JP7289992B1 - 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム - Google Patents
診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7289992B1 JP7289992B1 JP2022539010A JP2022539010A JP7289992B1 JP 7289992 B1 JP7289992 B1 JP 7289992B1 JP 2022539010 A JP2022539010 A JP 2022539010A JP 2022539010 A JP2022539010 A JP 2022539010A JP 7289992 B1 JP7289992 B1 JP 7289992B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deterioration
- degree
- robustness
- plasma processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 title claims description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 263
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 150
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 36
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 31
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1の構成図に示すように、本実施例におけるプラズマ処理装置群1は、予め設定した処理条件に従い、プラズマ100を発生させてウェハ(試料101)を処理する。また、状態センサ群102を有し、ウェハ加工中あるいはアイドル中のセンサ値(例えば、温度や圧力)の測定値を時系列データとして取得することができる。
図1の構成図に示すように、診断装置は、プラズマ処理装置群1の各プラズマ処理装置に対する処理を実行する実行部20を備えるプラズマ処理装置ユーザ側診断装置2(以下、単に診断装置2と記す)と、プラズマ処理装置群1に対する分析を行う分析部30を備えるプラズマ処理装置メーカ側診断装置3(以下、単に診断装置3と記す)で構成される。診断装置2は、プラズマ処理装置群1と直接あるいはネットワークを介して接続されており、診断装置3は診断装置2とネットワークを介して接続されている。
次に、分析部30の各部で行う処理の流れを、図5のフロー図に示す。分析部30では、先ず劣化度演算条件群を設定し(S510)、この設定した劣化度演算条件群の中から劣化度演算条件を決定し(S520)、この決定した劣化度演算条件を用いて保守時の装置部品の劣化度を求める演算処理を行う(S530)。
図6を参照して、診断装置3の分析部30が行う劣化度演算条件群の設定処理の例について説明する。
図10に示したフロー図を参照して、診断装置3の分析部30が行う劣化度演算条件決定処理の例について説明する。
図12のフロー図を参照して、診断装置3の保守時期の演算処理の例について説明する。
まず、各部品で劣化度頑健度に基づき診断に用いる劣化度演算条件を決定する(S531)。劣化度頑健度が最大の劣化度演算条件に決定してもよいし、図11の表示画面900で診断時のセンサ値比較領域920に標示された正常時923のセンサ値924と診断時927のセンサ値928とを確認した結果、劣化度頑健度上位の劣化度演算条件の中から、部品知識と照らし合わせてより納得感の高い劣化度演算条件を決定してもよい。
2 プラズマ処理装置ユーザ側診断装置
3 プラズマ処理装置メーカ側診断装置
4 プラズマ処理装置ユーザサーバ
20 実行部
30 分析部
200 区間抽出部
301 区間抽出条件設定部
302 劣化度演算式登録部
303 劣化度頑健度演算部
304 保守時期演算部
42 表示部
Claims (12)
- プラズマ処理装置の部品の劣化状態が診断される診断装置において、
前記部品の劣化度を演算する複数の演算条件における各々の前記部品に対する頑健度が求められ、前記求められた頑健度を基に各々の前記部品に対して前記複数の演算条件から一つの演算条件が選択され、前記選択された演算条件を用いて各々の前記部品の劣化状態が診断される分析部を備え、
前記頑健度は、前記プラズマ処理装置の複数の保守事例に対する前記劣化度の傾向の共通性を示す指標であることを特徴とする診断装置。 - 請求項1に記載の診断装置において、
プラズマ処理された試料の枚数と前記劣化度との相関係数の平均値を前記頑健度として求めることを特徴とする診断装置。 - 請求項1に記載の診断装置において、
前記部品の前記劣化度に関する時系列データとともに前記プラズマ処理装置の保守時期に関するアラーム情報を表示する表示部を更に備えることを特徴とする診断装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
部品の劣化度を演算する複数の演算条件における各々の前記部品に対する頑健度が求められ、前記求められた頑健度を基に各々の前記部品に対して前記複数の演算条件から一つの演算条件が選択され、前記選択された演算条件を用いて各々の前記部品の劣化状態が診断される診断装置をさらに備え、
前記頑健度は、複数の保守事例に対する前記劣化度の傾向の共通性を示す指標であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項4に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ処理された前記試料の枚数と前記劣化度との相関係数の平均値を前記頑健度として求めることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項4に記載のプラズマ処理装置において、
前記部品の前記劣化度に関する時系列データとともに保守時期に関するアラーム情報を表示する表示部を更に備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
部品の劣化度を演算する複数の演算条件における各々の前記部品に対する頑健度が求められ、前記求められた頑健度を基に各々の前記部品に対して前記複数の演算条件から一つの演算条件が選択され、前記選択された演算条件を用いて各々の前記部品の劣化状態が診断される診断装置に接続され、
前記頑健度は、複数の保守事例に対する前記劣化度の傾向の共通性を示す指標であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ処理装置の部品の劣化状態を診断する診断方法において、
前記部品の劣化度を演算する複数の演算条件における各々の前記部品に対する頑健度を求める工程と、
前記求められた頑健度を基に各々の前記部品に対して前記複数の演算条件から一つの演算条件を選択する工程と、
前記選択された演算条件を用いて各々の前記部品の劣化状態を診断する工程と有し、
前記頑健度は、前記プラズマ処理装置の複数の保守事例に対する前記劣化度の傾向の共通性を示す指標であることを特徴とする診断方法。 - 請求項8に記載の診断方法において、
プラズマ処理された試料の枚数と前記劣化度との相関係数の平均値を前記頑健度として求めることを特徴とする診断方法。 - 請求項8に記載の診断方法において、
前記部品の前記劣化度に関する時系列データとともに保守時期に関するアラーム情報を表示する工程をさらに有することを特徴とする診断方法。 - ネットワークを介して半導体製造装置に接続され、前記半導体製造装置の部品の劣化状態を診断する診断処理が実行されるプラットフォームを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記診断処理は、
前記部品の劣化度を演算する複数の演算条件における各々の前記部品に対する頑健度を求めるステップと、
前記求められた頑健度を基に各々の前記部品に対して前記複数の演算条件から一つの演算条件を選択するステップと、
前記選択された演算条件を用いて各々の前記部品の劣化状態を診断するステップとを有し、
前記頑健度は、前記半導体製造装置の複数の保守事例に対する前記劣化度の傾向の共通性を示す指標であることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項11に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記診断処理は、前記プラットフォームに備えられたアプリケーションとして実行されることを特徴とする半導体装置製造システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/026208 WO2023286142A1 (ja) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2023286142A1 JPWO2023286142A1 (ja) | 2023-01-19 |
JP7289992B1 true JP7289992B1 (ja) | 2023-06-12 |
Family
ID=84919131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022539010A Active JP7289992B1 (ja) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7289992B1 (ja) |
KR (1) | KR20230012453A (ja) |
CN (1) | CN116057675A (ja) |
TW (1) | TW202318475A (ja) |
WO (1) | WO2023286142A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532461A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | ラム リサーチ コーポレーション | 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 |
JP2018026558A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御 |
WO2020152889A1 (ja) * | 2019-07-30 | 2020-07-30 | 株式会社日立ハイテク | 装置診断装置、プラズマ処理装置及び装置診断方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018061842A1 (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 異常検知プログラム、異常検知方法および異常検知装置 |
JP6990634B2 (ja) | 2018-08-21 | 2022-02-03 | 株式会社日立ハイテク | 状態予測装置及び半導体製造装置 |
-
2021
- 2021-07-13 WO PCT/JP2021/026208 patent/WO2023286142A1/ja active Application Filing
- 2021-07-13 JP JP2022539010A patent/JP7289992B1/ja active Active
- 2021-07-13 KR KR1020227021048A patent/KR20230012453A/ko unknown
- 2021-07-13 CN CN202180013829.3A patent/CN116057675A/zh active Pending
-
2022
- 2022-07-12 TW TW111126052A patent/TW202318475A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532461A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | ラム リサーチ コーポレーション | 処理チャンバの予測予防保全のための方法と装置 |
JP2018026558A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御 |
WO2020152889A1 (ja) * | 2019-07-30 | 2020-07-30 | 株式会社日立ハイテク | 装置診断装置、プラズマ処理装置及び装置診断方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116057675A (zh) | 2023-05-02 |
JPWO2023286142A1 (ja) | 2023-01-19 |
WO2023286142A1 (ja) | 2023-01-19 |
KR20230012453A (ko) | 2023-01-26 |
TW202318475A (zh) | 2023-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10521193B2 (en) | Monitoring system and monitoring method | |
Ahmad et al. | A hybrid prognostics technique for rolling element bearings using adaptive predictive models | |
CN108615088B (zh) | 机台零件剩余寿命的预测系统与预测方法 | |
KR101066973B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
CN107924184B (zh) | 监视装置、监视装置的控制方法以及记录媒体 | |
CN111290335B (zh) | 处理时间监视装置 | |
JP4760240B2 (ja) | 監視結果処理装置、グルーピング方法、作業時間計測システム、制御プログラム、および記録媒体 | |
CN107924182B (zh) | 监视装置、监视装置的控制方法以及记录媒体 | |
TWI738411B (zh) | 裝置診斷裝置、電漿處理裝置及裝置診斷方法 | |
JP2010283000A (ja) | 半導体製造における装置異常の予兆検知方法 | |
JP7289992B1 (ja) | 診断装置及び診断方法並びにプラズマ処理装置及び半導体装置製造システム | |
JP2010218301A (ja) | 異常診断装置、異常診断方法及び異常診断プログラム | |
EP3349084B1 (en) | Process monitoring device, method and program | |
Dogu | Change point estimation based statistical monitoring with variable time between events (TBE) control charts | |
KR101622186B1 (ko) | 기기 상태 진단 장치 | |
CA2598841A1 (en) | State initialization for gas turbine engine performance diagnotics | |
CN116805160A (zh) | 用于训练神经网络以确定代表设备的磨损状态的特征向量的方法 | |
JP2010039733A (ja) | 製造プロセスの監視方法、監視プログラム、監視システムおよび製品の製造方法 | |
US20220365515A1 (en) | Data collection and analysis system, data collection and analysis apparatus, machine learning apparatus, and data collection and analysis method | |
JP7442013B2 (ja) | 診断装置、診断方法、半導体製造装置システム及び半導体装置製造システム | |
KR100793244B1 (ko) | 진공펌프 상태진단 시스템 | |
JP7471513B2 (ja) | 診断装置、半導体製造装置システム、半導体装置製造システムおよび診断方法 | |
Simon et al. | Health State Diagnosis and Prognostics based on Hidden Markov Model on ArcelorMittal’s galvanizing line | |
KR101234775B1 (ko) | 장비진단 모델링 장치, 장비진단 모델링 방법, 장비진단장치, 장비진단방법 및 기록매체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7289992 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |