JP5629770B2 - プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体 - Google Patents
プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5629770B2 JP5629770B2 JP2012518586A JP2012518586A JP5629770B2 JP 5629770 B2 JP5629770 B2 JP 5629770B2 JP 2012518586 A JP2012518586 A JP 2012518586A JP 2012518586 A JP2012518586 A JP 2012518586A JP 5629770 B2 JP5629770 B2 JP 5629770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- group
- processing
- prediction model
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 238000012795 verification Methods 0.000 title claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 160
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- 230000036541 health Effects 0.000 claims description 30
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 8
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Combined Controls Of Internal Combustion Engines (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Complex Calculations (AREA)
Description
[適用例1]
基板群を基板処理する際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性を予測する方法であって、
前記基板群の第1の基板に関してレシピを実行する工程と、
前記レシピを実行する際に、第1のセンサー群から処理データを受ける工程と、
サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて前記処理データを解析して計算データを求める工程であって、前記計算データがエッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含み、前記サブシステム正常性チェック予測モデルは第1のデータ群と第2のデータ群とを相関させることにより構築され、前記第1のデータ群はフィルム基板群からの測定データを含み、前記第2のデータ群は非フィルム基板群を同様に処理した際に集められた処理データを含む、工程と、
前記第1の基板に関する前記計算データと、前記サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定される制御限界群と、の比較を実行する工程と、
前記計算データが前記制御限界群の範囲外である場合に、警告を生成する工程と、
を備える方法。
[適用例2]
適用例1に記載の方法であって、さらに、
予備評価を実行して、前記処理チャンバの準備状態を判定する工程を備える、方法。
[適用例3]
適用例2に記載の方法であって、さらに、
前記予備評価が所定の閾値の範囲外である場合に、問題の原因を判断する工程を備える、方法。
[適用例4]
適用例1に記載の方法であって、さらに、
データをライブラリから引き出して前記サブシステム正常性チェック予測モデルをサポートする工程を備える、方法。
[適用例5]
適用例1に記載の方法であって、
前記制御限界群はユーザー設定可能である、方法。
[適用例6]
適用例1に記載の方法であって、さらに、
前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、検証度合いの妥当性を確認して、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定する工程を備える、方法。
[適用例7]
適用例1に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めたデータから構築されており、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、方法。
[適用例8]
適用例7に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、1つの期間に集めたデータから構築されている、方法。
[適用例9]
適用例7に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、少なくとも2つの期間に集めたデータから構築されている、方法。
[適用例10]
プラズマ処理システムの処理チャンバを検証するための処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記処理チャンバの準備状態を判定する予備評価モジュールと、
レシピとレシピパラメータの少なくとも一方を格納するライブラリと、
サブシステム正常性チェック予測モデルであって、
基板処理の際に第1のセンサー群から処理データを受け取り、
前記処理データを解析して、エッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含む計算データ群を求め、
前記計算データ群を所定の制御限界群と比較し、
前記計算データ群が前記所定の制御限界群の範囲外にある場合に、警告を生成するように構成されるサブシステム正常性チェック予測モデルと、
を備える、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例11]
適用例10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルが、さらに、前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、検証度合いの妥当性を確認して、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定するように構成される、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例12]
適用例10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、
第1の基板群から第1のデータ群を取得し、
第2の基板群から第2のデータ群を集めて、
前記第1のデータ群を前記第2のデータ群と相関させることにより、構築されており、
前記第1の基板群はフィルム基板群であり、前記第1のデータ群は前処理測定データと後処理測定データとを含み、前記後処理測定データは前記第1の基板群に対してレシピを実行後に集められたものであり、
前記第2のデータ群は前記レシピと同様のものを実行した際にセンサー群から集められたものである、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例13]
適用例10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めたデータから構築され、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例14]
適用例13に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、1つの期間に集めたデータから構築されている、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例15]
適用例13に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、少なくとも2つの期間に集めたデータから構築されている、処理チャンバ正常性チェック装置。
[適用例16]
コンピュータ読み取り可能なコードが格納されたプログラム記憶媒体を備える製品であって、
前記コンピュータ読み取り可能なコードが、基板群を基板処理する際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性を予測するように構成され、
前記基板群の第1の基板に関してレシピを実行するコードと、
前記レシピを実行する際に、第1のセンサー群から処理データを受信するコードと、
サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて前記処理データを解析して計算データを求める工程であって、前記計算データがエッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含み、前記サブシステム正常性チェック予測モデルは第1のデータ群と第2のデータ群とを相関させることにより構築され、前記第1のデータ群はフィルム基板群からの測定データを含み、前記第2のデータ群は非フィルム基板群を同様に処理した際に集められた処理データを含む、コードと、
前記第1の基板に関する前記計算データと、前記サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定される制御限界群と、の比較を実行するコードと、
前記計算データが前記制御限界群の範囲外である場合に、警告を生成するコードと、を備える、製品。
[適用例17]
適用例16に記載の製品であって、さらに、
予備評価を実行して、前記処理チャンバの準備状態を判定するコードを備える、製品。
[適用例18]
適用例16に記載の製品であって、さらに、
データをライブラリから引き出して前記サブシステム正常性チェック予測モデルをサポートするコードを備える、製品。
[適用例19]
適用例16に記載の製品であって、さらに、
前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、検証度合いの妥当性を確認して、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定するコードを備える、製品。
[適用例20]
適用例16に記載の製品であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めたデータから構築されており、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、製品。
本発明を、以下、添付の図面に従って説明するが、これらは単に例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではない。以下の説明において、同じ構成要素は同じ符号で示す。
Claims (20)
- 基板群を基板処理する際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性を予測する方法であって、
コンピュータが、前記基板群の第1の基板に関してレシピを実行する工程と、
コンピュータが、前記レシピを実行する際に、第1のセンサー群から処理データを受ける工程と、
コンピュータが、サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて前記処理データを解析して計算データを求める工程であって、前記計算データがエッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含み、前記サブシステム正常性チェック予測モデルは第1のデータ群と第2のデータ群とを相関させることにより構築され、前記第1のデータ群はフィルム基板群からの測定データを含み、前記第2のデータ群は非フィルム基板群を同様に処理した際に集められた処理データを含む、工程と、
コンピュータが、前記第1の基板に関する前記計算データと、前記サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定される制御限界群と、の比較を実行する工程と、
コンピュータが、前記計算データが前記制御限界群の範囲外である場合に、警告を生成する工程と、
を備え、
前記均一性データは、平均エッチング速度に対するエッチング速度の標準偏差の比、又は、平均エッチング速度に対するエッチング深さの標準偏差の比、の一方を含む、
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
コンピュータが、予備評価を実行して、前記処理チャンバの準備状態を判定する工程を備える、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、さらに、
コンピュータが、前記予備評価の評価値が所定の閾値の範囲外である場合に、問題の原因を判断する工程を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
コンピュータが、レシピパラメータをライブラリから引き出して前記サブシステム正常性チェック予測モデルをサポートする工程を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記制御限界群はユーザー設定可能である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
コンピュータが、前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、検証度合いの妥当性を確認して、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定する工程を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されており、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、1つの期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されている、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、少なくとも2つの期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されている、方法。 - プラズマ処理システムの処理チャンバを検証するために、エッチング速度の均一性を予測する処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記処理チャンバの準備状態を判定する予備評価モジュールと、
レシピとレシピパラメータの少なくとも一方を格納するライブラリと、
サブシステム正常性チェック予測モデルであって、
基板処理の際に第1のセンサー群から処理データを受け取り、
前記処理データを解析して、エッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含む計算データ群を求め、
前記計算データ群を前記サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定される制御限界群と比較し、
前記計算データ群が前記所定の制御限界群の範囲外にある場合に、警告を生成するように構成されるサブシステム正常性チェック予測モデルと、
を備え、
前記均一性データは、平均エッチング速度に対するエッチング速度の標準偏差の比、又は、平均エッチング速度に対するエッチング深さの標準偏差の比、の一方を含む、
処理チャンバ正常性チェック装置。 - 請求項10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルが、さらに、前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、検証度合いの妥当性を確認して、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定するように構成される、処理チャンバ正常性チェック装置。 - 請求項10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、
第1の基板群から第1のデータ群を取得し、
第2の基板群から第2のデータ群を集めて、
前記第1のデータ群を前記第2のデータ群と相関させることにより、構築されており、
前記第1の基板群はフィルム基板群であり、前記第1のデータ群は前処理測定データと後処理測定データとを含み、前記後処理測定データは前記第1の基板群に対してレシピを実行後に集められたものであり、
前記第2のデータ群は前記レシピと同様のものを実行した際にセンサー群から集められたものである、処理チャンバ正常性チェック装置。 - 請求項10に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築され、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、処理チャンバ正常性チェック装置。 - 請求項13に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、1つの期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されている、処理チャンバ正常性チェック装置。 - 請求項13に記載の処理チャンバ正常性チェック装置であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、少なくとも2つの期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されている、処理チャンバ正常性チェック装置。 - コンピュータ読み取り可能なコードが格納されたプログラム記憶媒体であって、
