JP2012243890A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一面30aを有する第1ヒートシンク30を用意すると共に、当該第1ヒートシンク30に搭載される半導体チップ10、20を用意する。そして、第1ヒートシンク30に第1導電性部材70を介して半導体チップ10、20を搭載する。その後、半導体チップ10、20をマスクとして、半導体チップ10、20および第1ヒートシンク30の一面30aを粗化する第1粗化処理工程を行う。
【選択図】図5
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態における半導体装置の平面図、図2(a)は図1中のA−A断面図、図2(b)は図1中のB−B断面図である。
本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、第1、第2半導体チップ10、20をマスクとし、第1、第2半導体チップ10、20と共に第1ヒートシンク30を粗化する製造方法について説明した。しかしながら、この製造方法では、上記のように、第1半導体チップ10のうちヒートシンクブロック50からはみ出す接続パッド118の表面にも凹凸が形成されることになり、接続パッド118と接続端子部32との間でワイヤボンディングを行った際に、電気的な接続不良が発生する可能性がある。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、第1ヒートシンク30の粗化処理を行った後に接続パッド118に導電性部材を追加するものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。図9は、本実施系形態における半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。なお、図9(a)は図5(c)における第1半導体チップ10の拡大図に相当している。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、接続パッド118とワイヤ80との接合を変更したものであり、その他に関しては上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図10は、本実施系形態における半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。なお、図10(a)は図5(c)における第1半導体チップ10の拡大図に相当している。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、第1、第2ヒートシンク30、40およびヒートシンクブロック50の形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図11は、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、第2ヒートシンク40およびヒートシンクブロック50を備えない構成としたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図12(a)は本実施形態における半導体装置の断面図、図12(b)は図12(a)に示す第1半導体チップ10の断面図である。なお、図12(a)は図1に示すB−B断面に相当しており、図12(a)には示されていないが第1ヒートシンク30には第2半導体チップ20も搭載されている。
(1)上記各実施形態では、第1〜第3導電性部材としてはんだ70、71、72を用いた例について説明したが、例えば、第1〜第3導電性部材として銀ペーストや導電性接着剤等を用いることもできる。
20 第2半導体チップ
30 第1ヒートシンク
40 第2ヒートシンク
50 ヒートシンクブロック
60 モールド樹脂
70〜72 はんだ
80 ワイヤ
Claims (20)
- 一面(30a)を有する第1ヒートシンク(30)を用意する工程と、
前記第1ヒートシンク(30)に搭載される半導体チップ(10、20)を用意する工程と、
前記第1ヒートシンク(30)に第1導電性部材(70)を介して前記半導体チップ(10、20)を搭載する搭載工程と、
前記搭載工程の後、前記半導体チップ(10、20)をマスクとして、前記半導体チップ(10、20)および前記第1ヒートシンク(30)の一面(30a)を粗化する第1粗化処理工程と、
前記半導体チップ(10、20)および前記第1導電性部材(70)と、前記第1ヒートシンク(30)の少なくとも一部をモールド樹脂(60)で封止する工程と、を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、半導体基板を用いて構成され、素子構造が形成される共に前記半導体基板の表面側に前記素子構造の一部と電気的に接続された表面電極(112)が形成されたセル領域と、前記セル領域の外周に設けられ、前記半導体基板の表面側に保護膜(120)が形成されると共に、前記素子構造のうち前記表面電極(112)と電気的に接続された部分と異なる一部と電気的に接続され、前記保護膜(120)に形成された開口部(120a)から露出するパッド部(119)を備えた外周領域と、を有するものを用意することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記表面電極(112)が金属膜の積層構造とされているものを用意することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記金属膜のうちの少なくとも一部がニッケルで構成されているものを用意することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記パッド部(119)が金属膜の積層構造とされているものを用意することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を挟んで前記第1ヒートシンク(30)と反対側に配置される第2ヒートシンク(40)を用意する工程と、
前記第2ヒートシンク(40)に第2導電性部材(71)を配置する配置工程と、
前記配置工程の後、前記第2導電性部材(71)をマスクとして、前記第2導電性部材(71)および前記第2ヒートシンク(40)の一面(40a)を粗化する第2粗化処理工程と、を行い、
前記封止工程の前に、前記第2導電性部材(71)を介して前記半導体チップ(10)と前記第2ヒートシンク(40)とを接続する接続工程を行い、
前記封止工程では、前記第2ヒートシンク(40)の少なくとも一部を前記モールド樹脂(60)で封止することを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記搭載工程では、前記半導体チップ(10)の前記表面電極(112)に第3導電性部材(72)を介して導体部材(50)を搭載し、
前記第1粗化処理工程では、前記半導体チップ(10)および前記導体部材(50)をマスクとして、前記半導体チップ(10)のうち前記導体部材(50)から突出する部分および前記第1ヒートシンク(30)の一面(30a)を粗化し、
前記接続工程では、前記導体部材(50)および前記第2導電性部材(71)を介して前記半導体チップ(10)と前記第2ヒートシンク(40)とを接続することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記搭載工程では、前記導体部材(50)上にはんだ(71a)を配置し、
前記配置工程では、前記第2導電性部材(71)としてはんだ(71b)を配置し、
前記接続工程では、前記導体部材(50)上に配置されたはんだ(71a)と前記第2ヒートシンク(40)の一面(40a)に配置されたはんだ(71b)とを接合することによって、前記半導体チップ(10)と前記第2ヒートシンク(40)とを接続することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1粗化処理工程では、前記半導体チップ(10)に前記パッド部(119)を被覆するマスク(130)が配置された状態で行うことを特徴とする請求項2ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1粗化処理工程の後であって前記封止工程の前に、前記パッド部(119)に導電性部材(141)を配置して当該パッド部(119)の表面を平坦化することを特徴とする請求項2ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1粗化処理工程の後であって前記封止工程の前に、前記パッド部(119)に接続部材(80)をはんだ接合することを特徴とする請求項2ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記保護膜(120)として、前記素子構造の耐圧を保持する第1表面保護膜(121)上に第2表面保護膜(122)が積層されたものを用意することを特徴とする請求項2ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記第1表面保護膜(121)上に絶縁フィルムで構成される前記第2表面保護膜(122)を貼り付けたものを用意することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップ(10)を用意する工程では、前記保護膜(120)を構成すると共に前記素子構造の耐圧を保持する第1表面保護膜(121)が形成されたものを用意し、
前記第1粗化処理工程または前記接続工程の後に、前記第1表面保護膜(121)上に第2表面保護膜(122)を配置して前記保護膜(120)を構成し、前記保護膜(120)の膜厚を前記第1粗化処理工程の前の前記第1表面保護膜(121)の膜厚より厚くすることを特徴とする請求項2ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 第1ヒートシンク(30)を用意する工程では、前記一面(30a)の面積が前記一面(30a)と反対側の他面(30b)の面積より小さくされたテーパ形状とされているものを用意することを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップ(10、20)と、
一面(30a)を有すると共に前記一面(30a)に第1導電性部材(70)を介して前記半導体チップ(10、20)が搭載される第1ヒートシンク(30)と、
前記第1ヒートシンク(30)の少なくとも一部および前記半導体チップ(10、20)を封止するモールド樹脂(60)と、を有し、
前記半導体チップ(10、20)の少なくとも一部が粗化されていると共に、前記第1ヒートシンク(30)の一面(30a)のうち前記第1導電性部材(70)と接触する導電性部材接触領域以外の部分が粗化されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップ(10)は、半導体基板を用いて構成され、素子構造が形成される共に前記半導体基板の表面側に前記素子構造の一部と電気的に接続された表面電極(112)が形成されたセル領域と、前記セル領域の外周に設けられ、前記半導体基板の表面側に保護膜(120)が形成されると共に、前記素子構造のうち前記表面電極(112)と電気的に接続された部分と異なる一部と電気的に接続され、前記保護膜(120)に形成された開口部(120a)から露出するパッド部(119)を備えた外周領域と、を有し、
前記表面電極(112)は、表面が凹凸形状とされていると共に凹部の底面が当該表面電極(112)内に位置しており、
前記保護膜(120)は、表面が凹凸形状とされていると共に凹部の底面が当該保護膜(120)内に位置し、
前記パッド部(119)は、表面が凹凸形状とされていると共に凹部の底面が当該パッド部(119)内に位置していることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップ(10)を挟んで前記第1ヒートシンク(30)と反対側に配置される第2ヒートシンク(40)を備え、前記第2ヒートシンク(40)の一面(40a)が第2導電性部材(71)を介して前記半導体チップ(10)と接続されており、
前記第2ヒートシンク(40)は、前記一面(40a)のうち前記第2導電性部材(71)と接触する導電性部材接触領域以外の部分が粗化されていると共に、前記モールド樹脂(60)に少なくとも一部が封止されていることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップ(10)は、半導体基板を用いて構成され、素子構造が形成される共に前記半導体基板の表面側に前記素子構造の一部と電気的に接続された表面電極(112)が形成されたセル領域と、前記セル領域の外周に設けられ、前記半導体基板の表面側に保護膜(120)が形成されると共に、前記素子構造のうち前記表面電極(112)と電気的に接続された部分と異なる一部と電気的に接続され、前記保護膜(120)に形成された開口部(120a)から露出するパッド部(119)を備えた外周領域と、を有し、
前記保護膜(120)は、表面が凹凸形状とされていると共に凹部の底面が当該保護膜(120)内に位置し、
前記パッド部(119)は、表面が凹凸形状とされていると共に凹部の底面が当該パッド部(119)内に位置していることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップ(10)と前記第2ヒートシンク(40)との間に導体部材(50)が備えられていることを特徴とする請求項18または19に記載の半導体装置。
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