CN108847381A - 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法 - Google Patents

测试基板及延长测试基板使用寿命的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108847381A
CN108847381A CN201810545832.XA CN201810545832A CN108847381A CN 108847381 A CN108847381 A CN 108847381A CN 201810545832 A CN201810545832 A CN 201810545832A CN 108847381 A CN108847381 A CN 108847381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etch layer
etching
substrate
dry etching
glass baseplate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810545832.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张正洋
张越强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201810545832.XA priority Critical patent/CN108847381A/zh
Publication of CN108847381A publication Critical patent/CN108847381A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Abstract

本发明提供一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被进行刻蚀模拟，测试基板包括：玻璃基板，以及制备于玻璃基板表面的刻蚀层，刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于玻璃基板表面；有益效果为：本发明提供的测试基板，在基板表面制备刻蚀层，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于基板表面，保护基板表面不被雾化，进而延长基板使用寿命。

Description

测试基板及延长测试基板使用寿命的方法
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种测试基板，以及延长测试基板在干刻蚀制程中的使用寿命的方法。
背景技术
干法刻蚀工艺可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀两种方式。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体(如氩)电离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出，该过程完全是物理上的能量转移，故称为物理性刻蚀。化学性刻蚀或称为等离子体刻蚀，是利用等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应性很强的原子团，它们扩散到被刻蚀薄膜表面后与被刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物，并被真空设备抽离反应腔。因这种反应完全利用化学反应，故称为化学性刻蚀。最为广泛使用的方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的反应离子刻蚀。
干刻蚀机台设备在复机及新recipe(程序)导入前需要用Dummy(虚拟)基板确认腔室状态，Dummy基板为表面未镀任何膜层的素玻璃基板，在等离子体的作用下，Dummy基板用几次后表面会产生雾化现象，当Dummy基板表面产生雾化，设备内的传感器感应不到Dummy基板而导致机械手取不到基板，导致该基板无法再次使用，造成浪费。
综上所述，现有技术的干刻蚀制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费。
发明内容
本发明提供一种测试基板，表面制备有阻挡刻蚀的膜层，以阻挡刻蚀力作用于基板表面导致基板表面雾化，以解决现有技术的干刻蚀制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被模拟刻蚀，所述测试基板包括：
玻璃基板；以及，
刻蚀层，制备于所述玻璃基板表面，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀层采用光阻材料制备。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度至少为
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度为
为解决上述问题，本发明还提供一种干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃基板表面制备一刻蚀层；
其中，所述刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。
根据本发明一优选实施例，所述干刻蚀设备在对所述刻蚀层进行刻蚀时，减少刻蚀气体含量，和/或改用对所述刻蚀层损伤强度小的刻蚀气体。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀层采用光阻材料制备，其中，制备所述刻蚀层的方法包括：
S10，在所述玻璃基板表面涂布光刻胶；
S20，对所述光刻胶进行烘烤以固化形成所述刻蚀层。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度至少为
根据本发明一优选实施例，当所述刻蚀层经多次刻蚀后至膜层厚度小于时，将所述刻蚀层完全去除，并在所述玻璃基板表面重新制备所述刻蚀层。
根据本发明一优选实施例，固化后的所述刻蚀层的厚度为
本发明的有益效果为：与现有技术相比，本发明提供的测试基板，在基板表面制备刻蚀层，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于基板表面，保护基板表面不被雾化，进而延长基板使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的测试基板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有技术的干刻蚀制程中测试用基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明提供了一种测试基板，刻蚀设备在复机或新刻蚀程序导入之后，需要使用所述测试基板进行刻蚀测试，之后对所述测试基板表面形成的图案进行检测，当刻蚀图案达标后，才会采用镀膜后的基板进行制备。
为了避免所述测试基板经过千百次的刻蚀之后，表面因刻蚀损伤导致雾化现象，在所述测试基板表面设置能够被刻蚀形成图案的膜层，且该膜层能够阻挡刻蚀气体中被分离的原子轰击至测试基板表面，以避免所述测试基板表面被雾化。
例如，所述测试基板包括玻璃基板，以及制备于所述玻璃基板表面的刻蚀层。
所述刻蚀层可采用光阻材料制备，采用光阻材料制备的所述刻蚀层，便于形成较大的膜厚，且方便去除，当所述刻蚀层的膜厚被刻蚀至低于一定厚度后，继续使用可能无法再对所述玻璃基板表面进行保护，此时，可使用清洗设备将所述玻璃基板表面的刻蚀层洗净，然后重新在所述玻璃基板表面制备厚度能够保护所述玻璃基板的所述刻蚀层，如此循环可延长所述玻璃基板的使用寿命。
所述刻蚀层的最小膜层厚度设置为低于该膜层厚度的所述刻蚀层，可能会被离子体穿透，进而造成所述玻璃基板受损；例如，将所述刻蚀层的膜层厚度设置为优选的，所述刻蚀层的膜层厚度设置为设置较厚的所述刻蚀层，以充分保护所述玻璃基板，同时，延长所述刻蚀层被刻蚀至极限厚度的时间，避免所述刻蚀层被频繁更换。
在阵列基板制程刻蚀工艺中，按材料分，主要可分为非金属和金属刻蚀。非金属刻蚀有Si(硅)类刻蚀，其刻蚀气体可选用的有SF6(六氟化硫气体)及CFx(聚合物气体)系，一般在LCD(液晶显示面板)制程选用SF6，因为其解离之F(氟)自由基较多，反应速率较快，且制程较为洁净；CFx系由于在反应过程中，容易有CH(碳氢)化合物产生，较少被选用，但CFx系可通入O2(氧气)，通过改变F/C(氟/碳)比例及O与C的结合，减少CFx与F的再结合，增加F自由基来加快刻蚀速率，并可调整Si/Oxide(氧化物)之选择比，制程控制的弹性较SF6要高。金属刻蚀则以Al(铝)刻蚀为主，一般采用Cl2(氯气)作为刻蚀气体，可得到各向同性的化学性刻蚀效果。
使用CFx系气体对目标膜层进行刻蚀时，在CFx系气体通入一定含量的O2，可使目标膜层的被刻蚀速率增加，在本发明实施例中，可使用单纯CFx系气体对所述刻蚀层进行刻蚀，或者减少CFx系气体中通入的O2含量，以减少对所述刻蚀层的刻蚀速率。
在干刻蚀工艺中，影响刻蚀速率的因素还包括：对RF功率、工艺压力以及气体流量的控制；RF(射频)功率是指RF对工艺腔体内等离子体输入的功率；工艺压力是指对工艺腔体内的压力控制，压力越小，气体分子的密度越小，等离子体的物理刻蚀性就越强，反之越弱；在工艺腔体内，气体流量越大，意味着在单位时间内参与刻蚀的刻蚀剂越多，那么刻蚀速率越大。
因此，可结合对对RF功率、工艺压力以及气体流量的控制，减小刻蚀设备对所述刻蚀层的刻蚀速率，减缓所述刻蚀层的厚度削减速度，减小所述玻璃基板表面的所述刻蚀层的更换频率。
为解决上述问题，本发明还提供一种干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃基板表面制备一刻蚀层；其中，所述刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。
例如，所述干刻蚀设备在对所述刻蚀层进行刻蚀时，减少刻蚀气体含量，和/或改用对所述刻蚀层损伤强度小的刻蚀气体；以减小刻蚀设备对所述刻蚀层的刻蚀速率，减缓所述刻蚀层的厚度削减速度，减小所述玻璃基板表面的所述刻蚀层的更换频率
例如，所述刻蚀层采用光阻材料制备，其中，制备所述刻蚀层的方法包括：
S10，在所述玻璃基板表面涂布光刻胶。
S20，对所述光刻胶进行烘烤以固化形成所述刻蚀层。
例如，所述刻蚀层的膜层厚度至少为当所述刻蚀层经多次刻蚀后至膜层厚度小于时，将所述刻蚀层完全去除，并在所述玻璃基板表面重新制备所述刻蚀层。
优选的，固化后的所述刻蚀层的厚度为优选的，所述刻蚀层的膜层厚度设置为设置较厚的所述刻蚀层，以充分保护所述玻璃基板，同时，延长所述刻蚀层被刻蚀至极限厚度的时间，避免所述刻蚀层被频繁更换。
同时，对于现有技术中已经被刻蚀产生雾化表面的测试基板，以及在本发明实施例中，由于所述刻蚀层厚度较薄，导致刻蚀气体的离子穿透所述刻蚀层，进而使表面造成损伤的所述玻璃基板，可以采用抛光工艺进行修复；例如，采用化学机械抛光工艺对所述受损的玻璃基板进行修复，首先利用抛光液中的化学物质与基板表面发生反应，然后通过磨粒磨削作用去除反应生成的薄膜，并不断重复前述过程，获得高精度无损伤的光滑表面，进而消除基板雾化现象，修复基板损伤。修复后的现有技术的测试基板，在其表面形成光阻层，可继续作为刻蚀测试用基板。
本发明的有益效果为：与现有技术相比，本发明提供的测试基板，在基板表面制备刻蚀层，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于基板表面，保护基板表面不被雾化，进而延长基板使用寿命。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被进行刻蚀模拟，其特征在于，所述测试基板包括：
玻璃基板；以及，
刻蚀层，制备于所述玻璃基板表面，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。
2.根据权利要求1所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层采用光阻材料制备。
3.根据权利要求2所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层的膜层厚度至少为
4.根据权利要求3所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层的膜层厚度为
5.干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，其特征在于，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃基板表面制备一刻蚀层；
其中，所述刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述干刻蚀设备在对所述刻蚀层进行刻蚀时，减少刻蚀气体含量，和/或改用对所述刻蚀层损伤强度小的刻蚀气体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀层采用光阻材料制备，其中，制备所述刻蚀层的方法包括：
S10，在所述玻璃基板表面涂布光刻胶；
S20，对所述光刻胶进行烘烤以固化形成所述刻蚀层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀层的膜层厚度至少为
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，当所述刻蚀层经多次刻蚀后至膜层厚度小于时，将所述刻蚀层完全去除，并在所述玻璃基板表面重新制备所述刻蚀层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，固化后的所述刻蚀层的厚度为
CN201810545832.XA 2018-05-25 2018-05-25 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法 Pending CN108847381A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810545832.XA CN108847381A (zh) 2018-05-25 2018-05-25 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810545832.XA CN108847381A (zh) 2018-05-25 2018-05-25 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108847381A true CN108847381A (zh) 2018-11-20

