JPH0521290A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0521290A JPH0521290A JP16994091A JP16994091A JPH0521290A JP H0521290 A JPH0521290 A JP H0521290A JP 16994091 A JP16994091 A JP 16994091A JP 16994091 A JP16994091 A JP 16994091A JP H0521290 A JPH0521290 A JP H0521290A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
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- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種電子機器に使用される固体電解コンデン
サにおいて、特に表面実装時の熱衝撃に耐えられ、しか
も半田付け性の優れた信頼性の高い固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。 【構成】 コンデンサ素子21とリードフレーム22の
一部をモールド樹脂で外装した固体電解コンデンサにお
いて、リードフレーム22とモールド樹脂とが接触する
部分以外のリードフレーム22の表面に銅金属層を下地
とする半田合金層または錫金属層を形成し、モールド樹
脂と接触するリードフレーム22部分には、銅金属層の
みを形成するとともに、その表面を粗面化する。
サにおいて、特に表面実装時の熱衝撃に耐えられ、しか
も半田付け性の優れた信頼性の高い固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。 【構成】 コンデンサ素子21とリードフレーム22の
一部をモールド樹脂で外装した固体電解コンデンサにお
いて、リードフレーム22とモールド樹脂とが接触する
部分以外のリードフレーム22の表面に銅金属層を下地
とする半田合金層または錫金属層を形成し、モールド樹
脂と接触するリードフレーム22部分には、銅金属層の
みを形成するとともに、その表面を粗面化する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器に用いられ、特
に表面実装時に優れた特性を示す固体電解コンデンサに
関するものである。
に表面実装時に優れた特性を示す固体電解コンデンサに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の進歩とともに電子部品
のチップ化が進み、電子回路の組立が表面実装により行
われることが主流となってきた。このため、チップ部品
のリード端子の半田付け性が要求されることはもちろ
ん、半田付け時の高温下に長時間耐える耐熱性も要求さ
れるようになってきた。従来、耐熱性に乏しいといわれ
た電解コンデンサの分野でも材料と技術の進歩により、
表面実装のできるチップ部品が主流となりつつある。例
えば、図7(a),(b)に示すように、コンデンサ素
子を陽極端子1および陰極端子2を兼ねるリードフレー
ムとともに樹脂でモールドして樹脂外装3を施した固体
電解コンデンサが知られている。
のチップ化が進み、電子回路の組立が表面実装により行
われることが主流となってきた。このため、チップ部品
のリード端子の半田付け性が要求されることはもちろ
ん、半田付け時の高温下に長時間耐える耐熱性も要求さ
れるようになってきた。従来、耐熱性に乏しいといわれ
た電解コンデンサの分野でも材料と技術の進歩により、
表面実装のできるチップ部品が主流となりつつある。例
えば、図7(a),(b)に示すように、コンデンサ素
子を陽極端子1および陰極端子2を兼ねるリードフレー
ムとともに樹脂でモールドして樹脂外装3を施した固体
電解コンデンサが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな樹脂外装3を施した固体電解コンデンサにおいて
は、表面実装時の半田付け時に高温にさらされることに
より樹脂外装3の気密性が低下し、これにより、外部か
ら空気中の酸素や水蒸気が内部に侵入するため、内部の
コンデンサ素子にダメージを与え、特性の劣化を引き起
こすことがしばしばあった。この原因としては下記のよ
うな理由が考えられる。
うな樹脂外装3を施した固体電解コンデンサにおいて
は、表面実装時の半田付け時に高温にさらされることに
より樹脂外装3の気密性が低下し、これにより、外部か
ら空気中の酸素や水蒸気が内部に侵入するため、内部の
コンデンサ素子にダメージを与え、特性の劣化を引き起
こすことがしばしばあった。この原因としては下記のよ
うな理由が考えられる。
【0004】(1)チップ部品の面実装時の半田付け性
を向上させるために、リードフレームの表面全体に半田
合金または錫金属層を設けているため、表面実装時の高
温下ではこれらの低融点金属が溶融し、外装樹脂とリー
ドフレームの表面との間に空隙が生じることによって気
