JP2013185084A - 蛍光体およびその製造方法 - Google Patents

蛍光体およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013185084A
JP2013185084A JP2012051731A JP2012051731A JP2013185084A JP 2013185084 A JP2013185084 A JP 2013185084A JP 2012051731 A JP2012051731 A JP 2012051731A JP 2012051731 A JP2012051731 A JP 2012051731A JP 2013185084 A JP2013185084 A JP 2013185084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
light emitting
intermediate product
oxynitride phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012051731A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5727955B2 (ja
Inventor
Naohisa Matsuda
田 直 寿 松
Yumi Fukuda
田 由 美 福
Keiko Albessard
恵 子 アルベサール
Masanori Kato
藤 雅 礼 加
Iwao Mitsuishi
石 巌 三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2012051731A priority Critical patent/JP5727955B2/ja
Priority to US13/609,891 priority patent/US9187693B2/en
Priority to CN201210336992.6A priority patent/CN103305215B/zh
Priority to KR1020120100782A priority patent/KR101386740B1/ko
Priority to TW101133316A priority patent/TWI456029B/zh
Priority to EP12184243.9A priority patent/EP2636717B1/en
Publication of JP2013185084A publication Critical patent/JP2013185084A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5727955B2 publication Critical patent/JP5727955B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】ストロンチウムなどのアルカリ土類金属を含有する原料として安価な酸化物等を用いた、ピーク波長が630nm以上の赤色光を放出するユーロピウム付活酸窒化物蛍光体およびその製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式(1):
(M1−xEu)AlSi (1)
(式中、Mはアルカリ土類元素を表し、0<x<0.2、1.3≦a≦1.8、3.5≦b≦4、0.1≦c≦0.3、6.5≦d≦7、および0.01≦e≦0.1を満たすものとする)
で表される組成を有し、2価のユーロピウムで付活したことを特徴とする酸窒化物蛍光体。
【選択図】図5

Description

本発明の実施形態は、白色LED発光装置用として好適な赤色発光蛍光体およびその製造方法に関するものである。
近年、LEDなどの半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせることにより単一のデバイスで白色光を発する白色LED発光装置が照明光源などとして多用されるようになっている。このような白色LED発光装置に用いられる蛍光体として、近紫外〜青色領域の光で励起したときに発光効率の高い蛍光体が望まれており、そのような蛍光体として種々の酸窒化物蛍光体が提案されている。
このような蛍光体の例として、各種のユーロピウム付活サイアロン蛍光体が開示されており、例えば特定範囲の組成を有するもの、X線回折線の位置が規定されたものなどが開示されている。また、そのような蛍光体の製造方法、および製造に用いられる原材料についても種々のものが開示されている。
サイアロン蛍光体の原料としては、蛍光体を構成する金属であるストロンチウム、ユーロピウム、ケイ素、などの、窒化物、酸化物、水酸化物、または炭酸塩などが使われるのが一般的である。しかし、これらの原材料の種類は得られる蛍光体の性質に影響を与えることがある。例えば、ストロンチウム原料として炭酸塩を用いる方法が知られているが、この場合には形成されるサイアロン蛍光体に青色発光をする異相が含まれてしまう。一方で、ストロンチウム原料にSrなどの窒化物を用いることで、異相の生成を抑制できるがしかしストロンチウムの窒化物原料は化学的に不安定であり、高価でもあるので工業的に利用することは容易ではない。
本発明者らは、不安定かつ高価なSrに代えて、酸化ストロンチウムまたは水酸化ストロンチウムを原料に用い、複数の工程による中間生成物を経る製造方法により、異相の少ないユーロピウム付活サイアロン緑色発光蛍光体を製造できる方法を別途開発している。しかしこの方法を応用して得られたサイアロン赤色発光蛍光体はさらなる発光波長の長波長化が求められ、改良の余地があった。
特開2011−80068号公報
本発明の実施形態は、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属を含有する原料として安価な酸化物等を用いながら、ピーク波長が630nm以上の赤色光を放出するユーロピウム付活酸窒化物蛍光体を提供しようとするものである。
本発明の実施形態による酸窒化物蛍光体は、下記一般式(1):
(M1−xEu)AlSi (1)
(式中、Mはアルカリ土類元素を表し、
0<x<0.2
1.3≦a≦1.8
3.5≦b≦4
0.1≦c≦0.3
6.7≦d≦7.2
0.01≦e≦0.1
を満たすものとする)
で表される組成を有し、2価のユーロピウムで付活したことを特徴とするものである。
本発明の実施形態による酸窒化物蛍光体の製造方法は、
