JP2013082784A - 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】銀系金属を導電層とする導電性粒子を用い、光反射率が高く、しかも優れた耐マイグレーション性を有する異方性導電接着剤の技術を提供する。
【解決手段】本発明の異方性導電接着剤1は、絶縁性接着剤樹脂2中に光反射性の導電性粒子3を含有する。光反射性の導電性粒子3は、核となる樹脂粒子30の表面に、銀からなる光反射性金属層31が形成され、さらに、光反射性金属層31の表面に銀合金からなる被覆層32が形成されている。光反射性金属層31及び被覆層32は、めっき法によって形成することが好ましい。
【選択図】 図1
Description
このような光機能素子としては、小型化等のため、LEDチップを配線基板上に直接実装するフリップチップ実装が行われている。
配線基板上にLEDチップをフリップチップ実装する方法としては、図3(a)〜(c)に示すように、従来、種々のものが知られている。
図3(a)に示す発光装置101では、LEDチップ103の第1及び第2の電極104、105を上側(配線基板102と反対側)にした状態で、LEDチップ103を配線基板102上にダイボンド接着剤110、111によって固定する。
そして、ボンディングワイヤ106、108によって配線基板102上の第1及び第2のパターン電極107、109とLEDチップ103の第1及び第2の電極104、105をそれぞれ電気的に接続する。
図3(b)に示す発光装置121では、LEDチップ103の第1及び第2の電極104、105を配線基板102側に向けた状態で、これら第1及び第2の電極104、105と配線基板102の第1及び第2のパターン電極124、125とを、例えば銅ペースト等の導電性ペースト122、123によって電気的に接続するとともに、封止樹脂126、127によってLEDチップ103を配線基板102上に接着する。
図3(c)に示す発光装置131では、LEDチップ103の第1及び第2の電極104、105を配線基板102側に向けた状態で、これら第1及び第2の電極104、105と、配線基板102の第1及び第2のパターン電極124、125上に設けたバンプ132、133とを、異方性導電接着剤134中の導電性粒子135によって電気的に接続するとともに、異方性導電接着剤134中の絶縁性接着剤樹脂136によってLEDチップ103を配線基板102上に接着する。
まず、ワイヤボンディングによる実装方法においては、金からなるボンディングワイヤ106、108が例えば波長が400〜500nmの光を吸収するため、発光効率が低下してしまう。
また、この方法の場合、オーブンを用いてダイボンド接着剤110、111を硬化させるため、硬化時間が長く、生産効率を向上させることが困難である。
また、この方法の場合、オーブンを用いて封止樹脂126、127を硬化させるため、硬化時間が長く、生産効率を向上させることが困難である。
このAg系薄膜合金を導電性粒子の表面に被覆すれば、耐食性、耐マイグレーション性は向上するが、このAg系薄膜合金を最表層に用い、下地層に例えばニッケルを用いると、ニッケルの反射率がAgより低いため、導電性粒子全体の反射率が低下してしまうという問題がある。
本発明では、前記光反射性金属層は、ニッケル、金、銀からなる群から選択される1又は2以上の金属からなる場合にも効果的である。
また、本発明は、上述したいずれかの異方性導電接着剤を製造する方法であって、前記光反射性金属層及び前記被覆層を、それぞれめっき法によって形成する工程を有する異方性導電接着剤の製造方法である。
さらに、本発明は、対となる接続電極を有する配線基板と、前記配線基板の対となる接続電極にそれぞれ対応する接続電極を有する発光素子とを備え、上述したいずれかの異方性導電接着剤によって前記発光素子が前記配線基板上に接着され、かつ、当該発光素子の接続電極が、当該異方性導電接着剤の導電性粒子を介して当該配線基板の対応する接続電極に対しそれぞれ電気的に接続されている発光装置である。
さらにまた、本発明は、対となる接続電極を有する配線基板と、前記配線基板の接続電極にそれぞれ対応する接続電極を有する発光素子とを用意し、前記配線基板の接続電極と前記発光素子の接続電極を対向する方向に配置した状態で、当該発光素子と当該発光素子との間に上述したいずれかの異方性導電接着剤を配置し、前記配線基板に対して前記発光素子を熱圧着する工程を有する発光素子の製造方法である。
その結果、本発明の異方性導電接着剤を用いて配線基板上に発光素子を実装すれば、発光素子の発光効率を低下させることがなく、効率良く光を取り出すことが可能な発光装置を提供することができる。
また、本発明の異方性導電接着剤は、光反射性金属層の表面にマイグレーションの起こりにくい銀合金からなる被覆層が形成されていることから、耐マイグレーション性を向上させることができる。
一方、本発明の方法によれば、異方性導電接着剤の配置と熱圧着工程という簡素で迅速な工程により、上述した顕著な効果を奏する発光装置を製造することができるので、生産効率を大幅に向上させることができる。
なお、本発明は、特にペースト状の異方導電性接着剤が好ましく適用することができるものである。
本発明の場合、絶縁性接着剤樹脂2としては、特に限定されることはないが、透明性、接着性、耐熱性、機械的強度、電気絶縁性に優れる観点からは、エポキシ系樹脂と、その硬化剤とを含む組成物を好適に用いることができる。
エポキシ系樹脂は、具体的には、脂環式エポキシ化合物や複素環式エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物などである。脂環式エポキシ化合物としては、分子内に2つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは液状であっても、固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3',4'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にLED素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3',4'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
複素環系エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは1,3,5−トリス(2,3−エポキシプロピル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオンを挙げることができる。
水素添加エポキシ化合物としては、先述の脂環式エポキシ化合物や複素環式エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