密性が低下する。
を向上させるために、リードフレームの表面全体に半田
合金または錫金属層を設けているため、表面実装時の高
温下ではこれらの低融点金属が溶融し、外装樹脂とリー
ドフレームの表面との間に空隙が生じることによって気
密性が低下する。
【0005】(2)リードフレームに用いられる基材金
属と外装樹脂の熱膨張係数が異なるため、膨張収縮によ
り、外装樹脂とリードフレームとの間に空隙が生じるこ
とによって気密性が低下する。
属と外装樹脂の熱膨張係数が異なるため、膨張収縮によ
り、外装樹脂とリードフレームとの間に空隙が生じるこ
とによって気密性が低下する。
【0006】また、本発明者らはこれらの課題を解決す
るためにリードフレームの表面に銅金属層を形成し、か
つその表面を粗面化するという提案を行った。この場
合、リードフレームの表面の銅金属層を粗面化すること
により、上記した2点の課題は完全に解決できたが、以
下に記した理由によると考えられる半田付け性に関する
新たな課題が生じた。
るためにリードフレームの表面に銅金属層を形成し、か
つその表面を粗面化するという提案を行った。この場
合、リードフレームの表面の銅金属層を粗面化すること
により、上記した2点の課題は完全に解決できたが、以
下に記した理由によると考えられる半田付け性に関する
新たな課題が生じた。
【0007】(1)粗面化された銅金属面の酸化が急速
に進むために半田の濡れ性が悪くなり、これにより、導
出端子となるリードフレームの半田付け性は、半田合金
層または錫金属層を有するものに比べるとかなり低下す
る。
に進むために半田の濡れ性が悪くなり、これにより、導
出端子となるリードフレームの半田付け性は、半田合金
層または錫金属層を有するものに比べるとかなり低下す
る。
【0008】(2)外装をトランスファーモールド法に
より行う場合、外装樹脂のバリが粗面化したリードフレ
ーム上に薄バリとして強固に密着して導出端子となるリ
ードフレームの表面を覆うため、半田付け性の著しい低
下をきたす。
より行う場合、外装樹脂のバリが粗面化したリードフレ
ーム上に薄バリとして強固に密着して導出端子となるリ
ードフレームの表面を覆うため、半田付け性の著しい低
下をきたす。
【0009】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、表面実装時の熱衝撃に耐えられ、しかも半田付け性
の優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
で、表面実装時の熱衝撃に耐えられ、しかも半田付け性
の優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを提供するこ
とを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の固体電解コンデンサは、弁金属よりなる板ま
たは箔上に形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘
電体の所定の部分に導電性高分子層および導電体層を順
次形成してコンデンサ素子を構成するとともに、このコ
ンデンサ素子の弁金属部と導電体層部に導出端子となる
リードフレームを接続し、さらに前記コンデンサ素子と
リードフレームの一部をモールド樹脂で外装する固体電
解コンデンサにおいて、前記リードフレームのモールド
樹脂と接触する部分以外の表面に銅金属層を下地とする
半田合金層または錫金属層を形成し、かつモールド樹脂
と接触するリードフレーム部分には銅金属層のみを形成
し、かつその銅金属層の表面を粗面化した構成にしたも
のである。
に本発明の固体電解コンデンサは、弁金属よりなる板ま
たは箔上に形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘
電体の所定の部分に導電性高分子層および導電体層を順
次形成してコンデンサ素子を構成するとともに、このコ
ンデンサ素子の弁金属部と導電体層部に導出端子となる
リードフレームを接続し、さらに前記コンデンサ素子と
リードフレームの一部をモールド樹脂で外装する固体電
解コンデンサにおいて、前記リードフレームのモールド
樹脂と接触する部分以外の表面に銅金属層を下地とする
半田合金層または錫金属層を形成し、かつモールド樹脂
と接触するリードフレーム部分には銅金属層のみを形成
し、かつその銅金属層の表面を粗面化した構成にしたも
のである。
【0011】
【作用】上記構成によれば、コンデンサ素子の弁金属部
と導電体層部に接続される導出端子となるリードフレー
ムにおけるモールド樹脂とリードフレームとが接触する
部分以外は、表面に銅金属層を下地とする半田合金層ま
たは錫金属層を有し、またモールド樹脂とリードフレー
ムとが接触する部分は、前記半田合金層または錫金属層
が存在せず銅金属層のみを有し、かつその部分のみの表
面を粗面化しているため、リードフレームをプリント基
板に半田付けにより表面実装する場合、リードフレーム
表面が低融点の半田合金層または錫金属層を有している
ことにより、半田付け性は優れたものが得られるととも