アルカリ土類金属の酸化物または水酸化物、酸化ユーロピウム、およびケイ素粉末または窒化ケイ素を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成して、第一中間生成物を形成させる第一の工程と、
前記第一中間生成物に炭素粉末を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成して第二中間生成物を形成させる第二の工程と、
第二の工程によって得られた生成物に少なくともケイ素粉末または窒化ケイ素と窒化アルミニウムとを混合し水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成する第三の工程と、
を含むことを特徴とするものである。
また本発明の実施形態による発光装置は、前記の酸窒化物蛍光体と、それを励起することができる発光素子とを具備することを特徴とするものである。
本発明の一実施形態による発光装置の断面図。 第一の工程によって得られた第一の中間生成物の発光スペクトルを示した図。 第二の工程によって得られた第二の中間生成物の発光スペクトルを示した図。 比較例1の蛍光体の発光スペクトルを示した図。 実施例1の蛍光体の発光スペクトルを示した図。 実施例1の蛍光体のXRDプロファイルを示した図。 比較例3の蛍光体のXRDプロファイルを示した図。
以下に本発明の具体例を詳細に説明する。
本発明の実施形態による蛍光体は、一般式(1):
(M1−xEu)AlSi (1)
で表される蛍光体である。
ここで、Mはアルカリ土類元素を表し、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、またはRaから選ばれるものである。これらのアルカリ土類金属は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、MはSrを含むことが好ましく、Mの総モル数のうち80モル%以上がSrであることが好ましい。Sr以外のアルカリ土類金属としては、CaやBaが好ましく用いられるが、これらの含有量はMの総モル数のうち20モル%以下であることが好ましい。
また、x、a、b、c、d、およびeはアルカリ土類元素とユーロピウムの和に対する各元素のモル比を示す値であり、それぞれ
0<x<0.2、好ましくは0.01≦x≦0.1、
1.3≦a≦1.8、好ましくは1.45≦a≦1.65、
3.5≦b≦4、好ましくは3.6≦b≦3.9、
0.1≦c≦0.3、
6.7≦d≦7.2、好ましくは6.8≦d≦7.1、
0.01≦e≦0.1、好ましくは0.01≦e≦0.05、
を満たすものとする。
本発明の実施形態による蛍光体は、従来知られているサイアロン蛍光体に分類されるものであるが、特定量の炭素および酸素を含有することを特徴としている。すなわち、従来のサイアロン蛍光体では、特に炭素を必須とするものについてはほとんど報告が無く、また酸素含有量を低くすることが困難であった。本発明の実施形態による蛍光体は、これらの特徴を併せ持つものである。すなわち、本発明の実施形態による蛍光体においては、炭素含有率に対応するeが0ではなく、酸素含有率であるcが従来のサイアロン蛍光体に比較して低い範囲に特定されている。実施形態による蛍光体は、このような組成を有することで、異相の発光が少なく、630nm以上のピーク波長を有する発光を実現できる。
なお、実施形態による蛍光体において、アルミニウム、ケイ素、窒素の含有率を表すa、b、およびdは特定された範囲を逸脱すると所望の赤色蛍光体とは異なる物質となり、また異相の生成が多くなり、結果的に発光特性が不十分となりやすい。また、ユーロピウムの付活濃度を表すxは、ユーロピウムによる発光を得るために0より大きいことが必須であるが、大きすぎると濃度消光により発光効率が低下してしまうため0.2未満が必須である。高い発光効率を得るためには、xの範囲が0.01以上0.1以下であることがさらに好ましい。
本発明の実施形態によるそれぞれの製造方法が目的とする酸窒化物蛍光体は、SrAlSiON13と同一の結晶構造を有するものである。以下、このような酸窒化物蛍光体をSrAlSiON13属蛍光体ということがある。このような蛍光体は、SrAlSiON13をベースとして、その構成元素であるSr、Si、Al、O、またはNが他の元素で置き換わったり、Euなどのほかの金属元素が固溶したものであるということもできる。
SrAlSiON13属蛍光体は、斜方晶である。また、X線回折や中性子回折により同定することができる。すなわち、SrAlSiON13のXRDプロファイルと同一のプロファイルを示す物質の他に、構成元素が他の元素と入れ替わることにより格子定数が一定範囲で変化したものも、SrAlSiON13属蛍光体に包含されるものである。ここで、構成元素が他の元素で置き換わるものとは、SrAlSiON13結晶中のSrが発光中心元素Euで置換された結晶のことである。また、AlがSiに互いに置き換わると同時に、OとNが置き換わった、例えばSrAlSi14、SrAlSi12、Srl5Si11、SrAlSi10等もSrAlSiON13属結晶である。
本発明の実施形態による蛍光体は、CuKα特性X線(波長1.54056Å)を用いて測定したXRDプロファイルにおいて、回折角度(2θ)が、15.0〜15.25°、23.1〜23.20°、24.85〜25.05°、26.95〜27.15°、29.3〜29.6°、30.9〜31.1°、31.6〜31.8°、33.0〜33.20°、35.25〜35.45°、36.1〜36.25°、および56.4〜56.65°の、11箇所のうち、少なくとも7箇所、さらには9箇所以上に同時に回折ピークを示す一成分を含有するものであることが好ましい。
なお、本発明の実施形態による蛍光体は、組成中に炭素を含んでいる。ここで、炭素の少なくとも一部は、SrAlSiON13属蛍光体を構成する陰イオン原子と置き換わっている。すなわち、炭素の一部は不純物として蛍光体中に含まれているものではない。
本発明の実施形態による蛍光体は、光により励起すると赤色の発光を示す。具体的には、波長が330〜470nmの光を照射すると、ピーク波長が630nm以上の光を放射する。原料としてアルカリ土類金属の酸化物または水酸化物を用いる従来の方法により製造された蛍光体では、このような長波長の赤色光を放射する蛍光体を得ることは困難であった。
実施形態による蛍光体の製造方法は特に限定されない。しかしながら、本発明者らは実施形態による蛍光体を効率よく製造することができる方法を見出した。具体的には、本発明の実施形態による蛍光体は、下記の方法により製造することができる。
