JP2012532461A - 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 - Google Patents

処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012532461A
JP2012532461A JP2012518584A JP2012518584A JP2012532461A JP 2012532461 A JP2012532461 A JP 2012532461A JP 2012518584 A JP2012518584 A JP 2012518584A JP 2012518584 A JP2012518584 A JP 2012518584A JP 2012532461 A JP2012532461 A JP 2012532461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data values
component wear
code
wear data
model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012518584A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5599882B2 (ja
Inventor
アルバレード・リュック
パペ・エリック
ベヌゴパル・ビジャヤクマー・シー.
チョイ・ブライアン・ディー.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/555,674 external-priority patent/US8983631B2/en
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2012532461A publication Critical patent/JP2012532461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5599882B2 publication Critical patent/JP5599882B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Abstract

【解決手段】処理チャンバの健全状態を査定するための方法が提供される。方法は、レシピを実行することを含む。方法は、また、レシピの実行中にセンサのセットから処理データを受信することを含む。方法は、さらに、多変量予測モデルのセットを用いて処理データを解析することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを生成することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを有用寿命閾値範囲のセットと比較することを含む。方法は、さらに、コンポーネント摩耗データ値のセットが有用寿命閾値範囲のセット外である場合に警告を生成することを含む。
【選択図】図1

