化するこ
とができる。
mの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁
膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プ
ラズマ処理は、半導体膜(結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン)を直接酸化(若しく
は窒化)するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくす
ることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないた
め、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の
表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均
一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
、それにプラズマや熱反応を利用したCVD法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シ
リコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形
成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性の
ばらつきを小さくすることができる。
振するレーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜1
305a〜1305fは、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査
方向をチャネル長方向(チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向)に
合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつき
が小さく、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ(TFT)を得ることができる
。
。ここでは、第1の導電膜は、CVD法やスパッタリング法等により、20〜100nm
の厚さで形成する。第2の導電膜は、100〜400nmの厚さで形成する。第1の導電
膜と第2の導電膜は、タンタル(Ta)、タングステン(W)、チタン(Ti)、モリブ
デン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、ニオブ(Nb)等
から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成
する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料
により形成する。第1の導電膜と第2の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタ
ル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリ
ブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第1の導
電膜と第2の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる
。また、2層構造ではなく、3層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブ
デン膜の積層構造を採用するとよい。
ゲート線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜1305a〜1305fの
上方にゲート電極1307を形成する。ここでは、ゲート電極1307として、第1の導
電膜1307aと第2の導電膜1307bの積層構造で設けた例を示している。
ドープ法またはイオン注入法により、n型を付与する不純物元素を低濃度に添加し、その
後、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを選択的に形成して、p型を付
与する不純物元素を高濃度に添加する。n型を示す不純物元素としては、リン(P)やヒ
素(As)等を用いることができる。p型を示す不純物元素としては、ボロン(B)やア
ルミニウム(Al)やガリウム(Ga)等を用いることができる。ここでは、n型を付与
する不純物元素としてリン(P)を用い、1×1015〜1×1019/cm3の濃度で
含まれるように半導体膜1305a〜1305fに選択的に導入し、n型を示す不純物領
域1308を形成する。また、p型を付与する不純物元素としてボロン(B)を用い、1
×1019〜1×1020/cm3の濃度で含まれるように選択的に半導体膜1305c
、1305eに導入し、p型を示す不純物領域1309を形成する(図13(C)参照)
。
。絶縁膜は、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪
素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層し
て形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエ
ッチングして、ゲート電極1307の側面に接する絶縁膜1310(サイドウォールとも
よばれる)を形成する。絶縁膜1310は、LDD(Lightly Doped dr
ain)領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
1307および絶縁膜1310をマスクとして用いて、半導体膜1305a、1305b
、1305d、1305fにn型を付与する不純物元素を高濃度に添加して、n型を示す
不純物領域1311を形成する。ここでは、n型を付与する不純物元素としてリン(P)
を用い、1×1019〜1×1020/cm3の濃度で含まれるように半導体膜1305
a、1305b、1305d、1305fに選択的に導入し、不純物領域1308より高
濃度のn型を示す不純物領域1311を形成する。
d、1300fとpチャネル型薄膜トランジスタ1300c、1300eが形成される(
図13(D)参照)。
305aの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極1307及び絶縁膜1310
と重ならない半導体膜1305aの領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物