また、これらのエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ樹脂を併用してもよい。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、ジアリールビスフェノールA、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールA、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル1グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、チレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテルlp−オキシ安息香酸、β−オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル1フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメリット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル1アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル1アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル1アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホンなどから得られるグリシジルアミン1エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
また、硬化剤としては、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアンなどを挙げることができる。中でも、硬化剤を変色させ難い酸無水物、特に脂環式酸無水物系硬化剤を好ましく使用することができる。具体的には、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等を好ましく挙げることができる。
なお、脂環式のエポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とを使用する場合、それぞれの使用量は、脂環式酸無水物形硬化剤が少なすぎると未硬化エポキシ化合物が多くなり、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が促進される傾向があるので、脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは80〜120質量部、より好ましくは95〜105質量部の割合で使用することができる。
樹脂粒子30の大きさは、特に限定されることはないが、高い導通信頼性を得る観点からは、平均粒径で3μm〜5μmのものを好適に用いることができる。
この場合、銀としては、純度(金属成分中における割合)が98重量%以上のものを用いることが好ましい。
光反射性金属層31の表面に形成される被覆層32は、銀を主体とする合金(本明細書では、「銀合金」という。)からなるものである。
この場合、反射率をより向上させる観点からは、光反射性金属層31の金属中における銀の割合が、被覆層32の金属中における割合より大きくなるように構成することが好ましい。
ここで、本発明のような微小な粒子にスパッタリングによって薄膜を形成する方法としては、一次粒子まで分散させた微粒子を装置内の容器にセットし、容器を回転させて微粒子を流動させるとよい。すなわち、このような流動状態の微粒子に対してスパッタリングを行うことにより、各微粒子の全面にターゲット材料のスパッタ粒子が衝突し、各微粒子の全面に薄膜を形成させることができる。
また、本発明に適用するスパッタリング法としては、二極スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、反応性スパッタリング法を含む公知のスパッタリング法を採用することが可能である。
第1及び第2の接続電極21、22の例えば隣接する端部には、例えばスタッドバンプからなる凸状の端子部21b、22bがそれぞれ設けられている。
本発明は、特に、ピーク波長が460nm近傍の青色用のLEDを好適に用いることができる。
そして、発光素子40が、硬化させた上記異方性導電接着剤1によって配線基板20上に接着されている。
まず、図2(a)に示すように、対となる第1及び第2の接続電極21、22を有する配線基板20と、配線基板20の第1及び第2の接続電極21、22にそれぞれ対応する第1及び第2の接続電極41、42を有する発光素子40とを用意する。
そして、以上の工程により、目的とする発光装置10が得られる。
例えば、図1(c)及び図2(c)に示す発光装置10は、その形状や大きさを簡略化して模式的に示したもので、配線基板並びに発光素子の接続電極の形状、大きさ及び数等については、適宜変更することができる。
ただし、本発明は、ピーク波長が460nm近傍の発光素子に適用した場合に最も効果があるものである。
エポキシ樹脂(日産化学工業社製 TEPIC)50重量部、硬化剤としてメチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化社製 MH−700)50重量部、硬化促進剤(四国化学社製 2E4MZ)2重量部及び溶剤であるトルエンを用いて接着剤組成物を調製した。
〔実施例粒子1〕
平均粒径5μmの架橋アクリル樹脂からなる樹脂粒子(根上工業社製 アートパール J−6P)の表面に、無電解めっき法により、厚さ0.3μmの銀(Ag)からなる反射性金属層を形成した。
この場合、めっき液としては、(上村工業社製 プレサRGA−14)を用いた。
この反射性金属層の表面に、スパッタリング法により、厚さ0.13μmの銀合金からなる被覆層を形成した。
この場合、スパッタリング装置としては、(共立社製 粉体スパッタリング装置)を用い、スパッタターゲットとしては、溶解、鋳造法により作製したAg・Nd・Cu合金ターゲットを用いた。
このAg・Nd・Cu合金ターゲットは、Ag:Nd:Cuを98.84〜99.07:0.36〜0.44:0.57〜0.72重量%の範囲で含むものである。
樹脂粒子の表面に、無電解めっき法により、ニッケル/金からなる厚さ0.13μmの反射性金属層を形成した。また、銀合金からなる被覆層の厚さを0.4μmとした。それ以外は実施例粒子1と同一の条件で実施例粒子2を作成した。
銀合金からなる被覆層の厚さを0.13μmとした以外は実施例粒子2と同一の条件で実施例粒子3を作成した。
銀合金からなる被覆層の厚さを0.05μmとした以外は実施例粒子1と同一の条件で実施例粒子4を作成した。
樹脂粒子の表面に、無電解めっき法によってニッケルのみからなる光反射性層金属層を形成した以外は実施例粒子3と同一の条件で実施例粒子5を作成した。
