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  1. インジウムと、第３族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
  2. インジウムと、第３族元素と、第４族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
  3. インジウムと、第３族元素と、第１３族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を含む半導体装置。
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