JP2014068015A5 - - Google Patents

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Claims (25)

  1. 基板上に提供され、前記基板上のパッドと離隔されたボディ部と、
    前記ボディ部の一側から前記パッド上へ延びる少なくとも一つの第1延長部と、
    前記ボディ部の他側から延長される少なくとも一つの第2延長部とを含み、
    前記第1延長部の幅は、前記ボディ部の幅より小さいことを特徴とするバンプ構造体。
  2. 前記バンプ構造体は、前記パッド上に順に積層されたバリア層、金属層、及びソルダ層を含み、
    前記ボディ部内の前記ソルダ層は、前記第1延長部内のソルダ層より厚いことを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  3. 前記ソルダ層の厚さは、前記パッド上に提供される前記第1延長部の端部から前記ボディ部まで連続して増加することを特徴とする請求項2に記載のバンプ構造体。
  4. 前記ソルダ層の厚さは、前記ボディ部から前記第2延長部の端部まで連続して減少することを特徴とする請求項2に記載のバンプ構造体。
  5. 前記ソルダ層は、厚さが最も厚い地点が前記ボディ部内にあることを特徴とする請求項2に記載のバンプ構造体。
  6. 前記第2延長部の長さは、前記第1延長部の長さより短いことを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  7. 前記第1延長部の幅は、前記ボディ部の幅の約30%〜約90%であることを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  8. 前記第1延長部の長さは、前記ボディ部の長さより長いことを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  9. 前記第2延長部は複数個が提供され、前記複数の第2延長部のうちの少なくとも一つは、他の第2延長部と長さが異なることを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  10. 前記第1延長部は、第1方向に延長され、
    前記第1延長部から前記第1方向と交差する方向に突出した第3延長部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のバンプ構造体。
  11. 前記第3延長部は前記第1延長部の両側に提供されることを特徴とする請求項10に記載のバンプ構造体。
  12. 基板上に提供され、前記基板上のパッドと離隔されたボディ部と、
    前記ボディ部の一側から前記パッド上へ延長される少なくとも一つの第1延長部とを含み、
    前記ボディ部及び前記第1延長部は、前記基板上に順に積層されたバリア層、金属層、ソルダ層を含み、前記金属層の厚さは、前記バリア層の厚さの3倍以上であり、前記ボディ部の上面は、前記第1延長部の上面より高いことを特徴とするバンプ構造体。
  13. 前記第1延長部は、第1方向に延長され、
    前記第1方向と垂直な第2方向に、前記第1延長部の幅は、前記ボディ部の幅より小さいことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  14. 前記第1延長部の幅は、前記ボディ部の幅の約30%〜約90%であることを特徴とする請求項13に記載のバンプ構造体。
  15. 前記第1延長部の長さは、前記ボディ部の長さより長いことを特徴とする請求項13に記載のバンプ構造体。
  16. 前記ボディ部内の前記ソルダ層の厚さは、前記第1延長部内の前記ソルダ層の厚さより厚いことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  17. 前記ボディ部内のソルダ層の厚さは、前記第1延長部内のソルダ層の厚さより約1.1倍〜約2倍であることを特徴とする請求項16に記載のバンプ構造体。
  18. 前記ソルダ層の厚さは、前記第1延長部から前記ボディ部まで連続して増加することを特徴とする請求項16に記載のバンプ構造体。
  19. 前記金属層と前記ソルダ層との間に金属−ソルダ化合物層をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  20. 前記パッドと前記バリア層との間に前記パッドの上面を露出する保護絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  21. 前記金属層の側壁及び前記バリア層の側壁は、前記ソルダ層の外郭境界からリセスされたアンダーカット領域を含むことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  22. 前記ボディ部の他側から延長される少なくとも一つの第2延長部をさらに含み、
    前記ボディ部の上面は、前記第2延長部の上面より高いことを特徴とする請求項12に記載のバンプ構造体。
  23. 前記第2延長部は、前記第1延長部より長さが短いことを特徴とする請求項22に記載のバンプ構造体。
  24. 第1基板上の第1パッドと、
    前記第1パッドと接続するバンプ構造体と、
    前記バンプ構造体を通じて前記第1パッドと電気的に接続された第2基板上の第2パッドとを含み、
    前記バンプ構造体の各々は、
    前記第1パッドから水平的に離隔された、前記第2パッドと接続するボディ部と、
    前記ボディ部の一側から前記第1パッド上へ延長される少なくとも一つの第1延長部と、
    前記ボディ部の他側から延長される少なくとも一つの第2延長部とを含み、
    前記ボディ部は、前記第1延長部より厚いことを特徴とする電気的接続構造体。
  25. 前記バンプ構造体は、各々、
    前記第1基板上に順に積層されたバリア層、金属層、及びソルダ層を含み、
    前記ソルダ層は、厚さが最も厚い地点が前記ボディ部内にあることを特徴とする請求項24に記載の電気的接続構造体。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015228472A (ja) * 2014-06-03 2015-12-17 株式会社ソシオネクスト 半導体装置およびその製造方法
JP6329059B2 (ja) * 2014-11-07 2018-05-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN104617156B (zh) * 2015-01-19 2017-10-13 苏州固锝电子股份有限公司 用于微电子器件的整流芯片
JP6522980B2 (ja) * 2015-02-18 2019-05-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR102450326B1 (ko) * 2015-10-06 2022-10-05 삼성전자주식회사 반도체 칩, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20180136148A (ko) * 2017-06-14 2018-12-24 에스케이하이닉스 주식회사 범프를 구비하는 반도체 장치
TWI736695B (zh) * 2017-10-24 2021-08-21 啟耀光電股份有限公司 電子裝置與其製造方法
TWI708333B (zh) * 2018-06-21 2020-10-21 矽創電子股份有限公司 凸塊結構
US11166381B2 (en) 2018-09-25 2021-11-02 International Business Machines Corporation Solder-pinning metal pads for electronic components
CN109877411A (zh) * 2019-04-10 2019-06-14 中国电子科技集团公司第十三研究所 无助焊剂的微电路焊接组装方法
CN110418510A (zh) * 2019-07-15 2019-11-05 宁波华远电子科技有限公司 一种开放性电镀凸台的制作方法
CN114189981B (zh) * 2021-12-17 2023-07-28 浪潮(山东)计算机科技有限公司 一种pcb板上连接器焊盘及反焊盘
US20230317652A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 International Business Machines Corporation Fine-pitch joining pad structure

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0436114Y2 (ja) * 1986-08-28 1992-08-26
US6388203B1 (en) * 1995-04-04 2002-05-14 Unitive International Limited Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby
ATE240586T1 (de) 1995-04-05 2003-05-15 Unitive Int Ltd Eine löthöckerstruktur für ein mikroelektronisches substrat
US5902686A (en) 1996-11-21 1999-05-11 Mcnc Methods for forming an intermetallic region between a solder bump and an under bump metallurgy layer and related structures
EP0899787A3 (en) * 1997-07-25 2001-05-16 Mcnc Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structurs formed thereby
JP2003179183A (ja) * 1999-10-29 2003-06-27 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3446826B2 (ja) * 2000-04-06 2003-09-16 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6818545B2 (en) * 2001-03-05 2004-11-16 Megic Corporation Low fabrication cost, fine pitch and high reliability solder bump
JP2007073681A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4577690B2 (ja) * 2005-09-29 2010-11-10 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP4708148B2 (ja) 2005-10-07 2011-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7674701B2 (en) 2006-02-08 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns
KR100753415B1 (ko) * 2006-03-17 2007-08-30 주식회사 하이닉스반도체 스택 패키지
DE102006028811A1 (de) 2006-06-21 2007-12-27 Qimonda Ag Verfahren zum Aufbringen von Lot auf Umverdrahtungsleitungen
US20080093749A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-24 Texas Instruments Incorporated Partial Solder Mask Defined Pad Design
JP4536757B2 (ja) * 2007-08-02 2010-09-01 株式会社フジクラ 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法
JP5512082B2 (ja) * 2007-12-17 2014-06-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体装置
EP2290676A4 (en) 2008-06-12 2012-01-11 Mitsubishi Materials Corp METHOD FOR CONNECTING A SUBSTRATE AND MOUNTING OBJECT WITH SOLDERING PASTE
CN101728346A (zh) * 2008-10-10 2010-06-09 瀚宇彩晶股份有限公司 凸块结构及其制作方法
JP5249080B2 (ja) 2009-02-19 2013-07-31 セイコーインスツル株式会社 半導体装置
JP2010225851A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Tamura Seisakusho Co Ltd はんだ堆積制御用基板
US9035459B2 (en) * 2009-04-10 2015-05-19 International Business Machines Corporation Structures for improving current carrying capability of interconnects and methods of fabricating the same
US8546254B2 (en) 2010-08-19 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming copper pillar bumps using patterned anodes
US20120098120A1 (en) 2010-10-21 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Centripetal layout for low stress chip package
KR101782503B1 (ko) 2011-05-18 2017-09-28 삼성전자 주식회사 솔더 범프 붕괴를 억제하는 반도체 소자의 범프 형성방법

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