Description

プラズマ処理における進歩は、半導体産業において驚異的な発展をもたらしてきた。プラズマ処理システムは、多くのコンポーネントで構成されえる。議論を容易にするために、「コンポーネント」という用語は、プラズマ処理システム内の不可分なパーツまたは複数パーツの組み立て品に言及するために使用される。したがって、コンポーネントは、エッジリングのような単品であってよい、またはプロセスモジュール全体のような複合品であってよい。(プロセスモジュールのなどの)複数パーツのコンポーネントは、(真空システム、ガスシステム、電源システムなどの)その他の複数パーツのコンポーネントから形成されてよく、これらの複数パーツのコンポーネントは、さらに、その他の複数パーツのコンポーネントまたは不可分なコンポーネントから形成されてよい。
時間とともに、1つまたは2つ以上のコンポーネントが磨滅する恐れがある。当業者ならば、もし磨滅したコンポーネントが修繕/交換されないと、それらの磨滅コンポーネントによってチャンバおよび/または基板が損傷されえることを承知している。どのコンポーネントが交換されるべきかを特定する1つの方法は、コンポーネント交換についての固定スケジュールを使用することを含んでよい。つまり、各コンポーネントについて、その有用寿命が推測的に特定されてよい。各コンポーネントは、その利用を追跡されてよく、(固定の有用寿命スケジュールによって事前に決定された)自身の有用寿命の終わりに到達したときに交換されてよい。
あいにく、交換/修理を目的としてコンポーネントの有用寿命を事前に決定する方法には、制限がある。第1に、コンポーネントの有用寿命は、そのコンポーネントを取り巻く環境に依存して異なることがある。一例において、コンポーネント1は、コンポーネント2とは異なる1つのプロセスレシピまたは複数プロセスレシピの混合を経るプロセスチャンバ内で使用されることがある。したがって、コンポーネント1は、たとえコンポーネント1とコンポーネント2とが同じ型およびモデルであっても、コンポーネント2よりも早く磨滅する可能性がある。
したがって、有用寿命を事前に決定された方法では、たとえコンポーネントの有用寿命がまだ実際には終了していなくても、処理チャンバをオフラインにしてそのコンポーネントを交換することに付随して不必要なコストが発生する恐れがある。また、有用寿命を事前に決定された方法は、コンポーネントがその事前決定された理論的な有用寿命よりも前に時期尚早に磨滅する可能性を考慮に入れることができない。コンポーネントの劣化状況は、多くの場合、基板への損傷、ならびに/または処理チャンバおよび該チャンバ内のその他のコンポーネントへの損傷を生じさえる恐れがある。
コンポーネントの摩耗を決定する1つの方法は、一パラメータの展開を追跡することを伴ってよく、これは、いわゆる単変量モードである。一例では、コンポーネントの健全性は、何らかのセンサによって測定可能な1つのパラメータを追跡することによって監視されてよい。例えば、RFバイアス電圧が追跡されてよい。もしRFバイアス電圧が、事前に決定された閾値を上回る場合は、例えばエッジリングは、その有用寿命の終わりに到達したとみなされてよい。
あいにく、単変量方法にもやはり、制限がある。上記のように、所定の一コンポーネントは、一パラメータを追跡することによって監視される。しかしながら、そのパラメータは、その所定のコンポーネントの状況以外の影響も受ける可能性がある。一例では、エッジリングの状況を監視するために、RFバイアス電圧が監視されてよい。しかしながら、RFバイアス電圧の値は、エッジリングの状況だけでなく、それ以外の影響も受ける可能性がある。例えば、RFバイアス電圧は、チャンバ壁へのデポジションによっても影響されることがある。したがって、高いRFバイアス電圧が確認されたときは、その高いRFバイアス電圧値は、エッジリングに問題が存在しえることを示しているとは限らない。むしろ、問題は存在するであろうが、その問題の原因を特定する前に、さらなる解析が求められるであろう。
単変量方法のもう1つの問題は、単変量方法が、「実行/中止(go/no-go)」方法になりえることである。つまり、単変量方法は、障害状況がいつ存在しえるかを特定してコンポーネントの交換を可能にするために用いられるのが通常である。しかしながら、単変量方法は、コンポーネントの交換が(必要であるかどうかではなく)いつ必要になりえるかの予測を助けることはできないであろう。つまり、このようなシナリオでは、単変量方法は、問題(例えば有用寿命の終了)がいつ発生しえるかを予測するためでなく、せいぜい、問題を特定するために用いることしかできないであろう。
その結果、エッジリングなどのコンポーネントが実際に磨滅したときに、交換用のコンポーネントを直ちに用意できないであろう。結果的に、処理チャンバは、交換用に例えば新しいエッジリングを得られるまでオフラインにとどまる必要があるであろう。もちろん、メーカは、(エッジリングなどの)交換品を常に用意しておく選択をしてもよい。スペアのコンポーネントを常に用意するこの方法は、コンポーネントがまだ正常な動作状況にあるときでもスペアのコンポーネントを利用可能にしておくために、メーカが資源(資金および貯蔵スペース)を割り当てなければならないゆえに、不経済になる可能性がある。
コンポーネントの摩耗を特定するもう1つの方法は、監視用パッチを用いることを含んでよい。監視用パッチは、コンポーネントに搭載されえるアイテムである。監視用パッチは、コンポーネントの表面近くに搭載されてよいまたはコンポーネントに埋め込まれてよい。コンポーネントは、例えば監視用パッチが磨滅したときに、その有用寿命が終わるとみなされてよい。もし、監視用パッチが埋め込まれているならば、コンポーネントは、例えば監視用パッチが見えるようになったときに、その有用寿命が終わるとみなされる。
監視用パッチの方法には、幾つかの制限がある。第1に、監視用パッチは、監視対象とされる各コンポーネントに必要である。したがって、もし、100個のコンポーネントの監視が必要であるならば、その各コンポーネントに監視用パッチが搭載されなければならない。監視用パッチの方法は、監視されえるコンポーネントの数次第では、実装および監視が非常に高価で且つ時間がかかる可能性がある。
また、監視用パッチの利用は、汚染のリスクを増大させるであろう。監視用パッチは、処理チャンバに入れなければならない異物である。上記のように、処理チャンバへの損傷および/または基板への損傷を阻止するためには、処理チャンバの状況が厳密に制御されなければならない。処理環境は、1つまたは2つ以上の監視用パッチを処理チャンバに導入することによって変化するであろう。また、処理チャンバ内における監視用パッチの存在によって処理環境がどの程度変化しえたかは、未知または計測困難であろう。
監視用パッチの方法のもう1つの制限は、監視用パッチをコンポーネントに搭載することによって、そのコンポーネントの機械的機能性が損なわれえることである。つまり、エッジリングの機械的挙動は、リングへの監視用パットの埋め込みによって変化するであろう。あいにく、パッチがコンポーネントの機能性を変化させえた度合いは、各コンポーネントおよび/または各パッチが固有でありえるゆえに、変動するであろう。
したがって、コンポーネントの摩耗を予測するための、非侵襲性の方法が望まれている。
添付の図面では、本発明は、限定的なものではなく例示的なものとして示されており、図中、類似の参照符号は、同様の要素を指すものとする。
発明の一実施形態における、コンポーネントを適格化するために1つの多変量予測モデルを適用することの簡略フローチャートを示している。
発明の一実施形態における、コンポーネントの健全性の決定において複数の予測モデルを適用する方法を示した簡略フローチャートである。
発明の一実施形態における、非プラズマ試験(NPT)を伴った多変量予測モデルを適用する方法を示した簡略フローチャートである。
発明の一実施形態における、多変量予測モデルと非プラズマ試験からのデータとを使用してコンポーネントを適格化する方法を示した簡略フローチャートである。
発明の一実施形態における、コンポーネントを適格化するための多変量予測モデルを構築する方法を示した簡略フローチャートである。
次に、添付の図面に示されるような幾つかの実施形態を参照にして、本発明が詳細に説明される。以下の説明では、本発明の完全な理解を与えるために、多くの詳細が明記されている。しかしながら、当業者ならば、本発明が、これらの一部または全部の詳細を伴わずとも実施されえることが明らかである。また、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセス工程および/または構造の詳細な説明は省かれている。
方法および技術を含む様々な実施形態が、以下で説明される。発明は、発明技術の実施形態を実行に移すためのコンピュータ可読命令を格納されたコンピュータ可読媒体を含む製造品も対象としえることを念頭に置かれるべきである。コンピュータ可読媒体としては、例えば、コンピュータ可読コードを格納するための、半導体、磁気、光磁気、光、またはその他の形態のコンピュータ可読媒体が挙げられる。さらに、発明は、発明の実施形態を実施するための装置も対象としえる。このような装置は、発明の実施形態に関連したタスクを実行に移すための、専用および/またはプログラム可能な回路を含んでよい。このような装置の例としては、適切にプログラムされたときの汎用コンピュータおよび/または専用計算機器があり、コンピュータ/計算機器と、発明の実施形態に関連した様々なタスクに適応された専用の/プログラム可能な回路との組み合わせが挙げられる。
技術全体の理解を促すために、統計モデルについて幾らか詳述されるが、本発明は、パーツの摩耗の予測、およびそのような予測が予防保全においてどのように使用されえるかに関する。上記予測を実施するために使用されえる具体的なモデルは、関与しているチャンバまたはパーツに依存してよい。しかしながら、任意のモデル(例えば統計モデル、電気モデル、プラズマモデル、ハイブリッドモデル、これらのモデルの組み合わせなど)が使用されてよく、特定のチャンバ、特定のパーツ、および/または特定のレシピに対する特定のモデルの使用は、当業者の範囲内である。
発明の実施形態において、チャンバの健全状態を査定する方法が提供される。発明の実施形態は、チャンバ健全性指標試験を実施することを含む。本明細書で論じられるチャンバ健全性指標試験とは、処理チャンバ内のコンポーネントのセット(例えば消耗パーツのセット)の健全性を決定および/または予測しえる試験を言う。つまり、チャンバ健全性指標試験は、コンポーネントがその有用寿命の終わりにいつ到達しえるかを決定および/または予測するために使用されてよい。
発明の一実施形態において、チャンバの健全状態を評価する方法が提供される。一例では、1つまたは2つ以上の多変量予測モデルが、処理チャンバ内においてチャンバ健全性指標試験を実施するように構築されてよい。先行技術と異なり、(1つまたは2つ以上の)予測モデルは、1つのパラメータではなく複数のパラメータに基づいてよい。結果的に、チャンバ健全性指標試験は、コンポーネントがいつ磨滅しえたかを特定するためのみならず、そのコンポーネントの残りの有用寿命を予測するためにも実行されてよい。
一実施形態では、ロバスト予測モデルのセット(例えば多変量予測モデルのセット)の構築は、予防保守サイクル内における様々な時点で収集されたデータに基づいてよい。予防保守サイクルは、ここでは、湿式洗浄サイクルとも呼ばれる。データは、実際のコンポーネント自体ではなくチャンバの状況に関係している可能性があるデータセット内のノイズを排除するために、湿式洗浄サイクルの少なくとも開始時および終了時に収集されてよい。発明の一実施形態において、ロバスト予測モデルのセットの構築は、複数のチャンバを跨いで収集されたデータに基づいてもよい。データは、コンポーネントの状況ではなくある特定のチャンバに固有なチャンバ状況に結び付いている可能性があるノイズも排除するために、複数のチャンバを跨いで収集される。
多変量予測モデルのセットが構築されたら、その多変量予測モデルのセットは、チャンバおよびそのコンポーネントの状況を適格化するために、生産環境内において適用されてよい。発明の実施形態は、1つの多変量予測モデルを使用してコンポーネントを適格化する方法を提供する。つまり、1つのコンポーネントを適格化するために、1つの多変量予測モデルが使用されてよい。発明の一実施形態では、複数パーツの摩耗を予測するためにおよびチャンバ健全性指標の決定において2つ以上の多変量予測モデルを適用する方法が提供される。
一実施形態では、チャンバ健全性指標試験と併せて非プラズマ試験(NPT)が用いられてよい。一実施形態において、NPTは、チャンバ健全性指標試験がいつ実行される必要があるであろうかを判断するために用いられてよい。本明細書で論じられる非プラズマ試験とは、1つまたは2つ以上の既定の周波数で低電力を処理チャンバに印加してプラズマを点火させないことによって実行されえる試験を言う。この試験中に、プラズマは形成されないが、処理チャンバの状況を概算するのに十分なデータは提供される。NPTは、実行が比較的迅速で尚且つ安価な試験であるので、NPTは、チャンバ健全性指標試験の先行試験として使用されてよい。発明の一実施形態において、NPTは、チャンバ健全性指標試験を検証するために用いられてもよい。一実施形態では、NPTからのデータは、検証を目的として、チャンバ健全性指標試験中に収集されたデータに関連付けられてよい。
本発明の特徴および利点は、以下の図面および議論を参照にして、さらに良く理解されるであろう。
上記のように、チャンバの健全状態は、保全がいつ必要とされるかを決定するために使用されてよい。特に消耗パーツなどのチャンバの健全状態を査定するために、チャンバ健全性指標試験が実施されてよい。チャンバ健全性指標試験は、モデルベースのアプローチに基づいて実施されてよい。
図1〜4は、発明の一実施形態における、コンポーネントのセットを適格化するために1つまたは2つ以上の多変量予測モデルを適用する種々の方法を示している。
図1は、発明の一実施形態における、コンポーネントのセットを適格化するために1つの多変量予測モデルを適用することの簡略フローチャートを示している。
第1のステップ102では、処理チャンバ内においてレシピが実行される。該レシピは、クライアント特化レシピ、WACレシピ、または非クライアント特化レシピのいずれかであってよい。
本明細書で論じられるクライアント特化レシピは、ある特定のメーカ用に適合されえるレシピである。一例において、クライアント特化レシピは、ある特定のメーカに固有な実生産対応プロセスレシピであってよい。一実施形態において、クライアント特化レシピを用いる能力は、ユーザ(例えばプロセスエンジニア)が、自身のニーズに特化された多変量モデルを構築することを可能にする。
本明細書で論じられる非クライアント特化レシピとは、ある特定の消耗パーツの摩耗に対する感度を最大にするように設計されえるレシピを言う。一例において、非クライアント特化レシピは、プラズマ処理システムの特定の状況を解析するように構成されえるレシピであってよい。非クライアント特化レシピは、それによって指定された同様なチャンバセットアップを有する処理チャンバを有するであろう任意のメーカによって用いられてよい。
使用されえるもう1つのレシピは、ウエハレス自動洗浄(waferless autoclean)レシピである。WACレシピは、生産工程後に実行されてよい。WACレシピは、チャンバに特化されていないのが通常である。
実行されえるレシピのタイプは、多変量予測モデルに依存してよい。一例において、もし、多変量予測モデルがクライアント特化レシピを使用して構築されたならば、その多変量モデルを用いるために使用されえるレシピもやはり、クライアント特化レシピであってよい。
次のステップ104では、センサのセット(例えば圧力センサ、温度センサ、VIプローブ、OES、ラングミュアプローブなど)によって、処理データが収集される。
次のステップ106では、処理データにモデルが適用される。つまり、システムは、処理データを多変量予測モデルと比較してよい。一実施形態では、予測モデルは、統計モデルである。別の実施形態では、予測モデルは、電気モデルである。さらに別の実施形態では、予測モデルは、プラズマモデルである。さらに、ステップ106は、1つのコンポーネントの分析に限られず、むしろ、種々のコンポーネントの健全性を解析するために、同じデータセットに対して異なる多変量予測モデルが適用されてよい。
一実施形態において、多変量予測モデルは、ライブラリからデータを引き出していてよい(108)。ライブラリは、モデルをサポートするために使用されえるデータ(例えば定数)を含んでよい。
解析が実施された後、次のステップ110において、予測モデルは、解析されている各コンポーネントについてコンポーネント摩耗データを出力してよい。つまり、解析されている各コンポーネントの健全状態を詳述したデータレポートが作成されてよい。
次のステップ112において、システムは、出力されたデータを有用寿命閾値範囲と比較してよい。各コンポーネントについての有用寿命閾値は、例えば専門知識に基づいてよい。一実施形態では、有用寿命閾値は、ユーザ設定可能であってよい。したがって、ユーザは、ツール構成やレシピ設定などを調節するために、有用寿命閾値を変更してよい。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値外であるならば、次のステップ114において、警告/エラーメッセージが提供されてよい。警告/エラーメッセージは、有用寿命閾値が破られる原因となったパラメータを特定してよい。出力レポートからのデータによって、ユーザ(例えばプロセスエンジニア)は、確信を持って、問題を是正するために必要とされえる一連の措置の決定に進めるであろう。一例では、コンポーネントは、例えば修理および/または交換を必要とするであろう。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値内であるならば、解析されている各コンポーネントは、良好な動作状況にあるとみなされる。次のステップ116において、システムは、図1に示されるような方法を再び実施する前に、次の測定までの時間間隔の間、待機してよい。
図1からわかるように、多変量モデルを適用することによって、ユーザは、1つまたは2つ以上のコンポーネントの健全性を決定することができるであろう。したがって、予測モデルは、コンポーネントがいつ劣化したかを特定しえるのみならず、コンポーネントがいつ許容不可能なレベルまで磨滅しえるかも予測しえる。一例において、出力レポートは、エッジリングがまだ正確に動作しているゆえに、そのエッジリングが磨滅したとは示さないであろう。しかしながら、出力レポートは、そのエッジリングの有用寿命の約75パーセントが消費されたこと、および間もなく交換が必要になるであろうと示すであろう。この知識によって、メーカは、来たる修理を計画してよい。
図2は、発明の一実施形態における、コンポーネントの健全性の決定において複数の予測モデルを適用する方法を示した簡略フローチャートである。
第1のステップ202では、処理チャンバ内においてレシピが実行される。図1と同様に、該レシピは、クライアント特化レシピ、WACレシピ、または非クライアント特化レシピのいずれかであってよい。
次のステップ204では、センサのセット(例えば、圧力センサ、温度センサ、VIプローブ、OES、ラングミュアプローブなど)によって、処理データが収集される。
次のステップ206では、処理データにモデルのセットが適用される。つまり、処理データを解析するために、2つまたは3つ以上のモデル(208、210、212)が使用されてよい。一例では、コンポーネントの適格化を目指して、2つのモデルが適用されてよい。例えば、モデル208が多変量統計モデルである一方で、モデル210は電気モデルであってよい。
図1と同様に、ステップ206は、種々のコンポーネントの健全性を解析するために、同じデータセットに対して異なる多変量予測モデルが適用されることを可能にする。
一実施形態において、モデルのセットは、ライブラリからデータを引き出していてよい(214)。ライブラリは、モデルをサポートするために使用されえるデータ(例えば定数)を含んでよい。
解析が実施された後、次のステップ216において、システムは、モデルからの出力が一致するかどうかを判定するためにチェックを行ってよい。一例において、もし、多変量モデル208からの出力が、コンポーネントにおける90パーセントの摩耗を示す一方で、多変量モデル210からの出力が、同じコンポーネントにおける75パーセントの摩耗を示すならば、これらのモデルからの出力データは、一致していない。
もし、モデルからの出力データが一致しないならば、次のステップ218では、よりロバストなモデルからのデータに対し、よりノイズの少ないモデルが適用されてよい。一例において、モデル208は、電気モデルであり、よりロバストなモデルではあるが非常に高いノイズレベルを有するであろう。しかしながら、モデル210は、統計モデルであり、さほどロバストではないが、より低いノイズレベルを有するであろう。本明細書で論じられるロバストなモデルとは、外れ値(統計的異常値)をほとんど有さないモデルを言う。一実施形態では、コンポーネントを適格化するために、よりロバストなモデル(この例ではモデル208)からのデータに対し、さほどロバストではないがノイズレベルの低いモデル(モデル210)が適用されてよい。この方法は、精度を向上させつつノイズを減らすことを可能にする。
また、モデルの出力が一致しないので、システムは、違いを報告してそれらのモデルに更新用の印をつけてよい(ステップ220)。つまり、モデルのうちの1つまたは2つ以上を構築しなおすために、追加のデータが収集されてよい。一例において、図5で説明されている方法(後ほど論じられる)は、ノイズレベルを調節してモデルどうしをより良く関連付けるために、電気モデル(208)および統計モデル(210)を(異なる/追加のデータまたは異なるモデル化アプローチによって)構築しなおすために実施されてよい。
しかしながら、もし、モデルからのデータ出力が一致するならば、次のステップ222では、それらの予測モデルから、解析されているコンポーネントについてのコンポーネント摩耗データが出力されてよい。
次のステップ224において、システムは、出力されたデータを有用寿命閾値範囲と比較してよい。
もし、有用寿命閾値を超えている場合は、次のステップ226において、警告/エラーメッセージが提供されてよい。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値外であるならば、次のステップ228において、システムは、次の測定までの時間間隔の間、待機してよい。
図2からわかるように、図2で説明されている方法は、1つの多変量予測モデルではなく複数の予測モデルを用いることを除き、図1で説明されている方法と幾分類似している。2つ以上の予測モデルを用いることによって、検証が提供されえる。また、もし、モデルのうちの1つがあまりロバストでないならば、そのあまりロバストでないモデルを補うために、追加のモデルが使用されてよい。
図3は、発明の一実施形態における、非プラズマ試験(NPT)を伴った多変量予測モデルを適用する方法を示した簡略フローチャートである。
第1のステップ302では、非プラズマ試験が実行される。本明細書で論じられる非プラズマ試験とは、既定の周波数で低電力を処理チャンバに供給することによって実行されえる迅速な試験を言う。電力は、プラズマを発生させられるほど強くはなくてよいが、チャンバに関する電気データ(例えばインピーダンスやキャパシタンスなど)を提供するのには十分な強さであってよい。一実施形態では、非プラズマ試験は、チャンバ健全性指標試験の先行試験であってよい。つまり、NPTによって、コンポーネントの1つに潜在的な問題が存在しえることが示された場合に、チャンバ健全性指標が実行されてよい。NPTは、チャンバ健全性指標試験と比べて迅速で尚且つかなり安価な試験であるので、先行試験としてのNPTの使用は、所有コストの削減に役立つであろう。
もし、NPTによって、潜在的な問題が存在しえることが示された場合は、次のステップ304において、チャンバ健全性指標試験が実施されてよい。チャンバ健全性指標試験を開始させるために、先ず、レシピが実行されてよい。
次のステップ306では、解析のためにデータが取得される。
次のステップ308では、解析のためにデータに対して1つまたは2つ以上のモデルが適用されてよい(図1および図2の議論を参照せよ)。
解析を実施するために、ライブラリ310からデータが引き出されてもよい。ライブラリは、(1つまたは2つ以上の)モデルをサポートするために使用されえるデータ(例えば定数)を含んでよい。
データ解析が完了されたら、解析されている各コンポーネントの健全性に関する出力レポートが提供されてよい(ステップ312)。
次のステップ314において、システムは、出力されたデータを有用寿命閾値範囲と比較してよい。各コンポーネントについての有用寿命閾値は、例えば専門知識に基づいてよい。一実施形態では、有用寿命閾値は、ユーザ設定可能であってよい。したがって、ユーザは、ツール構成やレシピ設定などを調節するために、有用寿命閾値を変更してよい。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値外であるならば、次のステップ316において、警告/エラーメッセージが提供されてよい。警告/エラーメッセージは、有用寿命閾値が破られる原因となったパラメータを特定してよい。出力レポートからのデータによって、ユーザ(例えばプロセスエンジニア)は、確信を持って、問題を是正するために必要とされえる一連の措置の決定に進めるであろう。一例では、コンポーネントは、例えば修理および/または交換を必要とするであろう。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値内であるならば、次のステップ318において、システムは、次の測定までの時間間隔の間、待機してよい。
図3からわかるように、コンポーネントを適格化するためのステップは、図1および/または図2で説明されているステップと幾分類似している。図1および/または図2と異なり、図3で説明されている方法は、次の測定までの時間間隔を特定するための定量的方法に関する。つまり、NPTは、次のチャンバ健全性指標試験がいつ実施される必要があるであろうかに関する指標として用いられる。上記からわかるように、図3で説明されているステップは、もし、データの解析において2つ以上の多変量予測モデルが使用される場合には、調節されてよい。
図4は、発明の一実施形態における、多変量予測モデルと非プラズマ試験からのデータとを使用してコンポーネントを適格化する方法を示した簡略フローチャートである。図3および図4は、ともに、非プラズマ試験を用いているが、図4で説明されている方法は、NPTがチャンバ健全性指標試験の先行試験としてではなく検証のために用いられるという点で、図3で説明されている方法と異なる。
第1のステップ402では、レシピが実行される。
次のステップ404では、処理中に処理データが取得される。
次のステップ406では、解析のためにデータに対して1つまたは2つ以上のモデルが提供されてよい。一実施形態では、ライブラリ408からデータが引き出されてもよい。
解析からの結果は、出力レポートとして提供される(ステップ410)。
次のステップ412において、システムは、追加の検証が必要であるかを判定するために結果を解析してよい。追加の検証は、ステップ410からの結果が不確かであるまたはノイズが多すぎるときに必要とされるであろう。一実施形態において、結果は、既定のノイズレベル閾値範囲と比較されてよい。もし、結果が既定のノイズレベル閾値範囲外であるならば、検証が必要とされるであろう。
もし、追加の検証が必要であるならば、次のステップ414において、NPTが実行されてよい。
NPT中に、データが収集される(ステップ416)。
NPTからのデータおよびモデル解析からのデータは、モデル解析中に収集されたデータを検証するためにNPTデータが用いられることによって、互いに関連付けられる(ステップ418)。
統合されたデータは、解析されている(1つまたは2つ以上の)コンポーネントの健全性を詳述した単独のレポートとして出力される(ステップ420)。
もちろん、もし、追加の検証が必要とされないならば(ステップ412)、(ステップ410からの)パーツ摩耗情報が、単独のレポートとして出力されてよい(ステップ420)。
次のステップ422において、システムは、出力されたデータを有用寿命閾値範囲と比較してよい。各コンポーネントについての有用寿命閾値は、例えば専門知識に基づいてよい。一実施形態では、有用寿命閾値は、ユーザ設定可能であってよい。したがって、ユーザは、ツール構成やレシピ設定などを調節するために、有用寿命閾値を変更してよい。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値外であるならば、次のステップ424において、警告/エラーメッセージが提供されてよい。警告/エラーメッセージは、有用寿命閾値が破られる原因となったパラメータを特定してよい。出力レポートからのデータによって、ユーザ(例えばプロセスエンジニア)は、確信を持って、問題を是正するために必要とされえる一連の措置の決定に進めるであろう。一例では、コンポーネントは、例えば修理および/または交換を必要とするであろう。
もし、出力されたデータが有用寿命閾値内であるならば、次のステップ426において、システムは、次の測定までの時間間隔の間、待機してよい。
図4からわかるように、コンポーネントを適格化するためのロバストな方法が提供される。ロバストな方法は、コンポーネント解析を実施するために2つ以上の多変量モデルを提供するのみならず、(1つまたは2つ以上の)多変量予測モデルの結果を検証するためにNPTも含んでいる。
上記からわかるように、チャンバの健全状態を査定する方法は、モデルベースのアプローチであってよい。モデルベースのアプローチは、一実施形態では、電気モデル、プラズマモデル、統計モデル、またはハイブリッドモデルに基づいてよい。モデルがどのように構築されえるかを例示するために、図5は、発明の一実施形態における、コンポーネントを適格化するための多変量予測モデルを構築する方法を示した簡略フローチャートである。
第1のステップ502では、コンポーネント寿命データが提供される。コンポーネント寿命データは、コンポーネントについての機能的および/または物理学的測定値を含んでよい。一例において、もし、コンポーネントが新品であるならば、物理学的測定は、メーカによって提供されるのが通常である。しかしながら、もし、コンポーネントが新しくないならば、コンポーネント寿命は、コンポーネントに対して実際に測定を行うことによって決定されてよい。
次のステップ504では、レシピが実行される。レシピは、例えば、クライアント特化レシピ、非クライアント特化レシピ、WAC(ウエハレス自動洗浄)レシピであってよい。
ユーザ(例えばプロセスエンジニア)によって設定された要件に応じて、上記のレシピタイプのうちの1つまたは2つ以上が、処理チャンバのコンポーネントを適格化するためのモデルの作成に必要とされるデータを取得するために実行されてよい。
次のステップ506では、処理中に処理データが収集される。処理データは、センサのセットによって捕獲されてよい。上記からわかるように、利用可能なセンサの数、利用可能なセンサのタイプ、およびセンサの仕様は、収集される処理データの粒度に影響を及ぼすであろう。処理チャンバ内において使用されえるセンサの非限定的な例として、例えば、圧力センサ、温度センサ、電圧−電流プローブ(VIP)、発光分光計などが挙げられる。具体的には、VIPおよびOESからのデータは、特定の周波数またはそれらの調和周波数で広帯域出力を離散化することを伴ってよい。或いは、これらのセンサからのフルスペクトル広帯域の比較が、解析の基盤をなしてもよい。
一実施形態では、ステップ504および506は、湿式洗浄サイクル中に発生しえる潜在的なドリフトを考慮に入れるために、湿式洗浄サイクル中に種々の時間間隔で実行されてよい。例えば、これらのステップは、エッジリングなどのコンポーネントが装着されたばかりの時点で実行されてよい。これらのステップは、湿式洗浄サイクルの中間および終わりにかけて繰り返されてもよい。多変量モデルを構築するために利用可能なデータの量は、ステップ504および506が実行される回数に依存する。上記からわかるように、ステップ504および506が実行されえる回数は、ユーザがモデルの構築において追加のデータから得られる恩恵に依存してよい。
パラメータは、保守事象(例えば湿式洗浄)の実施後に変化することがあるので、多変量モデルの構築前に、湿式洗浄によって影響されるパラメータを特定して排除または調整する必要があるであろう。一例では、処理チャンバの透明窓が洗浄された後に、幾つかの波長での(OESによる)測定強度が変化する可能性がある。一実施形態では、湿式洗浄によって影響されえるパラメータを排除するために、湿式洗浄サイクル(508)中にステップ504および506が複数回実行される必要があるであろう。
追加または代わりとして、ステップ502〜506は、処理チャンバを跨いで実行されてもよい(510)。処理チャンバを跨いで適用されえる多変量モデルを作成するためには(チャンバの状況が同じ/同様であることを前提とする)、チャンバ関連の状況によって影響されえるパラメータを特定して排除または調整する必要があるであろう。例えば、種々のプロセスチャンバにおいて実行される標準的な適格化レシピの実行中に収集されるデータは、とあるチャンバから別のチャンバへとセンサ出力を変換するためのルールを開発して両チャンバにおける出力を一致させるために使用することができる。
発明の一実施形態において、もし、センサが一致しているならば、ステップ502〜506は、コンポーネントの摩耗に関係していないであろうパラメータの変化を排除するために湿式洗浄サイクル中におよび/または処理チャンバを跨いで繰り返される必要はないであろう。一致したセンサは、定められた何らかのチャンバ状態に対して同じ絶対値を返すはずである。もし、一致したセンサが使用されているならば、同一の2つのチャンバについて測定されたチャンバインピーダンスは同じになる。
十分なデータが収集されたら、次のステップ512において、コンポーネントについての多変量モデルが作成されてよい。先行技術と異なり、多変量モデルは、1つのパラメータではなく複数のパラメータに基づく。センサによって、多量のデータおよび/または粒度の高いデータが収集されえるので、一実施形態では、データの処理および解析を扱うために、高速処理計算モジュールが使用されてよい。処理時間を増やすために、データは、先ず製造設備ホストコントローラまたはひいては処理モジュールコントローラを経る必要なくセンサから高速処理計算モジュールに直接送信されてよい。Huang et al.によって2009年9月8日に出願された出願第12/555,674号は、データの扱いに適した高速処理計算モジュールの一例を説明している。
しかしながら、収集された全てのデータが、コンポーネントを適格化するプロセスに関係しているとは限らない。コンポーネントの摩耗に関係している可能性があるパラメータのみを特定するために、フィルタリング基準が適用されてよい。フィルタリング基準は、一実施形態では、湿式洗浄サイクルに関係していないパラメータを含んでよい。別の実施形態では、フィルタリング基準は、チャンバに依存した除外データも含んでよい。一例として、特定の27MHzプラズマを監視するために、湿式洗浄中にVIプローブが使用されるときは、たとえ湿式洗浄内でパーツの摩耗を詳細に追跡した後でも、多くの場合、100MHzを超える一部の高調波成分がシフトを生じる。
コンポーネントの摩耗に関係した関連パラメータが特定されたら、1つまたは2つ以上のモデルが構築されてよい。一実施形態では、処理データは、統計モデル、電気モデル、および/またはプラズマモデルを作成するために用いられてよい。一例として、複数のチャンバパーツについての摩耗情報モデルを構築するために、同じデータが使用されてよい。パーツ摩耗の線形分離は、パーツを交換することによって、または各プラズマによって特定のパーツのみが監視されるように複合多段階プラズマプロセスを使用することによって達成することができる。
各モデルが作成された後、システムは、モデル内のノイズレベルが許容可能であるかどうかを判定するためにチェックを行ってよい(ステップ514)。ノイズは、例えば、物理学的測定値および/またはセンサの内部ノイズに由来するであろう。
一例において、ノイズは、コンポーネント間のばらつきに起因して存在するであろう。つまり、コンポーネントの特性は、コンポーネントのサイズ、コンポーネントの材料組成、コンポーネントの構成などに起因して異なるであろう。一例では、処理チャンバA内のエッジリングと、処理チャンバB内のエッジリングとが、同じに見えるであろう。しかしながら、処理チャンバAの中のエッジリングのサイズは、処理チャンバBの中のエッジリングよりも僅かに大きいであろう。コンポーネント間のばらつきは、特定されえるので、コンポーネント間のばらつきは、モデルの中で説明をつけられる。一実施形態では、許容可能な閾値範囲が定められる。もし、コンポーネント間のばらつきが閾値範囲外であるならば、システムは、モデルを構築するために、追加のデータを取得する必要があるであろう。
もう1つのノイズ源は、コンポーネントの装着に起因するであろう。一例では、エッジリングの配置が、モデル内にノイズを発生させることがある。例えば、エッジリングと静電チャックとの間には、隙間が存在するであろう。しかしながら、もし、この隙間が処理チャンバ間で異なると、処理チャンバの電気的特性もまた、異なるであろう。ゆえに、閾値範囲が確立されてよい。もし、差が閾値範囲外であるならば、モデルを構築するために、追加のデータが取得されてよい。
次のステップ516では、多変量モデルの構築が完了される。
ステップ502〜516は、1つのコンポーネントについての1つまたは2つ以上の多変量予測モデルを作成するために実施されてよい。もちろん、同じデータファイルは、その他のコンポーネントについての多変量予測モデルを作成するためにも使用されてよい。
図5からわかるように、説明されている方法は、一湿式洗浄サイクル内における、複数の湿式洗浄サイクルを跨ぐ、および種々の処理チャンバ内におけるなどの種々の環境的条件を超えたコンポーネントの状況を考慮に入れられる多変量予測モデルの作成を提供する。種々の状況でデータを収集することによって、コンポーネント摩耗に関係していないデータが排除されえる。したがって、予測モデルによって、ユーザは、パーツ使用を最適にし、ウエハのかけらを減らし、来たる交換事象を予測して来たる修理の計画を立て、それによって、所有コストを削減することができる。
上記からわかるように、処理チャンバ内のコンポーネントに対して健全性チェックを実施するための方法が提供される。1つまたは2つ以上の多変量予測モデルを使用することによって、コンポーネントに対する、より正確な解析が提供される。つまり、複数のセンサからのデータを用いることによって、外部の計測測定を必要とせずにコンポーネントの残りの有用寿命を推定および/または予測するためにチャンバ健全性指標試験が使用されえる。より粒度が高く尚且つより低侵襲性のチャンバ健全性指標チェックによって、コンポーネントの状態を特定するための、よりコスト効率の良い方法が提供される。したがって、無駄にされるおよび/または損傷される資源および/またはコンポーネントの減少に伴って、所有コストが削減される。
本発明は、幾つかの好ましい実施形態の観点から説明されているが、本発明の範囲内には、代替、置換、および均等物がある。本明細書では、様々な例が提供されるが、これらの例は、発明に対して例示的であって限定的ではないことを意図している。
また、名称および概要は、便宜のために提供されたものであり、特許請求の範囲を解釈するために使用されるべきでない。さらに、要約は、極めて省略された形で記載され、便宜のために提供されたものであり、したがって、特許請求の範囲に表された全体的発明を解釈するためにも制限するためにも用いられるべきでない。もし、本明細書において「セット」という用語が用いられる場合は、このような用語は、ゼロの、1つの、または2つ以上の構成要素を対象とした通常理解の数学的意味を有することを意図している。また、本発明の方法および装置を実現するものとして、多くの代替的手法があることも留意されるべきである。したがって、以下の添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲に含まれるものとして、このようなあらゆる代替、置換、および均等物を含むものと解釈される。

Claims (20)

  1. 処理チャンバの健全状態を査定するための方法であって、
    レシピを実行することと、
    前記レシピの実行中にセンサのセットから処理データを受信することと、
    多変量予測モデルのセットを用いて前記処理データを解析することと、
    コンポーネント摩耗データ値のセットを生成することと、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットを有用寿命閾値範囲のセットと比較することと、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットが前記有用寿命閾値範囲のセット外である場合に、警告を生成することと、
    を備える方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、さらに、
    前記多変量予測モデルのセットをサポートするためにライブラリからデータを引き出すことを備える方法。
  3. 請求項2に記載の方法であって、
    前記レシピは、クライアント特化レシピ、非クライアント特化レシピ、およびウエハレス洗浄自動洗浄レシピのうちの1つを含む、方法。
  4. 請求項2に記載の方法であって、
    前記処理データは、前記多変量予測モデルのセットのなかの第1の多変量予測モデルを用いることによって解析される、方法。
  5. 請求項2に記載の方法であって、
    前記処理データは、前記多変量予測モデルのセットのなかの少なくとも2つの多変量予測モデルを用いることによって解析される、方法。
  6. 請求項5に記載の方法であって、
    処理データは、第1のコンポーネント摩耗データ値のセットを生成するために第1の多変量予測モデルを用いることと、第2のコンポーネント摩耗データ値のセットを生成するために第2の多変量予測モデルを用いることと、前記第1のコンポーネント摩耗データ値のセットと前記第2のコンポーネント摩耗データ値のセットとの間に違いがある場合に、前記第1のコンポーネント摩耗データ値のセットに対して前記第2の多変量予測モデルを適用すること、とによって解析され、前記第1のコンポーネント摩耗データ値のセットは、前記第2のコンポーネント摩耗データ値のセットよりもノイズが少ない、方法。
  7. 請求項2に記載の方法であって、
    前記多変量予測モデルのセットは、電気モデル、統計モデル、およびプラズマモデルのうちの少なくとも1つを含む、方法。
  8. 請求項2に記載の方法であって、
    前記多変量予測モデルのセットは、2つ以上の消耗パーツを解析するように構成され、各消耗パーツは、前記有用寿命閾値範囲のセットのなかの一つの有用寿命閾値範囲に結び付けられている、方法。
  9. 請求項2に記載の方法であって、
    前記有用寿命閾値範囲のセットは、ユーザ設定可能である、方法。
  10. 請求項2に記載の方法であって、さらに、
    測定間隔後に前記処理チャンバの前記健全状態の前記査定を実施することであって、前記測定間隔は、既定の期間の一つおよび非プラズマ試験の実行によって決定される、査定の実施を備える方法。
  11. 請求項2に記載の方法であって、さらに、
    検証が必要であるかどうかを決定するために前記コンポーネント摩耗データ値のセットを解析することであって、前記検証は、前記コンポーネント摩耗データ値のセットがノイズレベル閾値範囲外であるときに生じる、解析と、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットを検証するために非プラズマ試験を実行することと、
    コンポーネント摩耗データ値の統合セットを生成するために、前記コンポーネント摩耗データ値のセットを非プラズマ試験データ値のセットに関連付けることであって、前記コンポーネント摩耗データ値の統合セットは、前記有用寿命閾値範囲のセットと比較され、前記警告は、前記コンポーネント摩耗データ値の統合セットが前記有用寿命閾値範囲のセット外である場合に、生成される、関連付けと、
    を備える方法。
  12. コンピュータ可読コードを実装されたプログラム記憶媒体を備える製造品であって、前記コンピュータ可読コードは、処理チャンバの健全状態を査定するように構成され、
    レシピを実行するためのコードと、
    前記レシピの実行中にセンサのセットから処理データを受信するためのコードと、
    多変量予測モデルのセットを用いて前記処理データを解析するためのコードと、
    コンポーネント摩耗データ値のセットを生成するためのコードと、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットを有用寿命閾値範囲のセットと比較するためのコードと、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットが前記有用寿命閾値範囲のセット外である場合に、警告を生成するためのコードと、
    を備える製造品。
  13. 請求項12に記載の製造品であって、さらに、
    前記多変量予測モデルのセットをサポートするためにライブラリからデータを引き出すためのコードを備える製造品。
  14. 請求項13に記載の製造品であって、さらに、
    測定間隔後に前記処理チャンバの前記健全状態の前記査定を実施するためのコードであって、前記測定間隔は、既定の期間の一つおよび非プラズマ試験の実行によって決定される、コードを備える製造品。
  15. 請求項13に記載の製造品であって、さらに、
    検証が必要であるかどうかを決定するために前記コンポーネント摩耗データ値のセットを解析するためのコードであって、前記検証は、前記コンポーネント摩耗データ値のセットがノイズレベル閾値範囲外であるときに生じる、コードと、
    前記コンポーネント摩耗データ値のセットを検証するために非プラズマ試験を実行するためのコードと、
    コンポーネント摩耗データ値の統合セットを生成するために、前記コンポーネント摩耗データ値のセットを非プラズマ試験データ値のセットに関連付けるためのコードであって、前記コンポーネント摩耗データ値の統合セットは、前記有用寿命閾値範囲のセットと比較され、前記警告は、前記コンポーネント摩耗データ値の統合セットが前記有用寿命閾値範囲のセット外である場合に、生成される、コードと、
    を備える製造品。
  16. 請求項13に記載の製造品であって、
    前記レシピは、クライアント特化レシピ、非クライアント特化レシピ、およびウエハレス洗浄自動洗浄レシピのうちの1つを含む、製造品。
  17. 請求項13に記載の製造品であって、
    前記処理データを解析するための前記コードは、前記多変量予測モデルのセットのなかの第1の多変量予測モデルを用いるためのコードを含む、製造品。
  18. 請求項13に記載の製造品であって、
    前記処理データを解析するための前記コードは、前記多変量予測モデルのセットのなかの少なくとも2つの多変量予測モデルを用いるためのコードを含む、製造品。
  19. 請求項18に記載の製造品であって、
    前記処理データを解析するためのコードは、第1のコンポーネント摩耗データ値のセットを生成するために第1の多変量予測モデルを用いるためのコードと、第2のコンポーネント摩耗データ値のセットを生成するために第2の多変量予測モデルを用いるためのコードと、前記第1のコンポーネント摩耗データ値のセットと前記第2のコンポーネント摩耗データ値のセットとの間に違いがある場合に、前記第1のコンポーネント摩耗データ値のセットに対して前記第2の多変量予測モデルを適用するためのコードと、を含み、前記第2の多変量予測モデルは、前記第1の多変量予測モデルよりもノイズが少ない、製造品。
  20. 請求項13に記載の製造品であって、
    前記多変量予測モデルのセットは、電気モデル、統計モデル、およびプラズマモデルの少うちのなくとも1つを含む、製造品。
JP2012518584A 2009-06-30 2010-06-29 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 Active JP5599882B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22210209P 2009-06-30 2009-06-30
US22202409P 2009-06-30 2009-06-30
US61/222,024 2009-06-30
US61/222,102 2009-06-30
US12/555,674 US8983631B2 (en) 2009-06-30 2009-09-08 Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof
US12/555,674 2009-09-08
PCT/US2010/040465 WO2011002803A2 (en) 2009-06-30 2010-06-29 Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012532461A true JP2012532461A (ja) 2012-12-13
JP5599882B2 JP5599882B2 (ja) 2014-10-01

Family

ID=43411705

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012518589A Pending JP2012532464A (ja) 2009-06-30 2010-06-29 制御できない事象をプロセスモジュールレベルで特定するための構成とその方法
JP2012518586A Active JP5629770B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体
JP2012518588A Active JP5693573B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 最適なエンドポイント・アルゴリズムを構築する方法
JP2012518584A Active JP5599882B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置
JP2012518582A Active JP5624618B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 プラズマ処理ツールのためのイン・サイチュプロセス監視および制御のための方法と構成

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012518589A Pending JP2012532464A (ja) 2009-06-30 2010-06-29 制御できない事象をプロセスモジュールレベルで特定するための構成とその方法
JP2012518586A Active JP5629770B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体
JP2012518588A Active JP5693573B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 最適なエンドポイント・アルゴリズムを構築する方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012518582A Active JP5624618B2 (ja) 2009-06-30 2010-06-29 プラズマ処理ツールのためのイン・サイチュプロセス監視および制御のための方法と構成

Country Status (6)

Country Link
JP (5) JP2012532464A (ja)
KR (5) KR101741271B1 (ja)
CN (5) CN102473631B (ja)
SG (5) SG176566A1 (ja)
TW (5) TWI495970B (ja)
WO (5) WO2011002804A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023286142A1 (ja) * 2021-07-13 2023-01-19 株式会社日立ハイテク 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム
JP7447087B2 (ja) 2018-08-30 2024-03-11 ラム リサーチ コーポレーション エッジリング部品番号をスロット番号にマッピングするための識別子の使用

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102332383B (zh) * 2011-09-23 2014-12-10 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀工艺的终点监控方法
US10128090B2 (en) 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
US9502221B2 (en) 2013-07-26 2016-11-22 Lam Research Corporation Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching
CN104730372B (zh) * 2013-12-13 2018-08-10 朗姆研究公司 基于rf阻抗模型的故障检测
US10192763B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Methodology for chamber performance matching for semiconductor equipment
US10269545B2 (en) * 2016-08-03 2019-04-23 Lam Research Corporation Methods for monitoring plasma processing systems for advanced process and tool control
US9972478B2 (en) * 2016-09-16 2018-05-15 Lam Research Corporation Method and process of implementing machine learning in complex multivariate wafer processing equipment
US11067515B2 (en) * 2017-11-28 2021-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for inspecting a wafer process chamber
CN108847381A (zh) * 2018-05-25 2018-11-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法
DE102019209110A1 (de) * 2019-06-24 2020-12-24 Sms Group Gmbh Industrielle Anlage, insbesondere Anlage der metallerzeugenden Industrie oder der Aluminium- oder Stahlindustrie und Verfahren zum Betreiben einer industriellen Anlage, insbesondere einer Anlage der metallerzeugenden Industrie oder der Aluminium- oder Stahlindustrie
US20230195074A1 (en) * 2021-12-21 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Diagnostic methods for substrate manufacturing chambers using physics-based models
US20230260767A1 (en) * 2022-02-15 2023-08-17 Applied Materials, Inc. Process control knob estimation

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025982A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法
JP2004295348A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Mori Seiki Co Ltd 工作機械の保守管理システム
JP2004335841A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の予測装置及び予測方法
JP2006004992A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Seiko Epson Corp 研磨装置管理システム、管理装置、管理装置制御プログラム及び管理装置制御方法
JP2006253541A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置,処理装置の消耗部品管理方法,処理システム,処理システムの消耗部品管理方法
JP2007520077A (ja) * 2004-01-30 2007-07-19 東京エレクトロン株式会社 部品の消耗を監視するための方法とシステム

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5272872A (en) * 1992-11-25 1993-12-28 Ford Motor Company Method and apparatus of on-board catalytic converter efficiency monitoring
JP3301238B2 (ja) * 1994-10-25 2002-07-15 三菱電機株式会社 エッチング方法
JPH08148474A (ja) * 1994-11-16 1996-06-07 Sony Corp ドライエッチングの終点検出方法および装置
JPH09306894A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Sony Corp 最適発光スペクトル自動検出システム
JP3630931B2 (ja) * 1996-08-29 2005-03-23 富士通株式会社 プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法
US6197116B1 (en) * 1996-08-29 2001-03-06 Fujitsu Limited Plasma processing system
US5993615A (en) * 1997-06-19 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting arcs
EP1025276A1 (en) * 1997-09-17 2000-08-09 Tokyo Electron Limited Device and method for detecting and preventing arcing in rf plasma systems
US5986747A (en) 1998-09-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for endpoint detection in non-ionizing gaseous reactor environments
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
JP2001338856A (ja) * 2000-05-30 2001-12-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体製造システムのプロセスコントローラ
US6567718B1 (en) * 2000-07-28 2003-05-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring consumable performance
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6821794B2 (en) 2001-10-04 2004-11-23 Novellus Systems, Inc. Flexible snapshot in endpoint detection
JP2003151955A (ja) * 2001-11-19 2003-05-23 Nec Kansai Ltd プラズマエッチング方法
WO2003102724A2 (en) * 2002-05-29 2003-12-11 Tokyo Electron Limited Method and system for data handling, storage and manipulation
US6825050B2 (en) * 2002-06-07 2004-11-30 Lam Research Corporation Integrated stepwise statistical process control in a plasma processing system
US20040031052A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Liberate Technologies Information platform
US6781383B2 (en) * 2002-09-24 2004-08-24 Scientific System Research Limited Method for fault detection in a plasma process
AU2003270866A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for the monitoring and control of a semiconductor manufacturing process
EP1556936B1 (en) * 2002-10-25 2016-12-07 S & C Electric Company Method and apparatus for control of an electric power system in response to circuit abnormalities
JP4365109B2 (ja) * 2003-01-29 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US6969619B1 (en) * 2003-02-18 2005-11-29 Novellus Systems, Inc. Full spectrum endpoint detection
US20060006139A1 (en) * 2003-05-09 2006-01-12 David Johnson Selection of wavelengths for end point in a time division multiplexed process
ATE415702T1 (de) * 2003-05-09 2008-12-15 Unaxis Usa Inc Endpunkt-erkennung in einem zeitlich gemultiplexten verfahren unter verwendung eines hüllkurvenalgorithmus
US7062411B2 (en) * 2003-06-11 2006-06-13 Scientific Systems Research Limited Method for process control of semiconductor manufacturing equipment
JP4043408B2 (ja) * 2003-06-16 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6902646B2 (en) * 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments
KR100567745B1 (ko) * 2003-09-25 2006-04-05 동부아남반도체 주식회사 스퍼터링용 타겟의 수명예측 장치 및 수명예측방법
US8036869B2 (en) * 2003-09-30 2011-10-11 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model
US7930053B2 (en) * 2003-12-23 2011-04-19 Beacons Pharmaceuticals Pte Ltd Virtual platform to facilitate automated production
US7146237B2 (en) * 2004-04-07 2006-12-05 Mks Instruments, Inc. Controller and method to mediate data collection from smart sensors for fab applications
TWI336823B (en) * 2004-07-10 2011-02-01 Onwafer Technologies Inc Methods of and apparatuses for maintenance, diagnosis, and optimization of processes
US7292045B2 (en) * 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
JP4972277B2 (ja) * 2004-11-10 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置
US7828929B2 (en) * 2004-12-30 2010-11-09 Research Electro-Optics, Inc. Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing
JP2006328510A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理方法及び装置
TWI338321B (en) * 2005-06-16 2011-03-01 Unaxis Usa Inc Process change detection through the use of evolutionary algorithms
US7409260B2 (en) * 2005-08-22 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate thickness measuring during polishing
US7302363B2 (en) * 2006-03-31 2007-11-27 Tokyo Electron Limited Monitoring a system during low-pressure processes
US7413672B1 (en) * 2006-04-04 2008-08-19 Lam Research Corporation Controlling plasma processing using parameters derived through the use of a planar ion flux probing arrangement
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
KR20080006750A (ko) * 2006-07-13 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 플라즈마 도핑 시스템
US20080063810A1 (en) * 2006-08-23 2008-03-13 Applied Materials, Inc. In-situ process state monitoring of chamber
CN100587902C (zh) * 2006-09-15 2010-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 在线预测刻蚀设备维护的方法
JP2008158769A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、制御装置、設定情報監視方法および設定情報監視プログラムを記憶した記憶媒体
US7548830B2 (en) * 2007-02-23 2009-06-16 General Electric Company System and method for equipment remaining life estimation
US7674636B2 (en) * 2007-03-12 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity
US8055203B2 (en) * 2007-03-14 2011-11-08 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
JP2008311338A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Harada Sangyo Kk 真空処理装置及びこれに用いる異常放電予知装置、並びに、真空処理装置の制御方法
KR100892248B1 (ko) * 2007-07-24 2009-04-09 주식회사 디엠에스 플라즈마 반응기의 실시간 제어를 실현하는 종말점 검출장치 및 이를 포함하는 플라즈마 반응기 및 그 종말점 검출방법
US20090106290A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Rivard James P Method of analyzing manufacturing process data
JP4983575B2 (ja) * 2007-11-30 2012-07-25 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025982A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法
JP2004295348A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Mori Seiki Co Ltd 工作機械の保守管理システム
JP2004335841A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の予測装置及び予測方法
JP2007520077A (ja) * 2004-01-30 2007-07-19 東京エレクトロン株式会社 部品の消耗を監視するための方法とシステム
JP2006004992A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Seiko Epson Corp 研磨装置管理システム、管理装置、管理装置制御プログラム及び管理装置制御方法
JP2006253541A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置,処理装置の消耗部品管理方法,処理システム,処理システムの消耗部品管理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7447087B2 (ja) 2018-08-30 2024-03-11 ラム リサーチ コーポレーション エッジリング部品番号をスロット番号にマッピングするための識別子の使用
WO2023286142A1 (ja) * 2021-07-13 2023-01-19 株式会社日立ハイテク 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム
JP7289992B1 (ja) * 2021-07-13 2023-06-12 株式会社日立ハイテク 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011002810A4 (en) 2011-06-03
SG176565A1 (en) 2012-01-30
TW201112302A (en) 2011-04-01
JP2012532462A (ja) 2012-12-13
CN102473590B (zh) 2014-11-26
TWI495970B (zh) 2015-08-11
CN102804353A (zh) 2012-11-28
TWI536193B (zh) 2016-06-01
WO2011002810A2 (en) 2011-01-06
JP5624618B2 (ja) 2014-11-12
JP2012532460A (ja) 2012-12-13
CN102474968B (zh) 2015-09-02
KR101708078B1 (ko) 2017-02-17
TWI484435B (zh) 2015-05-11
CN102474968A (zh) 2012-05-23
KR20120037419A (ko) 2012-04-19
TWI509375B (zh) 2015-11-21
WO2011002803A2 (en) 2011-01-06
KR101741271B1 (ko) 2017-05-29
KR101741274B1 (ko) 2017-05-29
WO2011002804A3 (en) 2011-03-03
SG176147A1 (en) 2011-12-29
SG176567A1 (en) 2012-01-30
WO2011002800A2 (en) 2011-01-06
KR20120037421A (ko) 2012-04-19
KR20120037420A (ko) 2012-04-19
CN102804353B (zh) 2015-04-15
KR101708077B1 (ko) 2017-02-17
CN102473631A (zh) 2012-05-23
CN102473590A (zh) 2012-05-23
CN102804929B (zh) 2015-11-25
WO2011002811A3 (en) 2011-02-24
JP5599882B2 (ja) 2014-10-01
KR101741272B1 (ko) 2017-05-29
SG176566A1 (en) 2012-01-30
TW201129936A (en) 2011-09-01
WO2011002811A2 (en) 2011-01-06
JP5629770B2 (ja) 2014-11-26
TW201115288A (en) 2011-05-01
SG176564A1 (en) 2012-01-30
WO2011002804A2 (en) 2011-01-06
WO2011002800A3 (en) 2011-04-07
CN102473631B (zh) 2014-11-26
CN102804929A (zh) 2012-11-28
WO2011002803A3 (en) 2011-03-03
TWI480917B (zh) 2015-04-11
JP5693573B2 (ja) 2015-04-01
KR20120101293A (ko) 2012-09-13
JP2012532464A (ja) 2012-12-13
TW201129884A (en) 2011-09-01
KR20120047871A (ko) 2012-05-14
JP2012532463A (ja) 2012-12-13
TW201108022A (en) 2011-03-01
WO2011002810A3 (en) 2011-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5599882B2 (ja) 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置
US8473089B2 (en) Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers
US8295966B2 (en) Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber
JP5102488B2 (ja) 製造装置における障害検出の方法
JP5734185B2 (ja) プラズマ処理チャンバ内のプラズマ不安定性事象を検出するための構成、及び、プラズマ不安定性事象を検出する方法
US8271121B2 (en) Methods and arrangements for in-situ process monitoring and control for plasma processing tools
JP2020061575A (ja) 高次元変数選択モデルを使用した重要なパラメータの決定システム
TW200308186A (en) Integrated stepwise statistical process control in a plasma processing system
CN109426921B (zh) 信息处理装置及信息处理方法
TW202248659A (zh) 使用內嵌缺陷部分平均測試用於半導體適應測試之系統及方法
WO2020152889A1 (ja) 装置診断装置、プラズマ処理装置及び装置診断方法
US20220196723A1 (en) System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices
US9721762B2 (en) Method and system managing execution of preventative maintenance operation in semiconductor manufacturing equipment
TWI501179B (zh) 無須產生電漿而判定電漿處理系統已否準備就緒之系統及方法
JPH10223499A (ja) 物品の製造方法、物品の製造システムおよび複数の加工処理装置の運用方法
US11175264B2 (en) Part evaluation based upon system natural frequency
Ng et al. Improving e-waste recovery with energy efficiency information of products
KR100679722B1 (ko) 반도체 양산라인의 예방정비 주기 설정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130624

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140320

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140722

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140813

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5599882

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250