樹脂粒子の表面に無電解めっき法によって銀からなる光反射性金属層を形成する一方で、被覆層は形成せず、その他は実施例粒子1と同一の条件で比較例粒子1を作成した。
厚さ0.3μmの金(Au)からなる被覆層を形成した以外は実施例粒子5と同一の条件で比較例粒子2を作成した。
樹脂粒子の表面に、ニッケルからなるめっきを施す一方で、被覆層を形成せず、その他は実施例粒子1と同一の条件で比較例粒子3を作成した。
上述した接着剤組成物100重量部(溶剤を除く)に対して上述した実施例粒子1〜5及び比較例粒子1〜3をそれぞれ15重量部混入して、実施例1〜5並びに比較例1〜3の異方性導電接着剤を得た。
(1)反射率
実施例1〜5及び比較例1〜3の異方性導電接着剤を平滑な板上に乾燥後の厚さが70μmとなるように塗布し、硬化させて反射率測定用のサンプルを作成した。
各サンプルについて、分光測色計(コニカミノルタ社製 CM−3600d)を用い、青色波長である波長460nmにおける反射率を測定した。その結果を表1に示す。
実施例1〜5及び比較例1〜3の異方性導電接着剤を用い、セラミックからなる基板上にLED素子(0.35×0.35mm□)を接着固定(フィリップチップ実装)し、LED素子実装モジュールを作成した。
作成したLED実装モジュールに対し、それぞれ温度85℃、相対湿度85%RHの環境下で通電させる高温高湿試験を、100時間、500時間行い、それぞれの外観を顕微鏡で目視観察した。その結果を表1に示す。
ここでは、異方性導電接着剤中にデンドライト(樹状に延びる析出物)が発生しなかった場合は「○」、デンドライトの発生が認められた場合は「△」とした。
上述した耐マイグレーション性試験において、100時間、500時間、1000時間ごとに電気測定を行いカーブトレーサー(國洋電機工業社製 TCT−2004)によりVf値を測定するとともに、導通の破断(オープン)の有無、短絡発生の有無を確認した。すなわち、導通の破断が確認できた場合は「○」として評価し、測定パターンの一部がショートした場合を「△」として評価した。その結果を表1に示す。
表1から明らかなように、実施例1の異方性導電接着剤を用いた樹脂硬化物は、反射率が38%を示し、比較例1に示される、純銀の光反射性金属層上に被覆層を設けない導電性粒子を用いたものと同等の値を示した。
また、実施例1の異方性導電接着剤を用いて作成したLED素子実装モジュールの外観を観察したところ、500時間の高温高湿試験後においてデンドライトは確認されず、耐マイグレーション性も良好であった。
さらに、電気特性については初期状態から変化がなく、導通信頼性も良好であった。
導電性粒子の光反射性金属層がニッケル/金めっきからなる実施例2の異方性導電接着剤を用いた樹脂硬化物は、反射率が30%を示し、実施例1のものには及ばなかったが、十分実用可能なレベルであった。
また、実施例2の異方性導電接着剤を用いて作成したLED素子実装モジュールの外観観察については、500時間の高温高湿試験後においてデンドライトは確認されず、耐マイグレーション性も良好であった。
さらに、電気特性については初期状態から変化がなく、導通信頼性も良好であった。
導電性粒子の光反射性金属層がニッケル/金めっきからなり、被覆層の厚さが実施例2より薄い実施例3のものは、反射率が24%を示し、実施例1及び実施例2のものには及ばなかったが、実用可能なレベルであった。
また、実施例3の異方性導電接着剤を用いて作成したLED素子実装モジュールの外観観察については、500時間の高温高湿試験後においてデンドライトは確認されず、耐マイグレーション性も良好であった。
さらに、電気特性については初期状態から変化がなく、導通信頼性も良好であった。
導電性粒子の光反射性金属層が純銀からなり、被覆層の厚さが実施例1より薄い実施例4のものは、反射率が26%を示し、比較例1に示される最表層が純銀である導電性粒子を用いたものと遜色のない値を示した。
また、実施例4の異方性導電接着剤を用いて作成したLED素子実装モジュールの外観観察については、500時間の高温高湿試験後においてデンドライトは確認されず、耐マイグレーション性も良好であった。
さらに、電気特性については初期状態から変化がなく、導通信頼性も良好であった。
光反射性層金属層がニッケルからなり、被覆層が銅合金からなる導電性粒子を用いた実施例5のものは、反射率が39%で実施例1と同等であったが、500時間の高温高湿試験後における外観観察においてデンドライトが確認された点で、実施例1の方が優れているといえる。
純銀からなる光反射性金属層上に被覆層を設けない導電性粒子を用いた比較例1の異方性導電接着剤は、反射率が40%で最も良好であったが、100時間の高温高湿試験後における外観観察においてデンドライトが確認され、耐マイグレーション性が実施例1〜4のものに比べて劣っていた。
また、導通試験においては、500時間まではショート等が確認されないものの、1000時間になると断線が確認された。
導電性粒子の光反射性金属層がニッケルからなり、被覆層が金(Au)からなる比較例2のものは、耐マイグレーション性及び導通信頼性は良好であったが、反射率が18%を示し、実施例1〜5のものに比べて劣っていた。
ニッケルからなる光反射性金属層上に被覆層を設けない導電性粒子を用いた比較例3のものは、耐マイグレーション性及び導通信頼性は良好であったが、反射率が15%を示し、実施例1〜5のものに比べて極端に劣っていた。
2…絶縁性接着剤樹脂
3…導電性粒子
10…発光装置
20…配線基板
21…第1の接続電極
22…第2の接続電極
30…樹脂粒子
31…光反射性金属層
32…被覆層
40…発光素子
41…第1の接続電極
42…第2の接続電極
Claims (5)
- 絶縁性接着剤樹脂中に光反射性の導電性粒子を含有する異方性導電接着剤であって、
前記光反射性の導電性粒子が、核となる樹脂粒子の表面に、ピーク波長460nmにおける反射率が60%以上の金属からなる光反射性金属層が形成され、さらに、当該光反射性金属層の表面に銀合金からなる被覆層が形成されてなる異方性導電接着剤。 - 前記光反射性金属層は、ニッケル、金、銀からなる群から選択される1又は2以上の金属からなる請求項1記載の異方性導電接着剤。
- 請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の異方性導電接着剤を製造する方法であって、
前記光反射性金属層及び前記被覆層を、それぞれめっき法によって形成する工程を有する異方性導電接着剤の製造方法。 - 対となる接続電極を有する配線基板と、
前記配線基板の対となる接続電極にそれぞれ対応する接続電極を有する発光素子とを備え、
請求項1又は2のいずれか1項記載の異方性導電接着剤によって前記発光素子が前記配線基板上に接着され、かつ、当該発光素子の接続電極が、当該異方性導電接着剤の導電性粒子を介して当該配線基板の対応する接続電極に対しそれぞれ電気的に接続されている発光装置。 - 対となる接続電極を有する配線基板と、前記配線基板の接続電極にそれぞれ対応する接続電極を有する発光素子とを用意し、
前記配線基板の接続電極と前記発光素子の接続電極を対向する方向に配置した状態で、当該発光素子と当該発光素子との間に請求項1又は2のいずれか1項記載の異方性導電接着剤を配置し、
前記配線基板に対して前記発光素子を熱圧着する工程を有する発光素子の製造方法。
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KR1020147011209A KR102010103B1 (ko) | 2011-10-07 | 2012-10-05 | 이방성 도전 접착제 및 그의 제조 방법, 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
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EP12838614.1A EP2765173A4 (en) | 2011-10-07 | 2012-10-05 | ANISOTROPER CONDUCTIVE ADHESIVE AND PRODUCTION PROCESS THEREFOR AND LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
TW101136830A TWI559334B (zh) | 2011-10-07 | 2012-10-05 | 異向性導電接著劑及其製造方法、發光裝置及其製造方法 |
US14/246,618 US20140217450A1 (en) | 2011-10-07 | 2014-04-07 | Anisotropic conductive adhesive and method for manufacturing same, and light-emitting device and method for manufacturing same |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3051598A4 (en) * | 2013-09-26 | 2017-06-28 | Dexerials Corporation | Light emitting device, anisotropic conductive adhesive and method for manufacturing light emitting device |
JP2019139860A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 銀被覆樹脂粒子 |
JP2020047909A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | チップパッケージ及びチップ |
JP2020107874A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置の製造方法および光源装置 |
JP2020173990A (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 日立化成株式会社 | 導電粒子の製造方法 |
JP2020173991A (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 日立化成株式会社 | 導電粒子 |
CN113930167A (zh) * | 2018-03-01 | 2022-01-14 | 住友电木株式会社 | 糊状粘接剂组合物和半导体装置 |
US11677062B2 (en) | 2018-12-25 | 2023-06-13 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light source device having a bonding layer with bumps and a bonding member |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5965199B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2016-08-03 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
US9269681B2 (en) * | 2012-11-16 | 2016-02-23 | Qualcomm Incorporated | Surface finish on trace for a thermal compression flip chip (TCFC) |
JP5985414B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-09-06 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
US9955619B2 (en) * | 2013-02-27 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device, light emitting element mounting method, and light emitting element mounter |
TWI707484B (zh) | 2013-11-14 | 2020-10-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
JP6324746B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2018-05-16 | デクセリアルズ株式会社 | 接続体、接続体の製造方法、電子機器 |
JP6347635B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-06-27 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤 |
CN107078199B (zh) * | 2014-09-26 | 2019-11-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光器件及其制造方法 |
US10319697B2 (en) * | 2015-05-21 | 2019-06-11 | Goertek, Inc. | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED |
DE102015112967A1 (de) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