前記コンピュータ読み取り可能なコードが、基板群を基板処理する際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性をコンピュータに予測させるように構成され、
前記基板群の第1の基板に関してレシピをコンピュータに実行させるコードと、
前記レシピを実行する際に、第1のセンサー群から処理データをコンピュータに受信させるコードと、
サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて前記処理データをコンピュータに解析させて計算データを求める工程であって、前記計算データがエッチング速度データと均一性データの少なくとも一方を含み、前記サブシステム正常性チェック予測モデルは第1のデータ群と第2のデータ群とを相関させることにより構築され、前記第1のデータ群はフィルム基板群からの測定データを含み、前記第2のデータ群は非フィルム基板群を同様に処理した際に集められた処理データを含む、コードと、
前記第1の基板に関する前記計算データと、前記サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定される制御限界群と、の比較をコンピュータに実行させるコードと、
前記計算データが前記制御限界群の範囲外である場合に、コンピュータに警告を生成させるコードと、を備え、
前記均一性データは、平均エッチング速度に対するエッチング速度の標準偏差の比、又は、平均エッチング速度に対するエッチング深さの標準偏差の比、の一方を含む、
プログラム記憶媒体。 - 請求項16に記載のプログラム記憶媒体であって、さらに、
コンピュータに予備評価を実行させて、前記処理チャンバの準備状態を判定するコードを備える、プログラム記憶媒体。 - 請求項16に記載のプログラム記憶媒体であって、さらに、
コンピュータにレシピパラメータをライブラリから引き出させて前記サブシステム正常性チェック予測モデルをサポートするコードを備える、プログラム記憶媒体。 - 請求項16に記載のプログラム記憶媒体であって、さらに、
前記計算データが前記制御限界群の範囲内である場合には、コンピュータに、検証度合いの妥当性を確認させて、所定数の基板が、前記計算データと前記制御限界群との前記比較に合格したか否かを判定させるコードを備える、プログラム記憶媒体。 - 請求項16に記載のプログラム記憶媒体であって、
前記サブシステム正常性チェック予測モデルは、或る期間に集めた前記測定データ及び前記処理データから構築されており、前記或る期間は、湿式サイクルの開始時、湿式サイクルの間、及び、湿式サイクルの終了時のうちのいずれか1つである、プログラム記憶媒体。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22202409P | 2009-06-30 | 2009-06-30 | |
US22210209P | 2009-06-30 | 2009-06-30 | |
US61/222,024 | 2009-06-30 | ||
US61/222,102 | 2009-06-30 | ||
US12/555,674 US8983631B2 (en) | 2009-06-30 | 2009-09-08 | Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof |
US12/555,674 | 2009-09-08 | ||
PCT/US2010/040468 WO2011002804A2 (en) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012532462A JP2012532462A (ja) | 2012-12-13 |
JP2012532462A5 JP2012532462A5 (ja) | 2013-08-15 |
JP5629770B2 true JP5629770B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=43411705
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012518582A Active JP5624618B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | プラズマ処理ツールのためのイン・サイチュプロセス監視および制御のための方法と構成 |
JP2012518589A Pending JP2012532464A (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 制御できない事象をプロセスモジュールレベルで特定するための構成とその方法 |
JP2012518584A Active JP5599882B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 |
JP2012518586A Active JP5629770B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体 |
JP2012518588A Active JP5693573B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 最適なエンドポイント・アルゴリズムを構築する方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012518582A Active JP5624618B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | プラズマ処理ツールのためのイン・サイチュプロセス監視および制御のための方法と構成 |
JP2012518589A Pending JP2012532464A (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 制御できない事象をプロセスモジュールレベルで特定するための構成とその方法 |
JP2012518584A Active JP5599882B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012518588A Active JP5693573B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-29 | 最適なエンドポイント・アルゴリズムを構築する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (5) | JP5624618B2 (ja) |
KR (5) | KR101741274B1 (ja) |
CN (5) | CN102473631B (ja) |
SG (5) | SG176566A1 (ja) |
TW (5) | TWI536193B (ja) |
WO (5) | WO2011002804A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102332383B (zh) * | 2011-09-23 | 2014-12-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀工艺的终点监控方法 |
US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
CN104730372B (zh) * | 2013-12-13 | 2018-08-10 | 朗姆研究公司 | 基于rf阻抗模型的故障检测 |
US10192763B2 (en) * | 2015-10-05 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Methodology for chamber performance matching for semiconductor equipment |
US10269545B2 (en) * | 2016-08-03 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Methods for monitoring plasma processing systems for advanced process and tool control |