Family

ID=64210138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810545832.XA Pending CN108847381A (zh) 2018-05-25 2018-05-25 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108847381A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987349A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 信利（惠州）智能显示有限公司 传片基板保护方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1674225A (zh) * 2004-03-23 2005-09-28 松下电器产业株式会社 替代衬底及使用该替代衬底的衬底处理方法
CN102474968A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 朗姆研究公司 预测刻蚀率均匀性以评测校正等离子体腔的方法和装置
JP2016204735A (ja) * 2015-04-28 2016-12-08 イビデン株式会社 セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1674225A (zh) * 2004-03-23 2005-09-28 松下电器产业株式会社 替代衬底及使用该替代衬底的衬底处理方法
CN102474968A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 朗姆研究公司 预测刻蚀率均匀性以评测校正等离子体腔的方法和装置
JP2016204735A (ja) * 2015-04-28 2016-12-08 イビデン株式会社 セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987349A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 信利（惠州）智能显示有限公司 传片基板保护方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6127273A (en) Process for anisotropic plasma etching of different substrates
JPS6352118B2 (zh)
CN105000530B (zh) 制造强化的钟表组件的方法和相应的钟表组件和钟表
GB2026397A (en) Process for gas plasma vapour etching of aluminium surfaces
KR20180033600A (ko) 태양전지의 제조 방법
JP2009530861A5 (zh)
CN108847381A (zh) 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法
JPH01208834A (ja) エッチング方法
KR20040045311A (ko) 평판 패널 디스플레이용 유리 기판 및 그 제조 방법
JP3665323B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
US10109499B2 (en) Etching method and substrate
CN107359113B (zh) 一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料
KR102316457B1 (ko) 불소 가스 혼합물로 이방성 drie 에칭을 하기 위한 장치 및 방법
JP4015321B2 (ja) ドライエッチング方法
JP4273628B2 (ja) ドライエッチング方法及びこの方法に用いるドライエッチング装置
CN103000495B (zh) 一种基板制备方法
Curran Physical and chemical etching in plasmas
CN103258726A (zh) 薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置
JPS62232926A (ja) ドライエツチング方法
KR101456930B1 (ko) 식각액 조성물
JP2001284320A (ja) ドライエッチング方法及び半導体力学量センサの製造方法
JP2522036B2 (ja) 深掘りエッチング方法
JPH0691041B2 (ja) 反応性スパッタエッチング方法
CN107634007A (zh) 干刻蚀方法
JPH02275626A (ja) ドライエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181120