JP2017157724A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | デクセリアルズ株式会社 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
DE102016106494A1 (de) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
KR102555383B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
KR20200103043A (ko) * | 2017-12-28 | 2020-09-01 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접속 구조체 및 그의 제조 방법 |
JP7046351B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-04-04 | 三国電子有限会社 | 接続構造体の作製方法 |
JP7185252B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-12-07 | 三国電子有限会社 | 接続構造体の作製方法 |
JP7160302B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-10-25 | 三国電子有限会社 | 接続構造体および接続構造体の作製方法 |
WO2019167819A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物及び半導体装置 |
TWI690102B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
CN111574937B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种异方性导电胶、显示面板及显示装置 |
DE102021120689A1 (de) * | 2021-08-09 | 2023-02-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Transferverfahren für optoelektronsiche halbleiterbauelemete |
KR20240038495A (ko) * | 2022-09-16 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 고반사율 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 모듈 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234152A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性接着剤 |
WO2002013205A1 (fr) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Particules fines conductrices, procede d'electrodeposition des particules fines et corps structurel de substrat |
JP2002260446A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子及び導電接続構造体 |
JP2005330327A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤 |
WO2006018995A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法、及び、無電解銀メッキ液 |
JP2007131677A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤 |
JP2007258324A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2008266671A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Sony Corp | 銀系薄膜合金 |
WO2011030621A1 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2012164484A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2933771B2 (ja) | 1991-11-25 | 1999-08-16 | 住友ベークライト株式会社 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH07157720A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルム |
JP3284262B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2002-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
DE69826476T2 (de) * | 1997-07-04 | 2005-01-20 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Klebstoff für halbleiterbauteile |
US5990498A (en) * | 1997-09-16 | 1999-11-23 | Polaroid Corporation | Light-emitting diode having uniform irradiance distribution |
JP2003026763A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-29 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
EP1626400A4 (en) * | 2003-05-22 | 2008-05-14 | Ricoh Kk | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
JP4293187B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-07-08 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法 |
DE10347704A1 (de) | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von gereinigten Elastomeren aus Lösung |
JP5430093B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2014-02-26 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性粒子、異方性導電フィルム、及び接合体、並びに、接続方法 |
US20120202218A1 (en) * | 2008-09-12 | 2012-08-09 | Modpro Ab | Detection method and device based on nanoparticle aggregation |
JP5526698B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-06-18 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2011186414A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Sony Corp | 光学素子、日射遮蔽装置、建具、窓材および光学素子の製造方法 |
JP5745776B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-07-08 | デクセリアルズ株式会社 | 光学積層体および建具 |
JP5586300B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-09-10 | デクセリアルズ株式会社 | 機能性積層体及び機能性構造体 |
JP5609716B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
-
2011
- 2011-10-07 JP JP2011222498A patent/JP5916334B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-05 EP EP12838614.1A patent/EP2765173A4/en not_active Withdrawn
- 2012-10-05 TW TW101136830A patent/TWI559334B/zh active
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2014
- 2014-04-07 US US14/246,618 patent/US20140217450A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234152A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性接着剤 |
WO2002013205A1 (fr) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Particules fines conductrices, procede d'electrodeposition des particules fines et corps structurel de substrat |
JP2002260446A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子及び導電接続構造体 |
JP2005330327A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤 |
WO2006018995A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法、及び、無電解銀メッキ液 |
JP2007131677A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤 |
JP2007258324A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2008266671A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Sony Corp | 銀系薄膜合金 |
WO2011030621A1 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2012164484A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3051598A4 (en) * | 2013-09-26 | 2017-06-28 | Dexerials Corporation | Light emitting device, anisotropic conductive adhesive and method for manufacturing light emitting device |
JP2019139860A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 銀被覆樹脂粒子 |
JP7093639B2 (ja) | 2018-02-06 | 2022-06-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 銀被覆樹脂粒子 |
CN113930167A (zh) * | 2018-03-01 | 2022-01-14 | 住友电木株式会社 | 糊状粘接剂组合物和半导体装置 |
JP2020047909A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | チップパッケージ及びチップ |
US10797213B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-10-06 | Chipbond Technology Corporation | Chip package and chip thereof |
US11677062B2 (en) | 2018-12-25 | 2023-06-13 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light source device having a bonding layer with bumps and a bonding member |
JP2020107874A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置の製造方法および光源装置 |
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