JPH0864739A - ディンプル加工を施したリードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金型 - Google Patents

ディンプル加工を施したリードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金型

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JPH0864739A
JPH0864739A JP6199779A JP19977994A JPH0864739A JP H0864739 A JPH0864739 A JP H0864739A JP 6199779 A JP6199779 A JP 6199779A JP 19977994 A JP19977994 A JP 19977994A JP H0864739 A JPH0864739 A JP H0864739A
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JP
Japan
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lead frame
dimple
punch
die
tip
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JP6199779A
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Inventor
Kazuhisa Kishino
和久 岸野
Hirohisa Endo
裕寿 遠藤
Takaharu Yonemoto
隆治 米本
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレームの反りの減少及びディンプルの
開口寸法精度の向上が図れるディンプル加工を施したリ
ードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金型を
提供する。 【構成】パンチ部8を有する金型6を用いてディンプル
加工を施すリードフレーム1の製造方法において、上記
パンチ部8の先端部8aにテーパ9を有し、かつパンチ
部8の付根部8bをリードフレーム1の加工面に対して
垂直に形成してなる金型6を用いてディンプル加工を施
す。これにより、リードフレーム1の反りの減少及びデ
ィンプル7の開口寸法精度の向上が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディンプル加工を施し
たリードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金
型に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置は、リードフレーム
のアイランド部に半導体素子を搭載した後、リードフレ
ームの各リード部の内端と上記半導体素子の各電極とを
ワイヤで接続し、更にこれらアイランド部、半導体素
子、リード部の内端及びワイヤを樹脂で封止することに
より形成される。この場合における上記リードフレーム
と封止樹脂との接着強度の向上等を図るために、上記リ
ードフレームに複数のディンプル(窪み)を加工するこ
とが一般に行われている(特開昭55−160449号
公報、特開平5−109971号公報、特開平5−21
8275号公報等参照)。
【0003】上記ディンプルを加工する方法としては、
リードフレームの製造工程において、例えば図6に示す
ように截頭角錐状の複数のパンチ部8を有する金型6を
用いてプレス成型により上記ディンプル7を加工する方
法がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように金型6を用いてディンプル加工を施すようにし
たリードフレーム1の製造方法においては、上記パンチ
部8が先端部から付根部まで連続したテーパ9を有して
いることから、その形状による被加工部の材料の流れ
(伸び)の影響によりリードフレーム1に反りを生じた
り、或いはディンプル7の開口寸法が規格を満たさなく
なったりする問題があった。
【0005】本発明の目的は、上記事情に鑑みなされた
もので、リードフレームの反りの減少及びディンプルの
開口寸法精度の向上が図れるディンプル加工を施したリ
ードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金型を
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1記載のディンプル加工を施したリードフレー
ムの製造方法は、パンチ部を有する金型を用いてディン
プル加工を施すリードフレームの製造方法において、上
記パンチ部の先端部にテーパを有し、かつパンチ部の付
根部をリードフレームの加工面に対して垂直に形成して
なる金型を用いてディンプル加工を施すことを特徴とす
る。
【0007】請求項2記載のリードフレームのディンプ
ル加工金型は、リードフレームにディンプル加工を施す
ためのパンチ部を有する金型であって、上記パンチ部の
先端部にテーパを有し、かつパンチ部の付根部をリード
フレームの加工面に対して垂直に形成してなることを特
徴とする。
【0008】請求項3記載のリードフレームのディンプ
ル加工金型は、請求項2記載のリードフレームのディン
プル加工金型において、上記パンチ部の先端がリードフ
レームの加工面と平行な先端面を有し、この先端面の寸
法dがリードフレームの板厚tに対して、t/2<d<
tで、かつ上記テーパの角度θが20°<θ<40°で
あることを特徴とする。
【0009】
【作用】請求項1記載のディンプル加工を施したリード
フレームの製造方法によれば、パンチ部の先端部のみに
テーパを有し、かつパンチ部の付根部をリードフレーム
の加工面に対して垂直に形成してなる金型を用いてディ
ンプル加工を施すため、被加工部の材料の伸びないし流
れが抑制され、リードフレームの反りの減少及びディン
プルの開口寸法精度の向上が図れる。
【0010】請求項2記載のリードフレームのディンプ
ル加工金型によれば、パンチ部の先端部にテーパを有
し、かつパンチ部の付根部をリードフレームの加工面に
対して垂直に形成してなることから、リードフレームに
ディンプル加工を施すに際して被加工部の材料の伸びな
いし流れが抑制され、リードフレームの反りの減少及び
ディンプルの開口寸法精度の向上が図れる。
【0011】請求項3記載のリードフレームのディンプ
ル加工金型によれば、上記パンチ部の先端がリードフレ
ームの加工面と平行な先端面を有し、この先端面の寸法
dをリードフレームの板厚tに対して、t/2<d<t
とし、かつ上記テーパの角度θを20°<θ<40°と
したので、パンチ部の先端面の寸法が大きく、かつテー
パの角度が小さく設定され、リードフレームにディンプ
ル加工を施すに際して被加工部の材料の伸びないし流れ
が一段と抑制されることになり、リードフレームの反り
の一層の減少及びディンプルの開口寸法精度の一層の向
上が図れる。
【0012】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基いて
詳述する。
【0013】図2において、1は帯状に連続した金属薄
板の打抜き加工により形成されるリードフレームであ
り、このリードフレーム1には形成すべき半導体装置よ
りも大きい方形の枠部2が長手方向に隣接して形成され
る。上記枠部2の中央には半導体素子を搭載するための
方形のアイランド部3が上下の連結部4を介して形成さ
れ、枠部2には上記アイランド部3の四辺から非接触で
放射状に配されたリード部5が形成される。このような
リードフレーム1の製造工程において、上記アイランド
部3の半導体素子が搭載される面とは反対側の面には、
図1に示すような金型6を用いたプレス成型によって図
3に示すようなディンプル7の加工が施される。
【0014】上記金型6は、上記ディンプル7を加工す
るためのパンチ部8を縦横所定の配列にて複数有してい
る。上記パンチ部8は先端部8aにテーパ9を有し、か
つ付根部8bをリードフレーム1の加工面に対して垂直
に形成してなる。具体的には、上記パンチ部8の先端部
8aは先端にリードフレーム1の加工面と平行な平面状
の先端面10を有する截頭四角錐状に形成され、パンチ
部8の付根部8bは上記截頭四角錐の底部と同じ大きさ
の断面方形の柱状に形成されている。この場合、上記パ
ンチ部8の先端面10の寸法dはリードフレーム1の板
厚tに対してt/2<d<tであることが好ましく、ま
た、上記テーパ9の角度(パンチ角度ともいう)θが2
0°<θ<40°であることが好ましい。
【0015】このように構成された金型6を用いてディ
ンプル加工を施すようにしたリードフレーム1の製造方
法によれば、金型6がパンチ部8の先端部8aにテーパ
9を有し、かつパンチ部8の付根部8bをリードフレー
ム1の加工面に対して垂直に形成してなることから、リ
ードフレーム1にディンプル加工を施すに際して被加工
部の材料の伸びないし流れが抑制され、リードフレーム
1の反りの減少及びディンプル7の開口寸法wの精度の
向上が図れる。特に、上記パンチ部8の先端がリードフ
レーム1の加工面と平行な先端面10を有し、この先端
面10の寸法dをリードフレームの板厚tに対して、t
/2<d<tとし、かつ上記テーパ9の角度θを20°
<θ<40°としてあるため、パンチ部8の先端面10
の寸法dが大きく、かつテーパ9の角度θが小さく設定
され、リードフレーム1にディンプル加工を施すに際し
て被加工部の材料の伸びないし流れが一段と抑制される
ことになり、リードフレーム1の反りの一層の減少及び
ディンプル7の開口寸法wの精度の一層の向上が図れ
る。
【0016】次に、上記実施例の具体例について述べ
る。先ず最初に、従来のパンチ部を有する金型と、本実
施例のパンチ部を有する金型をモデル化し、そのモデル
を用いてコンピュータによるシュミュレーションを行
い、ディンプル加工される被加工材であるリードフレー
ムの変形に関して検討した。その検討結果をもとに、図
1に示す形状で、ディンプル7の開口寸法wが一定で、
パンチ部8の先端面寸法d、パンチ部8のテーパ角度θ
の条件を下記のようなパンチ部8を有する金型を用いて
板厚tが150μmなるリードフレーム1にディンプル
加工を行った。
【0017】(a)パンチ先端面寸法d=20μm、テ
ーパ角度θ=50° (b)パンチ先端面寸法d=80μm、テーパ角度θ=
38° (c)パンチ先端面寸法d=100μm、テーパ角度θ
=32° (d)パンチ先端面寸法d=120μm、テーパ角度θ
=26° 図4にそれぞれの条件におけるリードフレーム1の反り
量を示す。図4のグラフから明らかように、従来のパン
チ部を有する金型による加工よりも、本実施例のパンチ
部8を有する金型6による加工の方がリードフレーム1
の反りが少なくなり、しかもディンプル7の開口寸法w
の規格を満足することが確かめられた。また、パンチ部
8の先端面寸法dがリードフレーム1の板厚tに対して
t/2<d<tで、上記テーパ9の角度θが20°<θ
<40°であれば、図4から解るように反り量が規格を
満足することが確かめられた。
【0018】以上のようにディンプル加工を施して製造
されたリードフレーム1を用いて半導体装置を製造する
場合には、図5に示すようにアイランド部3のディンプ
ル加工面とは反対側の面に半導体素子11を搭載した
後、リードフレーム1の各リード部5の内端と上記半導
体素子11の各電極とをワイヤ12で接続する。上記ア
イランド部3、半導体素子11、リード部5の内端及び
ワイヤ12を樹脂13で封止した後、リードフレーム1
の枠部2からリード部5を切り離すことにより半導体装
置14が得られる。そして、この半導体装置14におい
ては、アイランド部3にディンプル加工が施されている
ため、リードフレーム1のアイランド部3と封止樹脂1
3との接着強度の向上等が図れる。
【0019】以上、本発明の実施例を図面により詳述し
てきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等
があっても本発明に含まれる。例えば、上記実施例で
は、パンチ部8の先端部8aが截頭四角錐形状に形成さ
れているが、パンチ部8の先端部8aの形状としては、
五角以上の多角錐形状であってもよく、或いはリードフ
レームのV溝加工に使用されるパンチ部のように三角錐
形状であってもよい。また、上記実施例では、リードフ
レーム1のアイランド部3のみにディンプル加工が施さ
れているが、リード部5にもディンプル加工を施しても
よい。
【0020】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
【0021】(1)請求項1記載のディンプル加工を施
したリードフレームの製造方法によれば、パンチ部の先
端部のみにテーパを有し、かつパンチ部の付根部をリー
ドフレームの加工面に対して垂直に形成してなる金型を
用いてディンプル加工を施すため、被加工部の材料の伸
びないし流れが抑制され、リードフレームの反りの減少
及びディンプルの開口寸法精度の向上が図れる。
【0022】(2)請求項2記載のリードフレームのデ
ィンプル加工金型によれば、パンチ部の先端部にテーパ
を有し、かつパンチ部の付根部をリードフレームの加工
面に対して垂直に形成してなることから、リードフレー
ムにディンプル加工を施すに際して被加工部の材料の伸
びないし流れが抑制され、リードフレームの反りの減少
及びディンプルの開口寸法精度の向上が図れる。
【0023】(3)請求項3記載のリードフレームのデ
ィンプル加工金型によれば、上記パンチ部の先端がリー
ドフレームの加工面と平行な先端面を有し、この先端面
の寸法dをリードフレームの板厚tに対して、t/2<
d<tとし、かつ上記テーパの角度θを20°<θ<4
0°としたので、パンチ部の先端面の寸法が大きく、か
つテーパの角度が小さく設定され、リードフレームにデ
ィンプル加工を施すに際して被加工部の材料の伸びない
し流れが一段と抑制されることになり、リードフレーム
の反りの一層の減少及びディンプルの開口寸法精度の一
層の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームのディンプル加工
金型の一実施例を示す部分的断面図である。
【図2】リードフレームの概略的平面図である。
【図3】リードフレームにおけるディンプル加工部の部
分的拡大平面図である。
【図4】金型パンチ部の先端平面寸法及びテーパ角度と
リードフレームの反り量の関係を示すグラフである。
【図5】半導体装置の概略的断面図である。
【図6】従来のディンプル加工金型の一例を示す部分的
断面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 6 金型 7 ディンプル 8 パンチ部 8a 先端部 8b 付根部 9 テーパ 10 先端面

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】パンチ部を有する金型を用いてディンプル
    加工を施すリードフレームの製造方法において、上記パ
    ンチ部の先端部にテーパを有し、かつパンチ部の付根部
    をリードフレームの加工面に対して垂直に形成してなる
    金型を用いてディンプル加工を施すことを特徴とするデ
    ィンプル加工を施したリードフレームの製造方法。
  2. 【請求項2】リードフレームにディンプル加工を施すた
    めのパンチ部を有する金型であって、上記パンチ部の先
    端部にテーパを有し、かつパンチ部の付根部をリードフ
    レームの加工面に対して垂直に形成してなることを特徴
    とするリードフレームのディンプル加工金型。
  3. 【請求項3】上記パンチ部の先端がリードフレームの加
    工面と平行な先端面を有し、この先端面の寸法dがリー
    ドフレームの板厚tに対して、t/2<d<tで、かつ
    上記テーパの角度θが20°<θ<40°であることを
    特徴とする請求項2に記載のリードフレームのディンプ
    ル加工金型。
JP6199779A 1994-08-24 1994-08-24 ディンプル加工を施したリードフレームの製造方法及びそのディンプル加工金型 Pending JPH0864739A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011146736A (ja) * 2011-03-22 2011-07-28 Rohm Co Ltd リードフレームおよび半導体装置
JP2013157536A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法と半導体装置及びその製造方法
JP2017208486A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社ミスズ工業 表面に凹凸を有する金属部材、ヒートスプレッダ、半導体パッケージ及びそれらの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011146736A (ja) * 2011-03-22 2011-07-28 Rohm Co Ltd リードフレームおよび半導体装置
JP2013157536A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法と半導体装置及びその製造方法
JP2017208486A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社ミスズ工業 表面に凹凸を有する金属部材、ヒートスプレッダ、半導体パッケージ及びそれらの製造方法

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