領域1311が形成され、絶縁膜1310と重なる半導体膜1305aの領域であってチ
ャネル形成領域と不純物領域1311の間に低濃度不純物領域(LDD領域)が形成され
ている。また、nチャネル型薄膜トランジスタ1300b、1300d、1300fも同
様にチャネル形成領域、低濃度不純物領域及び不純物領域1311が形成されている。
305cの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極1307と重ならない半導体
膜1305cの領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域1309が形成
されている。また、pチャネル型薄膜トランジスタ1300eも同様にチャネル形成領域
及び不純物領域1309が形成されている。なお、ここでは、pチャネル型薄膜トランジ
スタ1300c、1300eには、LDD領域を設けていないが、pチャネル型薄膜トラ
ンジスタにLDD領域を設けてもよいし、nチャネル型薄膜トランジスタにLDD領域を
設けない構成としてもよい。
を単層または積層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタ1300a〜1300f
のソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域1309、1311と電気的に接続
する導電膜1313を形成する(図14(A)参照)。絶縁膜は、CVD方、スパッタ法
、SOG法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の
無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機
材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、当該絶縁膜を2
層で設け、1層目の絶縁膜1312aとして窒化酸化珪素膜で形成し、2層目の絶縁膜1
312bとして酸化窒化珪素膜で形成する。また、導電膜1313は、薄膜トランジスタ
1300a〜1300fのソース電極又はドレイン電極を形成しうる。
2bのうちの1つまたは複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜
に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい
。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはRTA法などを適用するとよい
。
ングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル
(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネ
オジウム(Nd)、炭素(C)、シリコン(Si)から選択された元素、又はこれらの元
素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウ
ムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料
、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合
金材料に相当する。導電膜1313は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン(Al
−Si)膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン(Al−Si)膜と
窒化チタン(TiN)膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、
チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する
。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜131
3を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニ
ウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の
高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化
膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクト
をとることができる。
に、薄膜トランジスタ1300a、1300fのソース電極又はドレイン電極を形成する
導電膜1313とそれぞれ電気的に接続する導電膜1315a、1315bを形成する。
また、薄膜トランジスタ1300bのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜13
13とそれぞれ電気的に接続する導電膜1316を形成する。なお、導電膜1315a、
1315bと導電膜1316は同一の材料で同時に形成してもよい。導電膜1315a、
1315bと導電膜1316は、上述した導電膜1313で示したいずれかの材料を用い
て形成することができる。
るように形成する(図14(B)参照)。
(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy
)(x>y)等の酸素または窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイヤモンドライクカーボン
)等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からな
る単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Si−O−S
i結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で
骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基
、芳香族炭化水素)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。ま
たは置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する
。導電性材料は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金
(Au)、白金(Pt)ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、タンタル(Ta)、モ
リブデン(Mo)から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しく
は化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
場合には、粒径が数nmから数十μmの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導
電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子として
は、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、パラジウ
ム(Pd)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)およびチタン(Ti)等のいずれか
一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができ
る。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤
および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる
。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成
にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性
のペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子(例えば粒径1nm以上100nm以
下)を用いる場合、150〜300℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜
を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いても
よく、この場合は粒径20μm以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリー
のはんだは、低コストであるといった利点を有している。
含まれるバッテリーと電気的に接続される配線として機能しうる。また、アンテナとして
機能する導電膜1317を形成する際に、導電膜1315a、1315bに電気的に接続
するように別途導電膜を形成し、当該導電膜をバッテリーに接続する配線として利用して
もよい。
300a〜1300f、導電膜1317等を含む層(以下、「素子形成層1319」と記
す)を基板1301から剥離する。ここでは、レーザー光(例えばUV光)を照射するこ
とによって、薄膜トランジスタ1300a〜1300fを避けた領域に開口部を形成後(
図14(C)参照)、物理的な力を用いて基板1301から素子形成層1319を剥離す
ることができる。また、基板1301から素子形成層1319を剥離する前に、形成した
開口部にエッチング剤を導入して、剥離層1303を選択的に除去してもよい。エッチン
グ剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用する。例えば
、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素(ClF3)を使用する。そうすると、
素子形成層1319は、基板1301から剥離された状態となる。なお、剥離層1303
は、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消
費量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層1
303の除去を行った後にも、基板1301上に素子形成層1319を保持しておくこと
が可能となる。また、素子形成層1319が剥離された基板1301を再利用することに
よって、コストの削減をすることができる。
(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy
)(x>y)等の酸素または窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイヤモンドライクカーボン
)等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からな
る単層または積層構造で設けることができる。
に、当該素子形成層1319の一方の面(絶縁膜1318の露出した面)に第1のシート
材1320を貼り合わせた後、基板1301から素子形成層1319を剥離する(図15
(A)参照)。
理の一方又は両方を行って第2のシート材1321を貼り合わせる(図15(B)参照)
。第1のシート材1320、第2のシート材1321として、ホットメルトフィルム等を
用いることができる。
帯電防止対策を施したフィルム(以下、帯電防止フィルムと記す)を用いることもできる
。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び
帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設
けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両
面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能
な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側に
なるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。な
お、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの
帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物(ITO)、両性界面活性
剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤用いることができる。
また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および4級アンモニウム塩基を
もつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィ
ルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布することによって帯電防止フィルムとすること
ができる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部
からの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。
リーとの接続は、基板1301から素子形成層1319を剥離する前(図14(B)又は
図14(C)の段階)に行ってもよいし、基板1301から素子形成層1319を剥離し
た後(図15(A)の段階)に行ってもよいし、素子形成層1319を第1のシート材及
び第2のシート材で封止した後(図15(B)の段階)に行ってもよい。以下に、素子形
成層1319とバッテリーを接続して形成する一例を図16、図17を用いて説明する。
5a、1315bにそれぞれ電気的に接続する導電膜1331a、1331bを形成する
。続けて、導電膜1317、導電膜1331a、1331bを覆うように絶縁膜1318
を形成した後、導電膜1331a、1331bの表面が露出するように開口部1332a
、1332bを形成する。その後、レーザー光の照射により素子形成層1319に開口部
を形成した後に、当該素子形成層1319の一方の面(絶縁膜1318の露出した面)に
第1のシート材1320を貼り合わせた後、基板1301から素子形成層1319を剥離
する(図16(A)参照)。
321を貼り合わせた後、素子形成層1319を第1のシート材1320から剥離する。
従って、ここでは第1のシート材1320として粘着力が弱いものを用いる。続けて、開
口部1332a、1332bを介して導電膜1331a、1331bとそれぞれ電気的に
接続する導電膜1334a、1334bを選択的に形成する(図16(B)参照)。
ラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料
により形成する。導電性材料は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、
銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、タンタ
ル(Ta)、モリブデン(Mo)から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
a、1334bを形成する例を示しているが、導電膜1334a、1334bを形成した
後に基板1301から素子形成層1319の剥離を行ってもよい。
分断する(図17(A)参照)。分断は、レーザー照射装置、ダイシング装置、スクライ
ブ装置等を用いることができる。ここでは、レーザー光を照射することによって1枚の基
板に形成された複数の素子を各々分断する。
)。ここでは、素子形成層1319に設けられた導電膜1334a、1334bと基板1
335上に設けられたバッテリーの接続端子となる導電膜1336a、1336bとをそ
れぞれ接続する。ここで、導電膜1334aと導電膜1336aとの接続、又は導電膜1
334bと導電膜1336bとの接続は、異方導電性フィルム(ACF(Anisotr
opic Conductive Film))や異方導電性ペースト(ACP(Ani
sotropic Conductive Paste))等の接着性を有する材料を介
して圧着させることにより電気的に接続する場合を示している。ここでは、接着性を有す
る樹脂1337に含まれる導電性粒子1338を用いて接続する例を示している。また、
他にも、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等
を用いて接続を行うことも可能である。
に複数の素子を形成し、当該素子を分断後にバッテリーと接続することによって、一枚の
基板に作り込める素子の数を増やすことができるため、受電装置をより低コストで作製す
ることが可能となる。
うことができる。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる受電装置部の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施の形態においては、実施の形態1で述べた移動型電子機器
として携帯電話やデジタルビデオカメラを想定し、アンテナ回路、信号処理回路、及びバ
ッテリーを同じ基板上に設ける構成について説明する。なお、基板上に一度にアンテナ回
路、信号処理回路、及びバッテリーを形成し、信号処理回路を構成するトランジスタを薄
膜トランジスタとすることで、小型化を計れるため好適である。
路について、その形状及び取り付け位置について述べるに留まるため、単にアンテナと称
することにする。
て下地膜として機能する絶縁膜1804と導電膜1805を積層して形成する(図18(
A)参照)。なお、絶縁膜1802、剥離層1803、絶縁膜1804および導電膜18
05は、連続して形成することができる。
タル(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(
Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、
オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)から選択された元素または元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材
料は、スパッタ法やプラズマCVD法等の各種CVD法等を用いて形成することができる
。
施の形態で説明した基板1301、絶縁膜1302、剥離層1303、絶縁膜1304の
いずれかの材料を用いて形成することができる。
し、当該導電膜1805a〜1805eを覆うように絶縁膜1806、1807を積層し
て形成する(図18(B)参照)。
、窒化シリコン、酸化窒化シリコン(SiOxNy)(x>y>0)、窒化酸化シリコン
(SiNxOy)(x>y>0)等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜180
6として窒化酸化シリコンを用い、絶縁膜1807として酸化窒化シリコンを用いて形成
することができる。また、ここでは、絶縁膜を2層積層させて設けた例を示しているが、
絶縁膜1806又は1807の一方のみ設けてもよいし、3層以上の絶縁膜を積層させて
設けてもよい。
dを形成する(図18(C)参照)。ここでは、絶縁膜1807上にスパッタリング法、
LPCVD法、プラズマCVD法等により、非晶質半導体膜(例えば、非晶質珪素膜)を
25〜200nm(好ましくは30〜150nm)の厚さで形成し、当該非晶質半導体膜
を結晶化した後に選択的にエッチングして半導体膜1808a〜1808dを形成する。
半導体膜の材料や結晶化方法等は上記実施の形態で示した方法を用いることができる。ま
た、絶縁膜1806、1807及び非晶質半導体膜は、連続して形成することができる。
合には、絶縁膜1807上に非晶質半導体膜を形成する前に、絶縁膜1807に平坦化処
理を行い当該絶縁膜1807の表面を平らにしておくことが好ましい。平坦化処理として
は、CMP法等の研磨処理を用いることができる。CMP法等の研磨処理を行うことによ
り、図21(A)に示すように表面が平坦化された絶縁膜1807上に半導体膜を形成す
ることができるため、半導体膜1808a〜1808dを用いて素子を形成する際に当該
素子の特性へ及ぼす影響を低減することができる。
半導体膜1808a〜1808cの上方にゲート電極1810を選択的に形成した後、当
該ゲート電極1810をマスクとして、半導体膜1808a〜1808dに不純物元素を
添加し不純物領域1811を形成する(図18(D)参照)。ここでは、ゲート電極18
10として、第1の導電膜1810aと第2の導電膜1810bの積層構造で設けた例を
示している。不純物元素としては、n型又はp型を付与する不純物元素を添加する。n型
を示す不純物元素としては、リン(P)やヒ素(As)等を用いることができる。p型を
示す不純物元素としては、ボロン(B)やアルミニウム(Al)やガリウム(Ga)等を
用いることができる。ここでは、n型を付与する不純物元素であるリン(P)を1×10
19〜1×1020/cm3の濃度で含まれるように半導体膜1808a〜1808dに
導入し、n型を示す不純物領域1811を形成する。なお、これに限られず、p型を付与
する不純物元素を添加してp型を示す不純物領域を形成してもよいし、n型及びp型を付
与する不純物元素を選択的に半導体膜1808a〜1808dに導入してもよい。
て機能する素子1800dが形成される(図18(D)参照)。
808aの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極1810と重ならない半導体
膜1808aの領域に当該チャネル領域と隣接してソース領域又はドレイン領域を形成す
る不純物領域1811が形成されている。また、nチャネル型薄膜トランジスタ1800
b、1800cも同様にチャネル形成領域及びソース領域又はドレイン領域を形成する不
純物領域1811が形成されている。
入された不純物領域1811の半導体膜との積層構造によって容量が形成されている。
示したが、pチャネル薄膜トランジスタを設けてもよいし、上記実施の形態で示したよう
に、ゲート電極1810の側面に接して絶縁膜を設け半導体膜1808a〜1808cに
低濃度不純物領域(LDD領域)を設けた構成とすることも可能である。
を大きく形成した(薄膜トランジスタ1800a〜1800cのチャネル形成領域及び不
純物領域1811と重なるように導電膜1805a〜1805cを形成した)例を示して
いるが、これに限られない。例えば、薄膜トランジスタ1800a〜1800cの不純物
領域1811の一部及びチャネル形成領域全面と重なるように導電膜1805a〜180
5cを設けてもよいし(図21(A)参照)、不純物領域1811の一部及びチャネル形
成領域の一部と重なるように導電膜1805a〜1805cを設けてもよいし(図21(
B)参照)、チャネル形成領域の一部とだけ重なるように導電膜1805a〜1805c
を設けてもよい。このように設ける場合には、特にCMP等の研磨処理を行い絶縁膜18
07の平坦化することが好ましい。
の防止、ESD(Electrostatic Discharge:静電破壊)の防止
、ショートチャネル効果の抑制、しきい値制御、工程の削減などを行うことも可能となる
。
ランジスタ1800a〜1800cのチャネル形成領域や不純物領域と重なるように設け
られた導電膜によりチャネル形成領域や不純物領域での撓みを抑制することができるため
薄膜トランジスタ1800a〜1800cも破損の防止を図ることができる。
は電荷の拡散領域となり、局所的な電荷の蓄積を低減し、電界集中を緩和することができ
るためESDを防止することができる。
1800cにおいて、ドレインからソースへの影響を遮断することによって、チャネル長
が短くなっても、ショートチャネル効果を抑制することができる。つまり、薄膜トランジ
スタ1800a〜1800cの微細化に伴って問題となる、チャネル長の減少によって生
じるショートチャネル効果(トランジスタのしきい値電圧Vthが急激にシフトし、サブ
スレッショルド領域のドレイン電流の立ち上がりがなまるなどの現象)を抑制することが
できる。
0a〜1800cのしきい値を制御することができる。
ラフである。理想的にはゲート電圧Vgが正の領域では、ドレイン電流Idが十分大きく
、ゲート電圧Vgが0以下では、ドレイン電流Idは0であることが望ましい。ところが
実際にはドレイン電流Idはカーブ2404に示すようにゲート電圧Vgが0であっても
、Iだけの漏れ電流が流れる。個々のトランジスタの電流は大きなものではないが、受電
装置には多くのトランジスタが設けられており、それらの漏れ電流をあわせると、決して
小さなものにはならない。このような漏れ電流は待機時の受電装置の消費電力を増加させ
るもとになる。つまり、バッテリーに蓄えられた電力の消費を増大させるものとなってし
まう。
ずらすことによって、この漏れ電流を減らすことは可能である。しかし、その場合、Vg
が正の場合の電流も低下してしまい、回路の周波数特性を低下させるという問題があった
。
れゲート電極を設ける。つまり、トランジスタを断面からみたとき、半導体膜は第1のゲ
ート電極と第2のゲート電極の間に位置する。そして、第1のゲート電極に論理信号を、
第二のゲート電極にしきい値制御信号を加え、受電装置を構成するトランジスタのしきい
値を第2のゲート電極の電位によって可変にする。本実施の形態においては、導電膜18
05a〜1805cをそれぞれ薄膜トランジスタ1800a〜1800cの第2のゲート
電極に用いることができる。
−Vg特性を示す。図24(A)では3種類のカーブ2401〜カーブ2403を示して
いるが、カーブ2402は第2のゲート電極に正の電圧を加えたときのカーブである。こ
のような場合にはカーブが左にシフトし、より電流が流れるようになる。またカーブ24
01は第2のゲート電極に0の電圧をかける場合である。このような場合は従来例と同じ
である。カーブ2403は第2のゲート電極に負の電圧を加えたときのカーブである。こ
のような場合にはカーブが右にシフトし、電流は流れにくくなり、漏れ電流も低減する。
このように本実施の形態に係る受電装置にしきい値制御機能を設け、トランジスタのId
−Vg特性のカーブをシフトさせることによって、漏れ電流を低減することが可能となる
。
アンテナとして用いることにより、後述の説明において作製する導電膜1815や導電膜
1816を省略するすることもできる。
1812を形成し、当該絶縁膜1812上に薄膜トランジスタ1800a〜1800cの
ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域1811と電気的に接続する導電膜1
813を形成する(図19(A)参照)。
等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾ
シクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または
積層で形成する。
て形成することができる。
薄膜トランジスタ1800a及び1800cソース電極又はドレイン電極を形成する導電
膜1813とそれぞれ電気的に接続する導電膜1815を形成した後、当該導電膜181
5と電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜1816を形成する(図19
(B)参照)。
1800a〜1800c、素子1800d、導電膜1816等を含む層(以下、「素子形
成層1820」と記す)を基板1801から剥離する。剥離する方法は上記実施の形態で
示したいずれかの方法を用いることができる。
素子形成層1820の一方の面(絶縁膜1817の露出した面)に第1のシート材181
8を貼り合わせた後、基板1801から素子形成層1820を剥離する(図20(A)参
照)。
理の一方又は両方を行って第2のシート材1819を貼り合わせる。第1のシート材18
18、第2のシート材1819として、ホットメルトフィルム等を用いることができる。
本実施の形態では、容量を形成する素子1800dをバッテリーとして用いることができ
る。また、素子1800dとは別にバッテリーを設けてもよい。この場合、上記実施の形
態3で示した方法を用いてバッテリーを設けることができる。
テナとして機能する導電膜を薄膜トランジスタ1800a〜1800cの下方に設けた構
造としてもよい。
す。ここでは、薄膜トランジスタ1800bのソース電極又はドレイン電極として機能す
る導電膜1813に電気的に接続するように導電膜1831aを設け、当該導電膜183
1aとバッテリーの接続配線を形成する導電膜1833aとの接続を素子形成層1820
の下方(基板1801から素子形成層1820を剥離して露出した面)で行っている例を
示している。また、ここでは、容量を形成する素子1800dの代わりに薄膜トランジス
タを設け、当該薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜1
813に電気的に接続するように導電膜1833aを設け、当該導電膜1831bとバッ
テリーの接続配線を形成する導電膜1833bとの接続を素子形成層1820の下方(基
板1801から素子形成層1820を剥離して露出した面)で行っている例を示している
。
800cの不純物領域1811を露出させるためにゲート絶縁膜1809及び絶縁膜18
12に第1の開口部を形成すると同時に、絶縁膜1806、1807、ゲート絶縁膜18
09、絶縁膜1812に第2の開口部を形成し、当該第1の開口部を充填するように導電
膜1813を設け、第2の開口部を充填するように導電膜1831a、1831bを形成
する。第1の開口部と第2の開口部は同時に形成することができ、第1の開口部を形成す
る場合には半導体膜1808a〜1808cがストッパとして機能し、第2の開口部を形
成する際には剥離層1803がストッパとして機能する。その後、上述したようにアンテ
ナとして機能する導電膜1816を形成した後(図22(A)参照)、基板1801から
素子形成層1820を剥離する。
電膜1831a、1831bと基板1832上に設けられたバッテリーの接続配線となる
導電膜1833a、1833bとをそれぞれ接続する(図22(B)参照)。ここでは、
導電膜1831aと導電膜1833aとの接続、又は導電膜1831bと導電膜1833
bとの接続は、異方導電性フィルム(ACF(Anisotropic Conduct
ive Film))や異方導電性ペースト(ACP(Anisotropic Con
ductive Paste))等の接着性を有する材料を介して圧着させることにより
電気的に接続する場合を示している。ここでは、接着性を有する樹脂1834に含まれる
導電性粒子1835を用いて接続する例を示している。また、他にも、銀ペースト、銅ペ
ーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも
可能である。
トランジスタ1800a〜1800cの下方に設けた構造としてもよい。バッテリー及び
アンテナとして機能する導電膜1816bを薄膜トランジスタ1800a〜1800cの
下方に設けた例を図23に示す。
導電膜1813に電気的に接続するように導電膜1831cを設け、当該導電膜1831
cとアンテナとして機能する導電膜1816bとの接続を素子形成層1820の下方(基
板1801から素子形成層1820を剥離して露出した面)で行っている例を示している
。また、バッテリーも上記図22と同様に設けた例を示している。
800cの不純物領域1811を露出させるためにゲート絶縁膜1809及び絶縁膜18
12に第1の開口部を形成すると同時に、絶縁膜1806、1807、ゲート絶縁膜18
09、絶縁膜1812に第2の開口部を形成し、当該第1の開口部を充填するように導電
膜1813を設け、第2の開口部を充填するように導電膜1831a、1831b、18
31cを形成する。第1の開口部と第2の開口部は同時に形成することができ、第1の開
口部を形成する場合には半導体膜1808a〜1808cがストッパとして機能し、第2
の開口部を形成する際には剥離層1803がストッパとして機能する。その後、上述した
ようにアンテナとして機能する導電膜1816を形成した後(図23(A)参照)、基板
1801から素子形成層1820を剥離する。
電膜1831a、1831bと基板1832上に設けられたバッテリーの接続配線となる
導電膜1833a、1833bとをそれぞれ接続する(図23(B)参照)。また、基板
1801から剥離された素子形成層1820の露出した面に形成された導電膜1831c
と基板1836上に設けられたアンテナとして機能する導電膜1816bとを接続する。
ーやアンテナのサイズが大きい場合には、図22、図23に示したように、素子形成層と
バッテリー又はアンテナを貼り合わせて設けることが好ましい。素子より大きいバッテリ
ーやアンテナ用いる場合には、一枚の基板上に複数の素子を形成し、当該素子を分断した
後にバッテリーやアンテナを素子と貼り合わせて設けることによって、受電装置をより低
コストで作製することが可能となる。
本発明の受電装置を具備する移動型電子機器は、例えば、携帯電話、デジタルビデオカメ
ラ、コンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又
は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Vers
atile Disc(DVD)などが挙げられる。以下、一例について図面を用いて説
明する。
ついて、その形状及び取り付け位置について述べるに留まるため、単にアンテナと称する
ことにする。
2503、表示部2504、操作スイッチ2505、アンテナ2506等によって構成さ
れている。本発明の受電装置は本体2501内部に信号処理回路及びバッテリーを具備し
、アンテナ2506で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することができる。
そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部2504の
表示等に電力を供給することが可能になる。
本体2511、筐体2512、表示部2513、キーボード2514、外部接続ポート2
515、ポインティングデバイス2516、アンテナ2517等によって構成されている
。本発明の受電装置は本体2511内部に信号処理回路及びバッテリーを具備し、アンテ
ナ2517で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することができる。そのため
バッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部2513の表示等に
電力を供給することが可能になる。
2523、スピーカー2524、シャッター2525、受像部2526、アンテナ252
7等によって構成されている。本発明の受電装置は本体2521内部に信号処理回路及び
バッテリーを具備し、アンテナ2527で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電
することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく
、表示部2522の表示等に電力を供給することが可能になる。
一例であり、本体2531、筐体2532、第1の表示部2533、第2の表示部253
4、記録媒体(DVD等)読み込み部2535、操作キー2536、スピーカー部253
7、アンテナ2538等によって構成されている。本発明の受電装置は本体2531内部
に信号処理回路及びバッテリーを具備し、アンテナ2538で外部から無線信号を受信し
、バッテリーを充電することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器
で充電することなく、第1の表示部2533及び第2の表示部2534等に電力を供給す
ることが可能になる。
部2543、操作スイッチ2544、バッテリー2545、受像部2546、アンテナ2
547等によって構成されている。本発明の受電装置は本体2541内部に信号処理回路
及びバッテリーを具備し、アンテナ2547で外部から無線信号を受信し、バッテリーを
充電することができる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電すること
なく、表示部2542の表示等に電力を供給することが可能になる。
3、操作ボタン2554、外部インターフェイス2555、アンテナ2556等によって
構成されている。本発明の受電装置は本体2551内部に信号処理回路及びバッテリーを
具備し、アンテナ2556で外部から無線信号を受信し、バッテリーを充電することがで
きる。そのためバッテリーの充電に際し、専用の充電器で充電することなく、表示部25
53の表示等に電力を供給することが可能になる。
筐体2601には映像信号受信器、及び本発明の受電装置が内蔵されており、受電装置内
のバッテリーで表示部2602やスピーカー部2603を駆動させる。バッテリーは給電
器2604から無線信号を受電装置で受信することで充電が可能となっている。無線によ
り送電される信号は、ディスプレイ側に設けられたアンテナ2606Aが給電器側に設け
られたアンテナ2606Bより供給されることで電力の供給が可能となる。
す構成にようにディスプレイを給電器から取り外したとしても、その映像信号をディスプ
レイの信号受信器に送信することができる。筐体2601は操作キー2605によって制
御する。また、図26に示す装置は、操作キー2605を操作することによって、筐体2
601から給電器2604に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置と
も言える。また、操作キー2605を操作することによって、筐体2601から給電器2
604に信号を送り、さらに給電器2604が送信できる信号を他の電子機器に受信させ
ることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。
き型のテレビ受像器として視聴することができる。据え置き型のテレビ受像器の形態にお
いては、給電器と表示部2602及びスピーカー部2603は直接接続されて電力の供給
を受ける構成であってもよい。
動型電子機器との電力供給システムについて説明する。
を用いて、アンテナ2702及びバッテリー2703を含む受電装置を具備する自動車、
自転車に電力を無線信号により送信する。そのため、自動車においては燃焼機関の動力を
利用した発電機による発電が困難な場合である所謂バッテリー上がりの際に、特に好適で
ある。また自転車においても人力では走行が困難な坂道などで電力を利用した動力による
走行が可能な自転車、所謂アシスト機能つきの自転車においても、バッテリーの充電が尽
きたとしても、一定期間経過することでバッテリーへの充電を完了することができる。ア
シスト機能つきの自転車は、電気モータとバッテリーを有している。バッテリーを有する
自転車においては、家庭用交流電源からの充電を用いることなく、バッテリーの充電を行
うことができるため、使用者は有線によるバッテリーの充電を行う負担が軽減されるため
好適である。
ーアンテナを設ける構成をすることは好適である。図27(B)に受電装置を備え、且つ
ブースターアンテナを具備する自動車の構成について示す。図27(B)において、ブー
スターアンテナ2706を設ける箇所については、自動車に設けられたバッテリー270
5に接続されるアンテナ2704にブースターアンテナとの磁界結合による電磁誘導がお
こる構成であれば、特に限定されない。ただし、ブースターアンテナはその機能上、アン
テナよりも大きい形状を有することが求められる。そのため、例えば図27(B)に示す
ように自動車の外周部にそって設けられていてもよいし、フロントガラスやリアガラスな
ど複数箇所に設ける構成であってもよい。
その一例として、図28を用いて説明する。
置の電力供給システムについて示したものである。図28(A)において、双方の自動車
が共にバッテリー及びアンテナを具備する構成について示す。ここでは、一方の自動車の
アンテナがバッテリー2801を有し、アンテナが受電用アンテナ2802と機能するも
のとする。また他方の自動車がバッテリー2803を有し、アンテナが給電用アンテナ2
804として機能するものとする。
も、他方の車のバッテリー2803に充電された電力を給電用アンテナ2804から無線
信号として受電用アンテナ2802に出力することにより、バッテリー2801の充電を
行うことができる。なお、受電用アンテナ2802と給電用アンテナ2804の距離を近
接して電力供給用の無線信号を出力することにより、磁界結合に伴う電磁誘導によって充
電時間を短縮することができる。図28(A)の構成においては、従来行われていた、電
力を供給するための有線によるバッテリー同士の接続を行う必要がないため、使用者は自
動車内に待機したままであっても、アンテナでの信号の受信に伴う充電作業を行うことが
できるため本実施例は非常に好適である。また、本発明は、上記他方の車を複数配し、複
数の給電用アンテナよりバッテリーの充電を行うことも出来るため、バッテリーの充電時
間の短縮を図ることもできる。
。図28(B)に示す構成は、特に電力によって動力を得る所謂電気自動車において特に
好適である。電気自動車は電気モータを利用して駆動される。
器2805からの無線信号による電力の供給を行う。給電器2805からの無線信号によ
る電力供給に伴い、自動車内における受電装置が有するアンテナ2807で無線信号を受
信し、バッテリー2808は充電される。そのため、バッテリー2808を充電のための
有線による家庭用交流電源との接続の必要はなく、利用者は車内に居ながらにして、バッ
テリーの充電を行うことができ、利便性を向上させることができる。
設けて使用することができる。
に限定されず、適宜他の実施の形態で示したアンテナの形状に置き換えて構成することが
可能である。
101 受電装置部
102 アンテナ回路
103 信号処理回路
104 バッテリー
105 電源負荷部
106 整流回路
108 電源回路
109 表示部
110 集積回路部
111 画素部
112 表示制御部
201 給電器
401 アンテナ
402 共振容量
403 アンテナ回路
404 ダイオード
405 ダイオード
406 平滑容量
407 整流回路
600 給電器
601 送電制御部
602 アンテナ回路
603 アンテナ
604 共振容量
700 受電装置部
702 アンテナ回路
703 送電制御部
704 アンテナ回路
705 アンテナ
1600 受電装置部
1601 アンテナ
1602 ブースターアンテナ
1603 アンテナ回路
851 発電素子
909 駆動部
910 周辺動力部
911 燃焼機関部
912 駆動制御部
1001 抵抗
1002 トランジスタ
1003 トランジスタ
1004 電流供給用抵抗
1005 トランジスタ
1006 トランジスタ
1007 トランジスタ
1008 トランジスタ
1009 トランジスタ
1010 抵抗
102A アンテナ回路
102B ブースターアンテナ
1301 基板
1302 絶縁膜
1303 剥離層
1304 絶縁膜
1305 半導体膜
1306 ゲート絶縁膜
1307 ゲート電極
1308 不純物領域
1309 不純物領域
1310 絶縁膜
1311 不純物領域
1313 導電膜
1314 絶縁膜
1316 導電膜
1317 導電膜
1318 絶縁膜
1319 素子形成層
1320 シート材
1321 シート材
1335 基板
1337 樹脂
1338 導電性粒子
1801 基板
1802 絶縁膜
1803 剥離層
1804 絶縁膜
1805 導電膜
1806 絶縁膜
1807 絶縁膜
1809 ゲート絶縁膜
1810 ゲート電極
1810a 導電膜
1810b 導電膜
1811 不純物領域
1812 絶縁膜
1813 導電膜
1814 絶縁膜
1815 導電膜
1816 導電膜
1817 絶縁膜
1818 シート材
1819 シート材
1820 素子形成層
1832 基板
1834 樹脂
1835 導電性粒子
1836 基板
2401 カーブ
2402 カーブ
2403 カーブ
2404 カーブ
2501 本体
2502 音声出力部
2503 音声入力部
2504 表示部
2505 操作スイッチ
2506 アンテナ
2511 本体
2512 筐体
2513 表示部
2514 キーボード
2515 外部接続ポート
2516 ポインティングデバイス
2517 アンテナ
2521 本体
2522 表示部
2523 操作キー
2524 スピーカー
2525 シャッター
2526 受像部
2527 アンテナ
2531 本体
2532 筐体
2533 表示部
2534 表示部
2535 記録媒体読み込み部
2536 操作キー
2537 スピーカー部
2538 アンテナ
2541 本体
2542 表示部
2543 音声入力部
2544 操作スイッチ
2545 バッテリー
2546 受像部
2547 アンテナ
2551 本体
2552 スタイラス
2553 表示部
2554 操作ボタン
2555 外部インターフェイス
2556 アンテナ
2601 筐体
2602 表示部
2603 スピーカー部
2604 給電器
2605 操作キー
2700 給電器
2701 パラボラアンテナ
2702 アンテナ
2703 バッテリー
2704 アンテナ
2705 バッテリー
2706 ブースターアンテナ
2801 バッテリー
2802 受電用アンテナ
2803 バッテリー
2804 給電用アンテナ
2805 給電器
2806 圧電センサー
2807 アンテナ
2808 バッテリー
1300a 薄膜トランジスタ
1300b 薄膜トランジスタ
1300c 薄膜トランジスタ
1300d 薄膜トランジスタ
1300e 薄膜トランジスタ
1300f 薄膜トランジスタ
1305a 半導体膜
1305b 半導体膜
1305c 半導体膜
1305d 半導体膜
1305e 半導体膜
1305f 半導体膜
1307a 導電膜
1307b 導電膜
1312a 絶縁膜
1312b 絶縁膜
1315a 導電膜
1315b 導電膜
1331a 導電膜
1331b 導電膜
1332a 開口部
1332b 開口部
1334a 導電膜
1334b 導電膜
1336a 導電膜
1336b 導電膜
1800a 薄膜トランジスタ
1800b 薄膜トランジスタ
1800c 薄膜トランジスタ
1800d 素子
1805a 導電膜
1805b 導電膜
1805c 導電膜
1805d 導電膜
1805e 導電膜
1808a 半導体膜
1808b 半導体膜
1808c 半導体膜
1808d 半導体膜
1816b 導電膜
1831a 導電膜
1831b 導電膜
1831c 導電膜
1833a 導電膜
1833b 導電膜
2606A アンテナ
2606B アンテナ
Claims (1)
- アンテナ回路と、
信号処理回路と、
バッテリーと、を有し、
前記アンテナ回路は、前記信号処理回路を介して、前記バッテリーに充電するための無線信号を受電するものであることを特徴とする受電装置。
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