に、外装樹脂との密着性は銅金属層の表面を粗面化して
いることにより、他の構成と比べてはるかに優れてお
り、これにより、表面実装時における膨張収縮の熱衝撃
にも耐えることができ、かつ外装の気密性も優れたもの
が得られるため、信頼性の高い固体電解コンデンサを得
ることができるものである。
と導電体層部に接続される導出端子となるリードフレー
ムにおけるモールド樹脂とリードフレームとが接触する
部分以外は、表面に銅金属層を下地とする半田合金層ま
たは錫金属層を有し、またモールド樹脂とリードフレー
ムとが接触する部分は、前記半田合金層または錫金属層
が存在せず銅金属層のみを有し、かつその部分のみの表
面を粗面化しているため、リードフレームをプリント基
板に半田付けにより表面実装する場合、リードフレーム
表面が低融点の半田合金層または錫金属層を有している
ことにより、半田付け性は優れたものが得られるととも
に、外装樹脂との密着性は銅金属層の表面を粗面化して
いることにより、他の構成と比べてはるかに優れてお
り、これにより、表面実装時における膨張収縮の熱衝撃
にも耐えることができ、かつ外装の気密性も優れたもの
が得られるため、信頼性の高い固体電解コンデンサを得
ることができるものである。
【0012】
【実施例】以下、本発明の各実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【0013】(実施例1)まず、図1に示すように、エ
ッチングにより粗面化された厚さ100μmの弁金属で
あるアルミニウム化成箔を電極体11とし、この電極体
11に図2(b)に示す粘着剤12を塗布した短冊状の
耐熱性の絶縁フィルム13を貼付け、陰極部14と陽極
部15を区分した。そして図2(a),(b)に示すよ
うに陰極部14の化成皮膜16の上に導電物質層17で
ある薄膜状のマンガン酸化物層を形成し、次にアルキル
ナフタレンスルフォン酸塩を支持電解質としたピロール
を含有するエマルジョン中で電解重合を行い、導電物質
層17上にポリピロールの導電性高分子層18を形成し
た。さらに、その上にグラファイト層19および銀ペイ
ント層20からなる導体層を公知の方法で順次形成する
ことにより、図2(a),(b)に示すコンデンサ素子
21を得た。
ッチングにより粗面化された厚さ100μmの弁金属で
あるアルミニウム化成箔を電極体11とし、この電極体
11に図2(b)に示す粘着剤12を塗布した短冊状の
耐熱性の絶縁フィルム13を貼付け、陰極部14と陽極
部15を区分した。そして図2(a),(b)に示すよ
うに陰極部14の化成皮膜16の上に導電物質層17で
ある薄膜状のマンガン酸化物層を形成し、次にアルキル
ナフタレンスルフォン酸塩を支持電解質としたピロール
を含有するエマルジョン中で電解重合を行い、導電物質
層17上にポリピロールの導電性高分子層18を形成し
た。さらに、その上にグラファイト層19および銀ペイ
ント層20からなる導体層を公知の方法で順次形成する
ことにより、図2(a),(b)に示すコンデンサ素子
21を得た。
【0014】次に、厚さ0.1mmの鉄基材をプレスによ
り図3に示すリードフレーム22の形状に打ち抜き、そ
の表面に厚さ3μmの銅メッキよりなる銅金属層を形成
し、その後、厚さ1〜10μmの半田メッキよりなる半
田合金層を形成してリードフレーム22を構成した。そ
の後、図4(a)に示すように、このリードフレーム2
2の表面の所定の部分23(図中のハッチングで示した
樹脂モールド外装の樹脂と接触する部分)以外を厚さ1
mmのブタジエンゴム製のマスク材でマスクし、それ以外
の所定の部分23をアルミナ研磨材を用いて乾式サンド
ブラスト法によって半田合金層が完全に除去されるまで
研磨して銅金属層を露出させ、そしてこの所定の部分2
3のみの表面を粗面化した。
り図3に示すリードフレーム22の形状に打ち抜き、そ
の表面に厚さ3μmの銅メッキよりなる銅金属層を形成
し、その後、厚さ1〜10μmの半田メッキよりなる半
田合金層を形成してリードフレーム22を構成した。そ
の後、図4(a)に示すように、このリードフレーム2
2の表面の所定の部分23(図中のハッチングで示した
樹脂モールド外装の樹脂と接触する部分)以外を厚さ1
mmのブタジエンゴム製のマスク材でマスクし、それ以外
の所定の部分23をアルミナ研磨材を用いて乾式サンド
ブラスト法によって半田合金層が完全に除去されるまで
研磨して銅金属層を露出させ、そしてこの所定の部分2
3のみの表面を粗面化した。
【0015】そしてこの部分的に粗面化したリードフレ
ーム22上の陰極部14と対応する位置24に導電性接
着剤を少量塗布してコンデンサ素子21を積層すること
により載置した。この後、コンデンサ素子21の陰極部
14側および陽極部15側はリードフレーム22の一部
を折り曲げてコンデンサ素子21を固定した。さらに陽
極部15側は陽極押さえ部25の上からレーザー溶接を
行って接合することにより、図4(b)のように両電極
をリードフレーム22上に接続した。
ーム22上の陰極部14と対応する位置24に導電性接
着剤を少量塗布してコンデンサ素子21を積層すること
により載置した。この後、コンデンサ素子21の陰極部
14側および陽極部15側はリードフレーム22の一部
を折り曲げてコンデンサ素子21を固定した。さらに陽
極部15側は陽極押さえ部25の上からレーザー溶接を
行って接合することにより、図4(b)のように両電極
をリードフレーム22上に接続した。
【0016】このようにコンデンサ素子21を設置した
リードフレーム22をトランスファーモールド成形法に
よって図5に示すようにエポキシ樹脂26でモールド成
形した後、成形時の樹脂バリを樹脂ビーズを研磨材とし
てサンドブラスト法により取り除いてからリードフレー
ム22を切り離して固体電解コンデンサを得た。
リードフレーム22をトランスファーモールド成形法に
よって図5に示すようにエポキシ樹脂26でモールド成
形した後、成形時の樹脂バリを樹脂ビーズを研磨材とし
てサンドブラスト法により取り除いてからリードフレー
ム22を切り離して固体電解コンデンサを得た。
【0017】こうして得られた固体電解コンデンサの外
装気密性の評価は250±5℃の恒温槽中に5分間放置
した後、室温中に取り出すことを3回繰り返す熱処理を
行ったものを次のようなオートラジオグラフィー外装気
密性試験によりテストした。すなわち、供試コンデンサ
サンプルを放射性同位元素のKr85を含む7MPaに
加圧された不活性ガスの雰囲気中に30分間保持した
後、各コンデンササンプルの保持する放射線量を測定す
ることにより、外装内に取り込まれた外気量を定量し、
そして写真フィルム上で感光させることにより外装の気
密性破壊サンプルを検出した。
装気密性の評価は250±5℃の恒温槽中に5分間放置
した後、室温中に取り出すことを3回繰り返す熱処理を
行ったものを次のようなオートラジオグラフィー外装気
密性試験によりテストした。すなわち、供試コンデンサ
サンプルを放射性同位元素のKr85を含む7MPaに
加圧された不活性ガスの雰囲気中に30分間保持した
後、各コンデンササンプルの保持する放射線量を測定す
ることにより、外装内に取り込まれた外気量を定量し、
そして写真フィルム上で感光させることにより外装の気
密性破壊サンプルを検出した。
【0018】この結果を母数に対する不良数として分数
で表わし、(表1)に示した。また、このコンデンサの
リードフレーム22の半田付け性の評価のために次のよ
うな方法で半田濡れ性試験を行った。すなわち、230
℃の溶融半田槽中にフラックスを塗布しない試験リード
フレーム22を毎秒2.0mmの速度で5.0mmまで浸漬
し、その時間における濡れ状態を時間の経過とともに追
跡した。濡れ状態は半田と被半田付け金属の接触角の変
化で表わされるが、接触角をθとして表わすと、180
゜≧θ>90゜の場合、半田槽からの反作用として正の
作用力が働き、そしてθ=90゜の時作用力は0とな
る。また半田が被半田付け金属と濡れてゆく90゜>θ
≧0゜の範囲では負の作用力が働く。この作用力を時間
の関数としてグラフ化し、浸漬開始からθ=90゜とな
るまでの時間を測定することにより濡れ性を評価した。
この試験結果とそのグラフをそれぞれ(表1)と図6
(a)に示す。
で表わし、(表1)に示した。また、このコンデンサの
リードフレーム22の半田付け性の評価のために次のよ
うな方法で半田濡れ性試験を行った。すなわち、230
℃の溶融半田槽中にフラックスを塗布しない試験リード
フレーム22を毎秒2.0mmの速度で5.0mmまで浸漬
し、その時間における濡れ状態を時間の経過とともに追
跡した。濡れ状態は半田と被半田付け金属の接触角の変
化で表わされるが、接触角をθとして表わすと、180
゜≧θ>90゜の場合、半田槽からの反作用として正の
作用力が働き、そしてθ=90゜の時作用力は0とな
る。また半田が被半田付け金属と濡れてゆく90゜>θ
≧0゜の範囲では負の作用力が働く。この作用力を時間
の関数としてグラフ化し、浸漬開始からθ=90゜とな
るまでの時間を測定することにより濡れ性を評価した。
この試験結果とそのグラフをそれぞれ(表1)と図6
(a)に示す。
【0019】(実施例2)実施例1のリードフレーム2
2上のメッキにおいて、半田メッキのかわりに、厚さ1
〜10μmの錫メッキよりなる錫金属層を形成し、そし
て実施例1と同じようにしてコンデンサを作製したもの
について、外装気密性の評価を行った。この結果を同じ
く(表1)に示す。
2上のメッキにおいて、半田メッキのかわりに、厚さ1
〜10μmの錫メッキよりなる錫金属層を形成し、そし
て実施例1と同じようにしてコンデンサを作製したもの
について、外装気密性の評価を行った。この結果を同じ
く(表1)に示す。
【0020】また、このコンデンサのリードフレーム2
2の半田付け性の評価のために半田濡れ性試験を行った
結果とそのグラフをそれぞれ(表1)と図6(b)に示
す。
2の半田付け性の評価のために半田濡れ性試験を行った
結果とそのグラフをそれぞれ(表1)と図6(b)に示
す。
【0021】(比較例)厚さ0.1mmのリードフレーム
22を構成する鉄基材の表面に厚さ3μmの銅メッキよ
りなる銅金属層のみを形成し、かつその表面全体に粗面
化処理を行ったリードフレーム22と、実施例1および
2と同様に所定の部分のみを部分的に粗面化処理を行っ
たリードフレームを使用して、実施例1と同じようにし
てコンデンサを作製したものについて、外装気密性評価
と半田濡れ性試験を行った結果とそのグラフをそれぞれ
(表1)と図6(c),(d)に示す。
22を構成する鉄基材の表面に厚さ3μmの銅メッキよ
りなる銅金属層のみを形成し、かつその表面全体に粗面
化処理を行ったリードフレーム22と、実施例1および
2と同様に所定の部分のみを部分的に粗面化処理を行っ
たリードフレームを使用して、実施例1と同じようにし
てコンデンサを作製したものについて、外装気密性評価
と半田濡れ性試験を行った結果とそのグラフをそれぞれ
(表1)と図6(c),(d)に示す。
【0022】
【表1】
【0023】(表1)から明らかなように、いずれの方
法でも外装気密性は良好な結果が得られるが、半田付け
性では実施例1および実施例2のコンデンサは半田濡れ
性試験の結果が非常に良好で、全条件が0.5秒以内に
濡れるのに対して、比較例の場合は、半田濡れ性が低下
しているのが分かる。特に、リードフレーム22の全体
を粗面化したものはその濡れ性が著しく低下し、リード
フレームがほとんど濡れなくなる場合がある。
法でも外装気密性は良好な結果が得られるが、半田付け
性では実施例1および実施例2のコンデンサは半田濡れ
性試験の結果が非常に良好で、全条件が0.5秒以内に
濡れるのに対して、比較例の場合は、半田濡れ性が低下
しているのが分かる。特に、リードフレーム22の全体
を粗面化したものはその濡れ性が著しく低下し、リード
フレームがほとんど濡れなくなる場合がある。
【0024】比較例で半田の濡れ性が低下して半田不濡
れ部ができたリードフレーム22の表面を表面分析した
結果、数千オングストローム銅の酸化物層の存在が確認
された。また電子顕微鏡での観察ではリードフレーム2
2の全体を粗面化したものでは、粗面化された表面にモ
ールド成形時の樹脂バリが残存していることが確認さ
れ、これらの酸化物や樹脂バリが半田濡れ性を低下させ
たものと考えられる。
れ部ができたリードフレーム22の表面を表面分析した
結果、数千オングストローム銅の酸化物層の存在が確認
された。また電子顕微鏡での観察ではリードフレーム2
2の全体を粗面化したものでは、粗面化された表面にモ
ールド成形時の樹脂バリが残存していることが確認さ
れ、これらの酸化物や樹脂バリが半田濡れ性を低下させ
たものと考えられる。
【0025】実施例1および実施例2では上記のような
酸化物層や樹脂バリの存在は認められなかったことか
ら、半田合金層や錫金属層は樹脂との密着性が銅金属層
に比較して劣るため、サンドブラスト法による樹脂バリ
取りで十分にバリを除去できたものと考えられる。
酸化物層や樹脂バリの存在は認められなかったことか
ら、半田合金層や錫金属層は樹脂との密着性が銅金属層
に比較して劣るため、サンドブラスト法による樹脂バリ
取りで十分にバリを除去できたものと考えられる。
【0026】
【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サによれば、コンデンサ素子の弁金属部と導電体層部に
接続される導出端子となるリードフレームにおけるモー
ルド樹脂とリードフレームとが接触する部分以外は、表
面に銅金属層を下地とする半田合金層または錫金属層を
有し、またモールド樹脂とリードフレームとが接触する
部分は、前記半田合金層または錫金属層が存在せず銅金
属層のみを有し、かつその部分のみの表面を粗面化して
いるため、リードフレームをプリント基板に半田付けに
より表面実装する場合、リードフレーム表面が低融点の
半田合金層または錫金属層を有していることにより、半
田付け性は優れたものが得られるとともに、外装樹脂と
の密着性は銅金属層の表面を粗面化していることによ
り、他の構成と比べてはるかに優れており、これによ
り、表面実装時における膨張収縮の熱衝撃にも耐えるこ
とができ、かつ外装の気密性も優れたものが得られるた
め、信頼性の高い固体電解コンデンサを得ることができ
るものである。
サによれば、コンデンサ素子の弁金属部と導電体層部に
接続される導出端子となるリードフレームにおけるモー
ルド樹脂とリードフレームとが接触する部分以外は、表
面に銅金属層を下地とする半田合金層または錫金属層を
有し、またモールド樹脂とリードフレームとが接触する
部分は、前記半田合金層または錫金属層が存在せず銅金
属層のみを有し、かつその部分のみの表面を粗面化して
いるため、リードフレームをプリント基板に半田付けに
より表面実装する場合、リードフレーム表面が低融点の
半田合金層または錫金属層を有していることにより、半
田付け性は優れたものが得られるとともに、外装樹脂と
の密着性は銅金属層の表面を粗面化していることによ
り、他の構成と比べてはるかに優れており、これによ
り、表面実装時における膨張収縮の熱衝撃にも耐えるこ
とができ、かつ外装の気密性も優れたものが得られるた
め、信頼性の高い固体電解コンデンサを得ることができ
るものである。
【図1】本発明の実施例1に使用したアルミニウム化成
箔を基材とする電極体の概要図
箔を基材とする電極体の概要図
