JP2013070347A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013070347A5 JP2013070347A5 JP2011209289A JP2011209289A JP2013070347A5 JP 2013070347 A5 JP2013070347 A5 JP 2013070347A5 JP 2011209289 A JP2011209289 A JP 2011209289A JP 2011209289 A JP2011209289 A JP 2011209289A JP 2013070347 A5 JP2013070347 A5 JP 2013070347A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- wiring
- metal layer
- annular electrode
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011209289A JP5848079B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| US13/610,374 US9065420B2 (en) | 2011-09-26 | 2012-09-11 | Fabrication method of acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011209289A JP5848079B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013070347A JP2013070347A (ja) | 2013-04-18 |
| JP2013070347A5 true JP2013070347A5 (enExample) | 2015-05-07 |
| JP5848079B2 JP5848079B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=47910522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011209289A Active JP5848079B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9065420B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5848079B2 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5984912B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-09-06 | オリンパス株式会社 | 積層型半導体の製造方法 |
| KR101754200B1 (ko) * | 2013-08-20 | 2017-07-05 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP6444787B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-12-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP6365435B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-08-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2023153272A1 (ja) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09162690A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Rohm Co Ltd | 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法 |
| JP3303791B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP3296356B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2002-06-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
| JP2001110845A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | フリップチップの実装構造 |
| JP2003249840A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US7154206B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-12-26 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and method for manufacturing same |
| JP2004129193A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP4766831B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-09-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| KR100821483B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2008-04-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치 |
| JP4518870B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置および通信装置 |
| JP4057017B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
| JP4986540B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-07-25 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP4758197B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2011-08-24 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及び通信装置 |
| JP2007158039A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Epson Toyocom Corp | 電子部品 |
| JP2008113178A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
| JP2008135999A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP4484934B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2010-06-16 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JP5261112B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-08-14 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置及び通信装置 |
| WO2010086952A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-26 JP JP2011209289A patent/JP5848079B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-11 US US13/610,374 patent/US9065420B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010153823A5 (enExample) | ||
| JP2013070347A5 (enExample) | ||
| JP2011100994A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| WO2012143784A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2012085239A5 (enExample) | ||
| TWI594369B (zh) | 與互補式金屬氧化物半導體相容的晶圓接合層及製程 | |
| JP2011527830A5 (enExample) | ||
| JP2015506641A5 (enExample) | ||
| RU2014134901A (ru) | Емкостной преобразователь, полученный микрообработкой, и способ его изготовления | |
| JP2010093241A5 (enExample) | ||
| JP2016082232A5 (ja) | 導電性積層構造体の製造方法 | |
| JP2015106638A5 (enExample) | ||
| JP2014057124A5 (enExample) | ||
| JP2012069938A5 (enExample) | ||
| CN106548941B (zh) | 一种半导体器件及其制备方法 | |
| US8754532B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2016111084A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2018107227A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、固体撮像素子 | |
| JP6211661B2 (ja) | マイクロホンチップの製造方法 | |
| CN118157618B (zh) | 晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构 | |
| JP6029829B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2013187352A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2020170782A (ja) | キャパシタ | |
| JP2017130620A5 (enExample) | ||
| JP5293376B2 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法 |