JP2013118356A - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に内部電極が配されており、内部電極の端部が表面に引き出されたセラミック素体を準備する。セラミック素体の表面の上に、内部電極の端部を覆うように、樹脂、第1の金属成分を含む第1の金属フィラー、及び第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分を含む第2の金属フィラーを含む電極層を形成する。電極層を加熱し、第1及び第2の金属成分と内部電極に含まれる金属とを含み、セラミック素体の表面上に位置する金属層を有する電極を形成する加熱工程を行う。
【選択図】図7
Description
必要がある。
図1は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図2は、本実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向L及び厚み方向Tに沿った略図的断面図である。図3は、図2のIII部分の略図的断面図である。図4は、図2のIV部分の略図的断面図である。図5は、図2のV部分の略図的断面図である。まず、図1〜図5を参照しながら、本実施形態に係るセラミック電子部品1の構成について説明する。
次に、セラミック電子部品1の製造方法の一例について説明する。
上記実施形態に係るセラミック電子部品1と同様の構成を有するセラミック電子部品を以下の条件で各条件につき、72個ずつ作製した。その後、以下の条件で耐湿性試験を行った。結果を下記の表1に示す。また、図7に、実験例5において作製したセラミック電子部品の一部分を拡大した断面写真を示す。
セラミック材料:BaTiO3
セラミック層10gの厚み:1.90μm
内部電極25,26の材料:Ni
内部電極25,26の厚み:0.61μm
内部電極25,26の枚数:156枚
最も外側の内部電極から主面までの距離(片側外層の厚み):60μm
樹脂17c:熱硬化性のエポキシ樹脂
第1の導電性フィラーの材料:Sn
第2の導電性フィラーの材料:Ag
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第1の導電性フィラーの含有量:25.6重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第2の導電性フィラーの含有量:60重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における樹脂17cの含有量:14.4重量%
熱処理雰囲気:窒素ガス雰囲気
熱処理時間:18分
熱処理温度:表1に示す通り。
第2の導電層16:Niめっき層とSnめっき層との積層体(Snめっき層が最外層を構成)
40℃で湿度が95%の高温高湿槽に、6.3Vを印加した状態で1000時間放置した。その後、常温にて絶縁抵抗を測定した。その結果、絶縁抵抗が5Ω・F未満であるものを不良とし、不良となったサンプルの数をカウントした。
10…セラミック素体
10a、10b…主面
10c、10d…側面
10e、10f…端面
10g…セラミック層
13…第1の外部電極
14…第2の外部電極
15…第1の導電層
15a…金属層
15a1…第1の部分
15a11…突出部
15a2…第2の部分
15b…導電層
16…第2の導電層
17…電極層
17a…第1の金属フィラー
17b…第2の金属フィラー
17c…樹脂
25…第1の内部電極
26…第2の内部電極
Claims (15)
- 内部に内部電極が配されており、前記内部電極の端部が表面に引き出されたセラミック素体を準備する工程と、
前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように、樹脂、第1の金属成分を含む第1の金属フィラー、及び、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分を含む第2の金属フィラーを含む電極層を形成する工程と、
前記電極層を加熱し、前記第1及び第2の金属成分と前記内部電極に含まれる金属とを含み、前記セラミック素体の表面上に位置する金属層を有する電極を形成する加熱工程と、
を含む、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記加熱工程において、前記電極層を、非酸化性雰囲気下において、480℃以上に加熱する、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記加熱工程において、前記電極層を800℃未満の温度に加熱する、請求項2に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記加熱工程において、前記金属層が、前記セラミック素体内に挿入された突出部を有するように前記電極層を加熱する、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属成分がSnを含み、
前記第2の金属成分がAgを含む、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記加熱工程において、前記金属層が、前記内部電極の上に位置しており、前記内部電極に含まれる金属と前記第1の金属成分とを含む第1の部分と、隣り合う前記第1の部分を接続しており、前記第1の金属成分と前記第2の金属成分とを含む第2の部分とを有するように前記電極層を加熱する、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の部分がSn−Ni合金を含み、
前記第2の部分がAg−Sn合金を含む、請求項6に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記内部電極は、Niを含む、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に配されており、端部が前記セラミック素体の表面に引き出されている内部電極と、
前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように配されており、前記内部電極に電気的に接続されている外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、樹脂と、第1の金属成分と、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分とを含み、且つ、前記セラミック素体の表面上に位置し、前記第1及び第2の金属成分と前記内部電極に含まれる金属とを含む金属層を有する、セラミック電子部品。 - 前記外部電極は、前記金属層の上に配されており、前記第1及び第2の金属成分と前記樹脂とを含む導電層をさらに有する、請求項9に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属層は、前記セラミック素体内に挿入された突出部を有する、請求項9に記載のセラミック電子部品。
- 前記第1の金属成分がSnを含み、
前記第2の金属成分がAgを含む、請求項9に記載のセラミック電子部品。 - 前記金属層は、
前記内部電極の上に位置しており、前記内部電極に含まれる金属と前記第1の金属成分とを含む第1の部分と、
隣り合う前記第1の部分を接続しており、前記第1の金属成分と、前記第2の金属成分とを含む第2の部分と、
を有する、請求項9に記載のセラミック電子部品。 - 前記第1の部分がSn−Ni合金を含み、
前記第2の部分がAg−Sn合金を含む、請求項13に記載のセラミック電子部品。 - 前記内部電極がNiを含む、請求項9に記載のセラミック電子部品。
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