【図2】(a)実施例1のコンデンサ素子の平面図
(b)(a)におけるB−B´線断面図
【図3】実施例1で使用したリードフレームの形状を示
す横断面図
す横断面図
【図4】(a)図3のリードフレームの概要を示す部分
拡大図 (b)(a)のリードフレームにコンデンサ素子を搭載
した状態を示す部分拡大図
拡大図 (b)(a)のリードフレームにコンデンサ素子を搭載
した状態を示す部分拡大図
【図5】実施例1でコンデンサ素子をリードフレームと
ともに樹脂成形した形状を示す概要図
ともに樹脂成形した形状を示す概要図
【図6】(a)本発明の実施例1の半田濡れ性を示すグ
ラフ (b)本発明の実施例2の半田濡れ性を示すグラフ (c)比較例でリードフレームを全面粗面化した場合の
半田濡れ性を示すグラフ (d)比較例でリードフレームを部分的に粗面化した場
合の半田濡れ性を示すグラフ
ラフ (b)本発明の実施例2の半田濡れ性を示すグラフ (c)比較例でリードフレームを全面粗面化した場合の
半田濡れ性を示すグラフ (d)比較例でリードフレームを部分的に粗面化した場
合の半田濡れ性を示すグラフ
【図7】(a)従来の固体電解コンデンサを示す上面図
(b)同固体電解コンデンサの側面図
11 電極体
16 化成皮膜
17 導電物質層
18 導電性高分子層
19 グラファイト層
20 銀ペイント層
21 コンデンサ素子
22 リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項1】弁金属よりなる板または箔上に形成した陽
極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に誘
電性高分子層および誘電体層を順次形成してコンデンサ
素子を構成するとともに、このコンデンサ素子の弁金属
部と導電体層部に導出端子となるリードフレームを接続
し、さらに前記コンデンサ素子とリードフレームの一部
をモールド樹脂で外装する固体電解コンデンサにおい
て、前記リードフレームのモールド樹脂と接触する部分
以外の表面に銅金属層を下地とする半田合金層または錫
金属層を形成し、かつモールド樹脂と接触するリードフ
レーム部分には銅金属層のみを形成し、かつその銅金属
層の表面を粗面化したことを特徴とする固体電解コンデ
ンサ。 - 【請求項2】リードフレームの表面の粗面化をサンドブ
ラスト法により行った請求項1記載の固体電解コンデン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16994091A JP3132053B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16994091A JP3132053B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521290A true JPH0521290A (ja) | 1993-01-29 |
JP3132053B2 JP3132053B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=15895724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16994091A Expired - Fee Related JP3132053B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3132053B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000074091A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Showa Denko K.K. | Condensateur electrolytique solide et son procede de production |
US7095303B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-08-22 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co., Ltd | Electromagnetic contactor |
WO2006118156A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Showa Denko K.K. | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2007005689A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Nichicon Corp | ヒューズ付固体電解コンデンサ |
JP2008047553A (ja) * | 2005-12-28 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2012243890A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20160118197A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-04-28 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method for making solid electrolytic capacitor package structure with improved conductive terminals |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16994091A patent/JP3132053B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2259276A1 (en) | 1999-05-28 | 2010-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
EP1215691A1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-06-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Solid electrolytic capacitor and method of manufacture thereof |
US6661645B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-12-09 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
EP1215691A4 (en) * | 1999-05-28 | 2006-01-04 | Showa Denko Kk | FIXED ELECTROLYTE CONDENSER AND ITS MANUFACTURING METHOD |
WO2000074091A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Showa Denko K.K. | Condensateur electrolytique solide et son procede de production |
US7095303B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-08-22 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co., Ltd | Electromagnetic contactor |
WO2006118156A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Showa Denko K.K. | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2007005689A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Nichicon Corp | ヒューズ付固体電解コンデンサ |
JP2008047553A (ja) * | 2005-12-28 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP4735251B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-07-27 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2012243890A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20160118197A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-04-28 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method for making solid electrolytic capacitor package structure with improved conductive terminals |
US9824827B2 (en) * | 2014-10-28 | 2017-11-21 | Apaq Technology Co., Ltd. | Method for making solid electrolytic capacitor package structure with improved conductive terminals |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3132053B2 (ja) | 2001-02-05 |
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