JP2013157536A5 - - Google Patents
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Description
また、その開示の他の観点によれば、ダイパッドと、前記ダイパッドの裏面に形成された第1ディンプルと、前記第1ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第2ディンプルとを備えたリードフレームであって、前記第1ディンプルは、一方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第1傾斜側面と、他方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第2ディンプルによって変形されて形成された、前記第1傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、前記第2ディンプルは、前記第1ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第2傾斜側面を有し、前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であるリードフレームが提供される。
図9(b)は図9(a)のダイパッド10の裏面の様子を示す拡大断面図である。図9(b)に示すように、第1実施形態のリードフレーム1では、前述したようにダイパッド10の裏面に設けられた第1ディンプルD1が逆傾斜側面Sxを備えている。これにより、樹脂部50は第1ディンプルD1の逆傾斜側面Sxに沿って側壁に食い込むように充填される。
さらに、第1ディンプルD1xの横領域のダイパッド10に第2ディンプルD2が形成されている。第2ディンプルD2は、深さ方向に傾斜した第2傾斜側面S2を備え、その第2傾斜側面S2が第1ディンプルD1xの逆傾斜側面Sxと対向して配置されている。そして、ダイパッド10の表面が半導体素子搭載面となっている。
Claims (10)
- ダイパッドと、
前記ダイパッドの裏面に形成された第1ディンプルと、
前記第1ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第2ディンプルと
を備えたリードフレームであって、
前記第1ディンプルは、
一方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第1傾斜側面と、
他方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第2ディンプルによって変形されて形成された、前記第1傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、
前記第2ディンプルは、前記第1ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第2傾斜側面を有し、
前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であることを特徴とするリードフレーム。 - 隣り合う複数の前記第1ディンプルの長手方向が同一方向を向いて配置されていることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記ダイパッドに形成された複数の前記第1ディンプルにおいて、前記第1ディンプルの配置角度が異なっており、隣り合う前記第1ディンプルは、それらの長手方向の向きが直交するように配置されており、
前記長手方向は、前記一方の対向する2辺を結ぶ方向であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 前記第1ディンプルの前記逆傾斜側面は前記他方の対向する2辺の一部に配置され、前記他方の対向する2辺の端部側に起立側面が配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム。
- ダイパッドと、
前記ダイパッドの裏面に形成された第1ディンプルと、
前記第1ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第2ディンプルと
を備えたリードフレームであって、
前記第1ディンプルは、
一方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第1傾斜側面と、
他方の対向する2辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第2ディンプルによって変形されて形成された、前記第1傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、
前記第2ディンプルは、前記第1ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第2傾斜側面を有する前記リードフレームと、
前記ダイパッドの表面の半導体素子搭載面に実装された半導体素子と、
前記ダイパッドの外側に並んで配置された複数のリードと、
前記半導体素子と前記リードとを接続するワイヤと、
前記リードが露出するように、前記ダイパッドの両面、前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する樹脂部とを有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のプレス加工により、ダイパッドの裏面に、一方の対向する2辺に深さ方向に傾斜する第1傾斜側面を備え、他方の対向する2辺に深さ方向に起立する起立側面を備えた矩形状の第1ディンプルを形成する工程と、
第2のプレス加工により、前記第1ディンプルの前記起立側面の横領域に、深さ方向に傾斜する第2傾斜側面を備えた第2ディンプルの前記第2傾斜側面が配置されるように、前記ダイパッドの裏面に前記第2ディンプルを形成することにより、前記第1ディンプルの前記起立側面を前記第1傾斜側面と逆方向に傾斜する逆傾斜側面とする工程とを有し、
前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記第1ディンプルの形状は、横置き台形柱形状又は横置き三角柱形状であり、
前記第2ディンプルの形状は、四角錐を上下反転させた形状であることを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記ダイパッドに形成される複数の前記第1ディンプルにおいて、前記第1ディンプルの配置角度が異なっており、隣り合う前記第1ディンプルは、それらの長手方向の向きが直交するように配置されており、
前記長手方向は、前記一方の対向する2辺を結ぶ方向であることを特徴とする請求項7に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記逆傾斜側面は、前記起立側面の一部が変形して形成され、前記他方の対向する2辺の中央部に形成されることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
- 第1のプレス加工により、ダイパッドの裏面に、一方の対向する2辺に深さ方向に傾斜する第1傾斜側面を備え、他方の対向する2辺に深さ方向に起立する起立側面を備えた矩形状の第1ディンプルを形成する工程と、
第2のプレス加工により、前記第1ディンプルの前記起立側面の横領域に、深さ方向に傾斜する第2傾斜側面を備えた第2ディンプルの前記第2傾斜側面が配置されるように、前記ダイパッドの裏面に前記第2ディンプルを形成することにより、前記第1ディンプルの前記起立側面を前記第1傾斜側面と逆方向に傾斜する逆傾斜側面とする工程と
を有する方法でリードフレームを得る工程と、
前記ダイパッドの表面の半導体素子搭載面に半導体素子を実装する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームのリードとをワイヤで接続する工程と、
前記リードが露出するように、前記ダイパッドの両面、前記半導体素子及び前記ワイヤを樹脂部で封止する工程と、
前記リードフレームの枠部から前記ダイパッド及び前記リードを切り離す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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