まず、アルカリ土類金属の酸化物または水酸化物、酸化ストロンチウムまたは水酸化ストロンチウム、酸化ユーロピウムおよびケイ素粉末または窒化ケイ素を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成する第一の工程よって第一の中間生成物を合成する。アルカリ土類金属としては、前記式(1)において説明したものが挙げられる。アルカリ土類金属は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、アルカリ土類金属はSrを含むことが好ましい。すなわち、原料として酸化ストロンチウムまたは水酸化ストロンチウムを用いることが好ましい。酸化ストロンチウムまたは水酸化ストロンチウムは、吸湿性はあるものの長時間放置するなどしなければ大気中でも秤量、調合などの取り扱いが可能な物質である。また安価でもあり、高価で不安定なSrの代わりにこれらの原料を用いることによる工業的な意義は大きい。
また、本発明の実施形態による製造方法では、第一の工程において焼成の際に用いる焼成容器に非酸化物の材質からなるものを用いることが好ましい。好ましい焼成容器の例は、窒化ホウ素(BN)または炭化ケイ素(SiC)製の焼成容器である。このような焼成容器を用いることによって、第一の工程によって得られる第一中間生成物中の酸素含有量を十分少なくできる。これに対して、第一工程において焼成容器にアルミナなど酸化物の材質のものを用いた場合には、中間生成物中の酸素含有量が多くなってしまい、得られる酸窒化物蛍光体には多くの異相が生成してしまうために注意が必要である。このような異相は蛍光体の発光の阻害要因となるため、異相を多く含む蛍光体は発光効率の低いものになってしまう。
本発明の実施形態による製造方法において、第一の工程の原料として、発光中心元素となるユーロピウム化合物、および蛍光体結晶の一部を構成するケイ素化合物も用いられる。ユーロピウム化合物としては、Euが用いられる。これ以外のユーロピウム化合物、例えばEuNも用いることができるが、コストの観点からEuが好ましい。ただし、中間生成物の酸素含有率を極めて低くしたいときにはEuNを高い割合で併用することもできる。ケイ素化合物としては、SiまたはSi粉が用いられる。これらのケイ素化合物は酸素含有率が低いので、中間生成物の酸素含有率を低く保つのに有利である。これらの原料は化学的に安定であり、大気中で取り扱っても支障ない。
第一の工程によって得られる第一中間生成物は、(M,Eu)Siの化学式で示される成分を含有する。この成分は、発光ピーク波長が600nm以上の橙ないし赤色の発光を示すものである。ただし、この他に、(M,Eu)SiO、(M,Eu)Siなどの酸素を含有する相を含んでいてもかまわない。ただし、異相の少ない所望の蛍光体を得るためには、第一中間生成物中のMとEuとの和に対する酸素のモル比が低いことが必要であり、1.0未満であることが好ましい。第一中間生成物の酸素含有量が高過ぎると、その後の工程において酸素を多く含む異相の生成を抑制することが難しくなる。
第一の工程の焼成温度は、1300〜1600℃の範囲内であることが望ましい。これより焼成温度が低い場合には(M,Eu)Si相の生成が不十分となる可能性があり、これより温度が高い場合には組成のずれなどが起こりやすくなる傾向にある。
また、第一の工程における焼成は、水素と窒素とを含む雰囲気下で行う。すなわち、還元性の雰囲気下において焼成することで、中間生成物に含まれる酸素を低くする。雰囲気に含まれる水素と窒素の比率は特に限定されないが、一般的には2:98〜75:25とされる。また、その他の不活性ガスを混合することも可能であるが、雰囲気中の酸素は可能な限り低くすることが必要である。また、焼成時の圧力は特に限定されず、一般的には常圧で行われる。
次いで、第二の工程において、第二中間生成物を合成する。具体的には、第一の工程で得られた第一中間生成物に炭素粉末を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成する。この工程では、第一中間生成物に含まれる、酸素を含む化合物、例えば(Sr,Eu)SiOや(Sr,Eu)Siなどの酸素に炭素が結合し、所望の量以上の酸素を除去するとともに、微量の炭素が結晶中に取り込まれて第二の中間生成物が生成すると考えられる。第二の工程における炭素粉の混合量はモル比でアルカリ土類元素とユーロピウムの和に対し1.0〜2.0倍であることが好ましい。炭素混合量がこの範囲より少ないと酸素の除去が不十分であり、得られた赤色蛍光体の波長が630nm以上にはならない。またこれより混合量が多いと未反応の炭素が残ってしまい、発光特性が低下してしまう。
用いる炭素粉末は特に限定されず、黒鉛、カーボンブラック、活性炭、無定形炭素など、目的に応じて任意に選択することができる。ただし、入手容易性やコストの観点から、黒鉛や活性炭などを用いることが好ましい。
第二の工程の焼成温度は、1300〜1600℃の範囲内であることが望ましい。また、第二の工程における焼成も、第一の工程と同様に、水素と窒素とを含む雰囲気下で行う。第二の工程の焼成雰囲気は、第一の工程において説明した範囲から選択することができる。なお、第一の工程と第二の工程とで同じ条件で焼成する必要はない。
なお、本発明者らの検討によれば、第二の工程を経ないで作製した赤色蛍光体は発光ピーク波長が短く、発光波長のピークは630nm未満であった。この理由は明確に解明されていないが、ストロンチウム原料に起因する酸素が蛍光体中に残存してしまうため、蛍光体中の含有酸素量、すなわち(1)式中のcの値が大きくなることが原因ではないかと考えられる。
次いで、第三の工程において、第二中間生成物に、最終的な酸窒化物蛍光体の組成を所望のものとするために補足する原料を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成する。
補足する原料としては、窒化ケイ素、ケイ素粉、またはそれらの組み合わせと窒化アルミニウムが用いられる。ここで、原料に非酸化物を用いるのは、第一の工程と同様に、得られる酸窒化物蛍光体に含まれる酸素含有率を制御するためである。
ここで、用いられるケイ素粉の平均粒子径は、反応性の観点から小さいことが好ましく、具体的には150μm未満が好ましく、50μm未満がより好ましい。一方、ケイ素粉に酸素や不純物が含まれると異相が発生し易く、発光特性低下の原因となることがある。このためケイ素粉の平均粒子径は大きいことが好ましい。具体的には5μm以上であることが好ましい。ここで、ケイ素粉の平均粒子径は50%メジアン径を表し、たとえば堀場製作所社レーザ回折散乱式粒度分布測定装置により測定したものである。
ただし原料中の酸素含有量が少なすぎる場合は、さらに酸化アルミニウム(Al)を原料として併用することにより、得られる酸窒化物蛍光体の酸素含有量を調整することもできる。追加原料の調合比は、原料中のMおよびEuのモル数の和、Alのモル数(すなわち、窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの中のアルミニウムのモル数の和)、Siのモル数(すなわち、(M,Eu)Si中のSiのモル数および追加するケイ素粉および窒化ケイ素中の窒素のモル数の和)の比が、所望の蛍光体の組成における各原子の比に一致するようにする。具体的には、第二の工程の原料中に含まれるM+Eu、Al、およびSiのモル比が、一般式(M1−xEu)AlSiにおける1:a:bとなるように各原料を配合すればよい。ただし、第三の工程の焼成においてSiが揮発してしまう場合があり、その場合にはケイ素粉または窒化ケイ素の配合比を理論値より大きくすることが好ましい。
焼成温度は製造コストの観点からは低いほうが好ましい。焼成温度が1500℃以上であれば、ほとんどの場合に十分な特性を有する蛍光体が得られる。このため、焼成温度は1500℃以上であることが好ましい。
また、第三の工程における焼成も、第一および第二の工程と同様に、水素と窒素とを含む雰囲気下で行う。第三の工程の焼成雰囲気も、第一の工程において説明した範囲から選択することができる。なお、第三の工程は、第一または第二の工程とで同じ条件で焼成する必要はない。
焼成工程に用いる焼成容器は特に限定されないが、焼成温度が相対的に高いので、BNるつぼを使うことが好ましい。
発光装置
本発明の実施形態による発光装置は、前記した蛍光体と、それを励起することができる発光素子とを具備するものである。
本発明の実施形態による発光装置において、前記した蛍光体は赤色光を放射する。しかし、発光装置に求められる発光の色が異なる色である場合、その他の蛍光体を組み合わせて、所望の発光をする発光装置とすることができる。
例えば、白色光を放射する発光装置が求められる場合には、
(1)励起源である発光素子と、その発光素子から照射される光によって励起されて蛍光を発する、前記の赤色発光蛍光体(R)と、黄色発光蛍光体(Y)または緑色発光蛍光体(G)との組み合わせを具備する発光装置、
(2)励起源である発光素子から照射される光によって励起されて蛍光を発する、前記の赤色発光蛍光体(R)と、黄色発光蛍光体(Y)または緑色発光蛍光体(G)、および青色発光蛍光体(B)との組み合わせを具備する発光装置、
などが挙げられる。
発光装置に用いられる発光素子、たとえばLED素子は、用いる蛍光体の組み合わせによって適当なものが選択される。すなわち、発光素子から放射される光が、用いられる蛍光体を励起することができるものであることが必要である。さらには、発光装置が白色光を放射することが好ましい場合には、蛍光体から放射される光を補うような波長の光を放射する発光素子が好ましい。
このような観点から、蛍光体として赤色発光蛍光体と黄色発光蛍光体または緑色発光蛍光体とを用いた蛍光装置においては、発光素子(S1)は、330nm〜470nmの波長の光を放射するものが選択され、蛍光体として赤色発光蛍光体と、黄色発光蛍光体または緑色発光蛍光体と、青色発光蛍光体とを用いた蛍光装置においては、発光素子(S2)は、250〜430nmの波長の光を放射するものが選択される。
本発明の実施形態による発光装置は、従来知られている任意の発光装置の形態とすることができる。図1は、本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面を示すものである。
図1に示された発光装置においては、樹脂システム100はリードフレームを成形してなるリード101およびリード102と、これに一体成形されてなる樹脂部103とを有する。樹脂部103は、上部開口部が底面部より広い凹部105を有しており、この凹部の側面には反射面104が設けられる。
凹部105の略円形底面中央部には、発光素子106がAgペースト等によりマウントされている。発光素子106としては、例えば発光ダイオード、レーザダイオード等を用いることができる。この発光素子は、用いられる蛍光体の組み合わせに応じて、適当な波長の光を放射するものから選択される。例えば、GaN系等の半導体発光素子等を用いることができる。発光素子106の電極(図示せず)は、Auなどからなるボンディングワイヤー107および108によって、リード101およびリード102にそれぞれ接続されている。なお、リード101および102の配置は、適宜変更することができる。
蛍光層109は、本発明の実施形態にかかる蛍光体の混合物110を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層111中に5重量%から50重量%の割合で分散、もしくは沈降させることによって形成することができる。実施形態にかかる蛍光体には、共有結合性の高い酸窒化物が母体として用いられている。このため、本発明の実施形態による蛍光体は一般に疎水性であり、樹脂との相容性が極めて良好である。したがって、樹脂と蛍光体との界面での散乱が著しく抑制されて、光取出し効率が向上する。
発光素子106としては、n型電極とp型電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることも可能である。この場合には、ワイヤーの断線や剥離、ワイヤーによる光吸収等のワイヤーに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、発光素子106にn型基板を用いて、次のような構成とすることもできる。具体的には、n型基板の裏面にn型電極を形成し、基板上の半導体層上面にはp型電極を形成して、n型電極またはp型電極をリードにマウントする。p型電極またはn型電極は、ワイヤーにより他方のリードに接続することができる。発光素子106のサイズ、凹部105の寸法および形状は、適宜変更することができる。
本発明の実施形態にかかる発光装置は、図1に示したようなパッケージカップ型に限定されず、適宜変更することができる。具体的には、砲弾型発光装置や表面実装型発光装置の場合も、実施形態の蛍光体を適用して同様の効果を得ることができる。
比較例1
原料としてSr(OH)、Eu、およびSiをSr:Eu:Siのモル比が0.95:0.05:2.4になるように、それぞれ13.9g、1.06g、および13.5gを秤量し、乾式で混合した。これを窒化ホウ素(BN)製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1400℃、4時間の焼成を行い、第一の工程による第一中間生成物X1を得た。この中間生成物をCu−Kα線を用いてX線回折測定を行ったところ、SrSiおよびSrSiの回折パターンが確認できた。これに波長365nmの紫外線を照射すると、図2に示す発光スペクトルを示した。
次に、第一中間生成物X1、Si、およびAlNをSr:Eu:Al:Siが0.95:0.05:1.5:3.6になるように、それぞれ6.4g、1.68g、および1.84gを秤量し、乾式で混合した。得られた混合物をBN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行った。これにより、第二の工程を経由していない比較例1の蛍光体を得た。この蛍光体は特許文献1の赤色蛍光体に類似のX線回折パターンを示したが、波長365nmの紫外線で励起したところ図4の発光スペクトルを示し、ピーク波長は588nmと短かった。また、この蛍光体の組成分析を実施したところ、酸素含有量が多く、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.95:0.05:1.62:3.8:1.26:6.78:0.003であった。
実施例1
第一中間生成物X1を11.5gとこの中間生成物X1中に含まれるSrとEuの和の1.5倍のモル数に相当する炭素粉0.90gとを秤量し、乾式で混合し、BN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、第二の工程による第二中間生成物Y1を得た。この第二中間生成物Y1のX線回折測定を行ったところ、ほぼSrSi相のみのパターンであることが確認できた。これに波長365nmの紫外線を照射すると、図3に示す発光スペクトルを示した。
次に第二中間生成物Y1、Si、およびAlNをSr:Eu:Al:Siが0.95:0.05:1.5:3.6になるように、それぞれ6.4g、1.68g、および1.84gを秤量し、乾式で混合した。得られた混合物をBN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、実施例1の蛍光体を得た。この蛍光体は特許文献1の赤色蛍光体に類似のX線回折パターンを示し、波長365nmの紫外線励起下で図5の発光スペクトルを示し、ピーク波長は637nmと十分な値であった。また紫外線励起での発光強度を比較すると、比較例1の蛍光体の1.3倍という高い値を示した。この蛍光体の組成分析を実施したところ、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.95:0.05:1.55:3.8:0.26:6.95:0.025であった。
また、この蛍光体についてCuKα特性X線(1.54056Å)を用いてXRDプロファイルを測定した。測定装置は、M18XHF22−SRA型X線構造解析装置(商品名、株式会社マック・サイエンス製)を用いた。測定条件は、管電圧40kV、管電流100mA、スキャンスピードは2°/分とした。得られた結果は図6に示す通りであった。このXRDプロファイルにおいて、回折角度(2θ)が、15.0〜15.25°、23.1〜23.20°、24.85〜25.05°、26.95〜27.15°、29.3〜29.6°、30.9〜31.1°、31.6〜31.8°、33.0〜33.20°、35.25〜35.45°、36.1〜36.25°、および56.4〜56.65°の、11箇所すべてに回折ピークが認められた。
実施例2
さらに、実施例1の蛍光体をBN製容器に充填し、7.5気圧の加圧窒素雰囲気中で、1800℃、4時間の追加焼成を行うことで実施例2の蛍光体を得た。この蛍光体は波長365nmの紫外線励起下でピーク波長632nmの発光スペクトルを示した。また紫外線励起での発光強度を比較すると、比較例1の蛍光体の1.3倍という高い値を示した。この蛍光体の組成分析を実施したところ、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.95:0.05:1.5:3.85:0.22:7.02:0.013であった。
比較例2
第二の中間生成物Y1、Si、AlN、およびAlをSr:Eu:Al:Siが0.95:0.05:1.5:3.6になるように、それぞれ6.4g、1.68g、1.64g、および0.25gを秤量し、乾式で混合した。得られた混合物をBN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、比較例2の蛍光体を得た。この蛍光体は特許文献1の赤色蛍光体に類似のX線回折パターンを示したが、波長365nmの紫外線で励起したところ発光スペクトルのピーク波長は612nmと短かった。紫外線励起での発光強度を比較すると、比較例1の蛍光体の1.2倍であった。また、この蛍光体の組成分析を実施したところ、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.95:0.05:1.55:3.8:0.53:6.6:0.02であった。
比較例3
第一の中間生成物X1を11.5gとこの中間生成物X1中に含まれるSrとEuの和の0.5倍のモル数に相当する炭素粉0.30gを秤量し、乾式で混合し、BN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、第二の工程による第二中間生成物Y2を得た。この中間生成物のX線回折測定を行ったところ、SrSi相以外にSrSi相の回折パターンが確認できた。この第二中間生成物Y2、Si、およびAlNをSr:Eu:Al:Siが0.95:0.05:1.5:3.6になるように、それぞれ6.7g、1.68g、および1.84gを秤量し、乾式で混合した。得られた混合物をBN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、比較例3の蛍光体を得た。この蛍光体は特許文献1の赤色蛍光体に類似のX線回折パターンを示したが、波長365nmの紫外線で励起したところ発光スペクトルのピーク波長は612nmと短かった。紫外線励起での発光強度を比較すると、比較例1の蛍光体の0.7倍であった。また、この蛍光体の組成分析を実施したところ、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.95:0.05:1.44:3.5:1.03:6.01:0.044であった。
また、この蛍光体について、実施例1と同様の方法によりXRDプロファイルを測定した。得られた結果は図7に示す通りであった。このXRDプロファイルにおいて、回折角度(2θ)が、15.0〜15.25°、23.1〜23.20°、24.85〜25.05°、26.95〜27.15°、29.3〜29.6°、30.9〜31.1°、31.6〜31.8°、33.0〜33.20°、35.25〜35.45°、36.1〜36.25°、および56.4〜56.65°の、11箇所のうち、6箇所には解析ピークが認められたが、残りの箇所には回折ピークが認められないか、ピーク位置が範囲外であった。
実施例3
原料としてSr(OH)、Eu、およびSi粉末をSr:Eu:Siのモル比が0.9:0.1:2.4になるように、それぞれ13.9g、2.11g、および8.09gを秤量し、乾式で混合した。得られた混合物をB)製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1400℃、4時間の焼成を行い、第一の工程による第一中間生成物X2を得た。次に、この第一中間生成物11.0gとこの中間生成物X2中のSrとEuの和の1.0倍のモル数に相当する炭素粉0.60gを秤量し、乾式で混合し、BN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、第二の工程による第二中間生成物Y3を得た。さらに、第二中間生成物Y3、Si、およびAlNをSr:Eu:Al:Siが0.9:0.1:1.5:3.6になるように、それぞれ6.5g、1.68g、および1.84gを秤量し、乾式で混合した。これをBN製容器に充填し、水素流量5L/min.、窒素流量5L/min.、常圧の還元雰囲気中にて、1600℃、4時間の焼成を行い、実施例3の蛍光体を得た。この蛍光体は特許文献1の赤色蛍光体に類似のX線回折パターンを示し、波長365nmの紫外線励起下でピーク波長651nmの発光スペクトルを示した。また紫外線励起での発光強度を比較すると、比較例1の蛍光体の1.05倍の値を示した。この蛍光体の組成分析を実施したところ、Sr:Eu:Al:Si:O:N:Cのモル比は0.9:0.1:1.55:3.7:0.26:6.85:0.09であった。

Claims (8)

  1. 下記一般式(1):
    (M1−xEu)AlSi (1)
    (式中、Mはアルカリ土類元素を表し、
    0<x<0.2
    1.3≦a≦1.8
    3.5≦b≦4
    0.1≦c≦0.3
    6.7≦d≦7.2
    0.01≦e≦0.1
    を満たすものとする)
    で表される組成を有し、2価のユーロピウムで付活したことを特徴とする酸窒化物蛍光体。
  2. Mがストロンチウムを含む、請求項1に記載の酸窒化物蛍光体。
  3. 波長330nm〜470nmの光で励起したときに蛍光体から放出される光のピーク波長が630nm以上である、請求項1または2に記載の酸窒化物蛍光体。
  4. 前記蛍光体のCuKα特性X線を用いて測定したXRDプロファイルが、回折角度(2θ)が、15.0〜15.25°、23.1〜23.20°、24.85〜25.05°、26.95〜27.15°、29.3〜29.6°、30.9〜31.1°、31.6〜31.8°、33.0〜33.20°、35.25〜35.45°、36.1〜36.25°、および56.4〜56.65である11箇所のうち、少なくとも7箇所に同時に回折ピークを示す成分を含有するものである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸窒化物蛍光体。
  5. アルカリ土類金属の酸化物または水酸化物、酸化ユーロピウム、およびケイ素粉末または窒化ケイ素を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成して、第一中間生成物を形成させる第一の工程と、
    前記第一中間生成物に炭素粉末を混合し、水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成して第二中間生成物を形成させる第二の工程と、
    第二の工程によって得られた生成物に少なくともケイ素粉末または窒化ケイ素と窒化アルミニウムとを混合し水素と窒素とを含む雰囲気中で焼成する第三の工程と、
    を含むことを特徴とする酸窒化物蛍光体の製造方法。
  6. 前記アルカリ土類金属が、ストロンチウムを含む、請求項5に記載の製造方法。
  7. 前記第三の工程によって得られた酸窒化物蛍光体を、さらに加圧窒素雰囲気中で焼成する、請求項5または6に記載の製造方法。
  8. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の酸窒化物蛍光体と、それを励起することができる発光素子とを具備することを特徴とする発光装置。
JP2012051731A 2012-03-08 2012-03-08 蛍光体およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5727955B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012051731A JP5727955B2 (ja) 2012-03-08 2012-03-08 蛍光体およびその製造方法
US13/609,891 US9187693B2 (en) 2012-03-08 2012-09-11 Phosphors and method for producing thereof
CN201210336992.6A CN103305215B (zh) 2012-03-08 2012-09-12 荧光体及其制造方法
KR1020120100782A KR101386740B1 (ko) 2012-03-08 2012-09-12 형광체 및 그 제조 방법
TW101133316A TWI456029B (zh) 2012-03-08 2012-09-12 螢光體及其製造方法
EP12184243.9A EP2636717B1 (en) 2012-03-08 2012-09-13 Phosphors and method for producing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012051731A JP5727955B2 (ja) 2012-03-08 2012-03-08 蛍光体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013185084A true JP2013185084A (ja) 2013-09-19
JP5727955B2 JP5727955B2 (ja) 2015-06-03

Family

ID=46851849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012051731A Expired - Fee Related JP5727955B2 (ja) 2012-03-08 2012-03-08 蛍光体およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9187693B2 (ja)
EP (1) EP2636717B1 (ja)
JP (1) JP5727955B2 (ja)
KR (1) KR101386740B1 (ja)
CN (1) CN103305215B (ja)
TW (1) TWI456029B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018509480A (ja) * 2016-01-29 2018-04-05 江蘇博睿光電有限公司Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 窒素含有発光粒子及びその調製方法、窒素含有発光体、並びに発光デバイス

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2148910B1 (en) * 2007-04-20 2010-12-08 Philips Intellectual Property & Standards GmbH White emitting light source and luminescent material with improved colour stability
JP2014181260A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toshiba Corp 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
US9219202B2 (en) * 2013-04-19 2015-12-22 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
KR101470224B1 (ko) * 2013-10-22 2014-12-08 주식회사 효성 적색 나이트라이드계 형광체, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 백색 발광 소자
US9590148B2 (en) * 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
CN106047341B (zh) * 2016-06-02 2019-01-22 北京宇极科技发展有限公司 一种稀土掺杂荧光粉、其合成方法及其在led器件上的应用
US10600604B2 (en) 2017-06-23 2020-03-24 Current Lighting Solutions, Llc Phosphor compositions and lighting apparatus thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010185009A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Showa Denko Kk 窒化物系または酸窒化物系の蛍光体原料混合物及び窒化物系または酸窒化物系の蛍光体の製造方法
JP2011153320A (ja) * 2011-05-02 2011-08-11 Toshiba Corp 赤色蛍光体の製造方法
JP2012077291A (ja) * 2010-09-09 2012-04-19 Toshiba Corp 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2012188640A (ja) * 2010-09-02 2012-10-04 Toshiba Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
WO2007105631A1 (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体および発光装置
JP2008050496A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
JP5446066B2 (ja) 2006-12-28 2014-03-19 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP5322053B2 (ja) 2007-01-12 2013-10-23 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光器具
WO2008096301A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter
JP2009010315A (ja) 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP5395342B2 (ja) 2007-09-18 2014-01-22 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
CN101842461B (zh) 2007-10-15 2015-09-16 发光物质工厂布赖通根有限责任公司 掺杂稀土的碱土硅氮化物无机发光材料,制造方法以及含有这种无机发光材料的辐射转化装置
EP2569395B1 (en) 2010-05-14 2015-01-21 Lightscape Materials Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same