US9972478B2 (en) * | 2016-09-16 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Method and process of implementing machine learning in complex multivariate wafer processing equipment |
US11067515B2 (en) * | 2017-11-28 | 2021-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for inspecting a wafer process chamber |
CN108847381A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-11-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 测试基板及延长测试基板使用寿命的方法 |
US10651097B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Using identifiers to map edge ring part numbers onto slot numbers |
DE102019209110A1 (de) * | 2019-06-24 | 2020-12-24 | Sms Group Gmbh | Industrielle Anlage, insbesondere Anlage der metallerzeugenden Industrie oder der Aluminium- oder Stahlindustrie und Verfahren zum Betreiben einer industriellen Anlage, insbesondere einer Anlage der metallerzeugenden Industrie oder der Aluminium- oder Stahlindustrie |
KR20230012453A (ko) * | 2021-07-13 | 2023-01-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 진단 장치 및 진단 방법 그리고 플라스마 처리 장치 및 반도체 장치 제조 시스템 |
US20230195074A1 (en) * | 2021-12-21 | 2023-06-22 | Applied Materials, Inc. | Diagnostic methods for substrate manufacturing chambers using physics-based models |
US20230260767A1 (en) * | 2022-02-15 | 2023-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process control knob estimation |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5272872A (en) * | 1992-11-25 | 1993-12-28 | Ford Motor Company | Method and apparatus of on-board catalytic converter efficiency monitoring |
JP3301238B2 (ja) * | 1994-10-25 | 2002-07-15 | 三菱電機株式会社 | エッチング方法 |
JPH08148474A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Sony Corp | ドライエッチングの終点検出方法および装置 |
JPH09306894A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Sony Corp | 最適発光スペクトル自動検出システム |
US6197116B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-03-06 | Fujitsu Limited | Plasma processing system |
JP3630931B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-03-23 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法 |
US5993615A (en) * | 1997-06-19 | 1999-11-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting arcs |
EP1025276A1 (en) * | 1997-09-17 | 2000-08-09 | Tokyo Electron Limited | Device and method for detecting and preventing arcing in rf plasma systems |
US5986747A (en) | 1998-09-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for endpoint detection in non-ionizing gaseous reactor environments |
US8617351B2 (en) * | 2002-07-09 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction |
JP2001338856A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体製造システムのプロセスコントローラ |
JP4554037B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法 |
US6567718B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring consumable performance |
US6391787B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
US6821794B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-11-23 | Novellus Systems, Inc. | Flexible snapshot in endpoint detection |
JP2003151955A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Nec Kansai Ltd | プラズマエッチング方法 |
WO2003102724A2 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method and system for data handling, storage and manipulation |
US6825050B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-11-30 | Lam Research Corporation | Integrated stepwise statistical process control in a plasma processing system |
US20040031052A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Liberate Technologies | Information platform |
US6781383B2 (en) * | 2002-09-24 | 2004-08-24 | Scientific System Research Limited | Method for fault detection in a plasma process |
CN100407215C (zh) * | 2002-09-30 | 2008-07-30 | 东京毅力科创株式会社 | 用于监视和控制半导体生产过程的方法和装置 |
MXPA05004409A (es) * | 2002-10-25 | 2005-07-26 | S & C Electric Co | Metodo y aparato para el control de un sistema de energia electrica en respuesta a anormalidades de circuito. |
JP4365109B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2009-11-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US6969619B1 (en) * | 2003-02-18 | 2005-11-29 | Novellus Systems, Inc. | Full spectrum endpoint detection |
JP2004295348A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Mori Seiki Co Ltd | 工作機械の保守管理システム |
US7101805B2 (en) * | 2003-05-09 | 2006-09-05 | Unaxis Usa Inc. | Envelope follower end point detection in time division multiplexed processes |
US20060006139A1 (en) * | 2003-05-09 | 2006-01-12 | David Johnson | Selection of wavelengths for end point in a time division multiplexed process |
JP2004335841A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の予測装置及び予測方法 |
US7062411B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-06-13 | Scientific Systems Research Limited | Method for process control of semiconductor manufacturing equipment |
JP4043408B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6902646B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-06-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments |
KR100567745B1 (ko) * | 2003-09-25 | 2006-04-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 스퍼터링용 타겟의 수명예측 장치 및 수명예측방법 |
US8036869B2 (en) * | 2003-09-30 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model |
US7930053B2 (en) * | 2003-12-23 | 2011-04-19 | Beacons Pharmaceuticals Pte Ltd | Virtual platform to facilitate automated production |
US7233878B2 (en) * | 2004-01-30 | 2007-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring component consumption |
US7146237B2 (en) * | 2004-04-07 | 2006-12-05 | Mks Instruments, Inc. | Controller and method to mediate data collection from smart sensors for fab applications |
JP2006004992A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | 研磨装置管理システム、管理装置、管理装置制御プログラム及び管理装置制御方法 |
TWI336823B (en) * | 2004-07-10 | 2011-02-01 | Onwafer Technologies Inc | Methods of and apparatuses for maintenance, diagnosis, and optimization of processes |
US7292045B2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Detection and suppression of electrical arcing |
JP4972277B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
US7828929B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
JP4707421B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置,処理装置の消耗部品管理方法,処理システム,処理システムの消耗部品管理方法 |
JP2006328510A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
TWI338321B (en) * | 2005-06-16 | 2011-03-01 | Unaxis Usa Inc | Process change detection through the use of evolutionary algorithms |
US7409260B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate thickness measuring during polishing |
US7302363B2 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-27 | Tokyo Electron Limited | Monitoring a system during low-pressure processes |
US7413672B1 (en) * | 2006-04-04 | 2008-08-19 | Lam Research Corporation | Controlling plasma processing using parameters derived through the use of a planar ion flux probing arrangement |
US7829468B2 (en) * | 2006-06-07 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor |
KR20080006750A (ko) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 플라즈마 도핑 시스템 |
US20080063810A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-03-13 | Applied Materials, Inc. | In-situ process state monitoring of chamber |
CN100587902C (zh) * | 2006-09-15 | 2010-02-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 在线预测刻蚀设备维护的方法 |
JP2008158769A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、制御装置、設定情報監視方法および設定情報監視プログラムを記憶した記憶媒体 |
US7548830B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-06-16 | General Electric Company | System and method for equipment remaining life estimation |
US7674636B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity |
US8055203B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Multipoint voltage and current probe system |
JP2008311338A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Harada Sangyo Kk | 真空処理装置及びこれに用いる異常放電予知装置、並びに、真空処理装置の制御方法 |
KR100892248B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2009-04-09 | 주식회사 디엠에스 | 플라즈마 반응기의 실시간 제어를 실현하는 종말점 검출장치 및 이를 포함하는 플라즈마 반응기 및 그 종말점 검출방법 |
US20090106290A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Rivard James P | Method of analyzing manufacturing process data |
JP4983575B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-07-25 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2010
- 2010-06-29 WO PCT/US2010/040468 patent/WO2011002804A2/en active Application Filing
- 2010-06-29 JP JP2012518582A patent/JP5624618B2/ja active Active
- 2010-06-29 JP JP2012518589A patent/JP2012532464A/ja active Pending
- 2010-06-29 CN CN201080029444.8A patent/CN102473631B/zh active Active
- 2010-06-29 WO PCT/US2010/040465 patent/WO2011002803A2/en active Application Filing
- 2010-06-29 CN CN201080029024.XA patent/CN102473590B/zh active Active
- 2010-06-29 SG SG2011085149A patent/SG176566A1/en unknown
- 2010-06-29 CN CN201080027296.6A patent/CN102804353B/zh active Active
- 2010-06-29 JP JP2012518584A patent/JP5599882B2/ja active Active
- 2010-06-29 SG SG2011085172A patent/SG176567A1/en unknown
- 2010-06-29 KR KR1020117031592A patent/KR101741274B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-29 WO PCT/US2010/040477 patent/WO2011002810A2/en active Application Filing
- 2010-06-29 SG SG2011085131A patent/SG176565A1/en unknown
- 2010-06-29 CN CN201080028990.XA patent/CN102804929B/zh active Active
- 2010-06-29 SG SG2011085115A patent/SG176564A1/en unknown
- 2010-06-29 WO PCT/US2010/040478 patent/WO2011002811A2/en active Application Filing
- 2010-06-29 KR KR1020117031499A patent/KR101708077B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-29 CN CN201080029270.5A patent/CN102474968B/zh active Active
- 2010-06-29 KR KR1020117031561A patent/KR101741271B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-29 SG SG2011085107A patent/SG176147A1/en unknown
- 2010-06-29 WO PCT/US2010/040456 patent/WO2011002800A2/en active Application Filing
- 2010-06-29 KR KR1020117031573A patent/KR101708078B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-29 KR KR1020117031574A patent/KR101741272B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-29 JP JP2012518586A patent/JP5629770B2/ja active Active
- 2010-06-29 JP JP2012518588A patent/JP5693573B2/ja active Active
- 2010-06-30 TW TW099121519A patent/TWI536193B/zh active
- 2010-06-30 TW TW099121511A patent/TWI480917B/zh active
- 2010-06-30 TW TW099121513A patent/TWI495970B/zh active
- 2010-06-30 TW TW099121515A patent/TWI484435B/zh active
- 2010-06-30 TW TW099121516A patent/TWI509375B/zh active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5629770B2 (ja) | プラズマチャンバ検証用のエッチング速度均一性を予測する方法、装置、及び、プログラム記憶媒体 | |
US8295966B2 (en) | Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber | |
TWI723255B (zh) | 探索裝置及探索方法 | |
JP7137943B2 (ja) | 探索装置、探索方法及びプラズマ処理装置 | |
KR102568074B1 (ko) | 반도체 제조 프로세스에서 딥 러닝을 사용하여 결함 및 임계 치수를 예측하기 위한 시스템 및 방법 | |
US10734261B2 (en) | Search apparatus and search method | |
US8473089B2 (en) | Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers | |
TW202037906A (zh) | 半導體設備的缺陷分類及來源分析 | |
JP6893549B2 (ja) | 高次元変数選択モデルを使用した重要なパラメータの決定システム | |
TW201945967A (zh) | 使用臨界尺寸掃描型電子顯微鏡的製程模擬模型校正 | |
JP6525044B1 (ja) | 監視システム、学習装置、学習方法、監視装置及び監視方法 | |
WO2020152889A1 (ja) | 装置診断装置、プラズマ処理装置及び装置診断方法 | |
JP2009508355A (ja) | サンプリングされなかったワークに関連するデータ表現 | |
US20090144692A1 (en) | Method and apparatus for monitoring optical proximity correction performance | |
JP6754878B2 (ja) | 探索装置および探索方法 | |
TW202240735A (zh) | 用於半導體製造設備之處理控制的自適應模型訓練 | |
Solecky | Metrology tool fleet management: a comprehensive discussion of requirements and solutions | |
Ward et al. | Metrology data cleaning and statistical assessment flow for modeling applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130625 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5629770 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |