JP2013200945A - セラミックヒータおよび定着装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 TCRおよびシート抵抗が低いセラミックヒータおよび定着装置を提供する。
【解決手段】
実施形態のセラミックヒータは、セラミックで構成された基板1と、基板1上に形成された導電パターン(パターン21〜26)と、パターン21〜26と電気的に接続されるように、基板1上に形成された抵抗発熱体(発熱体41〜45)と、少なくとも発熱体41〜45を覆うように形成されたオーバーコート層5と、を備え、発熱体41〜45は、銀およびパラジウムで構成された合金と、グラファイトと、を含んでおり、合金とグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が16〜47%である。
【選択図】 図1

Description

本発明の実施形態は、複写機のトナー定着等に使用されるセラミックヒータおよび定着装置に関する。
画像形成装置に使われるトナー定着用のヒータとして、セラミックヒータが使われている。セラミックヒータは、セラミック製の長尺な基板に、導電パターンおよび抵抗発熱体を設け、それらをオーバーコート層で覆った板状のヒータである。このセラミックヒータにおいて、その長手方向よりも紙幅が短い用紙を連続通紙する場合、紙が通過しない部分(非通紙部)は紙が通過する部分(通紙部)と比較して熱が奪われにくくなるため、非通紙部が過昇温するという課題が知られている。
この課題に対して、炭素系の材料、いわゆるグラファイトからなる抵抗発熱体が注目されている。グラファイトからなる抵抗発熱体は、抵抗温度係数(Temperature Coefficient Resistance。以下、TCR)が負の値を持つためである。TCRが負の場合は、NTC(Negative Temperature Coefficient)特性と呼ばれ、温度が上昇すると、抵抗値が低下する特性になる。したがって、抵抗発熱体にグラファイトを用いると、非通紙部に紙が通過しない状態となっても、非通紙部の過昇温を抑制することが可能となる。
しかし、グラファイトはシート抵抗が高いという欠点がある。シート抵抗が高い場合、抵抗発熱体のパターンによっては総抵抗が大きくなってしまい、加熱体として利用できない、またはパターン設計に制限が生じてしまう。
特許第4208587号公報 特開2007−25474号公報
本発明が解決しようとする課題は、TCRおよびシート抵抗が低いセラミックヒータおよび定着装置を提供することにある。
上記課題を達成するために、実施形態のセラミックヒータは、セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された導電パターンと、前記導電パターンと電気的に接続されるように、前記基板上に形成された抵抗発熱体と、少なくとも前記抵抗発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータにおいて、前記抵抗発熱体は、銀およびパラジウムで構成された合金と、グラファイトと、を含んでおり、前記合金と前記グラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が16〜47%である。
第1の実施形態のセラミックヒータについて説明するための図である。 第1の実施形態のセラミックヒータのA−A’断面を矢印から見た状態について説明するための図である。 抵抗発熱体中のAg/Pd+グラファイトまたはAg+グラファイトにおけるグラファイトの含有率とTCRの関係について説明するための図である。 抵抗発熱体中のAg/Pd+グラファイトまたはAg+グラファイトにおけるグラファイトの含有率とシート抵抗の関係について説明するための図である。 抵抗発熱体中のAg/PdにおけるAgの含有率とTCRの関係について説明するための図である。 導体パターンの好適な材料について説明するための図である。 第2の実施形態の定着装置について説明するための図である。
以下、発明を実施するための実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
第1の実施形態のセラミックヒータについて、図面を参照して説明する。図1は、第1の実施形態のセラミックヒータについて説明するための図、図2は第1の実施形態のセラミックヒータのA−A’断面を矢印から見た状態について説明するための図である。
セラミックヒータは、トナー定着に用いられるヒータであり、主要部として基板1を備えている。基板1は、例えば厚みは1mm、幅は10mm、長さは280mmであるような細長い基板である。基板1は、絶縁性および熱伝導性に優れた酸化アルミニウム(Al)、窒化アルミニウム(AlN)などのセラミック材料で構成されている。
基板1の一方の面上には、導電パターンが形成されている。本実施形態では、導電パターンは、複数のパターン21〜26で構成されている。パターン21〜26は、例えば銀(Ag)や銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成されたパターンであり、基板1の長手方向に沿って細長く形成されている。このうち、パターン21、23、25は略一直線状に形成され、パターン22、24、26も略一直線状に形成されている。また、パターン21、23、25とパターン22、24、26は所定の間隔を保って略平行に形成されている。パターン21とパターン26の一端部には、電力が供給される部分となる電極部31、32が一体形成されている。
また、基板1の面上には、導電パターンと電気的に接続されるように、抵抗発熱体が形成されている。抵抗発熱体は、銀とパラジウムで構成された合金または銀で構成された金属と、グラファイト(C)などの炭素系の材料とを含む抵抗体である。グラファイトの含有率(重量比)は、その合金または金属とグラファイトの総和に対して、16〜47%に設定されている。合金の場合には、銀とパラジウムの総和に対して、銀の含有率は25%以上、特には25〜95%に設定されている。なお、抵抗発熱体には、ガラスやアルミナからなるフィラーなどをさらに含ませることができる。
本実施形態では、抵抗発熱体は、複数の発熱体41〜45で構成されている。発熱体41〜45は、発熱体41は、パターン21とパターン22の間、発熱体42は、パターン22とパターン23の間、発熱体43は、パターン23とパターン24の間、発熱体44は、パターン24とパターン25の間、発熱体45は、パターン25とパターン26の間に形成されている。このように、発熱体41〜45を基板1の長手方向に複数に分割するメリットは、抵抗発熱体のサイズを様々な用紙サイズに対応させること、および通電方向の長尺化を抑制することで、総抵抗を小さくすることである。すなわち、小サイズの用紙の場合には、例えば発熱体42〜44とのみ接触させることができるとともに、発熱体41〜45の電流の流れる方向に沿う長さをL、幅をWとしたとき、L<Wを満足するように構成しやすくなるため、発熱体41〜45通電方向の長さを短くすることができる。
さらに、基板1の面上には、少なくとも発熱体41〜45を覆うように、オーバーコート層5が形成されている。オーバーコート層5は、例えば焼成温度が400〜500℃のガラスで構成されている。焼成温度とは、加熱によってガラス粉末が溶融して膜状になる温度であり、一般的には軟化温度よりも10〜50℃高い温度がこれに該当する。このようなガラスとしては、ビスマス塩系ガラス、ビスマス亜鉛系ガラス、リン酸塩系ガラス、リン酸亜鉛系ガラス、バナジウム系ガラスなどが挙げられる。特に、酸化ビスマス(Bi)を含むビスマス系のガラスが望ましい。また、ガラス中には、抵抗発熱体等との熱膨張係数を調整するために、酸化物、窒化物、シリカ等からなるフィラーが添加されている。
基板1の他方の面上には、摺動層6が形成されている。摺動層6は、オーバーコート層5と比較して表面が滑らかなガラスで構成されており、通紙される側の面となる。つまり、抵抗発熱体側の面では熱を発生させ、摺動層6側の面では通紙させながら、トナー定着が行われる。
本実施形態のセラミックヒータの一製造方法について説明する。
まず、セラミックで構成された基板1の一方の面上に、導電ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成してパターン21〜26および電極31、32を形成する。導電ペーストには、例えば銀、有機溶剤、バインダ、ホウ珪酸亜鉛ガラスなどを含むペーストを使用できる。次に、基板1の他方の面上に、ガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して摺動層6を形成する。次いで、パターン21〜26に積層するように、基板1上に抵抗ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して発熱体41〜45を形成する。抵抗ペーストには、銀とパラジウムで構成された合金または銀で構成された金属と、グラファイトと、有機溶剤、バインダ、ホウ珪酸亜鉛ガラスなどを含むペーストを使用できる。
次に、発熱体41〜45を覆うように、基板1上にガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成してオーバーコート層5を形成する。ガラスペーストには、例えばガラス、有機溶剤、増粘材としてエチルセルロースを含有するバインダ、フィラーとしてアルミナ(Al)の粉末などを含むペーストを使用できる。このガラスには、焼成可能な温度が400〜500℃のガラスを使用するのが望ましい。これは炭素系の発熱体41〜45が、500〜700℃程度で酸化、燃焼による消耗が生じてしまうためである。本実施形態では、酸化ビスマス(Bi)と酸化ホウ素(B)とアルカリ金属からなる軟化点が438℃のビスマス系のガラスを用いている。このようにして、セラミックヒータが完成する。
ここで、抵抗発熱体の材料の組成を変化させたときのTCRの変化について試験を行った。その結果を図3に示す。●はAg:Pd=45%:55%であるAg/Pd合金と、グラファイトの総和におけるグラファイトの含有率を0〜100%に変化させたときのTCRを示すものである。同様に、■はAg:Pd=80%:20%であるAg/Pd合金とグラファイト、▲はAg:Pd=95%:5%であるAg/Pd合金とグラファイト、◆はAg100%金属とグラファイトの総和におけるグラファイトの含有率を0〜100%に変化させたときのTCRを示すものである。なお、TCRは25℃〜180℃までの抵抗変化率とした。
結果から、何れのAg/Pdの含有率においても、グラファイトの含有率が高ければTCRを低くできることがわかる。特に、グラファイトの含有率が16%以上では、グラファイトの含有率が0%、すなわちAg/PdまたはAgが100%のときと比較して、TCRが急激に低くなることがわかる。グラファイトの含有率が26%以上では、TCRが約−800ppm/℃であるグラファイトの含有率が100%のときと同等のTCRになることがわかる。したがって、TCRが低い抵抗発熱体を実現するためには、Ag/PdまたはAgとグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を16%以上、特には26%以上にするのが好適である。
また、抵抗発熱体の材料の組成を変化させたときのシート抵抗の変化について試験を行った。その結果を図4に示す。
結果から、何れのAg/Pdの含有率においても、グラファイトの含有率が低ければシート抵抗を低くできることがわかる。特に、グラファイトの含有率が47%以下になると、シート抵抗が急激に低下し始める傾向が生じることがわかる。グラファイトの含有率が40%以上では、シート抵抗が約200Ω/□であるグラファイトの含有率が100%のときと比較して、シート抵抗を1/4の50Ω/□程度まで低下することがわかる。したがって、TCRが低い抵抗発熱体を実現するためには、Ag/PdまたはAgとグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を47%以下、特には40%以下にするのが好適である。
以上から、TCRおよびシート抵抗が低い抵抗発熱体を実現するためには、Ag/PdまたはAgとグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を16〜47%以下、特には26〜40%にするのが好適である。
図5は、Ag/Pd合金における銀の含有率(重量比)とTCRの関係について説明するための図である。
結果から、Ag/Pd合金中のAgの含有率は多すぎても少なすぎてもTCRが高くなることがわかる。具体的には、Agが0%、すなわちPdが100%のときのTCRは約3200ppm/℃、Agが100%のときのTCRは約3600ppm/℃と高いが、Agの含有率が45%において極小値の0ppm/℃となることがわかる。Ag:Pd=45%:55%のAg/Pd合金と、グラファイトの総和におけるグラファイトの含有率によるTCRの変化は、図3の●に示したとおりである。この図からわかるように、グラファイトの含有率が0%でもTCRが0ppm/℃からスタートするため、グラファイトを僅かに混ぜるだけで抵抗発熱体のTCRを負の値にすることができる。つまり、Ag:Pd=45%:55%のAg/Pd合金とグラファイトを混合した抵抗発熱体が最適である。Ag/Pd合金のTCRが500ppm/℃以下となるAgが25〜74%では、グラファイトの含有率が16%以上となれば、抵抗発熱体のTCRを負の値にすることができるので好適である。ただし、Pdは高価な金属であるため、Agが40〜74%であるとさらに好適である。なお、Ag/Pd合金においてAgの含有率を変化させても、シート抵抗の変化は図4からわかるように比較的小さいので、Agの含有率が抵抗発熱体のシート抵抗に与える影響は無視できる。
また、Ag/Pd合金中のAgが74%以上、100%以下でも抵抗発熱体のTCRが低ければよい。図5からわかるように、Agの含有率が95%以下であれば、Agが100%のときよりもTCRをかなり低くできる。図4の▲から、Ag:Pd=95%:5%のAg/Pd合金と、グラファイトの総和におけるグラファイトの含有率が23%以上であれば、抵抗発熱体のTCRを負の値にすることができる。よって、Agの含有率が74〜95%であるAg/Pd合金においては、この合金とグラファイトの総和におけるグラファイトの含有率が23〜47%であれば、低価格、低TCRかつ低シート抵抗の抵抗発熱体を実現することができる。また、図4の◆から、Ag100%の金属と、グラファイトの総和におけるグラファイトの含有率が28%以上であれば、抵抗発熱体のTCRを負の値にすることができる。よって、Agの含有率が95〜100%であるAg/Pd合金においては、この合金とグラファイトの総和におけるグラファイトの含有率が28〜47%であれば、低価格、低TCRかつ低シート抵抗の抵抗発熱体を実現することができる。
また、抵抗発熱体は、導電パターンと接続されるため、その導電パターンのTCRの影響を受けうる。例えば、銀の導体パターンとグラファイトの抵抗発熱体を形成すると、グラファイトの抵抗発熱体のTCRが5%程度劣化することがある。よって、導電パターンには、TCRが低い、例えば70ppm/℃以下、特には10ppm/℃以下の材料を使用するのが望ましい。シート抵抗が低いとさらに望ましい。このような材料としては、図6に示すようなAg/Pd系の合金、Cu/Ni系の合金、Cu/Mn系の合金などを使用できる。図中において、TCRの値を±で表示しているのは、膜厚などの影響や測定誤差によるものである。
第1の実施形態においては、抵抗発熱体を、銀およびパラジウムで構成された合金と、グラファイトと、で構成し、合金とグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を16〜47%としたことで、TCRを低することができるため、非通紙部の過昇温を抑制することができる。また、シート抵抗を低することができるため、ヒータの設計上の制約を緩和することができる。例えば、本実施形態のように抵抗発熱体を複数に分割したパターンでは、パターン分割数を増やして、様々な幅の紙に柔軟に対応させることができる。
その際、合金における銀の含有率を25〜74%にしたり、合金における銀の含有率を74〜95%にするとともに、合金とグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を23〜47%にしたり、合金における銀の含有率を95%以上にするとともに、合金とグラファイトの総和に対するグラファイトの含有率を28〜47%にすることで、TCRを負にすることができるため、さらに非通紙部の過昇温を抑制することができる。
また、導電パターンを、TCRが70ppm/℃以下の材料で構成することで、導体パターンによる抵抗発熱体のTCRの上昇を抑制することができる。
(第2の実施形態)
図7は、第2の実施形態の定着装置について説明するための図である。この第2の実施形態の各部について、第1の実施形態のセラミックヒータの各部と同一部分は同一符号で示し、その説明を省略する。
定着装置は、セラミックヒータ100と、定着フィルム200と、加圧ローラ300とで構成されている。なお、定着装置は、実際は筐体内部に内蔵されているが、筐体等の部品は省略している。
セラミックヒータ100は、第1の実施形態で説明したヒータである。
定着フィルム200は、ポリイミド樹脂等の耐熱性シートからなるロール状のフィルムである。この定着フィルム200の内部には、摺動層6がフィルムと接触するように、セラミックヒータ100が配置されている。
加圧ローラ300は、回転軸によって回転可能に構成されたローラである。そのローラの表面には、耐熱性の弾性材料として、シリコーンゴム層が形成されている。シリコーンゴム層は、定着フィルム200を介して、セラミックヒータ100の摺動層6と弾接している。
セラミックヒータ100は電極31、32に接続されるコネクタ(図示なし)を通じて通電され、発熱抵抗体で熱が発生し、その熱は基板を介して摺動層6に伝熱され、定着フィルム200および加圧ローラ300を過熱する。そこに、定着フィルム200および加圧ローラ300の回転によってトナー像500が付着した用紙400が送られると、トナー像500は加熱溶融され、軟化溶融する。この後、加圧ローラ300の用紙排出側では用紙400がセラミックヒータ100から離れ、トナー像500’は自然放熱して冷却固化し、定着装置から離れる。
このようにして、用紙に対してトナー定着がなされるが、セラミックヒータ100の長手方向よりも幅が短い用紙400が通紙されたとしても、本実施の形態のセラミックヒータ100により、非通紙部での過昇温を抑制することができる。
本発明は上記実施態様に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、抵抗発熱体は、基板1の長手方向に沿って形成され、その両端で導電パターンと接続される形状であっても良い。
摺動層6は必須ではない。すなわち、オーバーコート層5側に通紙させるように構成しても良い。
この発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 基板
21〜26 パターン
41〜45 発熱体
5 オーバーコート層

Claims (7)

  1. セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された導電パターンと、前記導電パターンと電気的に接続されるように、前記基板上に形成された抵抗発熱体と、少なくとも前記抵抗発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータにおいて、
    前記抵抗発熱体は、銀およびパラジウムで構成された合金と、グラファイトと、を含んでおり、前記合金と前記グラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が16〜47%であるセラミックヒータ。
  2. 前記合金における銀の含有率が25〜74%である請求項1に記載のセラミックヒータ。
  3. 前記合金における銀の含有率が74〜95%であるとともに、前記合金と前記グラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が23〜47%である請求項1に記載のセラミックヒータ。
  4. セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された導電パターンと、前記導電パターンと電気的に接続されるように、前記基板上に形成された抵抗発熱体と、少なくとも前記抵抗発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータにおいて、
    前記抵抗発熱体は、銀およびパラジウムで構成され、そのうち銀の含有率が95%以上である合金、または銀で構成された金属と、パラジウムと、を含んでおり、前記合金または前記金属と前記グラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が28〜47%であるセラミックヒータ。
  5. セラミックで構成された基板上に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータにおいて、
    前記抵抗発熱体は、銀およびパラジウムで構成された合金、または銀で構成された金属と、グラファイトと、を含んでおり、前記合金または前記金属と前記グラファイトの総和に対するグラファイトの含有率が16〜47%であるヒータ。
  6. 前記導電パターンは、TCRが70ppm/℃以下である請求項1〜請求項5の何れかに記載のセラミックヒータ。
  7. 請求項1〜請求項6の何れかに記載のセラミックヒータと、
    前記セラミックヒータを内部に配置する定着フィルムと、
    前記定着フィルムを介して、前記セラミックヒータと弾接される加圧ローラと、
    を具備する定着装置。
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