JP5127940B2 (ja) 2010-08-31 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体の製造方法
US8535566B2 (en) * 2010-09-10 2013-09-17 Lightscape Materials, Inc. Silicon carbidonitride based phosphors and lighting devices using the same
JP5851214B2 (ja) * 2011-11-16 2016-02-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010185009A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Showa Denko Kk 窒化物系または酸窒化物系の蛍光体原料混合物及び窒化物系または酸窒化物系の蛍光体の製造方法
JP2012188640A (ja) * 2010-09-02 2012-10-04 Toshiba Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2012077291A (ja) * 2010-09-09 2012-04-19 Toshiba Corp 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2011153320A (ja) * 2011-05-02 2011-08-11 Toshiba Corp 赤色蛍光体の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018509480A (ja) * 2016-01-29 2018-04-05 江蘇博睿光電有限公司Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 窒素含有発光粒子及びその調製方法、窒素含有発光体、並びに発光デバイス
JP2020125502A (ja) * 2016-01-29 2020-08-20 江蘇博睿光電有限公司Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 窒素含有発光粒子及びその製造方法、並びに発光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
CN103305215B (zh) 2015-01-28
US20130241395A1 (en) 2013-09-19
KR20130103278A (ko) 2013-09-23
JP5727955B2 (ja) 2015-06-03
EP2636717A1 (en) 2013-09-11
TW201336970A (zh) 2013-09-16
CN103305215A (zh) 2013-09-18
US9187693B2 (en) 2015-11-17
KR101386740B1 (ko) 2014-04-17
EP2636717B1 (en) 2014-04-09
TWI456029B (zh) 2014-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5727955B2 (ja) 蛍光体およびその製造方法
JP5190475B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5762929B2 (ja) 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP5851214B2 (ja) 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP5127940B2 (ja) 蛍光体の製造方法
JP5758415B2 (ja) 赤色発光蛍光体の製造方法
JP5325959B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2015166416A (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法およびそれを用いた発光装置
JP2014177592A (ja) 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2015157919A (ja) 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
KR101603007B1 (ko) 형광체
JP6285100B2 (ja) 蛍光体および発光装置
JP2014181260A (ja) 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP6546304B2 (ja) 蛍光体および発光装置
JP2016056241A (ja) 蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を用いた発光装置
JP2015187250A (ja) 蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を用いた発光装置
JP2014224184A (ja) 蛍光体および発光装置
JP2014127500A (ja) 白色発光装置
JP2016060844A (ja) 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP2016060891A (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置
JP2013227587A (ja) 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2016160318A (ja) 蛍光体混合物、およびそれを用いた発光装置
JP2014122304A (ja) 黄色蛍光体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150403

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5727955

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees