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  1. 相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、
    前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、前記第1のリードフレームに搭載され、少なくともインジウム、ガリウム及びアルミニウムを含有する半導体層を有したLEDチップと、
    導電性材料からなり、前記LEDチップを前記第1のリードフレームに固着させると共に、前記LEDチップの下面に設けられた一方の端子を前記第1のリードフレームに接続するダイマウント材と、
    前記LEDチップの上面に設けられた他方の端子を前記第2のリードフレームに接続するワイヤと、
    エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びウレタン樹脂からなる群から選択された1種以上の樹脂により形成され、上方から見た形状が矩形であり、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
    を備え、
    前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
    端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
    前記ベース部から延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の3つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
    を有し、
    前記第1のリードフレームの下面及び前記第2のリードフレームの下面における相互に対向する端縁から離隔した領域にはそれぞれ凸部が形成されており、
    前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われており、
    前記第1のリードフレームの上面と前記他方の端子から前記ワイヤが引き出される方向とのなす角度は、前記第2のリードフレームの上面と前記第2のリードフレームから前記ワイヤが引き出される方向とのなす角度よりも小さく、
    前記第1又は第2のリードフレームにおける下面が前記樹脂体から露出した部分には、上下方向に貫通した切込が形成されており、
    前記樹脂体の外形がその外形をなすことを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、
    前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、少なくともインジウム、ガリウム及びアルミニウムを含有する半導体層を有し、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、
    前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
    を備え、
    前記樹脂体の外形がその外形をなすことを特徴とするLEDパッケージ。
  3. 前記樹脂体は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びウレタン樹脂からなる群から選択された1種以上の樹脂により形成されていることを特徴とする請求項2記載のLEDパッケージ。
  4. 前記第1のリードフレームの上面には凹部が形成されており、前記LEDチップは前記凹部の内部に搭載されていることを特徴とする請求項2または3に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記第1のリードフレームの下面及び前記第2のリードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成されており、
    前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  6. 前記第1のリードフレームの前記凸部の下面は前記第2のリードフレームの前記凸部の下面と同じ形状であることを特徴とする請求項5記載のLEDパッケージ。
  7. 前記凸部は、前記第1及び第2のリードフレームにおける相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されていることを特徴とする請求項5または6に記載のLEDパッケージ。
  8. 前記LEDチップは前記第1のリードフレームに搭載されており、
    前記一方の端子は前記LEDチップの下面に設けられており、前記他方の端子は前記LEDチップの上面に設けられており、
    導電性材料からなり、前記LEDチップを前記第1のリードフレームに固着させると共に、前記一方の端子を前記第1のリードフレームに接続するダイマウント材と、
    前記他方の端子を前記第2のリードフレームに接続するワイヤと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項2〜7のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  9. 前記第1のリードフレームの上面と前記他方の端子から前記ワイヤが引き出される方向とのなす角度は、前記第2のリードフレームの上面と前記第2のリードフレームから前記ワイヤが引き出される方向とのなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項8記載のLEDパッケージ。
  10. 前記樹脂体上に設けられたレンズをさらに備えたことを特徴とする請求項2〜9のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  11. 前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
    端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
    前記ベース部から相互に異なる方向に延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の側面に露出した複数本の吊ピンと、
    を有することを特徴とする請求項2〜10のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  12. 上方から見て、前記樹脂体の形状は矩形であり、
    前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
    端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
    前記ベース部から延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の3つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
    を有することを特徴とする請求項2〜10のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  13. 前記第1又は第2のリードフレームにおける下面が前記樹脂体から露出した部分には、上下方向に貫通した切込が形成されていることを特徴とする請求項2〜12のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  14. 導電性材料からなる導電シートから前記導電性材料を選択的に除去することにより、複数の素子領域がマトリクス状に配列され、各前記素子領域においては相互に離隔した第1及び第2のリードフレームを含む基本パターンが形成され、前記素子領域間のダイシング領域においては前記導電性材料が隣り合う前記素子領域間をつなぐように残留したリードフレームシート上に、前記素子領域毎に、少なくともインジウム、ガリウム及びアルミニウムを含有する半導体層が設けられたLEDチップを搭載すると共に、前記LEDチップの一方の端子を前記第1のリードフレームに接続し、他方の端子を前記第2のリードフレームに接続する工程と、
    前記リードフレームシートの前記素子領域における上面全体及び下面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込む樹脂板を形成する工程と、
    前記リードフレームシート及び前記樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分を除去することにより、前記リードフレームシート及び前記樹脂板における前記素子領域に配置された部分を個片化する工程と、
    を備え、
    前記個片化された部分の外形をその外形とすることを特徴とするLEDパッケージの製造方法。
  15. 前記樹脂板を、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びウレタン樹脂からなる群から選択された1種以上の樹脂により形成することを特徴とする請求項14記載のLEDパッケージの製造方法。
  16. 前記接続する工程は、
    前記第1のリードフレームの上面に前記LEDチップを接合する工程と、
    ワイヤの一端を前記第2のリードフレームの上面に接合する工程と、
    前記一端を前記第2のリードフレームの上面に接合した後、前記ワイヤの他端を前記一方の端子に接合する工程と、
    を有することを特徴とする請求項14または15に記載のLEDパッケージの製造方法。
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TW100101959A TWI446596B (zh) 2010-01-29 2011-01-19 發光二極體(led)封裝及其製造方法
CN201110032319.9A CN102142513B (zh) 2010-01-29 2011-01-26 Led封装及制作led封装的方法

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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
TWI365525B (en) * 2007-12-24 2012-06-01 Ind Tech Res Inst An ultra thin package for a sensor chip of a micro electro mechanical system
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ledモジュール
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102222625A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
JP5528900B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
MY170920A (en) * 2010-11-02 2019-09-17 Carsem M Sdn Bhd Leadframe package with recessed cavity for led
CN103210512B (zh) 2010-11-11 2019-11-26 日亚化学工业株式会社 发光装置和线路板的制造方法
MY156107A (en) * 2011-11-01 2016-01-15 Carsem M Sdn Bhd Large panel leadframe
US9093621B2 (en) * 2011-12-28 2015-07-28 Nichia Corporation Molded package for light emitting device
CN103205692A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种蒸镀用掩模板的加工工艺、返修工艺
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN103887410B (zh) 2012-12-21 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US9166131B2 (en) * 2013-07-17 2015-10-20 Tai-Yin Huang Composite LED package and its application to light tubes
JP2015095486A (ja) * 2013-11-08 2015-05-18 アイシン精機株式会社 半導体装置
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
DE102014119390A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6573356B2 (ja) * 2015-01-22 2019-09-11 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
US11195269B2 (en) * 2015-03-27 2021-12-07 Texas Instruments Incorporated Exposed pad integrated circuit package
JP6896038B2 (ja) * 2015-05-12 2021-06-30 三菱電機株式会社 表示装置
CN106571383B (zh) * 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
TWI590433B (zh) 2015-10-12 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 發光元件以及顯示器的製作方法
WO2017091051A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
TWI634679B (zh) * 2017-03-27 2018-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架
JP6977338B2 (ja) * 2017-07-03 2021-12-08 大日本印刷株式会社 Ledモジュール
KR102641336B1 (ko) 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
US10998256B2 (en) * 2018-12-31 2021-05-04 Texas Instruments Incorporated High voltage semiconductor device lead frame and method of fabrication
CN112864296B (zh) * 2019-01-29 2022-06-28 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件
CN110649145A (zh) * 2019-09-25 2020-01-03 广东晶科电子股份有限公司 一种蚀刻片框架、封装支架和led器件
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798536A (en) * 1996-01-25 1998-08-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2001326295A (ja) 2000-05-15 2001-11-22 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置製造用フレーム
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2003110080A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Citizen Electronics Co Ltd 半導体装置
WO2003077312A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-18 Rohm Co.,Ltd. Semiconductor device using semiconductor chip
US6830496B2 (en) * 2003-01-22 2004-12-14 Kaylu Industrial Corporation Method of fabricating light emitting diode device with multiple encapsulants
JP4522049B2 (ja) 2003-02-14 2010-08-11 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
TWI275189B (en) * 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
JP2006093672A (ja) 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP3999780B2 (ja) 2004-11-16 2007-10-31 日電精密工業株式会社 リードフレームの製造方法
JP2007027281A (ja) 2005-07-13 2007-02-01 Toshiba Corp 半導体装置
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP4865525B2 (ja) * 2006-08-03 2012-02-01 イッツウェル カンパニー リミテッド Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
JP4306772B2 (ja) 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5232394B2 (ja) 2007-02-28 2013-07-10 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US20100163920A1 (en) * 2007-06-14 2010-07-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI455672B (zh) 2007-07-06 2014-10-01 Murata Manufacturing Co A method for forming a hole for connecting a conductor for a layer, a method for manufacturing a resin substrate and a component-mounted substrate, and a method of manufacturing a resin substrate and a component
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
CN101939852A (zh) * 2007-12-24 2011-01-05 三星Led株式会社 发光二极管封装件
WO2009107342A1 (ja) 2008-02-25 2009-09-03 パナソニック株式会社 電子部品モジュールの製造方法
JP4951090B2 (ja) 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP2011159767A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
JP5010693B2 (ja) 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5010716B2 (ja) 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
WO2011092871A1 (ja) 2010-01-29 2011-08-04 株式会社 東芝 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2011165833A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ledモジュール
JP2011253910A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置
JP2012113919A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Toshiba Corp 照明装置
JP2012114286A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Ledパッケージ
JP2012234955A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法

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